三极管和MOS管做开关用时的区别
三极管与mos管的异同
三极管与mos管的异同1. 引言大家好，今天咱们来聊聊电子元件中的两个大咖——三极管和MOS管。
这两位可不是简单的电子元件，而是现代电子设备中不可或缺的“扛把子”。
如果你在电路中看见它们，就像看到明星一样，心里肯定会一阵小激动。
不过，尽管它们都很牛，但还是有不少不同之处，今天咱们就来“深挖”一下这两位的异同，看看它们究竟有啥过人之处。
2. 三极管的特点2.1 基本原理首先，咱们先来聊聊三极管。
三极管就像是电子世界的小开关，它主要有三个端口：发射极、基极和集电极。
想象一下，基极就像是一个调节器，微微一动就能控制发射极和集电极之间的电流，简直就是电子界的“指挥家”。
这种特性使得三极管在放大和开关电路中都能大显身手。
2.2 应用场景那么三极管到底用在哪里呢？其实它的应用范围可广泛了，比如音频放大器、开关电源等等，几乎随处可见。
你在听歌的时候，音响里的三极管正在默默地为你服务，让声音更清晰动人。
想想看，它就像个舞台上的隐形英雄，虽不显眼却功不可没。
3. MOS管的特点3.1 基本原理再来说说MOS管，或者叫金属氧化物半导体场效应管，听上去是不是很高大上？其实它的原理也不复杂。
MOS管主要由源极、漏极和栅极组成，栅极就像个神奇的开关，只要给它施加电压，就能在源极和漏极之间形成通道。
这样一来，电流就能“畅通无阻”，感觉就像开了“绿灯”，非常高效。
3.2 应用场景MOS管的应用也不少，尤其在数字电路和微处理器中，简直是无处不在。
你打开手机，背后那些复杂的电路中，MOS管在高频率下稳定工作，帮助你顺畅地刷社交媒体。
可以说，MOS管就是现代科技的“幕后推手”，让我们的生活更加便利。
4. 三极管与MOS管的比较4.1 工作方式的不同好啦，咱们现在来看看三极管和MOS管的不同之处。
首先，三极管是电流控制型的元件，也就是说，它需要通过基极的电流来控制集电极和发射极之间的电流。
而MOS管呢？它是电压控制型的，只需在栅极施加电压，就能实现对电流的控制。
mos管和三极管相比优缺点？
mos管和三极管相比优缺点？2009-05-30 20:05:04| 分类：电子学习|字号大中小订阅MOS的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵三极管开关速度高，大型三极管的Ic可以做的很大，缺点损耗大，驱动复杂场效应管与三级管的比较：1）场效应管是电压控制元件，而三级管是电流控制元件；2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称为单极性器件，而三级管既有多子，也有少子导电，称之为双极性器件；3）场效应管灵活性比三级管好；4）场效应管的制造工艺更适合于集成电路。
场效应管（FET）是利用电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。
在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被广泛应用。
FET和双极型三极管相类似，电极对应关系是b®G、e®S、c®D；由FET组成的放大电路也和三极管放大电路相类似，三极管放大电路基极回路需要一个偏置电流(偏流)，而FET 放大电路的场效应管栅极没有电流，所以FET放大电路的栅极回路需要一个合适的偏置电压(偏压)。
FET组成的放大电路和三极管放大电路的主要区别在于：场效应管是电压控制型器件，靠栅源之间的电压变化来控制漏极电流的变化，放大作用以跨导来体现；三极管是电流控制型器件，靠基极电流的变化来控制集电极电流的变化，放大作用由电流放大倍数来体现。
场效应管放大电路分为共源、共漏、共栅极三种组态。
在分析三种组态时，可与双极型三极管的共射、共集、共基对照，体会二者间的相似与区别之处。
MOS管优点操声小供耗小散热效果好，因此大规模集成电路多用他但是，缺点放大倍数小因此放大能力不如三极管。
开关电源的开关管为什么选MOSFET，而非三极管
开关电源的开关管为什么选MOSFET，而非三极管场效应晶体管（FET，Field Effect Transistor），很大程度上会与双极性结型晶体管（BJT，Bipolor Junction Transistor）简称三极管，很多应用场景相似。
有些控制开关的应用场景下，两个似乎可以相互替代。
但是两者的不同导致了，应用场景的不同，和使用时的特性不同（频率、功耗等）。
1、两者的基本物理模型不相同三极管的理想模型是流控电流源，场效应管的理想物理模型是压控电流源。
