碳化硅生产线改造新建立方碳化硅生产线项目建议书

碳化硅生产线改造新建立方碳化硅生产线项目建议书
碳化硅生产线改造新建立方碳化硅生产线项目建议书

“四高”碳化硅生产线改造新建立方碳化硅生产线

青海中瑞碳化硅有限公司

二零一三年三月

“四高”碳化硅生产线改造和新建立方碳化硅生产线

项目建议书

一、项目背景

青海中瑞碳化硅有限公司碳化硅冶炼项目是2008年青洽会的招商引资项目,截止目前我公司累计已完成固定资产投资3772万元,建成两条12500KVA 冶炼生产线,达产情况下年可冶炼黑碳化硅原块2.5-3万吨,但因生产技术落后,产品结构单一,已不能适应市场的需要,企业的生存和发展面临巨大压力。为此,我公司积极响应青海省关于“调结构、转方式、保增长、促发展”号召,并根据对市场的全面了解,经多方努力,我们寻求同对碳化硅生产应用有着近20年研究历史且拥有近十项碳化硅产业相关发明专利的西安科技大学博尔科技有限公司合作,引进其先进的生产技术,投资改造现有的碳化硅生产线,改变传统碳化硅生产方式,兴建更高效节能、无三废排放的四高(高纯度、高密度、高结晶性和高均匀性)碳化硅生产线以及具有世界领先技术的立方碳化硅生产线项目。该项目以公司原冶炼生产线为基础,将两条生产线的主设备进行集并整合,建成一条25000KVA的大型碳化硅生产线,该生产线同时也将气体回收及余热利用技术整合起来,以达到节能减排的效果。在改造传统碳化硅生产线的同时新建一条具有世界先进水平的年产500-1000吨立方碳化硅的生产线。

四高SiC简介:碳化硅(SiC)材料自诞生之日起就承担了人类社会发展进步的重大使命,被美誉为工业牙齿的碳化硅经过近几十年的发展,已经被广泛应用到冶金、机械、石油、化工、建筑、电子、能源、国防、航空、航天等领域。碳化硅材料的产品类型有:由天然石英和石油焦或煤炭制成的碳化硅结晶块;由结晶块加工而成的各种碳化硅砂;由碳化硅砂加工而成的各种碳化硅微粉;由碳化硅砂或微粉加工而成的各种碳化硅陶瓷制品(包括各种耐火材料)。

SiC具有抗氧化性强,硬度高,耐磨性好,热稳定性好,高温强度大,热膨胀系数小,热导率大以及抗热震、耐化学腐蚀、半导电特性等优良性能。碳化硅砂被用作各种研磨、切削和抛光材料或普通耐火材料的原料。碳化硅微粉被用于各种精细研磨、抛光、涂层、填料

和烧结陶瓷的原料。碳化硅陶瓷可用作各类轴承、滚珠、喷嘴、密封件、高温窑具、切削工具、燃汽涡轮机叶片、涡轮增压器转子、反射屏、火箭燃烧室内衬、防弹装甲、航天器隔热材料等。碳化硅的优异性能和广泛用途,在国内外产生了巨大的工业市场。Sic结晶块的应用可归纳为以下几个方面:

① SiC磨料:黑SiC是以石英砂、石油焦或煤炭和优质硅石为主要原料,通过电阻炉高温冶炼而成。主要化学成份为Sic,Sic含量97%以上,色泽为黑色,有金属光泽,就其色泽命名为黑Sic。主要用于磨铸铁和非金属材料。其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉,性脆而锋利。其韧性也次于刚玉类磨料,对于抗拉强度较底的材料,如非金属材料(各种板材如木质胶合板、刨花板、高中低密度纤维板、竹质板、硅酸钙板、皮革、玻璃、陶瓷、石材等)和有色金属(铝、铜、铅等)等材料的加工尤为适宜,对质地坚硬而性脆材料的加工也是比较理想的磨料。

绿Sic在制造上所采用的原料与黑Sic大致相同,是以石油焦和优质硅石为主要原料,添加食盐作为添加剂,通过电阻炉高温冶炼而成,其色泽为绿色命名为绿Sic。绿Sic比黑Sic的质地更纯,硬度稍高于黑Sic,机械强度也高于刚玉,可作为磨料和其它工业材料使用。除具有黑Sic磨削用途之外,更适合用于材料的精磨如磨螺纹、磨量具和电工、电子类材料加工等。近五年来,绿Sic微粉被大量用作光伏产业的晶硅产品切磨刃料。

②Sic陶瓷用微粉的原料:Sic结晶块是制造Sic微粉的原料。用Sic微粉或超细粉制造的Sic陶瓷可用作汽车零件和密封面、机械密封件、阀和阀衬、水龙头滑片、换热器、装甲材料、推力轴承和颈项轴承部件,各种喷嘴、半导体元器件、各种光盘、磁盘、平板玻璃、纤维层硬质保护层、导电层、高温结构件、高温电工元器件、造纸工业部件等,还适于航空、航天、航海、军事、电工电子、高温设施等应用的高技术新材料。

③电工电子材料:碳化硅超细高纯微粉主要用作电工器件和发热元器件、蓝色发光二极管、结晶场效应以及紫外光敏管和集成电路等。另外在光学材料、薄膜材料、抗辐射器、高温压力传感器和紫外探测器等新材料领域的应用越来越广泛。

④耐火材料:碳化硅砂和微粉被广泛用作耐火材料,经过加工制成各种高温承载件用于各种热工设备,其中包括各种窑具、热交换器、炉衬、加热元件,以及各种耐磨部件和高性能陶瓷机械零件。

⑤冶炼助剂:在钢铁冶炼中可将Sic冶炼副产品作为硅和碳源加入,大量用作炼钢的脱氧剂,还可做金属熔化添加剂。

据最新调查数据显示全球范围Sic产能约达300万吨,我国是世界上最大的原料型碳化硅生产国和出口国,其产能约有200万吨。其中黑碳化硅主要用于磨料、耐火材料和炼钢脱氧剂等;绿碳化硅目前绝大部分都是用于光伏行业,在磨料及陶瓷等领域应用相对较少。冶炼1吨黑碳化硅需要6000度到7000度电,3吨左右的石英砂和石油焦或煤炭能出一吨碳化硅结晶块。冶炼1吨绿碳化硅需要8000度到9000度电,3吨左右的石英砂和石油焦出一吨绿碳化硅结晶块。

四高Sic是陕西西科博尔科技有限责任公司历经十五年科技研发、根据小炉型技术推广和实验而发明的一种新型Sic材料,其生产工艺和原材料与黑碳化硅接近,其特点是利用大炉型、不同的炉料布局和长时间变功率供电制度度,营造炉内的物理气相沉积和化学气相沉积交替作用而实现其产品制造。其产品质量及一级品率明显优于普通黑硅和绿硅。四高Sic 具有高密度、高纯度、高结晶性、高均匀性的四高特性。可以预见,未来的碳化硅市场的发展趋势是以四高Sic完全替代现有市场中的普通Sic产品。

四高Sic生产技术,源自陕西西科博尔科技有限责任公司上世纪90年代中期发明的生产碳化硅的多炉芯炉及其生产方法。多炉芯炉及其生产方法包括了多炉芯技术和板状炉芯技术(国内有盗用此技术者称之为扁平炉芯技术),这一技术自2004年国家发明专利以来,分别荣获宁夏回族自治区科技进步一等奖、青海省科技进步三等奖和陕西省科技进步三等奖。该技术前端产品(非四高Sic产品)在国内已推广建成13条生产线,技术成熟,工艺稳定,已创产值20亿余元,产生了巨大的经济效益。四高Sic生产技术是在这一技术基础之上通过进一步研发而形成的,其技术特点是利用大型肥胖炉的高保温特性、不同的炉料布局和长时间、变功率供电制度,以营造炉内物理气相沉积和化学气相沉积交替作用而实现其高密度、高纯度、高结晶性、高均匀性的四高特性产品制造的。其技术稳定,工艺成熟,是目前国内外最先进的碳化硅生产技术。

四高Sic生产技术还可以方便安全的实施碳化硅生产过程排放的高热值尾气的收集和利用,不但从根本上解决了碳化硅生产过程中排放的烟气和粉尘污染等环境问题,而且实现了废弃资源的再利用,使碳化硅产业真正步入了高科技环保型生产轨道,而且使得每吨碳化

