直拉硅单晶的氧和碳
电子半导体器件制造中直拉单晶硅氧浓度的控制-精选资料
电子半导体器件制造中直拉单晶硅氧浓度的控制单晶硅是微电子工业的基础材料，广泛用于集成电路和功率半导体器件的制造，成为当今信息社会的基石，同时也是太阳能光伏电池的主要材料，直拉单晶硅是利用切氏法（czochralski）制备，称为CZ单晶硅。
目前主要应用于微电子集成电路和太阳能电池方面。
在单晶硅直拉工艺引入的众多杂质中，氧对材料的性能影响最大，在表征单晶硅质量的众多参数中，氧含量及其均匀性是最重要的参数之一，也是在硅晶体生长过程中较难控制的参数。
1 直拉单晶硅的氧杂质直拉单晶硅存在杂质中氧是主要杂质，它来源于晶体生长过程中石英增锅的污染，是属于直拉单晶硅中不可避免的轻元素杂质；氧可以与空位结合，形成微缺陷；也可以团聚形成氧团簇，具有电学性能；还可以形成氧沉淀，引入诱生缺陷。
研究发现，利用氧的沉淀性质，设计“内吸杂”工艺，可以达到吸除直拉单晶硅中的金属杂质，提高集成电路产品成品率的作用，因此，人们对直拉单晶硅中的氧开始了有控制的利用。
直拉单晶硅的生长需要利用高纯的石英坩埚，虽然石英坩埚的熔点要高于硅材料的熔点（1420），但是，在如此的高温过程中，熔融的液态硅会侵蚀石英坩埚，导致少量的氧进入熔硅，最终进入直拉单晶硅。
直拉单晶硅中的氧一般在（5～20）×1017cm-3范围内，以过饱和间隙状态存在于晶体硅中。
2 氧对直拉单晶硅的影响氧在硅中大部分处于间隙位置，它与硅形成的Si-O键振动在11O6cm-1处产生红外吸收带，它还与空位符合产生836cm-1红外吸收带。
当CZSi单晶在350～500热处理几十小时后会产生热施主效应。
用直拉法生长的硅单晶（氧含量为1018atoms/cm3）有着最著名的热施主效应，悬浮区熔单晶（氧含量为1016atoms/cm3）热施主效应不明显，另外在500～800长时间热处理，又会出现新施主效应，而且只出现在氧含量较高的直拉单晶（氧含量为5×1017atoms/cm3）中。
硅中氧、碳及其含量测定
硅中氧、碳及其含量测定1.硅晶体中的氧直拉硅单晶中不可避免地存在氧。
尽管氧的含量不高，在百万分之二十（20ppma）左右，相当于硅晶体中直线距离不到40个硅原子有一个氧原子，它们的作用却不可忽视。
硅中的氧，取决于它存在的量、分布和存在的方式，对硅中缺陷的形成和晶片的特性有重要的影响。
因此，精确地测定和控制硅单晶中的氧含量是硅材料制造和器件加工中必不可少的环节，硅中氧含量是当今硅材料与器件制造业进行验收、工艺监控以及研究开发所必需掌握的关键数据。
直拉硅单晶中的氧是在晶体生长过程中由熔硅进入。
而熔硅中的氧主要由石英坩埚的溶解而引入。
高温下的熔硅会和它与接触的石英坩埚壁反应，使石英溶解，石英中的氧溶入熔硅。
含氧的熔硅被强烈的对流搅拌，带至熔硅上部暴露的表面和生长晶体的界面附近。
到达表面的氧以SiO的组成向气氛发散，被气流带走。
到达生长界面的氧就进入生长中的晶体。
在实际的生长系统中，由石英溶解进来的氧绝大部分被带到暴露的表面挥发走，只有很小部分（大约2%）进入硅晶体。
进入硅晶体的氧含量与上述过程中的每一个环节都有关，因此影响因素较多：原料多晶硅和吹扫气氩气的含氧量，石英坩埚材质和表面涂层，熔硅直径与深度的比例，石墨热场设计所决定的坩埚壁的温度，由坩埚和晶体转动所引起的对流，吹扫气流在炉内（特别是熔硅上部）流动的分布，以及外加磁场的方式，都可能对氧的引入，即晶片中氧的浓度及其分布，产生重要作用。
在晶体生长过程中这些因素会发生变化，所以，晶体中不同部位的氧含量也会相应变化。
在高温下引入硅中的氧处于固溶体状态。
随着晶体生长后的冷却，这些氧逐渐处于过饱和状态。
这时，由于已处于固态，氧原子在硅晶格中的移动受到限制。
如果高温下的历程不是太久的话，这些氧原子会保持这种过饱和状态，以填隙原子的形式存在于硅晶格中。
通常由直拉法生产的硅晶片中的氧大多都是处于这种状态。
这种过饱和的氧处于一种不稳定的状态。
硅晶格中处于填隙位置的氧原子引起临近的局部挤压应力。
硅中氧、碳及其含量测定
硅中氧、碳及其含量测定1.硅晶体中的氧直拉硅单晶中不可避免地存在氧。
尽管氧的含量不高，在百万分之二十（20ppma）左右，相当于硅晶体中直线距离不到40个硅原子有一个氧原子，它们的作用却不可忽视。
硅中的氧，取决于它存在的量、分布和存在的方式，对硅中缺陷的形成和晶片的特性有重要的影响。
因此，精确地测定和控制硅单晶中的氧含量是硅材料制造和器件加工中必不可少的环节，硅中氧含量是当今硅材料与器件制造业进行验收、工艺监控以及研究开发所必需掌握的关键数据。
直拉硅单晶中的氧是在晶体生长过程中由熔硅进入。
而熔硅中的氧主要由石英坩埚的溶解而引入。
高温下的熔硅会和它与接触的石英坩埚壁反应，使石英溶解，石英中的氧溶入熔硅。
含氧的熔硅被强烈的对流搅拌，带至熔硅上部暴露的表面和生长晶体的界面附近。
到达表面的氧以SiO的组成向气氛发散，被气流带走。
到达生长界面的氧就进入生长中的晶体。
在实际的生长系统中，由石英溶解进来的氧绝大部分被带到暴露的表面挥发走，只有很小部分（大约2%）进入硅晶体。
进入硅晶体的氧含量与上述过程中的每一个环节都有关，因此影响因素较多：原料多晶硅和吹扫气氩气的含氧量，石英坩埚材质和表面涂层，熔硅直径与深度的比例，石墨热场设计所决定的坩埚壁的温度，由坩埚和晶体转动所引起的对流，吹扫气流在炉内（特别是熔硅上部）流动的分布，以及外加磁场的方式，都可能对氧的引入，即晶片中氧的浓度及其分布，产生重要作用。
在晶体生长过程中这些因素会发生变化，所以，晶体中不同部位的氧含量也会相应变化。
在高温下引入硅中的氧处于固溶体状态。