2、输入阻抗不同三极管是电流控制器件，通过控制基极电流到达控制输出电流的目的。
因此，基极总有一定的电流，故三极管的输入电阻较低；场效应管是电压控制器件，其输出电流决定于栅源极之间的电压，栅极基本上不取电流，因此，它的输入电阻很高，可高达1MΩ～100000MΩ。
高输入电阻是场效应管的突出优点。
3、完全导通（饱和状态）的等效电阻值不同三极管导通时等效电阻值大，场效应管导通电阻小，只有几十毫欧姆，几毫欧，在现在的用电器件上，一般都用场效应管做开关来用，他的效率是比较高的。
在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。
根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。
BJT的CE之间可以实现的最小电压差，是一个定值，所以随着电流的增大，功耗就是Ice*Vce。
对于9013、9012而言，饱和时Vce小于0.6V，Vbe小于1.2V。
下面是9013的特性表：BCP56比较常用于开关控制功能的三极管的一个特性参数表，其Vce（sat）也是最大值0.5V饱和区的现象就是：两个PN结均正偏。
那么Vce（sat）的最大值，也就是两个二极管正向导通电压的压差，这个压差可能很小，而半导体厂家保证这颗BJT的最大值是0.6V。
这个值有可能非常接近于0，但是一般来说和IC和温度相关。
三极管与mos管工作原理
三极管与mos管工作原理三极管与MOS管是现代电子器件中常见的两种晶体管。
它们在各自的工作原理下，实现了信号放大、开关控制等功能。
本文将分别介绍三极管与MOS管的工作原理，并对其异同点进行比较。
一、三极管的工作原理三极管是一种由三个掺杂不同材料的半导体层组成的晶体管。
它的结构包括一块P型半导体（基极）、一块N型半导体（发射极）和一块P型半导体（集电极）。
当三极管处于正常工作状态时，发射极与基极之间的结为PN结，基极与集电极之间的结为NP结。
在三极管的工作过程中，发射极接收到的控制信号将会影响到基极与发射极之间的电流。
当发射极接收到正向偏置的控制信号时，PN 结会被击穿，形成一个电流通路，使得集电极与发射极之间的电流得以流动。
这种状态被称为饱和区。
而当发射极接收到反向偏置的控制信号时，PN结不会被击穿，电流无法流动，此时三极管处于截止区。
三极管通过调节发射极与基极之间的电流来控制集电极与发射极之间的电流，从而实现信号放大的功能。
当输入信号的幅度增大时，三极管会放大信号，输出信号的幅度也随之增大。
然而，三极管也存在一些缺点，比如体积较大、功耗较高等。
二、MOS管的工作原理MOS管是一种由金属氧化物半导体（MOS）结构构成的晶体管。
它的结构包括一块P型或N型半导体（基极）、一层绝缘层和一块N型或P型半导体（源极和漏极）。
绝缘层通常由氧化硅制成。
MOS管的工作原理是通过调节栅极电压来控制漏极与源极之间的电流。
当栅极施加正向偏置时，栅极与基极之间会形成一个正向导通的电势差，使得漏极与源极之间的电流得以流动，此时MOS管处于导通状态。
而当栅极施加反向偏置时，栅极与基极之间会形成一个反向的电势差，电流无法流动，此时MOS管处于截止状态。
MOS管相较于三极管具有许多优点，比如体积小、功耗低、开关速度快等。
此外，MOS管还可以实现集成电路的制造，使得其在现代电子器件中得到广泛应用。
三、三极管与MOS管的比较三极管和MOS管在工作原理上有一些重要的区别。
三极管和mos面试知识点
三极管和mos面试知识点三极管和MOS是电子学中非常重要的两种器件，它们在电路设计和集成电路中起着至关重要的作用。
以下是关于三极管和MOS的面试知识点：1. 三极管的工作原理：三极管是一种半导体器件，由发射极、基极和集电极组成。
它的工作原理是通过控制基极电流来控制集电极电流。
当在基极-发射极之间施加正向偏置电压时，发射结和基结被正向偏置，电子注入基区，从而使得集电结被反向偏置，集电极电流被控制。
这种特性使得三极管可以作为放大器、开关等电路中使用。
2. MOS场效应晶体管的工作原理：MOSFET是一种主要由金属-氧化物-半导体构成的场效应晶体管。
它的工作原理是通过栅极电压控制通道中的电子或空穴浓度，从而控制漏极和源极之间的电流。
当栅极施加正向电压时，电子或空穴被吸引到通道中，形成导电通道，从而使得漏极和源极之间的电流增大。
MOSFET因其高输入阻抗和低功耗而被广泛应用于集成电路和数字电路中。
3. 三极管和MOS的区别：三极管和MOSFET虽然都是用于放大和开关的器件，但它们有一些重要的区别。
