模拟电子技术基础第四版课后答案__第3章_多级放大电路
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
】第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )【(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
【A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。
图^解:U O1=, U O2=0V , U O3=, U O4=2V , U O5=, U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图 所示电路中U O1和UO2各为多少伏。
(a) (b)图解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。
;五、电路如图所示,V CC =15V ,=100,U BE =。
试问:(1)R b =50k 时,U o=(2)若T 临界饱和,则R b =解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术基础第四版第3章
RE1
+ CE1
RE2
uo
ui如为低频信号,
缺点:低频特性差,不能放大变化缓慢的信号; 可否放大? 在集成电路中不能制造大容量电容,因此阻容耦合放大电路不
便于集成化。
优点:各级之间的直流通路各不相连,各级的静态工作点相互独立, 电路的分析设计和调试简单。在分立元件电路中应用非常广泛。
3.2 多级放大电路的分析方法
当共集放大电路作第一级时,输入电阻Ri与其负载,即第二级的 输入电阻Ri2有关;而当共集放大电路作最后一级时,输出电阻 Ro与其信号源内阻,即倒数第二级的输出电阻Ro1有关。(二级)
.
Ii
.
Ie E Ib
•
C Io
RS +
us
.
Ui
.
RE rIbeb RC
RL
.
Uo
Ri
B
Ro
Ri RB1 // RB2 //[rbe (1 )RE ]
RB
ui1 ui
ui2 b
RC uo
uo1
T1
RC+VCC
uo2 RB
T2
RE
VEE
双端输入
a
RB
ui1 ui
ui2 b
RC uo
uo1
T1
RC+VCC
差模信号
uid=ui1–ui2 =ui
共模信号
uo2 T2
uic = u( i1 +ui2 )/2= 0 RB
RE
VEE
ui1, ui2:
一对差模信号分
•
Uo1
RB3
•
RE2 RL Uo
C2
Ro1
Ro
模拟电子技术基础(第四版)习题解答之欧阳语创编
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √)(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。
( √)GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于GS零,则其输入电阻会明显变小。
(×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD=0.7V。
图T1.3解:UO1=1.3V, UO2=0V, UO3=-1.3V,UO4=2V, UO5=1.3V, UO6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。
求图Tl.4 所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
(a)(b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故UO1=6V。
右图中稳压管没有击穿,故UO2=5V。
五、电路如图T1.5所示,VCC=15V,=100,UBE=0.7V。
试问:(1)Rb=50k 时,Uo=?(2)若T 临界饱和,则Rb=?解:(1)26BB BE B bV U I A R μ-==, 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
一、填空题
2.1 BJT用来放大时,应使发射结处于偏置,集电结处于偏置;而工作在饱和区时,发射结处于偏置,集电结处于偏置。
2.2 温度升高时,BJT的电流放大系数 ,反向饱和电流 ,发射结电压 。
2.3用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大,当输出端开路时, ;都接人负载 电阻时,测得 ,由此说明,电路A的输出电阻比电路B的输出电阻。
图题所示电路在正常放大时ib5v200501maieic50mamaubuema指针微动uev指针微动ucv结论电源未接入不能正常工作处于正常放大工作状态三极管内部集电结断路不能正常工作re短路电路能正常放大rb断路电路不能正常工作三极管内部发射结断路或re断路不能正常工作三极管内部集电结短路或外极之间短路不能正常工作三极管内部发射结短路或外极之间短路不能正常工作225用直流电压表测得几个bjt的ube和uce如表题225所示试问它们各处于何种工作状态它们是npn管还是pnp管解答
(1)静态工作点;
(2)电压放大倍数、输入电阻和输出电阻;
(3)电容Ce脱焊时的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻;
(4)若换上一只 =100的管子,放大电路能否工作在正常状态
解答:
(1)
(2)
(3)
(4)换上一只 的管子,其IC和UCE不变,放大电路能正常工作。
2.31已知图题2.31所示电路中BJT为硅管, =50,试求:
解答:
(1)
(2)
(3)
(4)
2.29 已知固定偏流放大电路中BJT为硅管,输出特性及交、直流负载线如图题2.29所示,试求:
(1)电源电压Vcc;
(2)静态工作点;
(3)电阻Rb、RC的值;
(4)要使该电路能不失真地放大,基极电流交流分量的最大幅值Ibm为多少