硅生产节能约达25%,再加上余热利用,可使每吨碳化硅生产新增效益500元以上。

立方碳化硅:又名β-Sic,属立方晶系(金刚石晶型)。β-Sic的莫氏硬度为9.25--9.6,与金刚石接近,光洁度及抛光性能远超白刚玉和α-Sic(黑碳化硅和绿碳化硅);在1600℃以上温度时β-Sic仍具有超高的强度和优异的抗蠕变、抗断裂性能;作为半导性材料,β-Sic 比α-Sic的导电性高几倍;β-Sic具有优良的热导率和低膨胀系数,使得其在加热和冷却过程中受到的热应力很小;β-Sic属于低温晶型,超过1800℃时可发生晶型转换;在比重方面,β-Sic比大多数合金小一半,为钢的40%,与铝大致相同。

β-Sic微粉有很高的化学稳定性、高硬度、高热导率、低热胀系数、宽能带隙、高电子漂移速度、高电子迁移率、特殊的电阻温度特性等,因此具有抗磨、耐高温、耐热震、耐腐蚀、耐辐射、良好的半导电特性等优良性能,被广泛应用于电子、信息、精密加工技术、军工、航空航天、高级耐火材料、特种陶瓷材料、高级磨削材料和和增强材料等领域。其应用范围主要分为以下几类:

①烧结微粉:β-Sic在高级结构陶瓷、功能陶瓷及高级耐火材料市场有着非常广阔的应用前景。普通碳化硅陶瓷在烧结过程中需要2300℃、2400℃、2500℃,加添加剂后也仍需2100℃才可结晶,而β-Sic在1800℃即可结晶,并且在β-Sic晶型转换过程中,其体积也会发生变化,对陶瓷烧结致密性能起到良好的作用,从而增加碳化硅陶瓷的韧性和强度等综合性能。在碳化硼陶瓷制品中加入β-Sic能够在降低烧结温度的同时提高产品的韧性,从而使得碳化硼陶瓷性能大幅提高。

②电子材料:作为半导性材料,β-Sic比α-Sic高几倍,添加β-Sic后的发电机抗电晕效果非常明显,同时还具有良好的耐磨、耐高温性能。纯度高的β-Sic可制成单晶碳化硅晶片,其优异的导电、导热性使其在军工、航天、电子行业等高尖端领域用来替代电子级单晶硅和多晶硅。用β-Sic做的电子封装材料、发热器、热交换器等具有高抗热震性,良好的热导性,产品性能大幅优于其他材料。

③特殊涂层:由于β-Sic具有金刚石结构,颗粒呈类球形,具有超耐磨耐腐蚀,超导热,低膨胀系数等特点,使其在特殊涂层中有着良好的应用。将β-Sic超细粉镀到普通材料上,其耐磨寿命会大幅提高,比如普通碳钢的钻头钻10mm钢板,钻1-2个孔便出现损坏情况,而涂有β-Sic的钻头性能可超过合金钻头,可以钻20~50个孔。铝合金活塞在汽缸中大

量往复运动,很容易磨损,涂覆β-Sic材料后能够使活塞寿命提高30-50倍。

④研磨抛光材料:作为精密研磨抛光材料,β-Sic比白刚玉和α-Sic研磨效率高很多,而且能大幅提高产品光洁度。

目前市场上用金刚石做研磨抛光材料较多,其价格是β-Sic的几十倍甚至几百倍;但β-Sic在众多领域中的研磨效果不亚于金刚石,甚至在磨不锈钢、硅片、玻璃的光洁度都比优于金刚石,价格却是金刚石的几十分之一倍。

用白刚玉做的油石、研磨盘广泛用于不锈钢类研磨行业,其抛光性能相对较高,产品使用寿命短;而利用β-Sic做成的研磨材料(油石、研磨盘等),具有光洁度高、磨削力强、寿命长的优势。比如用白刚玉做的油石抛光轴承,用β-Sic做的油石替代后,光洁度能提高2-3个等级,产品寿命提高5-8倍,而且能大幅降低更换油石次数,从而减少劳动强度、提高生产效率。

β-Sic做的研磨膏、研磨液、高精密砂布砂带及超耐磨涂层也有着良好的应用前景。

⑤高档特殊添加剂:高分子复合材料及金属材料中加入β-Sic可以大大提高其导热性、降低膨胀系数、增加耐磨性等,而且由于β-Sic的比重小,对材料结构重量不造成影响。高强度尼龙材料、特种工程塑料聚醚醚酮(PEEK)、橡胶轮胎、抗压润滑油等加入超细β-Sic微粉后,其性能提升非常明显。

⑥碳粉添加剂:复印机用碳粉在加入β-Sic后,流动性及附着力会有明显提升,添加量一般在5%左右即可达到良好的效果。

⑦其他应用:立方碳化硅(β-Sic)属于碳化硅类的高端产品,现阶段主要用于精密研磨、高级陶瓷、高级耐火材料、特殊涂附、高档特殊添加剂等领域。立方碳化硅具有金刚石晶型,韧性及硬度均高于普通碳化硅产品,且具有良好的自然球度和优异的烧结活性,使得其在应用性能上明显优于普通碳化硅。今后随着行业的发展,立方碳化硅有潜力逐步替代现有碳化硅产品,成为碳化硅中的领导产品。

本项目经过充分调研和论证,从我国政府近年倡导的循环经济理念出发,遵循市场规律,充分依靠高新技术,本地原材料丰富,电力价格适中,劳动力成本低等基础优势和比较优势,集成国内外先进技术和装备,采用多热源炉生产Sic新技术(国家发明专利,专利号:ZL 01132774.X)生产四高Sic结晶块,利用β-Sic新技术(国家发明专利,专

利号:ZL 03114672.4)生产β-Sic微粉。采用Sic炉气收集装置及方法(2项国家发明专利,专利号:ZL.2008 1 0017967.5,专利号:ZL.2008 2 0028866.3)实现碳化硅冶炼过程中的炉气回收利用。采用Sic余热利用专有技术实现地区供暖、供热水的循环应用。

1、项目名称:改建四高碳化硅生产线和新建立方碳化硅生产线项目。

2、承办单位:青海中瑞碳化硅有限公司和陕西西科博尔科技有限公司合作成立的新公司为具体承办单位。

3、拟建地点:青海中瑞碳化硅有限公司现生产区内。

4、建设内容与规模:

a、将原碳化硅生产线重新整合,增加节能效率更高、无三废排放的设备,引进高新技术,建设“四高”(高纯度、高密度、高结晶性和高均匀性)碳化硅生产车间,投资约1000万元;

b、新建具有世界领先技术的立方碳化硅生产线;投资约1500万元;

c、建设其它配套:办公试验楼、厂房上下水、锅炉、浴池等。投资:500万元。

5、建设年限:该改造及新建项目计划十个月内完成。

6、概算投资:全部固定资产投资额预计达3000万元,流动资金约需3000万元。

7、效益分析:年生产总值:3.15亿元,产生利税:1575万元。

二、项目建设的必要性和条件

1、建设的必要性分析:青海中瑞碳化硅有限公司现有的产品系高载能的碳化硅结晶原块,产品结构单一,随着国内同类生产厂家增多,总规模日渐扩大,同质化竞争日益严重,生存的压力逐渐增大,尤其是在全球性经济危机的大背景下,企业面临生死存亡的选择,而高端产品相对稀缺,所以提升产品品质,增加产品科技含量,完善产品结构也就成了我公司的必然选择。

2、建设条件分析:新建改建项目系在我公司现有的生产场地进行建设,且原料渠道均可取自本省,无论是场地、原材料、物流、交通等方面都具备条件,

因此项目上马条件均已成熟;同时在转变生产方式和调整产业结构的整体大趋势下,我们提升生产技术,增加产品科技含量,无疑是顺应了时代的潮流,也必将为地方经济的增长和企业自身的发展带来极大的促进作用。

三、建设规模

总用地约为3万平方米,年产3万吨四高碳化硅和年产500-1000吨立方碳化硅车间,建筑面积预计为2万平方米。

四、技术方案、设备方案和工程方案

(一)技术方案

1、利用厂区原有2条12500KVA生产线,通过变压器串并联改成容量约达25000KVA的单台变压器,将原有的2组12500KVA电阻炉改成一组容量为25000KVA的多热源电阻炉,用以生产四高Sic结晶块;另行建设一条产能500-1000吨的β-Sic微粉生产线。公司所生产的两种产品满足磨料磨具、工业陶瓷、耐火材料、电工电子、军工、航空航天等材料对Sic的需求。与行业平均水平相比,具有低成本、高质量、高技术含量等优势,有较好的盈利能力。