三极管是双极型器件，其控制极和输出极之间的电流由输入极控制，而MOSFET是场效应型器件，其控制极和输出极之间的电流由栅极电压控制。
此外，MOSFET的输入电阻比三极管高，功耗低，速度快，适合于集成电路的制造。
4. 应用领域：三极管在模拟电路中广泛应用，例如放大器、振荡器和开关等。
而MOSFET主要应用于数字集成电路、功率放大器、开关电源等领域。
以上是关于三极管和MOS的一些面试知识点，希望能够帮助你更好地理解这两种重要的电子器件。
三极管 mos管开关
三极管 mos管开关三极管和MOS管是现代电子技术中常见的开关元件，它们的特性使得它们在各种电路和设备中得到广泛应用。
以下将对三极管和MOS管的工作原理、特点和应用进行较为生动、全面和有指导意义的讲解。
首先，我们来看看三极管。
三极管是一种三端元件，它由三个控制极、输出极和输入极组成。
三极管通常被用作放大器和开关，具有放大电流的能力。
当将适当的电压施加在控制极上时，三极管可以放大输入信号并将其传送到输出极。
这种放大效应使得三极管在音频放大器、射频放大器和大功率放大器等电子设备中得到广泛应用。
三极管的工作原理基于PN结的导电性。
当PN结被正向偏置时，三极管处于导通状态，允许电流通过。
当PN结被反向偏置时，三极管处于截止状态，电流无法通过。
根据这个原理，我们可以利用三极管的开关特性来实现各种电路的控制和调节。
其次，我们来了解MOS管。
MOS管是金属氧化物半导体场效应管的简称，是一种四端元件，由栅极、漏极、源极和漏源相隔的薄膜组成。
MOS管通常被用作数字逻辑电路和模拟电路中的开关。
MOS管具有低功耗、高频率和高电流驱动能力等特点，并且在集成电路中得到广泛应用。
MOS管的工作原理基于栅极电势的变化。
当栅极电势很低时，MOS管处于截止状态，电流无法通过；当栅极电势逐渐增加时，MOS管会逐渐导通并允许电流通过。
这种栅极电势控制开关状态的特性使得MOS管在数字电路中扮演着重要的角色，如逻辑门和存储单元等。
除了工作原理的不同，三极管和MOS管在许多方面都有所差异。
首先，三极管需要较高的电压才能正常工作，而MOS管则可以在低电压下工作。
其次，MOS管具有更快的开关速度和更低的功耗，适用于高频率和功耗敏感的电子设备。
最后，MOS管的制造成本更低，体积更小，更易于集成到集成电路中。
三极管和MOS管作为开关元件在各种电路和设备中发挥着重要作用。
在数字电子技术中，它们被广泛应用于计算机、通信设备和嵌入式系统等。
在模拟电子技术中，它们被用于放大器、滤波器和功率控制电路等。
三极管、mos电平转换电路应用对比
三极管和MOS电平转换电路在电子电路设计中起着重要的作用。
它们可以将不同电平之间的信号进行转换，使得不兼容的电路能够相互协调工作。
本文将就三极管和MOS电平转换电路的特点、优劣势及应用进行对比分析，以期为电子工程师在实际应用中选择合适的电平转换电路提供参考。
二、三极管电平转换电路1. 特点：三极管电平转换电路是通过三极管的放大特性来实现信号电平的转换。
其简单、成本低廉，适用于小功率、低频率的电路。
2. 优劣势：① 优势：成本低、易于实现② 劣势：存在电压下降、功耗大、温度敏感等缺点3. 应用：常用于模拟信号的放大和处理、低频率数据传输等领域。
三、MOS电平转换电路1. 特点：MOS电平转换电路利用金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）来进行电平转换，具有高输入电阻、低输入电流的特点，适用于高速、大功率的电路。
2. 优劣势：① 优势：输入输出电平匹配好、响应速度快、功耗低② 劣势：对静电、温度敏感，电压容忍度低3. 应用：广泛用于高速数字信号处理、功率放大、模数转换、电源管四、对比分析1. 成本：三极管电平转换电路的成本较低，而MOS电平转换电路的成本较高。
2. 性能：MOS电平转换电路具有更好的性能，响应速度快、功耗低、输入输出电平匹配好，而三极管电平转换电路存在电压下降、功耗大等问题。
3. 适用场景：三极管电平转换电路适用于小功率、低频率的电路，MOS电平转换电路适用于高速、大功率的电路。
4. 稳定性：MOS电平转换电路对静电、温度较为敏感，电压容忍度较低，而三极管电平转换电路在一定程度上稳定性较好。
五、结论三极管电平转换电路和MOS电平转换电路各有其优劣势，应根据实际应用的需求来选择合适的电平转换电路。
对于小功率、低频率的电路，可以选择成本低廉的三极管电平转换电路；对于高速、大功率的电路，则应选择性能更优越的MOS电平转换电路。
在实际应用中，还需综合考虑成本、性能、稳定性等因素，进行合理的选择。