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第 1 章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3 第2 章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3 章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4 章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5 章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6 章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7 章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8 章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9 章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10 章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第 1 章 常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P 型半导体。
( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证 其 R GS 大的特点。
( √ )(6)若耗尽型 N 沟道 MOS 管的U GS 二、选择正确答案填入空内。
大于零,则其输入电阻会明显变小。
( × ) (l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型 MOS 管C.耗尽型 MOS 管三、写出图 Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压 U D =0.7V 。
模拟电子技术基础第四版)习题解答
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解:U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。
试问:(1)R b =50k Ω时,U o=?(2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
电子技术学习指导与习题解答:第3章 多级放大电路
第3章 多级放大电路3.1 如图 3.7所示为两级阻容耦合放大电路,已知12CC =U V ,20B1B1='=R R k Ω,10B2B2='=R R k Ω,2C2C1==R R k Ω,2E2E1==R R k Ω,2L =R k Ω,5021==ββ,6.0BE2BE1==U U V 。
(1)求前、后级放大电路的静态值。
(2)画出微变等效电路。
(3)求各级电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。
u s+u o -CC图3.7 习题3.1的图分析 两级放大电路都是共发射极的分压式偏置放大电路,各级电路的静态值可分别计算,动态分析时需注意第一级的负载电阻就是第二级的输入电阻,即i2L1r R =。
解 (1)各级电路静态值的计算采用估算法。
第一级:412102010CC B2B1B2B1=⨯+=+=U R R R U (V )7.126.04E1BE1B1E1C1=-=-=≈R U U I I (mA )0.034507.11C1B1===βI I (mA )2.5)22(7.112)(E1C1C1CC CE1=+⨯-=+-=R R I U U (V ) 第二级:412102010CC B2B1B2B2=⨯+='+''=U R R R U (V )7.126.04E2BE2B2E2C2=-=-=≈R U U I I (mA )电子技术学习指导与习题解答46 0.034507.12C2B2===βI I (mA ) 2.5)22(7.112)(E2C2C2CC CE2=+⨯-=+-=R R I U U (V )(2)微变等效电路如图3.8所示。
R U +-图3.8 习题3.1解答用图(3)求各级电路的电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。
三极管V 1的动态输入电阻为:10807.126)501(30026)1(300E11be1=⨯++=++=I r β(Ω) 三极管V 2的动态输入电阻为:10807.126)501(30026)1(300E22be2=⨯++=++=I r β(Ω) 第二级输入电阻为:93.008.1//10//20////be2B2B1i2==''=r R R r (k Ω) 第一级等效负载电阻为:63.093.0//2//i2C1L1==='r R R (k Ω) 第二级等效负载电阻为:12//2//L C2L2==='R R R (k Ω) 第一级电压放大倍数为:3008.163.050be1L11u1-=⨯-='-=r R A β 第二级电压放大倍数为:5008.1150be2L22u2-=⨯-='-=r R A β 两级总电压放大倍数为:1500)50()30(u2u1u =-⨯-==A A A3.2 在 如图 3.9所示的两级阻容耦合放大电路中,已知12CC =U V ,30B1=R k Ω,20B2=R k Ω,4E1C1==R R k Ω,130B3=R k Ω,3E2=R k Ω,5.1L =R k Ω,5021==ββ,8.0BE2BE1==U U V 。
模拟电子技术基础--第3章--多级放大电路
rbe R VO c
Ib _
例题
+
RS + VS _
V i V
gs
ßb I gmVgS
Vi Rg
+ VgS _
R2
+
rbe Ib Rc VO
_
Ri
g m V gs
_
Ro I b I b Ib
g m V gs R 2
Vo I b Rc
由最大功耗得出
必要性?