2、工艺流程(略)

(二)主要设备方案

1、主要设备选型:

两台12500KVA整流变压器串并联改造,原两个冶炼车间重新建设,新增双主梁天车四台,封闭式混料设备一套。新增立方碳化硅制造设备一套。

2、主要设备来源:定制及采购。

五、投资估算及资金筹措

(一)投资估算

1、建设投资估算:固定资产总投资额达3000万元。

2、流动资金估算:流动资金约需3000万元。

(二)资金筹措

采取自筹资金+银行项目货款方式取得资金。

六、效益分析

(一)经济效益

1、销售收入估算:总收入可达3.15亿元,其中四高碳化硅1.65亿元,立方碳化硅销售收入可达1.5亿元。

2、利润与税收分析:每年可实现利润3500万元,可上缴各类税收1575万元。

3、投资回收期:2年

(二)社会效益

每年可上缴各类税收1575万元以上,可为地方经济发展作出一定贡献;可吸收当地130多名劳动力就业。

七、公司发展及战略规划

综上,对于本企业而言,引进先进生产技术势在必行。四高Sic块料生产线一次性改造成功,并实现年产3万吨的目标;β-Sic微粉生产线以2000吨产能为设计宗旨,前期一次性建设4台冶炼炉,后根据市场情况完成2000吨产能生产线建设,第一年实现产量200吨,第二年产量增至300吨,第三年产量增至500吨;前期为四高Sic炉底及炉侧铺设好余热利用管道,以便今后余热的生活利用。四高Sic生产线投入生产后第二年和第三年,根据公司的利润及市场情况再建设5000吨四高Sic砂生产线和5000吨高纯精细α-Sic微粉生产线,并实现炉气回收系统的装备。根据后期发展需要,建设高技术陶瓷制品1千吨生产线。

青海中瑞碳化硅有限公司

二O一三年三月二十六日

电力电子中的碳化硅SiC

电力电子中的碳化硅SiC SiC in Power Electronics Volker Demuth, Head of Product Management Component, SEMIKRON Germany 据预测,采用SiC的功率模块将进入诸如可再生能源、UPS电源、驱动器和汽车等应用。风电和牵引应用可能会随之而来。到2021年,SiC功率器件市场总额预计将上升到10亿美元 [1]。在某些市场,如太阳能,SiC器件已投入运行,尽管事实上这些模块的价格仍然比常规硅器件高。是什么使这种材料具有足够的吸引力,即使价格更高也心甘情愿地被接受?首先,作为宽禁带材料,SiC提供了功率半导体器件的新设计方法。传统功率硅技术中,IGBT开关被用于高于600V的电压,并且硅PIN-续流二极管是最先进的。硅功率器件的设计与软开关特性造成相当大的功率损耗。有了SiC的宽禁带,可设计阻断电压高达15kV的高压MOSFET,同时动态损耗非常小。有了SiC,传统的软关断硅二极管可由肖特基二极管取代,并带来非常低的开关损耗。作为一个额外的优势,SiC具有比硅高3倍的热传导率。连同低功率损耗,SiC是提高功率模块中功率密度的一种理想材料。目前可用的设计是SiC混合模块(IGBT和SiC肖特基二极管)和全SiC模块。 SiC混合模块 SiC混合模块中,传统IGBT与SiC肖特基二极管一起开关。虽然SiC器件的主要优势是与低动态损耗相关,但首先讨论SiC肖特基二极管的静态损耗。通常情况下,SiC器件的静态损耗似乎比传统的硅器件更高。图1.a显示了传统软开关600V赛米控CAL HD续流二极管的正向压降V f ,为低开关损耗而优化的快速硅二极管和SiC肖特基二极管,所有的额定电流为10 A。 图1.a中:25℃和150℃下不同续流二极管的正向电流与正向压降。对比了10A的SiC肖特基二极管,传统的软开关硅二极管(CAL HD)和快速硅二极管(硅快速)。1.b:同一二极管的正向压降和电流密度(正向电流除以芯片面积)。 在10A的额定电流下,硅续流二极管展现出最低的正向压降,SiC肖特基二极 管的V f 更高,而快速硅二极管展现出最高的正向压降。正向电压与温度之间的关 联差别很大:快速硅二极管具有负的温度系数,150°C下的V f 比25°C下的V f 低。 对于12A以上的电流,CAL的温度系数为正,SiC肖特基二极管即使电流为4A时,温度系数也为正。由于二极管通常并联以实现大功率器件,需要具有正温度系数以避免并联二极管中的电流不平衡和运行温度不均匀。这里,SiC肖特基二极管显示出最佳的性能。但与常规硅二极管相比,SiC肖特基二极管的静态损耗较高。由于二极管是基于10A额定电流进行比较的,考虑不同供应商的器件之间有时不同

尿素生产设备项目建议书(总投资17000万元)(70亩)

尿素生产设备项目 建议书 规划设计 / 投资分析

摘要说明— 该尿素生产设备项目计划总投资17214.57万元,其中:固定资产投资11759.78万元,占项目总投资的68.31%;流动资金5454.79万元,占项目总投资的31.69%。 达产年营业收入40046.00万元,总成本费用32035.66万元,税金及附加320.14万元,利润总额8010.34万元,利税总额9435.35万元,税后净利润6007.76万元,达产年纳税总额3427.60万元;达产年投资利润率46.53%,投资利税率54.81%,投资回报率34.90%,全部投资回收期4.37年,提供就业职位728个。 报告根据项目实际情况,提出项目组织、建设管理、竣工验收、经营管理等初步方案;结合项目特点提出合理的总体及分年度实施进度计划。 概况、背景及必要性、市场调研预测、建设规模、项目选址、土建工程研究、工艺技术、项目环境保护和绿色生产分析、安全规范管理、项目风险、节能方案、实施安排方案、项目投资分析、经济效益分析、项目评价等。

第一章背景及必要性 一、项目建设背景 1、近年来,工业紧紧围绕国家节能减排约束性目标任务,以工业绿色 低碳转型发展为目标,狠抓工业节能降耗、清洁生产和资源综合利用技术 进步,取得了积极成效。“十一五”期间,全国规模以上工业单位增加值 能耗下降26%,实现节能量7.5亿吨标准煤,以年均6.98%的能耗增长支撑 了年均11.57%的工业增长。“十二五”前四年,我国工业能耗累计下降21%,工业水耗累计下降28%左右,基本实现“十二五”预计目标。工业节能、节水、资源综合利用、环保、废水循环回用等关键成套设备和装备产 业化示范工程积极推进,节能环保产业快速发展,为资源节约型和环境友 好型社会建设提供了有力支撑。 2、制造业是实现工业化的水之源、木之本,是现代化的原动力,是国 家实力的支柱。一个国家没有强大的制造能力,永远成不了经济强国。我 国工业化的进程目前正处在由低级向高级发展的中间阶段,要完全实现工 业化,根据发达国家的经验,至少还需要十几年的努力。制造业分为加工 制造业和装备制造业。宏观上看,我国制造业发展很快,以至于现在有了“中国已经成为世界工厂”的说法。这种说法似乎有两个依据:一是制造业 对我国出口的贡献;二是制造业的发展速度。我国已完成工业化的初级阶段,此阶段以劳动密集型产业飞速发展为特点,产业结构轻型化,我国已将加