随着晶体生长后的冷却，这些氧逐渐处于过饱和状态。
这时，由于已处于固态，氧原子在硅晶格中的移动受到限制。
如果高温下的历程不是太久的话，这些氧原子会保持这种过饱和状态，以填隙原子的形式存在于硅晶格中。
通常由直拉法生产的硅晶片中的氧大多都是处于这种状态。
这种过饱和的氧处于一种不稳定的状态。
硅晶格中处于填隙位置的氧原子引起临近的局部挤压应力。
第五章_直拉单晶硅中的杂质和位错
热施主在300-550度范围内产生，450度产生最 大热施主浓度 热施主在550度以上短时间热处理就可以消除， 通常在650度热处理0.5-1h就可以消除 初始形成速率与氧浓度的4次方成正比，其最大 浓度与氧浓度的3次方成正比 能级处于导带下0.06-0.07 eV 和0.13-0.15 eV， 是双施主态，热处理时间增长能级向价带偏移
单晶硅中的杂质： 1.有意引入的电活性杂质：P B 2.其他杂质：氧，碳，氮，氢和金属杂质 对于集成电路用直拉单晶硅来说氧是主要的杂质，碳杂质可 以通过优化工艺降低到1016cm-3 的红外探测极限以下。 氮杂质---用于控制微缺陷和增加机械强度 氢杂质---钝化金属杂质和缺陷 其主要缺陷类型为：点缺陷组成的微缺陷 太阳能级别的直拉单晶硅 杂质较多：氧，碳和金属杂质 1.生长速度快所引起的杂质 2.原材料引入的杂质 3.所用的器械引入的杂质 淀形成驱动 力 过饱和度大，临 界形核半径小 扩散慢 过饱和度较大， 临界形核半径较 大 扩散较快 过饱和度小，临 界形核半径大 扩散快
成核机制
密度高，尺寸小
均质成核为主
750-1050
密度高，尺寸大
均质成核和异质 成核竞争
1050-1250
密度底，尺寸大
异质成核为主
成核期（孕育期）--- 快速生长----接近饱和
氧沉淀形成时，晶体硅中的点缺陷、杂质、掺杂 剂都可能提供氧沉淀的异质核心儿影响氧沉淀的 形成。硼可以促进氧沉淀的形成。 纯氧气氛热处理---抑制作用：氧化时，表面生 成二氧化硅层，大量的自间隙硅原子从表面进入 体内，从而抑制氧沉淀的形成。 氮化气氛—促进作用：硅片氮化产生大量空位扩 散到体内，从而对氧沉淀形成起到促进作用。
氧碳对太阳能级直拉单晶硅品质影响初探
太 阳能 级 直拉 单 晶硅 中所 含 杂 质有 三 类 。一 类 是 金 属杂 质 ，如 铜 、铁 、镍 等 ，这 些 杂质 在 晶体 中会 引
起 晶格畸变 ，并在硅晶体 中形成多个杂质能级 ，起到 复合 中心的作用 ，降低单晶硅的少数载流子寿命 ，因
此 这 类 金属 杂 质 的危 害性 很大 。另一 类 对太 阳能 级直 拉 单 晶硅而 言 是必 需 的杂 质 ，即 当利 用 原生 多 晶硅生 产 单 晶硅 时 ，有 意加 入 所需 杂 质来 决 定 太 阳能 级 直拉 单 晶硅 的导 电 型号 ，如 ：在 原 生 多 晶硅 中掺 入 Ｖ族 元
部 ，径 向分 布 为边 缘浓 度 高 而 中心 浓度 低 。由于 碳 与
０４ ．
硅 同是 Ⅳ族 元 素 ，碳 在 硅 中不 会 产 生 施 主 或 受 主效
应 ，但碳原子因原子半径小 ，容易造成晶格畸变。如
尾
果 硅 晶体 中碳 杂 质过 多将 会 与硅 原 子 发生 反 应 ，产 生
不 利 的两个 方 面 。 有 利 方面 ：由于 硅 中氧 的存在 ，增 加 了硅 片 的机
＼ 面１ ５ ＼
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械 强 度 ，同时后 期硅 片 经高 温 热处 理 后 ，能 形 成 氧沉 淀 及 缺 陷 的 络 合 物 ，可 以作 为 电 活 性 杂 质 的 吸 除 中
１１ 太 阳能 级直 拉单 晶硅 中 的杂质 ．
硅 含氧 量 较 高 ，在 １ ０ ～２Ｘｌ ａ ｏ ・１ １” ０ ｔ ｓＯ３ 间 ， Ｘ ｍ ３ 之
熔体中多数氧在熔体 自由表面蒸发 ，而余下的氧通过
第二组 八英寸直拉单晶棒氧和碳的检测
• 用红外吸收法测氧、碳含量时，所测得的氧和碳含量不是硅 单晶中的总氧和总碳含量。 • 对氧来说，测得的是晶格中的间隙氧。 • 非线性分子“Si—O—Si”的晶格振动有三种独立的简振模式。
Si Si Si
O Si υ1 (a) 图4.1
O Si υ2 (b)
O Si υ3 (c)
Si—O—Si分子简振模式
八英寸直拉单晶棒氧和碳的检测
目录
• • • • • • • • 样品的制备 样品的处理 检测的依据及设备 红外吸收法测试原理 红外线通过样品时的反射、吸收和透过 测准条件分析 单晶氧和碳的检测作业指导书 检测报告书
样品的制备（单晶棒 单晶片）
• 采样 • 单晶棒
• 因碳的分凝系数小于1，单晶尾部的碳浓度较高，测碳试样应从尾部 取样，以测得单晶最高的碳浓度。 • 样品的厚度根据样品中杂质浓度而定。 • 测氧的样品，若样品是用直拉法制备，厚度取2-4mm, 一般取２ｍｍ 即可；区熔样品取１０ｍｍ。 • 测碳的样品，厚度取２ｍｍ。若用差别法测量时，所用参比样品的厚 度应等于被测样品的厚度，偏差在０.５％以内。选择样品厚度的原则 是使吸收峰处的透射率为２０％－８０％
样品的处理
• 测试样品应双面抛光镜面。 • 测试样品的厚度一般在2mm。 • 测量区的厚度变化不超过0.005mm。
检测的依据及设备
范围
1、本标准规定了硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法。 2、本标准适用于载流子浓度小于5x1016 、室温电阻率大于0.1欧/厘米的硅单晶 中代位碳原子浓度的测定。 3、本标准也适用于多晶硅中代位碳原 子浓度的测定。
•
•