rz=Δu /Δi,小功率管多为几欧至二十几欧。 UCEQ1太小→加Re(Au2数值↓)→改用D→若要UCEQ1大 ,则改用DZ。
NPN型管和PNP型管混合使用
问题的提出: 在用NPN型管组成N级 共射放大电路,由于 UCQi> UBQi(集电结反 偏) ,所以 UCQi> UCQ(i-1)(i=1~N),以 致于后级集电极电位接 近电源电压,Q点不合适。
AV M 128 . 6
分析举例
( R 3 ∥ R i2 ) Au 1 rbe 1
Au 2 (1+ 2 ) ( R 6 ∥ R L ) rbe2 (1+ 2 ) ( R 6 ∥ R L )
R i2 R 5 ∥ [ rbe 2 (1 2 )( R 6 ∥ R L )]
在以前画交流通路时,线性电阻在交流通路中保留,阻值 为线性电阻的交流电阻,因为是线性的,所以交流电阻与 直流电阻相等。
2.1差模输入双端输出
某瞬间的真实方向
uid = uid1-uid2
uid1= -uid2
Ree上交流压降为0。 因此,画差模交流信号交流通路时,Ree可视为短路, 即两管的发射极直接接地。 由uc1= -uc2可知RL两端电位一端为正,一端为负,RL的中点应 是地电位,即每管对地的负载电阻为RL/2.
模拟电子技术课程习题 第三章 多级放大电路
第三章多级放大电路3.1 放大电路产生零点漂移的主要原因是[ ]A.放大倍数太大B.采用了直接耦合方式C.晶体管的噪声太大D.环境温度变化引起参数变化3.2 差动放大电路的设置是为了[ ]A.稳定放大倍数B.提高输入电阻C.克服温漂D.扩展频带3.3 差动放大电路用恒流源代替Re是为了[ ]A.提高差模电压放大倍数B.提高共模电压放大倍数C.提高共模抑制比D.提高差模输出电阻3.4 在长尾式差动放大电路中, Re的主要作用是[ ]A.提高差模电压放大倍数B.抑制零点漂移C.增大差动放大电路的输入电阻D.减小差动放大电路的输出电阻3.4 差动放大电路的主要特点是[ ]A.有效地放大差模信号,强有力地抑制共模信号B.既可放大差模信号,也可放大共模信号C.只能放大共模信号,不能放大差模信号D.既抑制共模信号,又抑制差模信号3.5 若三级放大电路的AV1=AV2=20dB,AV3=30 dB,则其总电压增益为[ ]A. 50dBB. 60dBC. 70dBD. 12000dB3.6 设计一个输出功率为10W的扩音机电路,若用乙类推挽功率放大,则应选两个功率管的功率至少为[ ]A. 1WB. 2WC. 4WD. 5W3.7 与甲类功率放大方式比较,乙类推挽方式的主要优点是[ ]A.不用输出变压器B.不用输出端大电容C.无交越失真D.效率高3.8 乙类放大电路是指放大管的道通角等于[ ]A.360oB.180oC.90oD.小于 90o3.9 集成功率放大器的特点是[ ]A.温度稳定性好,电源利用率高,功耗较低,非线性失真较小。
B.温度稳定性好,电源利用率高,功耗较低,但非线性失真较大。
C.温度稳定性好,功耗较低,非线性失真较小,但电源利用率低。
D.温度稳定性好,非线性失真较小,电源利用率高,功耗也高。
3.10 填空。
1、在三级放大电路中,已知|Au1|=50,|Au2|=80,|Au3|=25,则其总电压放大倍数|Au|= ,折合为 dB。
模拟电子技术基础第四版习题解答
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。
试问:(1)R b =50k Ω时,U o=?(2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BE B bV U I A R μ-==, 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术基础答案全解(第四版)
第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt(V),二极管导通电压U D=0.7V。
试画出u i 与u O的波形,并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1解:波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。
试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。
图P1.2解:u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ~I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。
(1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么?图P1.4解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。
故V33.3I L LO ≈⋅+=U R R R U当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。
故LO I L5VR U U R R =⋅≈+ 当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。
(2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答(最新编写)
O2 (a)(b)图T1.4 左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。