电子技术基础：用作电子开关的三极管和MOS管
电子技术基础：用作电子开关的三极管和MOS管三极管用作开关管因为NPN型的三极管在共发射极电路中使用时，其C极要求接的是电源的正端，E极要求接的是电源的负端，B极要求在正向偏压时管子才工作，所以在PC电源中，开关电路都是以NPN型三极管的共发射极电路出现的，因之开关管都选用NPN型的三极管，正好能满足电路的供电要求和工作特性：我们先看下面这个简单的电路例子，右面的电路部分等效于左面的电路部分：当图中的NPN型三极管Q，由于B极接到指令而工作在饱和导通状态时，C极与E极完全导通，近似直通线路，三极管Q的C极与E 极就相当于一个机械开关K合上了，+300V的电压经过变压器T的初级绕组N1，三极管Q的C极和E极后回到300V的负端即地端，构成一个回路，就相当于直接给变压器的初级绕组N1两端加了一个300V的电压，那么变压器的初级绕组N1中就有电流流过，变压器就能工作；而当三极管Q截止时，就相当于这个机械开关K断开，很简单，变压器的初级绕组N1中就没有电流流过了，变压器也就不能工作。
当该三极管Q交替工作在饱和导通或者截止状态时，而其导通或者截止的工作频率是很高的，那么通过变压器的初级绕组N1中的300V直流电压就变成了脉动的交变电压，前面说过，变压器的绕组必须在有变化的磁通中，才会有感应电压的产生，那么在本电路中，变压器的次级绕组就会有感应的交流电压产生，而单独给变压器的初级绕组加个300V直流电压，变压器是不能产生感应电压的，这也是开关电路能把直流逆变为交流的原因所在。
在这里，当开关管Q交替工作在饱和导通或者截止状态时，就相当于机械开关K处在“开”通（合上）或者“关”断（断开）状态，把这个工作在“开”，“关”状态的三极管Q就叫做开关管。
开关管本身就是三极管，工作方式只有两种，完全导通状态或者完全截止状态，实际上从截止状态到导通状态要快速的跃过放大区的，讨论开关电路可以忽略不计。
从上面可以看出，用三极管做开关管有以下几个优点：（1）：开通或者关断的工作频率很高，普通的机械开关是做不到的。
MOS、三极管管用作开关时的区别联系
MOS管开关MOSFET 和BJT 的工作区域的命名有所不同。
BJT 中的截止，放大和饱和区相对于MOSFET 为截止，饱和，变阻区。
MOSFET有个参数Vt——开启电压。
当Vgs < Vt 时，MOSFET处于截止状态，即截止区。
当Vgs > Vt 且Vds > Vgs - Vt 时，为饱和区。
当Vgs > Vt 且Vds < Vgs - Vt 时，MOSFET处在变阻区。
如果忽略沟道的长度调制效应，MOSFET的饱和区就是相当于受控恒流源。
通常用其作为放大区域使用（类比BJT的放大去）。
MOSFET的变阻区相当于一个受Vgs控制的变阻器，当Vgs增大时沟道电阻变小。
通常功率MOSFET 的Rds 可以降到非常之小，以便流过较大的电流。
利用MOSFET 截止区和变阻区的特性，就可以将MOSFET 应用于逻辑或功率开关。
现在常用的MOS管大多是N沟道增强型的了，一般一块钱左右的管子，源极电流可以达到近十安培而导通电阻仅在几毫欧。
另外现在的MOS管已经不像早期那样脆弱，因为SD上并联有可以承受几安培电流的反向保护二极管。
MOS管有几个重要的参数，Vgs，Vds,Id/Is以及Ron，其中对于Vgs也就是栅极控制电压有一些特殊的要求与用法，它就像三极管的Ibe，之所以称为Vgs就是因为这个电压必须相对于S级而言，也就是G极必须比S极高出一定的电压才能驱动MOS管，否则管子不能导通。
比如Vgs耐压在12V左右的管子，当Vgs高于1.5V以上时就基本可以认为导通，一般4-5V就可以达到其最小Ron了。
但是，由于这个电压是基于S极的，所以对于电源一类的开关管应用场合（靠低压控制高压输入），必须想办法让Vgs高于Vs足够高（或者也可以让管子并联于电源，靠储能器件工作于高速开关状态），而为了简化电路一般都是在栅极上添加自举电路。
自举电路一般由一个电容和反向二极管组成，相当于给栅极增加了一个串联的电池。
三极管 mosfet
三极管 mosfet
三极管和MOSFET都是常用的半导体器件，它们都可以用来控制电流，但它们的工作原理和性质有所不同。
三极管是一种三端器件，通常由基极、发射极和集电极组成。
它的工作原理是通过控制基极电流来控制集电极电流。
三极管具有放大和开关两种功能，广泛应用于电子设备中。
MOSFET 是一种金属氧化物半导体场效应管，它由源极、漏极和栅极组成。
MOSFET 的主要工作原理是通过控制栅极电压来控制漏极电流。
MOSFET 的主要特点是高输入阻抗、低输出阻抗和低开关损耗，适用于高速开关应用。