碳化硅粉体的制备及改性技术

随着科学技术的发展, 现代国防,空间技术以及汽车工业等领域不仅要求工程材料具备良好的机械性能,而且要求其具有良好的物理性能。碳化硅(SiC)陶瓷具有高温强度和抗氧化性好、耐磨性能和热稳定性高、热膨胀系数小、热导率高、化学稳定性好等优点,因而常常用于制造燃烧室、高温排气装置、耐温贴片、飞机引擎构件、化学反应容器、热交换器管等严酷条件下的机械构件,是一种应用广泛的先进工程材料。它不仅在正在开发的高新技术领域(如陶瓷发动机、航天器等)发挥重要作用,在目前的能源、冶金、机械、建材化工等[1]领域也具有广阔的市场和待开发的应用领域。为此,迫切需要生产不同层次、不同性能的各种碳化硅制品。碳化硅的强共价键导致其熔点很高,进而使SiC粉体的制备、烧结致密化等变得更加困难。本文综述了近些年碳化硅粉体的制备及改性、成型和烧结工艺三个方面的研究进展。 [1]蔡新民,武七德,刘伟安.反应烧结碳化硅过程的数学模型[J].武汉理工大学学报, 2002, 24(4): 48-50 1 碳化硅粉体的制备及改性技术 碳化硅粉体的制备技术就其原始原料状态主要可以分为三大类:固相法、液相法和气相法。 1.1 固相法 固相法主要有碳热还原法和硅碳直接反应法。碳热还原法又包括阿奇逊(Acheson)法、竖式炉法和高温转炉法。SiC粉体制备最初是采用Acheson法[2],用焦炭在高温下(2400 ℃左右)还原SiO2制备的,但此方法获得的粉末粒径较大(>1mm),耗费能量大、工艺复杂。20世纪70年代发展起来的ESK法对古典Acheson法进行了改进,80年代出现了竖式炉、高温转炉等合成β-SiC粉的新设备。随着微波与固体中的化学物质有效而特殊的聚合作用逐渐被弄清楚,微波加热合成SiC粉体技术也日趋成熟。最近,L N. Satapathy等[3]优化了微波合成SiC的工艺参数。他们以Si+2C为起始反应物,采用2.45 GHz的微波在1200-1300 ℃时保温5分钟即可实现完全反应,再通过650 ℃除碳即可获得纯的β-SiC,其平均粒径约0.4 μm。硅碳直接反应法又包括自蔓延高温合成法(SHS)和机械合金化法。SHS还原合成法利用SiO2与Mg之间的放热反应来弥补热量的不足,该方法得到的SiC粉末纯度高,粒度小,但需要酸洗等后续工序除去产物中的Mg。杨晓云等[4]将Si 粉与C 粉按照n(Si):n(C) = 1:1制成混合粉末,并封装在充满氩气的磨罐中,在WL-1 行星式球磨机上进行机械球磨,球磨25 h 后得到平均晶粒尺寸约为6 nm 的SiC 粉体。 [2] 宋春军,徐光亮. 碳化硅纳米粉体的合成、分散与烧结工艺技术研究进展[J].材料科学与工艺,2009,17(2):168~173 [3] L N. Satapathy,P D. Ramesh,Dinesh Agrawal,et al. Microwave synthesis of phase-pure, fine silicon carbide powder[J].Materials Research Bulletin, 2005, 40(10):1871-1882. [4] 杨晓云, 黄震威. 球磨Si, C 混合粉末合成纳米SiC 的高分辨电镜观察. 金属学报,2000, 36(7): 684-688. 1.2 液相法 液相法主要有溶胶-凝胶(Sol-gel)法和聚合物热分解法。溶胶凝胶法为利用含Si和含C的有机高分子物质,通过适当溶胶凝胶化工艺制取含有混合均匀的Si和C的凝胶,然后进行热解以及高温碳热还原而获得碳化硅的方法。Limin Shi等[5]以粒径9.415 μm的SiO2为起始原料,利用溶胶凝胶法在其表面包覆一层酚醛树脂,通过热解然后1500 ℃于Ar气氛下进行还原反应,获得了粒径在200 nm左右的SiC颗粒。有机聚合物的高温分解是制备碳化硅的有效技术:一类是加热凝胶聚硅氧烷,发生分解反应放出小单体,最终形成SiO2和C,再由碳还原反应制得SiC 粉;另一类是加热聚硅烷或聚碳硅烷放出小单体后生成骨架,最终形成SiC 粉末。

SiC晶体生长工艺装备

SiC晶体生长工艺装备 一、SiC晶体生长工艺装备发展现状 由于SiC具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和浓度、化学性能稳定、高硬度、抗磨损等特点,使得它在军用和航天领域的高温、高频、大功率光电器件方面具有优越的应用价值。具体来看,其导热性能是Si材料的3倍以上;在相同反压下,SiC材料的击穿电场强度比Si高10倍,而内阻仅是Si片的百分之一。SiC器件的工作温度可以达到600℃,而一般的Si器件最多能坚持到150℃。因为这些特性,SiC可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件,应用于Si器件难以胜任的场合。 目前SIC半导体材料发展十分迅速,总的发展趋势是晶体大直径、大尺寸化,向高纯无缺陷发展。6H和4H单晶片实现了商品化,3英寸(直径≥76.2mm)是主流产品,4英寸也有少量供应。4H-SiC 上的微管缺陷密度显著减小,n型4H-SiC的极低微管缺陷晶片上微管密度可接近0cm-2。 SiC材料的生长需要特殊的工艺装备。目前这些工艺装备的技术主要掌握在美日欧三方手中。这些发达国家和地区已对SiC 生长设备进行了持续的研究,积累了宝贵的经验。特别是美国,技术最成熟,凭借着先进的技术,不断研制基于SiC基的新军事电子产品,目前在航空、航天、军舰、卫星、深海等方面都得到了实际的应用,得以使其继续在全球军事电子领域保持领先地位。欧盟和日本也紧随其后,投入大量的人力和财力进行追赶。

美国Cree公司是世界上能够商业化提供SiC 产品最大的公司,占全球市场90%以上,其在工艺装备方面的技术先进、成熟稳定,领先世界水平,但受政策影响,技术处于绝对保密之中。 欧洲SiC晶体生长工艺装备的设备制造商集中在德国、瑞典和英国,目前主要生产以3“直径为主的工艺装备,但为了追赶世界先进水平,已开始进行4” SiC晶圆工艺装备的研发。 无论是美国、欧洲还是日本,其晶体生长工艺装备都是军方在三代半导体方面要重点发展的方向之一,长期得到国家的支持和投入,如美国海军、陆军、空军、美国国家航空航天局(NASA )、弹道导弹防卫局和国防预研局、几乎美国国防部所有部门都将SiC技术研究列入了各自军事系统发展规划。其中SiC晶体生长工艺装备是重要的组成部分,美军正是凭借其在碳化硅装备方面的强大实力,在军事电子方面继续拉大与其他国家的距离。 国内碳化硅研究始于2000年前后,基本都是在Si晶圆研究的基础上进行一些理论性的研究,工艺装备也是在原有的Si晶圆的工艺装备基础上进行了部分改造,研究进展缓慢,装备的缺乏已成为国内SiC项目研究的瓶径。近些年有些研究机构通过各种渠道引进了部分国外发达国家的工艺装备,但价格高昂,所引进设备的技术也不属于前沿技术,并且在引进过程中,对引进单位也有条款上的种种制约,限制了SiC项目在国内的研究。尽管起步早,但目前研究水平还处于初级阶段。 总之,国内SIC项目的研究以进口晶片为主,昂贵的晶片价格,

家具生产线建设项目建议书

******家居有限公司 家具生产项目建议书******家居有限公司 2016年10月

第一章总论 1.1 项目概况 1.1.1 项目名称:******家居有限公司家具生产。 1.1.2 建设单位:******家居有限公司。 1.1.3 建设地点:**高新区内,**县种畜场地段。 1.1.4 建设性质:新建。 1.1.5 建设内容及规模:项目总用地面积23227.4平方米(约34.8亩),其中建设用地面积16467.5平方米(约24.7亩),主要建设民用家具及办公家具生产线。规划总建筑面积约12884平方米,其中生产车间5019平方米,综合办公楼3245平方米,品牌家具展厅、成品仓库4230平方米,门卫房15平方米,发、配电房及消防控制室187.5平方米,地下消防水池及消防水泵房(不计容)187.5平方米。 1.1.6 建设期限:2016年11月~2017年10月 1.1.7 总投资及资金筹措:项目总投资4000万元,资金来源为:项目建设单位自筹。 1.1.8 主要技术指标