• 碳在硅晶体中以替位式出现，其红外吸收峰有两个，其振 动频率分别为６０７.２ｃｍ－１和１２１７ｃｍ－１
硅中氧碳
氧含量的控制
•
控氧的方法分为无磁场控氧和有磁场控 氧两大类，前者通过采用合适的气氛、热 场、坩埚材料、埚位、埚转、晶转等控氧， 后者通过将硅熔体置于一定磁场环境中而 达到控氧的目的。磁场能有效控制熔体热 对流，可显著降低硅单晶中氧的含量， 且 易于实现单晶氧含量的均匀分布，是一种 有效的控制氧含量的方法。
碳的测量
•
在替位碳的吸收峰（607cm-1 ）附近存 在着硅晶格的强吸收带（610cm-1），故碳 的红外测量必须采用差示光谱法，并且碳 的测量存在一个检测极限，一般为3X 3X 105cm-3
硅中碳的基本性质
•
硅中的碳是一种有害的杂质，它使器件 的击穿电压大大降低，漏电流增加，在晶 体生长中应尽力避免碳杂质的引入。 • 碳在硅中的分凝系数远小于1，一般认 为是0.07最近有报道认为是0.058。拉晶生 长时，由于它的分凝系数小，所以，碳在 晶体中的浓度分布呈头低尾高分布和氧沿 晶体生长方向的浓度分布恰好相反。
硅中氧的基本性质
• 1.有害作用 1.有害作用 • a. 氧施主的形成 • 氧施主可以改变硅片电阻率及P 氧施主可以改变硅片电阻率及P-N结击穿电压
• b. 堆垛层错 • 堆垛层错随初始氧浓度的增加而增加 • c. 漩涡 • 漩涡的形成与氧分布的不均匀行有关
• 2.有利作用 2.有利作用 • 由于硅中氧的存在而带来的好处也有报导，
硅中氧形态
•
硅中 的 氧 除了以间隙态存在，还有 很多其它形态，各种空位—氧的复合体， 杂质—氧的复合体，各种施主态氧，各种 形态氧沉淀等等，虽然红外光谱只能测量 硅中的间隙氧，但我们也可以从间隙氧浓 度的变化看出不同形态的氧之间的相互转 化，另外，常温或低温红外光谱亦是研究 硅中碳氧复合物、氮氧复合物、热施主的 重要手段。
基于电子技术的氧碳对太阳能级直拉单晶硅品质的影响
３控制氧碳杂质含 量
碳含 量的控 制就 应该 从源 头上 入手 ，对 原材料以及辅助材 料进行有效的控 制，降低其 中碳元素的含量，并通过完善的检测手段来对 其进行管理。同时，在进 行制作 的过程 中，还 应高保障单 晶炉本 身的气密 性，降低氧 气与石 墨之间的反 应，这 也是现阶 段较 为常见的减少 碳杂质 的方法 。
用。
２ ． ２ ． ２碳杂质的影 响 由于 碳原 子 的半径相 对较 小，在 直拉 单 晶硅的后期制作过程中容易造成晶格的畸变现 象，这也就使氧原予出现偏聚，并形成更沉淀 的现象，这也就对硅材料的使用产生一定的正 面效果 但 是，如果碳原子相对 较多，在其产 生碳化硅之后，就会 造成深 能级 载流子 复合中 心的状况，这也就不利于电池的使用，不仅难 以保障电池的使用 寿命，也在一定程度 上降低 了电池 的使用 效率 。
成 因
处于间隙的位置 ，这属于 非金属杂质 。在进行 太 阳能级直 拉单 晶硅 的制作过程 中，硅 中存在 的氧元素杂质主要来源有三个方面 ：首先就是 原材料 中的多晶硅 中存有一定含量的氧原子， 这也就导致制作 的过程 中存在这一杂质 ；其次 就是在对直拉单 晶硅进行制作的过程中需要用 到石英坩埚 ，其 中含有一定程度的氧原子，所 以在使用 的过程 中也就 出现了氧杂质；最后就 是 由于单 晶硅 的生长环境所造成的，如环境中 的氩气 中含有氧气 、二氧化碳 以及水元素，这 也就在一定程度上加强了氧 杂质 的出现 。 以上的这 三个 因素 中，第 二点 因素 是造 成氧杂质 的主要原 因， 由于直拉单晶硅在进行 制作 的过程 中， 石英坩埚随着高温环境的影响， 就会造成石英坩埚会出现部分溶解的现象，并 逐渐 的进入到硅的熔体当中，这也就在一定程 度上加大 了硅中的氧杂质，这就是直拉单晶硅 中出现氧杂质的主要来源 。 （ ２ ）碳杂质 的形成。碳元素在 硅晶格 中 处于代位的位置，也是非金属杂质，在 太阳能 级直拉单晶硅的制作过程 中，碳元素的来源有 以下几种 ：首先是在进行太阳能级直拉单晶硅 生产 的过程 中，使用的原生多晶硅本身含有一 定 的碳 ，这也就加大 了太阳能级直拉单晶硅中 的碳杂质；其次就是太阳能级直拉单晶硅 在进 行生产的过程中使用的是石墨热系统，其 中包 括高纯度的石墨件与石墨碳 毡，会产生石墨粉 尘；真空系统中的油脂与密封材料 中会 出现一 定的碳化物在 一定程度上提 高了太 阳能级直拉 单晶硅 中的碳 杂质 ；石 墨部件与气氛 中的氧 、 石英坩埚等发生一定的相 互反应 ，也是 出现碳 杂质 的一方面原因。以上 几种 因素 中，是造成 太阳能级直拉单 晶硅 中碳含量的主要原因。
CZ单晶炉中碳和氧的产生及其对单晶硅生长的影响
３４ ０
宁
夏
工
程
技
术
第ｌ Ｏ卷
中 ， 般控 制在 ６ ～ ５ｋ ， 中还 需 添加微量 的 ３价 一 ０７ ｇ其
４个 步骤 ［ ．
的硼 、 、 铝 镓或 ５ 的磷 、 、 价 砷 锑等元素． 抽真空的 目 的是为了排 出炉 内氧 、 、 、 碳 氮 氢等成分 ． 检漏步骤一
关键词 ： Ｚ单 晶炉 ； ； ； Ｃ 碳 氧 单晶硅
中图分类号 ：Ｑ１７ Ｔ ２． ２ 文献标 志码 ： Ａ
太 阳能 电池 的转化效 率 与硅 片 中的杂质 有很 大
关系，而氧和碳就是直拉单晶硅中最主要的无意引 入杂 质 ，这些 杂质对 硅材 料 和器件 的性 能有 破坏作
用 ，因此 分析 单 晶炉 中碳 和 氧 的生 成对 生产 高质 量 的单 晶硅 有重 要意 义．