在电子设计中，三极管和 MOSFET 都有它们的应用场景。
三极管通常用于低频放大、开关和稳压电路中，而 MOSFET 通常用于高速开关电路中，例如直流-直流转换器、交流-直流变换器和电机驱动器等。
- 1 -。
MOS管与三极管做开关用法比较
1 MOS 管（MOSFET ）的是指MOSFET 饱和导通的时候，VDS=I*RDS(on)的电压。
VDS 表示场效应管的漏极和源极的电压，G 表示栅极，I 表示流过DS 的电流，RDS(on)表示导通电阻，一般为几百毫欧。
MOSFET 的管压降，一般指的是静态压降。
只要知道导通和通过的电流的话用上面的公式就可以计算出来是多少了。
三极管管压降三极管的管Uce 就是指与的电压。
一般情况下，CE 极电压在0.3或者0.3V 以下时，三极管进入饱和区的工作状态，集电极电流不随着基集电流增加而增加了，也叫饱和电压。
正常三极管管压降为0.1-0.7V 。
由于管压降Uce 与集电极电流ic 具有非线性的函数关系，Uce 的大小随着Ice 的增大，在一定的范围内增大。
通过Ic 与Uce （饱和压降）的曲线图，就可以清晰的知道Uce 的大小了。
对比应用通过初步计算，在流过相同的电流（小于100MA ）的情况下，场效应管的管压降要比三极管的管压降略低。
一般小于0.1V 。
随着电流增大，三极管管压降最大达到0.7V 左右。
下图为三极管的管压降示例图，一般在DATASHEET 中都有给出。
对于场效应管（MOSFET ），VDS 取决于电流和导通电阻RDS(on)。
导通电阻一般变化不大，但是与VGS 有关，VGS 大导通程度也大，导通电阻就小。
如果RDS(on)=250M Ω，流过电流为100MA ，管压降VDS=0.025V 。
图一为0.05V ，图二为0.03V 。
因此，可以看出，在实际开关应用中，如果要使被控的电压的压降尽量小，MOSFET 比三极管有略微的优势。
三极管代替mos管结应用场景
三极管代替mos管结应用场景以三极管代替MOS管结应用场景引言：三极管和MOS管是电子器件中常见的两种结构，它们在不同的应用场景中具有一定的优势和特点。
本文将重点探讨以三极管代替MOS管结的应用场景，分析三极管在这些场景中的优势和适用性。
一、三极管和MOS管的基本结构和特点1. 三极管：三极管是一种三端口的电子器件，由基极、发射极和集电极组成。
三极管的工作原理是基于电流放大效应，通过控制基极电流来控制集电极电流的大小。
2. MOS管：MOS管是一种金属-氧化物-半导体场效应管，由栅极、漏极和源极组成。
MOS管的工作原理是基于电场效应，在栅极电压变化时控制漏极-源极间的电流。
二、三极管代替MOS管结的应用场景1. 低频放大电路：三极管在低频放大电路中被广泛应用。
由于三极管的电流放大特性，它能够实现较高的电压放大倍数和较大的输出功率。
而MOS管在低频放大电路中的应用相对较少，因其较低的电压放大倍数和功率输出能力。
2. 高温环境：三极管在高温环境中具有较好的稳定性和可靠性，能够承受较高的温度。
而MOS管的工作稳定性受到温度影响较大，容易出现漏电流增大等问题。
3. 高压应用：三极管能够承受较高的电压，适用于高压应用场景。
而MOS管的耐压能力相对较低，不适合高压电路。
4. 开关电路：三极管作为开关元件被广泛应用于开关电路中。
由于三极管具有较高的开关速度和较大的电流承载能力，能够实现快速开关和较高的开关频率。
而MOS管在开关电路中的应用相对较少，因为MOS管的开关速度较慢，且容易受到电压变化的影响。
5. 音频放大电路：三极管在音频放大电路中被广泛应用。
由于三极管的电流放大特性和较高的输出功率，能够实现音频信号的放大和驱动。
而MOS管在音频放大电路中的应用相对较少，因为其功率输出能力较弱。
三、三极管代替MOS管结的优势和适用性1. 电流放大特性：三极管具有较高的电流放大倍数，能够实现较大的电流放大和较高的输出功率。
mos管的放大区和三极管的放大区
【导言】当今社会，电子科技发展迅速，各种电子元器件在日常生活和工业生产中扮演着重要角色。
在这些元器件中，MOS管和三极管是两种重要的半导体器件，它们在电子电路中扮演着放大信号、开关控制等重要作用。
本文将重点探讨MOS管和三极管的放大区，探讨它们在电子电路中的应用和工作原理。
【正文】一、MOS管的放大区MOS管是一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管，它包括栅极、漏极和源极。
在MOS管的工作中，当栅极施加一定电压时，形成电场，从而控制漏极和源极之间的电流。