1.2 园区简介 湖南****高新技术产业园区位于青木村以东,东外环以西,蒸阳大道以北,北外环路以南。该区东西最宽约4200米,南北最长约3140米,规划区总用地面积为1017.56公顷,总建设用地面积为942.37公顷,其中工业用地面积为332.84公顷,占总建设用地面积的35.32%。根据**县城总体规划,将规划区定位为以一类工业为主,居住、行政、商业、文化功能为辅的“一化两型”绿色生态工业区。 2011年,国务院批准我省湘南三市(**市、郴州市、永州市)为国家级承接产业转移示范区,湖南省委、省政府就承接产业转移先后制订出台一系列优惠政策;2012年5月,湖南省委、省政府批准湖南****经济开发区转型升级为湖南****高新技术产业园区,为全省5个转型升级的高新区之一;**市委、市政府也提出了“西南云大”经济圈建设理念,**经济开发区处于“西南云大”经济圈的首要位置。面对这种千载难逢的发展机遇,**县委、县政府决定以此为契机,主动出击,通过进一步加快园区平台建设,加大招商引资力度,加速推进**县新型工业化进程。启动开发区核心区,大规模建设标准厂房,同时配套完善区内水、电、路等基础设施,是提升园区项目承载能力、加快项目引进、促进工业集聚的最有效的途径之一。 工业经济提速增效,运行质量得到改善,电子、农副产品深加工等传统产业得到改造,机械制造、生物医药、新型建材等新兴产业快速崛起,技术含量高、附加值大的高新技术产品发展较

碳化硅电力电子器件的发展现状分析

碳化硅电力电子器件的发展现状分析在过去的十五到二十年中,碳化硅电力电子器件领域取得了令人瞩目的成就,所研发的碳化硅器件的性能指标远超当前硅基器件,并且成功实现了部分碳化硅器件的产业化,在一些重要的能源领域开始逐步取代硅基电力电子器件,并初步展现出其巨大的潜力。碳化硅电力电子器件的持续进步将对电力电子技术领域的发展起到革命性的推动作用。随着SiC单晶和外延材料技术的进步,各种类型的SiC器件被开发出来。SiC器件主要包括二极管和开关管。SiC二极管主要包括肖特基势垒二极管及其新型结构和PiN型二极管。SiC开关管的种类较多,具有代表性的开关管有金属氧化物半导体场效应开关管(MOSFET)、结型场效应开关管(JFET)、绝缘栅双极开关管(IGBT)三种。 1. SiC二极管实现产业化 SiC电力电子器件中,SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品,美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。在日本,罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二极管。很多企业在开发肖特基势垒二极管(SBD)和JBS结构二极管。目前,SiC二极管已经存在600V~1700V电压等级和50A电流等级的产品。 SiC 肖特基二极管能提供近乎理想的动态性能。做为单子器件,它的工作过程中没有电荷储存,因此它的反向恢复电流仅由它的耗尽层结电容造成,其反向恢复电荷以及其反向恢复损耗比Si超快恢复二极管要低一到两个数量级。更重要的是,和它匹配的开关管的开通损耗也可以得到大幅度减少,因此提高电路的开关频率。另外,它几乎没有正向恢复电压,因而能够立即导通,不存在双极型器件的开通延时现象。在常温下,其正态导通压降和Si

年产5000吨果酒生产线项目建议书

年产5000 吨果酒生产线项目建议书 一、项目概况 1.项目名称:年产5000 吨果酒生产线项目 2.项目拟建单位:县**** 纺织服装有限公司法人代表: **** 3、项目拟建地点:县*** 工业区工业路西段路南, 项目占地30 亩。 4、项目主要内容:本项目建设内容包括年产5000 吨果酒 生产线一条和原料处理车间、发酵车间、后处理车间、灌装车间, 以及配套水、电、汽等公共设施。 5.项目总投资:该项目总投资为1300 万元, 其中建设投资800 万元, 流动资金500 万元 二、项目提出的必要性和依据 我国果酒生产历史悠久, 从汉唐到明清, 不仅有果酒生产而且品种繁多。像枣酒、桑椹酒、橘柑酒、梅子酒、石榴酒、桃酒、梨酒等, 这些酒以甜、酸、清香的风味特色为历代人民所喜爱。新 中国建立以后, 果酒得到了发展, 不论是产量、质量、酿造技术、设备, 都在逐步改变小作坊式的生产方式, 并向工业化方向发展。随着人民生活水平的提高, 饮食结构的变化, 人们不再盲目追求甜型果酒, 果酒在酒质的风格、类型、包装装潢上都有了新的变化。

特别是20 世纪90 年代以后, 果酒生产采用了一些先进技术, 如果 汁前处理、酵母选育、人工酵母添加、酶工程的应用、控温发酵、全过程隔氧防褐变措施及多级膜过滤等,同时,在水果蒸馏酒工艺上借鉴白兰地生产的先进技术。这些技术的应用, 大大提高了产品质量, 再加上装潢新颖大方,花色品种繁多, 果酒不仅作为饮用酒也成为馈赠的礼品之一。 大力提倡发展果酒生产, 不仅可减少粮食消耗, 改善酒类消费结构、满足消费者需求、有益于国民健康, 而且可充分有效地促进土坡地和山地资源的开发利用。因此, 开发果酒不仅可得到当地政府的大力支持, 而且受到广大果农欢迎和拥护。根据有关资料表明,中国的果蔬面积达到867万公顷,占全世界总面积的18%,产量6237 万吨, 占全世界总产量的13%,尤其是萍果、梨等产量位居世界首位, 在中国发展果酒业有着巨大的资源保证。但是目前只有少数地区及少量用来酿造果酒, 而果农卖鲜果难的问题仍存在着。由于我国果酒生产存在以上问题, 近两年出现了果酒销售量逐年提高的趋势,而价格也越来越高, 进口量成数倍地增大的局面。因此, 充分利用我国的水果资源, 以营养丰富的水果为原料酿造果酒具有广阔的市场前景, 对扩大当地的水果种植, 进一步调整农业种植结构, 提高果农的收入具有较好的促进作用。 三、市场预测与产品营销 1、我国果酒的产销及需求预测现在市场上果酒产品仍是葡萄酒占主

第三代半导体材料碳化硅

第三代半导体材料碳化硅 一、第三代半导体发展简述 半导体产业的基石是芯片。制作芯片的核心材料按照历史进程分为三代:第一代半导体材料(主要为目前广泛使用的高纯度硅)、第二代化合物半导体材料(砷化镓、磷化铟)、第三代化合物半导体材料(碳化硅、氮化镓)。 第三代半导体材料也称为禁带半导体材料,是指禁带宽度在2.3eV(电子伏特)及以上的半导体材料(硅的禁带宽度为1.12eV),其中较为典型的和成熟的包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等,其余包括氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等的研究尚处于起步阶段。 第三代半导体材料在禁带宽度、热导率、介电常数、电子漂移速度方面的特性使其适合制作高频、高功率、高温、抗辐射、高密度集成电路;其在禁带宽度方面的特性使其适合制作发光器件或光探测器等。 5G基站射频器件对高频材料的需求,以及功率器件正向着大功率化、高频化、集成化方向发展的趋势凸显出了第三代半导体材料的重要性及广阔前景。而该领域基本由美日企业主导,我国相对薄弱,研发仍主要集中于军工领域。 国家战略新兴产业政策中多次提到以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体器件,随着国内多家企业开始重视该领

域,积极布局相关项目,我国的第三代半导体材料及器件有望实现较快发展。 二、第三代半导体---碳化硅概述 碳化硅是第三代化合物半导体材料的,具有优越的物理性能:高禁带宽度(对应高击穿电场和高功率密度)、高电导率、高热导率。 半导体芯片分为集成电路和分立器件,但不论是集成电路还是分立器件,基本结构都可以划分为“衬底—外延—器件”结构。碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料。 图:碳化硅晶片产业链

医疗器械生产企业项目建议书

某某有限公司 医疗器械生产线建设 项目建议书 一、项目总论: 1.1、项目名称:医疗器械产品生产线建设 1.2、公司概况:某某有限公司是一家专注于医疗器械产品研发、生产、销售一体的高科技公司。 1.3、拟建地点: 1.4、建设内容与规模: 1.4.1、三条生产线: 1.4.2、建成后年产量: 1500台/年。 1.5、建设年限:18个月 1.6、概算投资:500万 二、项目建设的必要性和条件 2.1、建设的必要性:高新技术企业入驻临港有利于推动临港产业发展、人才聚集。 2..2、建设条件分析:临港空气清心,环境优美,政府对企业扶持力度大,厂房价格比市区要优惠得多。