褂loo80604020波数mcm图3间隙氧特征吸收峰4ooo35o030002500200015001o00500波数acm图4替位碳特征吸收峰4结语综上所述目前市场上使用的cz单晶炉无论从结构上元器件选用上还是生产工艺流程上都存在碳氧杂质含?需进一步降低的问题本文给出了杂质的出处以及杂质对晶体质?的影响期望对改进单晶炉结构革新单晶硅生长工艺提高单晶硅生产质?有所帮助
杠副转动 ， 使坩埚轴快速升降． 在蜗轮减速器上有手 长 、收尾和冷却． 装料就是把多晶硅装入石英坩埚
收稿 日期 ：０ １ ０ 一 １ ２ １－ ７ Ｏ 基金项 目： 西安 隆基硅材料股份有 限公 司科技攻关基金 资助项 目（Ｊ １３ １０ ） Ｌ １０ ０ — ３ 作者简介 ： 曾建平（ ９５ ） ， １６ 一 男 高级工程师 ， 主要从 地质矿产 、 地质勘查 开发研究
(四组)八英寸直拉单晶棒氧和碳的检测
5、检测数据分析
3）碳含量的ASTM经验公式： 用差别法测量得到红外光谱，由于Si-C振动的波数为 607cm-1(16.4微米)。由于在室温条件下，在波长为16微 米处出现硅晶格的吸收波峰，强度很大，因此采用差别法 消除晶格吸收系数。得到经验公式： ASTM公司通过对C的 放射性元素C14试验得到吸收系数与碳含量的关系，得到 经验公式：
选择方法：[O] ≥ 1×1017at.cm-3 的试样，用空气参考法或差别 法；含量 [O] ≤ 1×1017at.cm-3 的试样,采用差别。 1）空气参考法： 室温下（300K): [O]=2.45×1017（α max －0.4） （原子/厘米3） 77K：[O]=0.95×1017（α max －0.2）（原子/厘米3） 2）差别法： 室温下（300K):[O]=2.45×1017α max （原子/厘米3） 77K ：[O]=0.95×1017α max （原子/厘米3）
3、检测原理及作业指导书
3、检测原理及作业指导书
作业指导书 (1)样品加工
1、取样 硅单晶测氧取头部、测碳取尾部多晶硅片及外部送样不限部位 2、研磨 用W20给晶刚砂去掉刀痕,并调整平整度,样品测量部位厚度差 ≦0.01mm 3、抛光 将研磨好的样品清洗干净，放入耐腐蚀塑料容器中倒入事先 配制好的抛光液并不断晃动塑料容器. (2)仪器操作步骤 1、现将仪器通电预热20min再打开计算机 2、进入windows98窗口，点击窗口中的快键方式“硅中氧、碳测量分析 ”图标，双击鼠标左键，启动自动测试系统，进入主界面和主菜单。 3、测试步骤
1 采样及样品处理
2）样品处理 1、研磨 （ 用W20给晶刚砂去掉刀痕,并调整平整度,样 品测 量部位厚度差≦0.01mm） 2、再将样品测试面抛光成镜面； （方法：液体抛光——细粒度金刚石磨料的硅溶胶作为介质） 3、将处理后的试样用水冲洗；
直拉单晶硅碳含量的宏观控制
碳含量的宏观控制碳原子在硅单晶中处于替位状态，直拉硅单晶碳浓度在5×1016个/厘米3至3×1017个/厘米3。
直拉单晶硅中碳的主要来源有两个：（1）原料：多晶硅含碳量一般为1×1016个/厘米3至3×1016个/厘米3；（2）热场系统：石墨器件和氩气中残留的氧在高温下进行化学反应。
C+O2=2CO C+O2=CO22CO+O2=2CO22CO=CO2+C石英坩埚在高温下和石墨反应SiO2+2C=SiC+CO2SiO2+2C=SiC+CO从以上反应可以看出，在高温下，碳主要以一氧化碳的形成存在，一氧化碳溶入硅中使硅单晶中的氧含量增高。
从碳含量来源可从理论上推知，以下方式可有效降低晶体中碳含量：一、原料：多晶硅原料中碳含量低为好，多晶硅熔化时温度不要太高，尽量控制（减弱）反应 SiO2+2C=SiC+CO2SiO2+2C=SiC+CO的进行，减少一氧化碳的生成。
二、在保护气氛为氩气的环境下拉晶时，氩气中含氧、碳和水分通过气流排到炉外，减少溶入熔硅的量；因而降低气体所占的压力可有效控制其含量。
因此，结合实际工艺的执行过程，针对碳含量来源（2），可以结合现场操作的实际情况，从宏观上控制碳含量，但是是否能从根本上控制晶体中碳含量，需要实际试验来定论。
方法：在装料时取出上保温，待装料完后对原料进行防护后加装上保温。
解释：通过实际观察主操装料发现，在装料过程中，装料服的衣袖不可避免的会接触或碰到上保温，即：石墨件或石墨毡上的碳渣通过装料服的衣袖直接带入到石英坩埚中，同时，由于主操装料不当，导致装料后导流筒接触到原料，或是主操反复的安装导流筒，在接触石墨件后没有及时更换一次性手套，直接去接触原料导致原料污染，碳含量增加。
最后，在装完料后，主操在安装封气条的过程中，直接将封气条从原料上方拿过，同样可能导致碳渣掉入原料中。
以上这些虽然在作业指导书中有详细规定，但在实际工序中主操的执行力并不到位，加之在装料过程中绝大多数主操在并未进行相关防护的情况下装料，不可否认这些因素的存在导致晶体碳含量的控制不稳定。
红外吸收法测定硅单晶中氧和碳的测试方法与工艺
子反对称伸缩振动产生的，吸收峰强度最大。 3）波长为λ3=19.4μm(波数为515.cm-), 此吸收波峰主要为
分子弯曲振动产生的，吸收峰强度较小。
（2）碳吸收峰： 1）波长为λ1=16.47μm(波数为607.2cm-), 此吸收波峰为
因此有
吸收系数α 定义为相当于波的能量经过1/α 距离时减弱为 1/e倍。因此α 越大，光强度透射减弱越多，光的吸收性能 越高。
对于硅，R=30%,因此分析红外光谱，根据上式可以计算得 到吸收系数α 。
2、α max和半峰宽 Δv的求法 用如下公式来求吸收系数 α max 比较麻烦，
三、我国测试硅晶体中间隙氧含量的标准方法
1、测试方法与范围： （1)红外吸收法 (2）范围：适用于室温电阻大于0.1Ω.cm的硅晶体。测量范
围为:3.5×1015at.cm-3至最大固溶度。 2、用红外光谱仪测定Si-O键在1105cm-处的吸收系数来确