图T1.5/28.6CS I A βμ=管的三个电极的电位如表Tl.6 所示,它们的开启恒流区、可变电阻区),并填入表内。
G /V U D /V 工作状态13恒流区图P1.2解图P1.2解:与的波形如解图Pl.2i u o u (V ),二极管导通电压U D =0.7t图P1.3解图P1.3解:波形如解图Pl.3所示。
1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下,电容C 对mV U T 26≈交流信号可视为短路;为正弦波,有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流i u 的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA=-=其动态电阻:图P1.4/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值:/1d i D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。
试问:(1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少?(2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。
(2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。
1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压,最小稳定电流6Z U V =,最大稳定电流。
min 5Z I mA =max 25Z I mA =(1)分别计算为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压的值;I U O U图Pl.6图P1.7所示。
分别求另一电极的电流,标出其方向,并在圆圈中画出管子,且分别求出它们的电流放大系数(a) (b) (a) (b)图P1.9解:如解图1.9。
解图1.91.10电路如图P1.10所示,晶体管导通时,β=50。
试分析为0V 、0.7BE U V =BB V 1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压的值。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。
五、电路如图T1.5所示,V CC=15V,β=100,U BE=0.7V。
模拟电子技术基础第四版习题解答
模拟电子技术基础第四版习题解答Document number:BGCG-0857-BTDO-0089-2022模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。
( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零,则其输入电阻会明显GS变小。
( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。
图解:U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。
五、电路如图所示,V CC=15V,?=100,U BE=。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案__第3章_多级放大电路
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案__第3章_多级放大电路本页仅作为文档封面,使用时可以删除This document is for reference only-rar21year.March第3章 多级放大电路习题判断图所示各两级放大电路中T 1和T 2管分别组成哪种基本接法的放大电路。
设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。
(a)(b)(c) (d)(e) (f)图解:(a)共射,共基 (b)共射,共射 (c)共射,共射(d)共集,共基 (e)共源,共集 (f)共基,共集设图所示各电路的静态工作点均合适,分别画出它们的交流等效电路,并写出u A 、i R 和o R 的表达式。
(a) (b)(c) (d)图解:(1)图示各电路的交流等效电路如解图所示。
(2)各电路的u A 、i R 和o R 的表达式分别为:(a):[]{}122232311223//(1)(1)(1)be ube be R r R R A R r r R ββββ+++=-⋅+++;11i be R R r =+; 2232//1be o r R R R β+=+(b):123224112322(1)(////)()(1)(////)be u be be be R R r RA r R R r r βββ+=+⋅-++111232//[(1)(////)]i be be R R r R R r β=++; 4o R R = (c):1222231122{//[(1)]}[](1)be d ube be dR r r R A r R r r ββββ++=-⋅-+++11i be R R r =+; 3o R R =(d):2846722[(//////)]()u m be be R A g R R R r r β=-⋅-123//i R R R R =+; 8o R R =(a)(b)(c)(d)解图基本放大电路如图(a)、(b)所示,图(a)虚线框内为电路Ⅰ,图(b)虚线框内为电路Ⅱ。