在MOS管的放大区，主要是指由栅极控制的漏极-源极之间的电流放大功能。
1. MOS管的放大功能在MOS管中，当栅极施加一定电压时，形成电场，控制了漏极和源极之间的电流。
通过调节栅极电压，可以实现漏极-源极间电流的放大，从而实现MOS管作为放大器的功能。
2. MOS管的应用MOS管因其高输入阻抗、低功耗等特点，在集成电路中得到广泛应用，例如作为开关、放大器等功能模块的基本元器件。
3. MOS管的工作原理MOS管的工作原理主要由栅极电场控制漏极和源极间的电流，因此在放大区，栅极电压的大小将直接影响漏极-源极间电流的大小，实现了信号的放大。
二、三极管的放大区三极管是一种有源器件，它包括发射极、基极和集电极。
在三极管的工作中，基极电流的变化将导致发射极-集电极间电流的放大。
因此在三极管的放大区，主要是指由基极控制的发射极-集电极间电流的放大功能。
1. 三极管的放大功能在三极管中，当基极电流变化时，将导致发射极-集电极间的电流变化，通过适当的电路设计，可以实现这一变化的放大，从而实现三极管作为放大器的功能。
2. 三极管的应用三极管在电子电路中应用广泛，例如在放大、开关控制、稳压等功能中都有重要作用。
3. 三极管的工作原理三极管的工作原理主要由基极电流控制发射极-集电极间的电流放大，由于三极管是有源器件，所以它可以在电路中实现较大的功率放大。
三、MOS管和三极管的比较1. 工作原理比较MOS管的放大区是由栅极电场控制漏极-源极间的电流，而三极管的放大区是由基极电流控制发射极-集电极间的电流。
MOS管与三极管的区别 作用 特性 参数 选用注意与事项
MOS管与TVS管综合信息三极管和MOS管的区别MOS管的特性、工作原理，与真空电子管类似：栅极没有电流，即没有输入电流，具有高输入阻抗；漏极电流由栅极电压控制，是电压控制器件……半导体三极管是两个P-N结组成，由基极电流来控制集电极电流，是一个电流控制器件；基极输入的是电流，输入阻抗低，需要输入功率……工作性质：1、三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。
3、功耗问题：三极管损耗大。
4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。
MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管四、场效应管的作用1、场效应管可应用于放大。
由于场效应管放大器的输进阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输进阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输进级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应留意以下规则：（1）. MOS器件出厂时通常装在玄色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。
也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装（2）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
（3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地。
（4）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。
（5）. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。
拆机时顺序相反。
（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子往碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上往。
（7）. MOS场效应晶体管的栅极在答应条件下，最好接进保护二极管。
在检验电路时应留意查证原有的保护二极管是否损坏实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。
mos管和三级管用的电阻
mos管和三级管用的电阻
回答：
1. MOS管用的电阻
MOS管是一种场效应管，其控制端（Gate）的电压可以控制通道（Channel）的电阻，从而实现电路的开关控制。