定硅晶体中间隙氧的含量。
2、碳：在硅单晶中，一间隙氧的形式存在 （1）单晶硅中氧碳的含量：1016～1017原子/cm3 （2）最大溶解度： 熔硅： 3～4×1018原子/cm3 固体硅： 5.5×1017原子/cm3纹 状分布，头部低，尾部高。
（4）碳对硅单晶的影响 1）碳以替位形式存在，使晶格发生畸变，是硅的生长条纹
2）差别法： 室温下（300K):
77K ：
（3）定碳含量的ASTM经验公式：
用差别法测量得到红外光谱，由于Si-C振动的波数为 607cm-1(16.4微米)。由于在室温条件下，在波长为16微米 处出现硅晶格的吸收波峰，强度很大，因此采用差别法消除 晶格吸收系数。得到经验公式： ASTM公司通过对C的放射 性元素C14试验得到吸收系数与碳含量的关系，得到经验公 式：
氧碳杂质对太阳能级直拉单晶硅品质的影响
氧碳杂质对太阳能级直拉单晶硅品质的影响摘要在可持续发展理念提出后，社会各界开始关注环境问题。
太阳能产业的发展速度随之增快，太阳能单晶硅得到了广泛的研究和开发。
本文结合杂质元素氧、碳对太阳能直拉单晶硅的影响，对怎样控制氧碳生产进行了探讨。
关键词太阳能；直拉单晶硅；氧碳杂质；探讨1 氧碳杂质带来的影响1.1 氧碳对太阳能级直拉单晶硅品质带来的影响在太阳能级直拉单晶硅生長期间，产生的各种杂质分凝系数存在很大差异，单晶硅棒中的杂质浓度可以根据规律与差异而定，尾部杂质浓度相对较大，头部杂质浓度相对较小[1]。
在这期间，电阻率变化也以规律呈现，尾部电阻率相对较小，头部电阻率相对较大，局部电阻率也有不同的情况，但是都和杂质含量有直接关系。
硅中的氧杂质分凝系数在1.27左右，根据杂质分布规律与单晶圆棒固液共存等情况，硅中杂质在分凝期间的顺序凝固，固相氧元素浓度明显超过液相浓度，这让单晶圆棒内部的氧元素逐渐减少。
在结晶期间，受直拉单晶工艺中的晶转埚转要求影响，让单晶硅棒内部杂质以周边低、中心高的形式呈现。
硅中碳杂质的分凝系数通常为0.07，基于固液并存的条件，液相中的碳含量相对较多，更多的分布于尾部，它的分布规律是中心浓度相对较小、边缘较高。
而碳原子半径较小，则是晶格经常产生畸变的根本原因。
1.2 杂质对太阳能级直拉单晶硅后期产品的影响⑴氧杂质间隙氧在硅晶格中表现为电中性，故不影响硅片的电学性质，但由于硅单晶一般要经历各种温度的热处理，氧在硅中会与其他杂质和缺陷等作用形成具有电学活性的复合体等影响硅的性质，如氧在P型硅中与掺杂剂硼反应生成硼氧（B-O）复合体，这是一种能导致晶体硅太阳电池在光照一段后效率大大衰减的缺陷；此外过量的氧在一定条件下可以形成氧沉淀，少量的氧沉淀可以提高硅片的机械性能，还可以作为内吸杂中心吸杂硅片中金属杂质，但过多的氧沉淀会引起硅片翘曲和破损，降低机械强度。
此外将单晶硅进行300-500℃处理时，尤其是450℃时，会产生与氧相关的热施主，大量的热施主会导致N型硅电阻率的下降，甚至可以使P型硅转化为N型硅；除了热施主之外，单晶硅在550-850℃长时间下热处理（大于10h），还会生成一种与氧相关的新施主[2]。
直拉晶体中碳和氧的来源
培训记录表一、直拉晶体中碳和氧的来源（1）直拉单晶炉结构示意图：（2）、直拉工艺过程简单描叙：①、多晶硅：半导体级多晶氧、碳含量低于检测极限；②、籽晶、掺杂剂：不会单晶的氧碳问题；③、石英坩埚：成份为高纯的SiO2 材料，含有大量的结合氧（不同于空气中的氧气，炉子漏气时空气中的氧气进入单晶炉会造成石墨件的氧化、籽晶和晶体表面氧化，严重时熔体表面起皮！），单晶生长过程中它与熔体接触的部分缓慢的溶解在Si的熔体中，熔体中的氧大部分氧以气态SiO挥发，在温度较低的表面冷凝成黄褐色的粉末（SiO + SiO2）。
④、石墨件：成份为高纯的C材料，高温下（≥350℃）与氧气（O2）、水汽（H2O）反应被消耗掉，产生含碳气体；在单晶生炉内高温的C与气态SiO接触，也会产生含碳气体（CO；CO2）。
⑤、含碳气体与熔体接触，硅熔体被碳的沾污，拉成的单晶碳含量超标，生产出碳含量超标的废品：CO （G）+ Si（L）→C（Si，L）+ SiO （G）CO2 （G）+ Si（L）→C（Si，L）+ SiO （G）说明：G --- 气体状态L --- 液体状态Si（L）--- 硅熔体图一：直拉工艺过程碳含量的引入（二）防止化料过程碳的沾污：实际生产过程中，使用的多晶硅、籽晶、掺杂剂、石墨件等都是满足质量要求，开炉时单晶炉漏气率达到要求，但在单晶炉内在高温条件下存在产生含碳气体的化学反应，因此防止含碳气体与硅熔体接触是工艺中的关键。
使用适当流量的氩气和合理的氩气气流方向，将含碳气体吹离硅熔体，隔断含碳气体与硅熔体接触的是减少和避免碳沾污的核心。
在CG6000炉配置固定热屏时，化料初期坩埚位置很低，热屏的下端与石英坩埚的上端面基本平齐，化料时要特别注意及时的升高埚位。
（1）正确的化料过程：说明：随着多晶料的熔化料块塌落，固体料块离热屏距离加大，在留有安全距离的情况下分次上升坩埚，使石英坩埚套到热屏外，此时氩气能有效的将含碳气体吹离熔体，避免了碳沾污。
红外吸收法测定硅单晶中氧和碳的测试办法
❖及
❖ 所以
❖ 3、氧、碳含量的计算公式： ❖ （1）爱因斯坦模型理论计算公式：
❖ 此公式在公式推导过程中把Si-O振子电荷看成是完整的电子 电荷，与实际不符，目前不采用此公式计算。
❖ （2）定氧含量的ASTM(美国材料试验协会）经验公式： ❖ 此方法设定将半峰宽 固定为一常数：32厘米-1，硅单晶
中的氧与αmax 成正比关系（波数为1105cm-1的特征峰）， 采用真空熔化气体分析法，并用空气参考法和差别法测得到 红外吸收光谱计算吸收系数，因此得到ASTM经验公式：