《模拟电子技术基础》习题答案_第四版(童诗白、华成英)高等教育出版社
1第1章习题及答案1.1.在图题1.1所示的各电路图中E =5V ,t u i ωsin 10=V ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压o u 的波形。
uu ouu o图题1.1解:(a )图:当i u > E 时,o u = E ,当i u < E 时,i o u u =。
(b )图:当i u < E 时,o i u u =;当i u > E 时,E u o =。
(c )图:当i u < E 时,E u o =;当i u > E 时,i o u u =。
(d )图:当i u > E 时,i o u u =;当i u < E 时,E u o =。
画出o u 波形如图所示。
2Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2.有两个稳压管D Z1和D Z2,其稳定电压分别为 5.5V和8.5V,正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ,3V,6V ,9V和14V几种稳定电压,问这两个稳压管(还有限流电阻)应如何连接?画出各个电路。
解:各电路图如图所示。
(a)0.5V ;(b)3V ;(c)6V ;(d)9V ;(e)14V 。
uu(a)(b)u u u(c) (d) (e)1.3.在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光,为什么?3图题1.3解:若输入电压U I =1.0V ,发光二极管不发光,因为发光二极管正向工作电压为2~2.5V 。
1.4.光电二极管在电路中使用时,是正向连接还是反向连接?解:光电二极管在电路中使用时,是反向连接,因为光电二极管工作在反偏状态,它的反向电流随光照强度的增加而上升,用于实现光电转换功能。
1.5.某二极管的管壳标有电路符号,如图所示,已知该二极管是好的,万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示,(1)在测二极管的正向电阻时,两根表笔如何连接?(2)在测二极管的反向电阻时,两根表笔又如何连接?(3)两次测量中哪一次指针偏转角度大?偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大?图题1.5解:(1)在测二极管的正向电阻时,黑表笔接正极,红表笔接负极。
模拟电子技能技术总结基础第四版(童诗白)课后答案第三章
精心整理第3章多级放大电路自测题一、现有基本放大电路:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000,第一级应采用(A),第二级应采用(A)。
(2)要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用(D),第二级应采用(A)。
(3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用(B),第二级应采用(A)。
(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用(D),第二级应采用(B)。
(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000oui iU A I =>,输出电阻R o <100,第一级应采用采用(C),第二级应(B)。
二、选择合适答案填入空内。
(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是(C 、D)。
A .电阻阻值有误差B .晶体管参数的分散性C .晶体管参数受温度影响D .电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是(C)。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容(3)选用差动放大电路的原因是(A)。
A .克服温漂B .提高输入电阻C .稳定放大倍数(4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的(A),共模信号是两个输入端信号的(C)。
A.差B.和C.平均值(5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻,将使单端电路的(B)。
A .差模放大倍数数值增大B .抑制共模信号能力增强C .差模输入电阻增大(6)互补输出级采用共集形式是为了使(C)。
A.放大倍数的数值大B.最大不失真输出电压大C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示,所有晶体管均为硅管,β均为200,'200bb r =Ω,静态时0.7BEQ U V ≈。
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第3章多级放大电路
习题
判断图所示各两级放大电路中T1和T2管分别组成哪种基本接法的放大电路。
设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。
(a)(b)
(c) (d)
(e) (f)