在MOS管的工作过程中，主要涉及到以下几种电阻：
（1）漏极电阻（Rdson）：MOS管导通时，漏极与源极之间的电阻，通常用来表示MOS管的导通能力和导通时的能耗。
（2）输入电阻（Rin）：MOS管的控制端（Gate）与信号源之间的电阻，通常用来表示MOS管的控制灵敏度和输入信号的损失。
（3）输出电阻（Rout）：MOS管的源极与负载之间的电阻，通常用来表示MOS 管的输出能力和输出信号的失真。
2. 三极管用的电阻
三极管是一种双极型晶体管，其控制端（Base）的电流可以控制集电极（Collector）
与发射极（Emitter）之间的电阻，从而实现电路的放大和开关控制。
在三极管的工作过程中，主要涉及到以下几种电阻：
（1）输入电阻（Rin）：三极管的控制端（Base）与信号源之间的电阻，通常用来表示三极管的控制灵敏度和输入信号的损失。
（2）输出电阻（Rout）：三极管的集电极（Collector）与负载之间的电阻，通常用来表示三极管的输出能力和输出信号的失真。
（3）反向漏电阻（Rbe）：三极管的发射极（Emitter）与控制端（Base）之间的电阻，通常用来表示三极管的反向漏电能力和反向漏电时的能耗。
总体来说，MOS管和三极管用到的电阻种类有些不同，但都是电路中重要的参数，影响着电路的性能和稳定性。
在实际应用中，需要根据具体的电路要求选择合适的MOS管或三极管，并合理设计电路中的电阻参数。
半导体三极管和MOS管的开关特性
2. 1. 1 理想开关的开关特性
一、 静态特性
1. 断开
2. 闭合
2. 1 半导体二极管 、三极管 和 MOS 管的开关特性
S
A
K
二、动态特性
1. 开通时间：
2. 关断时间：
闭合）
（断开
断开）
（闭合
普通开关：静态特性好，动态特性差
半导体开关：静态特性较差，动态特性好
几百万/秒
几千万/秒
+ uo
iB
iC
T
uI
3V
-2V
2 k
2.3 k
≤
因为
所以
二、动态特性
3
-2
t
0
0.9ICS
0.1ICS
t
0
3
0.3
t
0
2. 1. 4 MOS 管的开关特性
(电压控制型)
MOS（Mental – Oxide – Semiconductor） 金属 – 氧化物 – 半导体场效应管
t
t
0
0
(反向恢复时间)
≤
ton — 开通时间
toff — 关断时间
一、静态特性
NPN
2. 1. 3 半导体三极管的开关特性
发射结
集电结
发射极
emitter
基极
base
集电极
collector
b
iB
iC
e
c
(电流控制型)
1. 结构、符号和输入、输出特性
(2) 符号
N
N
P
(Transistor)
(1) 结构
(3) 输入特性
(4) 输出特性
MOS、三极管管用作开关时的区别联系
MOS管开关MOSFET 和BJT 的工作区域的命名有所不同。
BJT 中的截止，放大和饱和区相对于MOSFET 为截止，饱和，变阻区。
MOSFET有个参数Vt——开启电压。
当Vgs < Vt 时，MOSFET处于截止状态，即截止区。
当Vgs > Vt 且Vds > Vgs - Vt 时，为饱和区。
当Vgs > Vt 且Vds < Vgs - Vt 时，MOSFET处在变阻区。
如果忽略沟道的长度调制效应，MOSFET的饱和区就是相当于受控恒流源。
通常用其作为放大区域使用（类比BJT的放大去）。
MOSFET的变阻区相当于一个受Vgs控制的变阻器，当Vgs增大时沟道电阻变小。
通常功率MOSFET 的Rds 可以降到非常之小，以便流过较大的电流。
利用MOSFET 截止区和变阻区的特性，就可以将MOSFET 应用于逻辑或功率开关。
现在常用的MOS管大多是N沟道增强型的了，一般一块钱左右的管子，源极电流可以达到近十安培而导通电阻仅在几毫欧。
另外现在的MOS管已经不像早期那样脆弱，因为SD上并联有可以承受几安培电流的反向保护二极管。
MOS管有几个重要的参数，Vgs，Vds,Id/Is以及Ron，其中对于Vgs也就是栅极控制电压有一些特殊的要求与用法，它就像三极管的Ibe，之所以称为Vgs就是因为这个电压必须相对于S级而言，也就是G极必须比S极高出一定的电压才能驱动MOS管，否则管子不能导通。
比如Vgs耐压在12V左右的管子，当Vgs高于1.5V以上时就基本可以认为导通，一般4-5V就可以达到其最小Ron了。
但是，由于这个电压是基于S极的，所以对于电源一类的开关管应用场合（靠低压控制高压输入），必须想办法让Vgs高于Vs足够高（或者也可以让管子并联于电源，靠储能器件工作于高速开关状态），而为了简化电路一般都是在栅极上添加自举电路。