❖ 1）空气参考法： ❖ 室温下（300K): ❖ 77K ：
❖ 2、碳：在硅单晶中，一间隙氧的形式存在 ❖ （1）单晶硅中氧碳的含量：1016～1017原子/cm3 ❖ （2）最大溶解度： ❖ 熔硅： 3～4×1018原子/cm3 ❖ 固体硅： 5.5×1017原子/cm3
❖ （3）分布：硅单晶中的碳，由于分凝作用在晶体中呈条纹 状分布，头部低，尾部高。
❖ （4）碳对硅单晶的影响 ❖ 1）碳以替位形式存在，使晶格发生畸变，是硅的生长条纹
（5）沉淀氧浓度较高时，其在1230cm-或1073cm-处的吸收 谱带可能会导致间隙氧浓度的测量误差。
（6）300K时，硅中间隙氧吸收带的半峰宽应为32cm-。宽较 大时会导致误差。
❖ 四、我国测试硅晶体中替位碳含量的标准方法 ❖ 1、测试方法与范围： ❖ （1）红外吸收法：利用红外光谱进行定性定量分析的方法 ❖ （2）范围：适用于室温电阻大于0.1Ω.cm的硅晶体，载流
直拉硅单晶的氧和碳
直拉硅单晶的氧和碳直拉硅单晶中的氧和碳是一类很重要的杂质，氧和碳在直拉单晶中，可能形成微沉淀，可能在微沉淀基础上形成微缺陷，严重影响单晶质量，影响大规模集成电路性能和制造。
氧原子在硅单晶中大部以间隙原子状态存在，成Si-O-Si状态或SiO2和SiO4状态，熔点时，氧在固态硅的溶解度为(2.75±0.15)×1018/cm3，在熔硅中的溶解度为（2.20±0.15)×1018/cm3。
直拉硅单晶的氧主要来源于多晶硅，它的含氧量一般为1016/cm3~1017/cm3数量级，而直拉单晶硅中的氧含量一般在6×1017/cm3~2×1018/cm3，可见，单晶生长过程中有大量的氧进入。
石英坩埚对硅单晶的氧沾污非常严重，在1420℃以上高温下，硅熔体和石英坩埚进行化学反应：Si(熔体)+SiO2(固体)=2SiO反应结果，石英坩埚上生成一层固体一氧化硅，并不断溶解于熔硅中，生成一氧化硅气体也会溶解于熔硅，使熔硅氧浓度增高。
氩气氛下拉晶时，氩气中的氧会以不同形成溶入熔硅中，使硅单晶氧浓度增高。
直拉硅单晶一般单晶并没有部氧浓度高，尾部氧浓度低，单晶新面中心氧浓度高，边缘氧浓度低。
硅单晶的这种氧浓度分布既受坩埚污染影响，也受拉晶时氧蒸发和氧分凝效应影响。
坩埚中熔硅虽然离坩埚壁越近氧浓度越高，但在拉晶过程中，被单晶覆盖的熔硅氧不能蒸发，其余部分氧蒸发较快，在熔硅对流作用下，形成单晶中氧含量边缘高中心低的现象。
氧在硅中的平衡分凝系数一般认为是1.25，这很容易解释硅单晶头部含氧高尾部含氧低的事实。
但是，从硅氧二元相图看，氧在硅中的平衡分凝系数应该小于1，这和一般认为氧在硅中平衡分凝系数等于1.25相矛盾。
氧在单晶中分布呈并没有部高尾部低现象可以这样解释：由于多晶硅熔化时温度高，硅和石英坩埚（SiO2）反应激烈，大量的硅氧物进入熔硅，它们比重小，浮于熔硅上部，使得生长的单晶氧含量头部高，单晶在以后生长中，虽然硅和石英坩埚继续反应生成硅氧物进入熔硅，但由于温度较低反应缓慢，而且由于晶体和坩埚转动搅拌熔体中氧蒸发作用增强，使单晶尾部氧含量降低。
直拉单晶硅碳含量的宏观控制
直拉单晶硅碳含量的宏观控制碳含量的宏观控制碳原子在硅单晶中处于替位状态，直拉硅单晶碳浓度在5×1016个/厘米3至3×1017个/厘米3。
直拉单晶硅中碳的主要来源有两个：（1）原料：多晶硅含碳量一般为1×1016个/厘米3至3×1016个/厘米3；（2）热场系统：石墨器件和氩气中残留的氧在高温下进行化学反应。
C+O2=2CO C+O2=CO22CO+O2=2CO22CO=CO2+C石英坩埚在高温下和石墨反应SiO2+2C=SiC+CO2SiO2+2C=SiC+CO从以上反应可以看出，在高温下，碳主要以一氧化碳的形成存在，一氧化碳溶入硅中使硅单晶中的氧含量增高。
从碳含量来源可从理论上推知，以下方式可有效降低晶体中碳含量：一、原料：多晶硅原料中碳含量低为好，多晶硅熔化时温度不要太高，尽量控制（减弱）反应 SiO2+2C=SiC+CO2SiO2+2C=SiC+CO的进行，减少一氧化碳的生成。
二、在保护气氛为氩气的环境下拉晶时，氩气中含氧、碳和水分通过气流排到炉外，减少溶入熔硅的量；因而降低气体所占的压力可有效控制其含量。
因此，结合实际工艺的执行过程，针对碳含量来源（2），可以结合现场操作的实际情况，从宏观上控制碳含量，但是是否能从根本上控制晶体中碳含量，需要实际试验来定论。
方法：在装料时取出上保温，待装料完后对原料进行防护后加装上保温。
解释：通过实际观察主操装料发现，在装料过程中，装料服的衣袖不可避免的会接触或碰到上保温，即：石墨件或石墨毡上的碳渣通过装料服的衣袖直接带入到石英坩埚中，同时，由于主操装料不当，导致装料后导流筒接触到原料，或是主操反复的安装导流筒，在接触石墨件后没有及时更换一次性手套，直接去接触原料导致原料污染，碳含量增加。
最后，在装完料后，主操在安装封气条的过程中，直接将封气条从原料上方拿过，同样可能导致碳渣掉入原料中。
以上这些虽然在作业指导书中有详细规定，但在实际工序中主操的执行力并不到位，加之在装料过程中绝大多数主操在并未进行相关防护的情况下装料，不可否认这些因素的存在导致晶体碳含量的控制不稳定。
直拉单晶工艺常识
直拉单晶工艺常识 The document was finally revised on 2021直拉单晶工艺常识硅的固态密度：克/㎝，液态密度克/㎝，呈灰色金属光泽，性质较脆，切割时易断裂，比重较小，硬度较大，属于非金属，是极为重要的半导体元素，液态时其表面张力较大，从液态到固态时体积膨胀较多。