三、技术方案、设备方案和工程方案 3.1、生产方法:组装生产(按公司设计图纸外加工或直接购买标准件,自已撑握核心软件技术与关键工艺、生产主要是组装、测试,检测工作。) 3.2、工艺流程: 机箱、各种机械件、电路板、电子原器件、光学件、包装材料等公司都不自己生产、按图纸外加工,公司内部只组装、调试、检测、包装成成品。 1、***仪: 1外购件入厂检验、2部件工装调试、3光学底座安装、4各光学件安装、5电路安装、6电路调试、7光路调试、8半成品检验、9机箱等整机组装、10整机检验、11老化稳定性检验、12包装、13成品检验、14装箱入成品库。 2、仪配套试剂: 1领料、2准备工具器皿、3制纯水、4纯水检验、5称量、6配制、7分装、8查遗漏装盒、9检验、10打印合格证、11热收缩膜封装、12装箱、入成品库 3、多功能检测仪: 1外购件入厂检验、2机械件安装、3电路安装调试、4电脑软件安装、5显微镜安装调试、5半成品整机调试、6老化稳定性检验、7包装、8成品检验、9装箱入成品库。 3.3、主要设备:

电子碳化硅芯片的设备制作方法与制作流程

本技术属于碳化硅芯片加工领域,尤其是一种电子碳化硅芯片的制备方法,针对现有的不便于对环氧树脂的浇筑量进行精准控制的问题,现提出如下方案,其包括以下步骤:S1:将需要制备的碳化硅芯片的尺寸数据录入电脑,在电脑上建模,根据碳化硅芯片的尺寸确定模具的尺寸;S2:在电脑上建立模具模型,将碳化硅电路板模拟放入模具模型中,对碳化硅电路板进行定位;S3:模拟向模具模型中浇筑环氧树脂,对浇筑的量的数据进行记录; S4:将碳化硅电路板放入实际的模具中,根据S3中所述的浇筑的量向模具中浇筑环氧树脂成型,本技术能够对环氧树脂的浇筑量进行精准控制,保证了加工的精度,同时可以防止环氧树脂凝结。 技术要求 1.一种电子碳化硅芯片的制备方法,包括以下步骤: S1:将需要制备的碳化硅芯片的尺寸数据录入电脑,在电脑上建模,根据碳化硅芯片的 尺寸确定模具的尺寸; S2:在电脑上建立模具模型,将碳化硅电路板模拟放入模具模型中,对碳化硅电路板进 行定位; S3:模拟向模具模型中浇筑环氧树脂,对浇筑的量的数据进行记录; S4:将碳化硅电路板放入实际的模具中,根据S3中所述的浇筑的量向模具中浇筑环氧树 脂成型,安装底座进行封装; S5:打开模具,将一体成型的电子芯片取出,即可制得电子碳化硅芯片。 2.根据权利要求1所述的一种电子碳化硅芯片的制备方法,其特征在于,所述S2中,将碳化硅电路板放入模具模型中时,对碳化硅电路板的位置进行调整,调整完成后在模具的 模腔内标注四个定位点。 3.根据权利要求2所述的一种电子碳化硅芯片的制备方法,其特征在于,将四个定位点在模具中的位置数据进行记录,并在实际的模具中布置四个定位柱,通过四个定位柱对碳 化硅电路板进行定位。

年产吨果酒生产线项目建议书

年产5000吨果酒生产线项目建议书 一、项目概况 1.项目名称:年产5000吨果酒生产线项目 2.项目拟建单位:县****纺织服装有限公司 法人代表:**** 3、项目拟建地点:县***工业区工业路西段路南,项目占地30亩。 4、项目主要内容:本项目建设内容包括年产5000吨果酒生产线一条和原料处理车间、发酵车间、后处理车间、灌装车间,以及配套水、电、汽等公共设施。 5.项目总投资:该项目总投资为1300万元,其中建设投资800万元,流动资金500万元 二、项目提出的必要性和依据 我国果酒生产历史悠久,从汉唐到明清,不仅有果酒生产而且品种繁多。像枣酒、桑椹酒、橘柑酒、梅子酒、石榴酒、桃酒、梨酒等,这些酒以甜、酸、清香的风味特色为历代人民所喜爱。新中国建立以后,果酒得到了发展,不论是产量、质量、酿造技术、设备,都在逐步改变小作坊式的生产方式,并向工业化方向发展。随着人民生活水平的提高,饮食结构的变化,人们不再盲

目追求甜型果酒,果酒在酒质的风格、类型、包装装潢上都有了新的变化。特别是20世纪90年代以后,果酒生产采用了一些先进技术,如果汁前处理、酵母选育、人工酵母添加、酶工程的应用、控温发酵、全过程隔氧防褐变措施及多级膜过滤等,同时,在水果蒸馏酒工艺上借鉴白兰地生产的先进技术。这些技术的应用,大大提高了产品质量,再加上装潢新颖大方,花色品种繁多,果酒不仅作为饮用酒也成为馈赠的礼品之一。 大力提倡发展果酒生产,不仅可减少粮食消耗,改善酒类消费结构、满足消费者需求、有益于国民健康,而且可充分有效地促进土坡地和山地资源的开发利用。因此,开发果酒不仅可得到当地政府的大力支持,而且受到广大果农欢迎和拥护。根据有关资料表明,中国的果蔬面积达到867万公顷,占全世界总面积的18%,产量6237万吨,占全世界总产量的13%,尤其是萍果、梨等产量位居世界首位,在中国发展果酒业有着巨大的资源保证。但是目前只有少数地区及少量用来酿造果酒,而果农卖鲜果难的问题仍存在着。由于我国果酒生产存在以上问题,近两年出现了果酒销售量逐年提高的趋势,而价格也越来越高,进口量成数倍地增大的局面。因此,充分利用我国的水果资源,以营养丰富的水果为原料酿造果酒具有广阔的市场前景,对扩大当地的水果种植,进一步调整农业种植结构,提高果农的收入具有较好的促进

半导体设备生产线项目建议书

半导体设备生产线项目 建议书 规划设计/投资方案/产业运营

报告说明 半导体设备产业经过了数十年的发展,如今已形成了相对固定的寡头竞争格局,和相对稳定的业态和模式。半导体在技术上的不断突破所带来的应用迭代,改变了许多传统行业,如汽车、重工等机械产业的电子化,亦催生出众多应用,如电脑、互联网、智能手机、人工智能等新兴产业。半导体的制造离不开半导体设备,半导体设备行业的持续发展间接地促进了各类新产业的诞生。集成电路应用领域中,以物联网为代表的新兴产业,在可预见的未来内发展趋势明朗。可穿戴设备、智能家电、自动驾驶汽车、智能机器人、3D显示等应用的发展将促使数以百亿计的新设备进入这些领域,万物互联的时代正在加速来临。工信部在2016年发布了《信息通信行业发展规划物联网分册(2016-2020年)》,以促进物联网规模化应用为主线,提出了未来几年我国物联网发展的方向、重点和路径。2018世界物联网博览会上发布的《2017-2018年中国物联网发展年度报告》显示,2017年以来我国物联网市场进入实质性发展阶段,全年市场规模突破1万亿元,年复合增长率超过25%,其中物联网云平台成为竞争核心领域,预计2021年我国物联网平台支出将位居全球第一。物联网产业的蓬勃发展将产生数以百亿计的连接设备,每台设备都需要对应的芯片,包括集

成电路芯片和MEMS等传感器芯片,释放出大量芯片制造的需求,将进 一步推动上游半导体设备行业的稳步增长。 本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨 慎财务估算,项目总投资40722.18万元,其中:建设投资33677.07 万元,占项目总投资的82.70%;建设期利息935.91万元,占项目总投资的2.30%;流动资金6109.20万元,占项目总投资的15.00%。 根据谨慎财务测算,项目正常运营每年营业收入81500.00万元, 综合总成本费用64808.54万元,净利润10292.24万元,财务内部收 益率20.10%,财务净现值1789.64万元,全部投资回收期5.86年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。 本期项目技术上可行、经济上合理,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。 实现“十三五”时期的发展目标,必须全面贯彻“创新、协调、 绿色、开放、共享、转型、率先、特色”的发展理念。机遇千载难逢,任务依然艰巨。只要全市上下精诚团结、拼搏实干、开拓创新、奋力

碳化硅的制备与应用

目录 摘要 (1) 关键字 (1) 1碳化硅的合成与制备 (1) 2SiC陶瓷的主要应用领域 (3) 3结束语 (5) 参考书目 (5)