自举电路一般由一个电容和反向二极管组成，相当于给栅极增加了一个串联的电池。
三极管和mos管的相同点
三极管和mos管的相同点【原创实用版】目录1.三极管和 MOS 管的概述2.三极管和 MOS 管的相同点3.三极管和 MOS 管的不同点4.三极管和 MOS 管的应用场景正文一、三极管和 MOS 管的概述三极管和 MOS 管都是半导体器件，它们在电子电路中被广泛应用。
三极管由两个 n-p-n 结构组成，具有三个极：基极、发射极和集电极。
MOS 管（金属 - 氧化物 - 半导体场效应管）是一种由金属、氧化物和半导体组成的器件，具有三个极：源极、漏极和栅极。
二、三极管和 MOS 管的相同点1.工作原理：三极管和 MOS 管都是根据电流或电压的变化来控制电路的导通或截止。
2.功耗：在某些应用场景下，两者的功耗相当。
3.极性：三极管和 MOS 管都具有极性，即它们有特定的电流方向。
三、三极管和 MOS 管的不同点1.工作性质：三极管是电流控制器件，通过改变基极电流来控制集电极电流；MOS 管是电压控制器件，通过改变栅极电压来控制源漏间的导通电阻。
2.成本：三极管的成本通常低于 MOS 管。
3.功耗：在实际应用中，MOS 管的功耗通常小于三极管。
4.驱动能力：MOS 管具有较高的驱动能力，适用于高频高速电路、大电流场合以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方；三极管适用于数字电路开关控制，以及低频、低速、小电流场合。
四、三极管和 MOS 管的应用场景1.三极管：由于其较低的成本和较高的驱动能力，三极管广泛应用于数字电路、开关控制、信号放大、振荡电路等领域。
2.MOS 管：由于其低功耗、高输入阻抗、高频高速性能以及适用于大电流场合，MOS 管广泛应用于电源开关、信号处理、高速通信、计算机内存等领域。
总之，三极管和 MOS 管具有一定的相似性，但在工作性质、成本、功耗和驱动能力等方面存在显著差异。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
三极管和MOS管做开关用时的区别
∙我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别工作性质：
1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.
2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。
3、功耗问题：三极管损耗大。
4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。
MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管
实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。
要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。
三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。
但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。
集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。
三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。
而MOS三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。
∙（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。
在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。
被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
（5）场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。
尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。
（6）场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。