氧在硅晶体中的分布是不均匀的，一般头部含量高，尾部含量低，晶体中心部位含量高，边缘含量低。
碳在晶体中的分布是中心部位低，边缘部位高。
电阻率：单位面积材料对于两平行平面垂直通过电流的阻力，晶向：一簇晶列的取向。
母合金：生产上常常将掺杂纯元素“稀释”成硅熔体叫做母合金。
偏度：晶体自然中轴线与晶向之间的夹角度数。
空穴：半导体价带结构中一种流动的空位，其作用就像一具具有正效质量的正电子荷一样。
迁移率：载流子在单位电场强度作用下的平均漂移速度。
载流子：固体中一种能传输电荷的载体，又称电载流。
少数载流子寿命：在光电作用下，非平衡少数载流子由产生到复合存在的平均时间。
杂质分凝：在结晶过程中，由于杂质偏析，出现杂质分配现象叫杂质分凝。
扩散：物质内部热运动导致原子或分子迁移的过程。
热对流：液体或气体流过固体表面时，由于固体对液体或气体分子有吸附与摩擦作用，于是从固态表面带发挥或给于固体以热，这种传递热的方式叫热对流。
热应力：是压缩力，也可以叫拉伸力，要看液体中心部位对边缘部分的相对收缩或膨胀而定，大小取决于晶体的温场分布。
温度梯度：只温度在某方向的变化率用DT/DR表示，指某点的温度T在R方向的变化率，在一定距离内某方向的温度相差越大，单位距离内温度变化越大，温度梯度也越大，反之越小。
对石英坩埚的质量要求：1.外观检查：无损伤，无裂纹，无明显划痕，无气泡，无杂质点，100%透明；2.耐高温：在1600℃下经16小时后不变形，不失透，经1500℃硅液作用下无白点；3.纯度：%%，其中硼含量小于10ppm；4.直径公差±；5.高度公差±1mm。
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直拉硅单晶的氧和碳直拉硅单晶中的氧和碳是一类很重要的杂质，氧和碳在直拉单晶中，可能形成微沉淀，可能在微沉淀基础上形成微缺陷，严重影响单晶质量，影响大规模集成电路性能和制造。
氧原子在硅单晶中大部以间隙原子状态存在，成Si-O-Si状态或SiO2和SiO4状态，熔点时，氧在固态硅的溶解度为(2.75±0.15)×1018/cm3，在熔硅中的溶解度为（2.20±0.15)×1018/cm3。
直拉硅单晶的氧主要来源于多晶硅，它的含氧量一般为1016/cm3~1017/cm3数量级，而直拉单晶硅中的氧含量一般在6×1017/cm3~2×1018/cm3，可见，单晶生长过程中有大量的氧进入。
石英坩埚对硅单晶的氧沾污非常严重，在1420℃以上高温下，硅熔体和石英坩埚进行化学反应：Si(熔体)+SiO2(固体)=2SiO反应结果，石英坩埚上生成一层固体一氧化硅，并不断溶解于熔硅中，生成一氧化硅气体也会溶解于熔硅，使熔硅氧浓度增高。
氩气氛下拉晶时，氩气中的氧会以不同形成溶入熔硅中，使硅单晶氧浓度增高。
直拉硅单晶一般单晶并没有部氧浓度高，尾部氧浓度低，单晶新面中心氧浓度高，边缘氧浓度低。
硅单晶的这种氧浓度分布既受坩埚污染影响，也受拉晶时氧蒸发和氧分凝效应影响。
坩埚中熔硅虽然离坩埚壁越近氧浓度越高，但在拉晶过程中，被单晶覆盖的熔硅氧不能蒸发，其余部分氧蒸发较快，在熔硅对流作用下，形成单晶中氧含量边缘高中心低的现象。
氧在硅中的平衡分凝系数一般认为是1.25，这很容易解释硅单晶头部含氧高尾部含氧低的事实。
但是，从硅氧二元相图看，氧在硅中的平衡分凝系数应该小于1，这和一般认为氧在硅中平衡分凝系数等于1.25相矛盾。
氧在单晶中分布呈并没有部高尾部低现象可以这样解释：由于多晶硅熔化时温度高，硅和石英坩埚（SiO2）反应激烈，大量的硅氧物进入熔硅，它们比重小，浮于熔硅上部，使得生长的单晶氧含量头部高，单晶在以后生长中，虽然硅和石英坩埚继续反应生成硅氧物进入熔硅，但由于温度较低反应缓慢，而且由于晶体和坩埚转动搅拌熔体中氧蒸发作用增强，使单晶尾部氧含量降低。
另外由于目前都是测量硅中的间隙氧，不是全部氧，因此也会出现差异。
总之，氧在硅单晶中行为复杂，一些现象还不甚清楚。
目前对硅单晶中氧的作用认为既有害，也有利。
氧在硅单晶中形成氧沉淀，产生微缺陷和氧条纹，影响单晶质量也可以利用硅单晶含氧高的特点制造某些大规模集成电路，化害为利。
碳原子在硅单晶中处于替位状态，直拉硅单晶碳浓度在5×1016个/厘米3至3×1017个/厘米3，碳的来源有三个：多晶硅含碳量一般为1×1016个/厘米3至3×1016个/厘米3，单晶炉热系统的石墨器件和保护气氛（氩气）中残留的氧在高温下进行化学反应。
C+O2=2CO C+O2=CO22CO+O2=2CO22CO=CO2+C石英坩埚在高温下和石墨反应SiO2+2C=SiC+CO2SiO2+2C=SiC+CO在高温下主要要以一氧化碳形成存在，一氧化碳溶入硅中使硅单晶中的氧含量增高。
CO和CO2在不同温度下的平衡组成碳在硅中的分凝系数很小，一般认为是0.07，使单晶尾部含碳量增高。
直拉硅单晶工艺中，经常采用下列措施降低单晶中的氧碳含量：一、选用含氧、碳较低的多晶硅原料，多晶硅熔化时温度不要太高，尽量降低多晶硅和坩埚的反应，减少一氧化碳和一氧化硅的生成。
二、在真空下生长的硅单晶一般氧碳含量较低，在氩气下拉晶时，氩气中含氧、碳和水份通过氩气带出炉外，降低单晶炉内一氧化碳和一氧化硅的分压，减少它们溶入熔硅的量；减压法拉晶既使单晶炉保持低的压强，又使炉内氩气交换迅速，可以降低硅单晶的氧碳含量。
三、坩埚和单晶直径比例要适当，硅单晶生长过程中，石英坩埚中的熔硅表面是低氧区，熔硅和坩埚接触部分是高氧区，中部熔硅为过渡区，坩埚和单晶直径比例适当，一方面使一氧化碳和一氧化硅挥发快，溶入熔硅量减少；另一方面单晶无离坩埚壁附近的高氧区，单晶氧碳含量自然减少。
晶体和坩埚旋转严重影响单晶中的氧含量。