碳化硅陶瓷的制备与应用 摘要:碳化硅陶瓷材料由于抗氧化性强、耐磨性能好、硬度高、热稳定性好、高温强度大、热膨胀系数小、热导率大以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性,广泛的应用于各个领域。本文通过对碳化硅陶瓷材料的的发展历程,特性及国内外研究状况提出了几种碳化硅陶瓷的烧结方法,并讨论其发展趋势。 关键词:碳化硅;合成与制备;烧结;应用; 1、碳化硅陶瓷的合成与制备 SiC由于其共价键结合的特点,烧结时的扩散速率相当低,即使在的2100℃的高温,C和Si的自扩散系数也仅为1.5×10-10和2.5×10-13cm2/s所以,很难采取通常离子键结合材料所用的单纯化合物常压烧结途径来制取高致密化材料,必须采用一些特殊的工艺手段或依靠第二相物质促进其烧结。 SiC很难烧结。其晶界能与表面能之比很高,不易获得足够的能量形成晶界而烧结成块体。SiC烧结时的扩散速率很低,其表面的氧化膜也起扩散势垒作用。因此,碳化硅需要借助添加剂或压力等才能获得致密材料。本制件采用Al-B-C作为烧结助剂。硼(B)在SiC晶界的选择性偏析减小晶界能,提高烧结推动力,但过量的B会使SiC晶粒异常长大。添加C(碳)可以还原碳化硅表面对烧结起阻碍作用的SiO2膜,并使表面自由能提高。但过多的碳,使制品失重,密度下降。铝(Al)有抑制晶粒长大的作用,并有增强硼的烧结助剂作用,但过量的Al却会使制件的高温强度下降。因此,必须通过试验合理确定Al,B,C的用量。 目前制备SiC陶瓷的主要方法有无压烧结、热压烧结、热等静压烧结、反应烧结等。 1.1 碳化硅陶瓷的无压烧结 无压烧结被认为是SiC烧结最有前途的烧结方法,通过无压烧结工艺可以制备出复杂形状和大尺寸的SiC部件。根据烧结机理的不同,无压烧结又可分为固 的β-SiC可通过添加B和C进行常压烧结,这相烧结和液相烧结。对含有微量SiO 2 种方法可明显改善SiC的烧结动力学。掺杂适量的B,烧结过程中B处于SiC晶界上,部分与SiC形成固溶体,从而降低了SiC的晶界能。掺杂适量的游离C对固相烧结 生成,加入的适量C有助于使SiC表有利,因为SiC表面通常会被氧化有少量SiO 2 面上的SiO 膜还原除去,从而增加了表面能。然而#对液相烧结会产生不利影响, 2 因为C会与氧化物添加剂反应生成气体,在陶瓷烧结体内形成大量的开孔,影响致密化进程。SiC的烧结工艺中,原料的纯度、细度、相组成十分重要。S.Proehazka 通过在超细β-SiC粉体(含氧量小于2%)中同时加入适量B和C的方法,在2020℃下常压烧结成密度高于98%的SiC烧结体。但SiC-B-C系统属于固相烧结的范畴,需要的烧结温度较高,并且断裂韧性较低,断裂模式为典型的穿晶断裂,晶粒粗大且均匀性差。国外对SiC的研究焦点主要集中于液相烧结上,即以一定数量的

2020年第三代半导体材料碳化硅晶片行业分析报告

2020年第三代半导体材料碳化硅晶片行业分析报告 2020年7月

目录 一、行业主管部门、监管体制、主要法律法规政策 (5) 1、行业主管部门和监管体制 (5) 2、行业主要政策法规 (6) 二、半导体行业概况 (7) 三、第三代半导体材料行业概况 (9) 1、半导体材料概况 (9) 2、第三代半导体衬底材料概况 (11) 四、碳化硅晶片行业概况 (13) 1、碳化硅晶片简介 (13) 2、碳化硅晶片应用及其市场情况 (14) (1)功率器件 (14) ①新能源汽车 (15) ②光伏发电 (15) ③轨道交通 (16) ④智能电网 (17) (2)射频器件 (18) 3、碳化硅晶片市场供给情况 (20) 五、行业发展现状、面临的机遇和未来发展趋势 (21) 1、第三代半导体战略地位得到广泛重视 (21) 2、碳化硅晶片需求旺盛,供给相对不足 (22) 3、碳化硅晶片尺寸持续扩大,6英寸晶片将成为主流 (24) 4、国际碳化硅龙头企业整体领先并加速布局抢占市场份额 (24)

5、国内碳化硅材料企业快速崛起 (25) 6、国内进口替代趋势不可逆转 (26) 六、行业发展面临的挑战 (27) 1、碳化硅晶片技术门槛高 (27) 2、碳化硅晶片制备成本较高 (27) 七、行业主要企业简况 (28) 1、美国CREE公司 (28) 2、美国II-VI公司 (28) 3、德国SiCrystal公司 (28) 4、山东天岳 (28) 5、天科合达 (29)

碳化硅晶片是碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。碳化硅晶片作为半导体衬底材料,经过外延生长、器件制造等环节,可制成碳化硅基功率器件和微波射频器件,是第三代半导体产业发展的重要基础材料。 根据电阻率不同,碳化硅晶片可分为导电型和半绝缘型。其中,导电型碳化硅晶片主要应用于制造耐高温、耐高压的功率器件,市场规模较大;半绝缘型碳化硅衬底主要应用于微波射频器件等领域,随着5G通讯网络的加速建设,市场需求提升较为明显。 晶片尺寸越大,对应晶体的生长与加工技术难度越大,而下游器件的制造效率越高、单位成本越低。目前国际碳化硅晶片厂商主要提供4英寸至6英寸碳化硅晶片,CREE、II-VI等国际龙头企业已开始投资建设8英寸碳化硅晶片生产线。 籽晶是生长晶体的“种子”,主要用于在单晶生长炉中生长碳化硅晶体;晶体主要用于加工为碳化硅晶片,还可用于制造莫桑钻饰品,或被加工设备制造商用于测试切割设备等。 籽晶是用于碳化硅晶体生长的高品质碳化硅晶片,相对于一般的碳化硅晶片,籽晶的结晶品质要求更高、尺寸和厚度较大,其销售价格也相对较高。 碳化硅晶体是生产碳化硅晶片的中间产品,公司生产的碳化硅晶体主要用于加工制成碳化硅晶片后对外销售。根据电阻率不同,公司的碳化硅晶体可分为导电型晶体和半绝缘型晶体。其中,高品质的半绝缘型碳化硅晶体由于近乎无色,且硬度、亮度、火彩等指标接近甚

瓦楞纸箱生产设备项目建议书

瓦楞纸箱生产设备项目建议书 二〇一一年七月

一、总论 1、项目名称:瓦楞纸箱生产设备项目 2、拟建地点: XX市XX工业园区 3、建设容与规模:年产300台套瓦楞纸板(箱)生产设备的能力。 4、建设年限: 2012年-2013年 5、概算投资:项目总投资34800万元,其中:建设投资31000万元、流动资金3800万元。 表格1项目总投资 6、效益分析:按每台机器均价50万元计算,300台总计15000万元。 二、项目建设的必要性和条件 1、建设的必要性分析:瓦楞纸板始于18世纪末,19世纪初因其量轻而且价格便宜,用途广泛,制作简易,且能回收甚至重复利用,使它的应用有了显著的增长。到20世纪初,已获得为各种各样的商品制作包装而全面的普级、推广和应用。由于使用瓦楞纸板制成的包装容器对美化和保护装商品有其独特的性能和优点,因此,在与多种包装