晶体和坩埚旋转，使熔硅的搅拌作用增强，高氧区熔硅和低氧区熔硅混合，从而使单晶中氧含量增加。
如果晶体和坩埚旋转产生的强迫对流刚好抑制熔硅产生的自然对流，单晶中的氧含量不但不会增加，反而减少。
在一定的硅单晶生长条件下，合适的晶体和坩埚旋转速非常重要。
拉晶速度增加，单晶硅中氧含量一般说来增加，当位速度大于一定值后，单晶中氧反而降低。
拉晶速度大时，单晶生长速度快，熔硅表面一氧化硅蒸发时间短。
导致单晶氧含量增加，拉速很大时，影响熔硅流动，熔体表面低氧区中的熔硅很容易对流到生长界面处，使硅单晶中含氧量降低。
偏心法拉晶可以降低单晶中的氧含量。
偏心拉晶时，单晶的生长界面不断地经过熔硅表面低氧区，熔硅表面被单晶永远覆盖区大大减小，一氧化硅和一氧化碳蒸发量增大，单昌中氧含量减少。
单晶中氧含量自然减少，是直拉硅单晶生产中一个比较重要的问题。
氧在单晶中作用虽然看法不同，但氧在单晶中的均匀生产中比较重视。
碳在硅单晶形成SiC沉淀，容易诱生微缺陷，使单晶性能变差，在单晶拉制过程中尽量减少碳进入单晶硅。
九、直拉硅单晶的旋涡条纹直拉单晶硅中，除线缺陷、面缺陷，析出和杂质条纹外，在无错单晶中，又发现一种旋涡条纹（微缺陷），它严重影响大规模集成电路性能和成品率。
大规模集成电路元件尺寸（线宽为2-5微米），深度浅（一般小于1微米）；集成度高，器件生产工序多，经过若干次热处理。
硅单晶中旋涡条纹形成位错环、沉淀物、聚集物，容易损坏大规模集成电路。
直拉单晶硅中的旋涡条纹，经过热处理——也可以不经过热处理——经过化学处理，择优腐蚀，出现密度较高，大多数呈圆环状排列的浅底腐蚀坑，也有的呈雾状和云状。
所谓旋涡条纹，实际上是无位错硅单晶中过剩的热点缺陷凝聚形成的原生小位错回线或回线集团，而热点缺陷是空隙或自由间隙原子。
直拉硅单晶的旋涡缺陷大多数在单晶的并没有部或晶体的边缘部分出现，它们的面积大小不同，纵剖面是层状分布，一般与生长条纹相符合，符合公式：d=f/w旋涡缺陷的形成，有几种不同说法。
最初认为漩涡是空位和氧的络合物，显然，它的形成与硅中氧浓度大小有关，氧在硅单晶中呈间隙状态，形成硅氧沉淀，产生微缺陷，较小的微缺陷B团是自由间隙原子的聚集物，可以由B团发展较大的微缺陷B团。
它虽然能解释单晶并没有部容易产生微缺陷，尾部不容易产生微缺陷现象，但不能解释单晶中心含氧量高边缘含氧量低，而漩涡多出现于单晶边缘现象。
后来研究结果表明，硅单晶中氧和漩涡没有对应关系，而碳却与漩涡有对应关系。
换而言之，硅单晶中漩涡是由碳引起的。
但此观点和事实也有矛盾，它不能解释直拉硅单晶尾部含碳量高头部含碳量低而漩涡多数出现在单晶头部的现象，比较合理的解释是，碳在漩涡形成中起一定作用，但不是决定因素。
氧、碳、自间隙原子或自间隙原子聚集物只能是漩涡形成的诱发因素。
硅单晶中能否形成漩涡和它生长的历史有关，决定于它的生长过程的温度变化和界面处的晶体内可能产生液滴，由于硅的液态密度大于固态密度，液滴凝固时何种缩小，杂质原子插入硅晶格，成为自间隙原子，形成自间隙位错环，产生漩涡缺陷。
另一观点认为硅单昌中有自间隙原子的液滴，根据液滴大小不同存在稳定区，只有液滴尺寸超过一定值，自间隙原子在液滴处才能形成位微缺陷，并在一定温度下B团才能崩塌成A团。
直拉硅单晶在熔硅和晶体旋转中生长，一般说来，生长界面呈台阶状，台阶各部分杂质不均，结晶温度产生差别，因而各处的微观生长速度不同，各处杂质的微分凝也不相等，生长界面容易形成环形液滴，使微缺陷呈旋涡状。
硅单晶中旋涡腐蚀分布图样很多，但基本上可分为二大类：圆状分布和云状分布。
这些分布都由硅单晶的生长条件决定。
虽然对形成漩涡条纹机理看法很多，但在直拉硅单晶生长中，消除旋涡条纹的方法是相同的。
一、热场尽量对称，热场中心与晶体旋转中心尽量重合，晶体中心与籽晶中心尽量重合，否则，硅单晶生长时，旋转的生长界面扫过不同温度的溶硅，容易产生回熔，生成旋涡条纹。
二、保持硅单晶生长时温度稳定是生长无旋涡条纹单晶的必要条件只有温度稳定才能避免回熔现象产生。
三、尽量减少单晶中氧和碳的含量，减少碳对熔硅的沾污。
四、热场配剂尽量采用较大的纵向温度梯度，较快的生长速度，实践证明，较快的拉晶速度，对降低或消除硅单晶中旋涡条纹较明显。
五、控制熔硅的自然对流和强迫对流，实践证明，合适的单晶和坩埚旋转速度对由于浮力千万的自然对流进行抑制，使熔硅各处温度稳定，这是目前工艺上消除旋涡条纹的一种重要手段。
使用直径大，高度小的坩埚，对减少自然对流，消除微缺陷有利；采用减压顶吹法拉晶，也有得消除旋涡条纹。
在强磁场作用下拉制硅单晶，也能大大降低旋涡条纹。
最近盖在宇宙空间实验上无策略影响下拉制硅单晶，消除了旋涡条纹。
十硅单晶非平衡少数载流子寿命单晶硅中非平衡少数载流子寿命（简称寿命）是硅单晶的一个重要参数。
它不是单晶结构缺陷，便和单晶结构缺陷有关。
影响硅单晶寿命的主要是单晶中存在深能级杂质，如铁、镍、钼、铜、铬、镒等。
这些杂质的存在使单晶寿命大大降低。
单晶的结构缺陷做为“陷井”俘获非平衡少数载流子的电子和空穴，使单晶寿命减少，硅单晶中的氧和硅形成复杂化合物成为施主，使单晶寿命增高，但这是一种假象，热处理后寿命下降。
提高硅单晶寿命主要是拉晶过程中防止深厚感情能级杂质污染，避免铜、铁等金属和多晶硅接触，尽量不采用钼保温罩，多晶硅和石英坩埚含深能级杂质尽量少。
拉晶的保护气氛的纯度尽量高，这样都能提高硅单晶寿命。
消除单晶的结构缺陷，无位错单晶尽量消除杂质条纹和旋涡条纹，消除单晶中陷井。
总之，只要单晶中深能级杂质少，无旋涡条纹和杂质条纹，结构完整，硅单晶寿命是较高的。
在某些特殊情况下，为了提高单晶硅寿命，可在拉晶保护气体氩气中掺少量氧气或在直空拉晶时渗少量氧气也能提高硅单晶寿命。