材料的竞争中获得了极大的成功。成为迄今为止长用不衰并呈现迅猛发展的制作包装容器的主要材料之一。 瓦楞纸板是由面纸、里纸、芯纸和加工成波形瓦楞的瓦楞纸通过粘合而成。根据商品包装的需求,瓦楞纸板可以加工成单面瓦楞纸板、三层瓦楞纸板、五层、七层、十一层等瓦楞纸板。单面瓦楞纸板一般用作商品包装的贴衬保护层或制作轻便的卡格、垫板以保护商品在贮存的运输过程中的震动或冲撞,三层和五层瓦楞纸板在制作瓦楞纸箱中是党用的。许多商品的包装通过三层或五层瓦楞纸板进行恰恰相反当而精美的包装,在瓦楞纸箱或瓦楞纸盒的表面印制靓丽多彩的图形和画面,不但保护了在的商品,而且宣传和美化了在的商品。目前,许多三层或五层瓦楞纸板制作的瓦楞纸箱或瓦楞纸盒已堂而皇之的直接上了销售柜台,成了销售包装。七层或十一层瓦楞纸板主要为机电、烤烟、家俱、摩托车、大型家电等制作包装箱。在特定的商品中,可以用这种瓦楞纸板组合制成、外套箱,便于制作,便于商品的盛装、仓储和运输。近年来,根据环保的需要和国家相关政策的要求,这类瓦楞纸板制作的商品包装,有逐渐取代木箱包装的趋势。 我国的瓦楞纸箱工业在世界上起步较晚,但发展迅速变化巨大。1954年才开始推广使用瓦楞纸箱,较日本晚40年,

中国成功研制6英寸碳化硅晶片 年产7万片

中国成功研制6英寸碳化硅晶片年产7万片 半导体开始突破了 从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底,陈小龙团队花了10多年时间,在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化。据《中国科学报》12日报道,不久前,中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司(以下简称天科合达)合作,解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术,成功研制出了6英寸碳化硅单晶衬底。截至2014年3月,天科合达形成了一条年产7万片碳化硅晶片的生产线。 碳化硅作为第三代半导体材料,可用于制作新一代高效节能的电力电子器件,并广泛应用于国民经济的各个领域,如空调、光伏发电、风力发电、高效电动机、混合和纯电动汽车、高速列车、智能电网、超高压输变电等。与使用传统硅器件相比,使用碳化硅半导体电力电子器件可以大大减少电力系统的能量损耗,提高电力使用效率,降低电力系统的尺寸,同时可提高系统运行的可靠性并降低系统整机造价。高效节能碳化硅电力电子器件的普及和应用可以为产业升级、节能减排和建设低碳社会提供技术保障。 据介绍,美国F-22战斗机也大量使用了碳化硅半导体器件。我国碳化硅技术最早也用于军事,现在慢慢扩大到民用方面,一旦普及,将创造巨大的社会效益。

中国科学院物理研究所研究员陈小龙(资料图) 6英寸碳化硅晶体和单晶衬底片 第三代半导体材料 研究人员告诉记者,上世纪五六十年代,硅和锗构成了第一代半导体材料,主要应用于低压、低频、中功率晶体管以及光电探测器中。相比于锗半导体器件,硅材料制造的半导体器件耐高温和抗辐射性能较好。 到了上世纪60年代后期,95%以上的半导体、99%的集成电路都是用硅半导体材料制造的。直到现在,我们使用的半导体产品大多是基于

【CN109904061A】一种碳化硅晶圆减薄的制作方法【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910165713.6 (22)申请日 2019.03.06 (71)申请人 厦门市三安集成电路有限公司 地址 361100 福建省厦门市同安区洪塘镇 民安大道753-799号 (72)发明人 杨程 林科闯 陶永洪  (51)Int.Cl. H01L 21/02(2006.01) H01L 29/16(2006.01) (54)发明名称 一种碳化硅晶圆减薄的制作方法 (57)摘要 本发明公开了一种碳化硅晶圆减薄的制作 方法,包括以下步骤:步骤一、对碳化硅晶圆进行 清洁;步骤二、在碳化硅晶圆的正面制作一层保 护性薄膜;步骤三、对碳化硅晶圆进行背面减薄; 步骤四、对减薄后的碳化硅晶圆进行清洁,并退 火的方式制作一层牺牲氧化层;步骤五、去除碳 化硅晶圆正面的保护性薄膜和背面的牺牲氧化 层。本发明实现对碳化硅晶圆的减薄,并保证制 作过程中光刻图形的良好匹配,具有良好的工艺 效果。权利要求书1页 说明书4页 附图1页CN 109904061 A 2019.06.18 C N 109904061 A

权 利 要 求 书1/1页CN 109904061 A 1.一种碳化硅晶圆减薄的制作方法,其特征在于:包括以下步骤: 步骤一、对碳化硅晶圆进行清洁; 步骤二、在碳化硅晶圆的正面制作一层保护性薄膜; 步骤三、对碳化硅晶圆进行背面减薄; 步骤四、对减薄后的碳化硅晶圆进行清洁,并退火的方式制作一层牺牲氧化层; 步骤五、去除碳化硅晶圆正面的保护性薄膜和背面的牺牲氧化层。 2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法,其特征在于:在步骤一中,碳化硅晶圆为碳化硅外延片或碳化硅衬底片。 3.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法,其特征在于:在步骤一中,碳化硅外延片的外延为N型或P型,碳化硅外延片的衬底为N型或P型;或者碳化硅衬底片的衬底为N型或P型。 4.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法,其特征在于:在步骤二中,保护性薄膜为二氧化硅、氮化硅或碳膜。 5.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法,其特征在于:在步骤二中,保护性薄膜的厚度范围是300-3000nm。 6.根据权利要求1或4或5所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法,其特征在于:保护性薄膜的沉积方式为PVD或CVD。 7.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法,其特征在于:通过研磨、湿法腐蚀或干法刻蚀进行背面减薄,减薄后碳化硅晶圆的厚度范围170-350μm。 8.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法,其特征在于:在步骤五中,同时去除保护性薄膜和牺牲氧化层,或先去除保护性薄膜后再去除牺牲氧化层。 9.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法,其特征在于:在步骤四中,牺牲氧化层采用炉管或RTO生长,生长方式为湿氧或干氧,工艺温度范围在900℃-1300℃之间,时间范围在0.5-5h之间。 10.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法,其特征在于:在步骤五中,去除方法为湿法腐蚀或刻蚀。 2

PPR管材生产线项目建议书(总投资12000万元)(53亩)

PPR管材生产线项目 建议书 规划设计 / 投资分析

摘要说明— 该PPR管材生产线项目计划总投资11686.71万元,其中:固定资产投资8536.24万元,占项目总投资的73.04%;流动资金3150.47万元,占项目总投资的26.96%。 达产年营业收入21270.00万元,总成本费用16464.79万元,税金及附加220.46万元,利润总额4805.21万元,利税总额5688.46万元,税后净利润3603.91万元,达产年纳税总额2084.55万元;达产年投资利润率41.12%,投资利税率48.67%,投资回报率30.84%,全部投资回收期4.74年,提供就业职位369个。 报告根据我国相关行业市场需求的变化趋势,分析投资项目项目产品的发展前景,论证项目产品的国内外市场需求并确定项目的目标市场、价格定位,以此分析市场风险,确定风险防范措施等。 项目基本信息、项目背景、必要性、市场前景分析、产品规划及建设规模、项目选址规划、项目工程设计、工艺分析、清洁生产和环境保护、项目安全卫生、项目风险、节能说明、项目实施进度、投资计划、盈利能力分析、项目综合评价结论等。

第一章项目背景、必要性 一、项目建设背景 1、制造业是国民经济的支柱产业,是衡量一个国家或地区综合经济实 力和国际竞争力的重要标志,它的兴衰印证着国家的兴衰。历史上中国曾 是制造业第一大国,1850年前后旁落他国。经历了150年后,2010年我国 再次成为制造业“世界第一”。在此背景下出台的《中国制造2025》,无 疑为实现“从制造大国向制造强国的跨越”指明了方向。 2、中国大部分制造业企业处于传统产业价值链低端,技术创新能力弱、生产经营粗放,装备水平低,专业人才短缺,缺乏自主知识产权和品牌, 参与竞争主要是依靠“低成本、低价格、低利润”,这种状况已经难以为 继了。但实施中国制造2025并不是要用新兴产业去全面取代传统制造业, 而是要用新兴制造技术和工具去改造和提升传统生产设备和制造系统,充 分发挥以中国规模化制造为基础的制造业大国优势。 3、投资项目建成后将为当地工业发展注入新的活力,带动社会经济各 项事业迅速发展;经济的繁荣需要众多适应市场需要的、具有强大生命力的、新的经营项目的推动;项目承办单位利用自身的经济、技术、人力资 源优势,实施项目形成规模经济,可为企业增创效益,同时,可以带动相 关产业的迅速发展;项目达产后对发展当地经济、增加财政收入、引领相 关产业发展和解决劳动力就业等方面将起到积极的推动作用。

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