图
解:(a)共射,共基(b)共射,共射(c)共射,共射
(d)共集,共基 (e)共源,共集 (f)共基,共集
设图所示各电路的静态工作点均合适,分别画出它们的交流等效电路,并写出u A 、i R 和o R 的表达
式。
(a) (b)
(c) (d)
图
解:(1)图示各电路的交流等效电路如解图所示。
(2)各电路的
u A 、i R 和o R 的表达式分别为:
(a):[]{}
1222323
11
223
//(1)(1)(1)be u
be be R r R R A R r r R ββββ+++=-⋅
+++&;
11i be R R r =+; 2232
//
1be o r R R R β+=+
(b):
1232
24112322
(1)(////)()(1)(////)be u
be be be R R r
R
A r R R r r βββ+=+⋅-++&
111
232//[(1)(////)]i be be R R r R R r β=++; 4o R R =
(c):122223
11
22{//[(1)]}
[](1)be d u
be be d
R r r R A r R r r ββββ++=-
⋅-
+++&
11i be R R r =+; 3o R R =
(d):
284672
2
[(//////)]()u m be be R A g R R R r r β=-⋅-& 123//i R R R R =+; 8o R R =
(a)
(b)
(c)
(d)
解图
基本放大电路如图(a)、(b)所示,图(a)虚线框内为电路Ⅰ,图(b)虚线框内为电路Ⅱ。
由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图(c)、(d)、(e)所示,它们均正常工作。
试说明图(c)、(d)、(e)所示电路中
(1)哪些电路的输入电阻较大;
(2)哪些电路的输出电阻较小;
(3)哪个电路的电压放大倍数最大。
(a) (b)
(c) (d)
(e)
图
解:(1)图(d)、(e)所示电路的输入电阻比较大; (2)图(c)、(e)所示电路的输出电阻比较小; (3)图(e)所示电路的电压放大倍数最大。
电路如图 (a) (b)所示,晶体管的β均为150 ,
be r 均为2k Ω,Q 点合适。
求解u A &、i R 和o
R 。
解:在图(a)所示电路中
∵
2
12
1
1
11be u be r A r ββ⋅
+=-≈-&;232
2225u be R A r β==&; ∴
12
225u u u A A A =⋅≈-&&& 121//// 1.35i be R R R r k =≈Ω; 33o R R k ==Ω。
在图(b)所示电路中
∵
11211(//)136be u be R r A r β⋅=-≈-&;242
275u be R A r β=-=-& ∴
12
10200u u u A A A =⋅≈&&&
5231(//)//2i be R R R R r k =+≈Ω; 41o R R k ==Ω
电路如图 (c)、(e)所示,晶体管的β均为200 ,
be r 均为3k Ω。
场效应管的g m 为15mS ; Q 点合适。
求解
u A &、i R 和o
R 。
解:在图(c)所示电路中
13211(//)125be u be R r A r β⋅=-≈-&;2422
133.3u be R A r β=-=-&
1216666.7u u u A A A =⋅≈&&&;11//3i be R R r k =≈Ω; 4
2o R R k ==Ω 在图(e)所示电路中
1242{//[(1)]}30u m be m A g R r R g R β=-++≈-≈-&4
2
4
(1)1(1)
u be R A r R ββ+=-≈++&
1230u u u A A A =⋅≈-&&&; 110M i R R ==Ω; 24
//251be o r R R R β+=≈Ω+
图所示电路参数理想对称,晶体管的β均为100,'
100bb r =Ω,
0.7BEQ U V
≈。
试求R w 的滑动
端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流EQ I 以及动态参数A d 和R i 。
图 图
解:R w 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流EQ I 分析如下:
∵22
W
BEQ EQ EQ e EE R U I I R V +⋅
+= ∴0.51722
EE BEQ
EQ
W
e V U I mA R R -=
≈+
动态参数A d 和R i 分析如下:
'26(1)
5.18be bb EQ
mV
r r k I β=++≈Ω
98(1)/
2
c
d b
e W R A r R ββ=-
≈-++
2(1)20.5i be W R r R k β=++≈Ω
电路如图所示,T 1和T 2两管的β均为140,be r 均为4k Ω。
试问:若输入直流信号mV
u I 201
=,
mV u I 102=,则电路的共模输入电压?=Ic u 差模输入电压?=Id u 输出动态电压?
=∆o u
解:电路的共模输入电压IC u 、差模输入电压Id u 、差模放大倍数d A 和动态电压O u ∆ 分别为:
12
152I I IC u u u mV +=
=;
1210Id I I u u u mV =-=
1752c
d be
R A r β=-
≈-; 1.75O d Id u A u V
∆==-
电路如图所示,T l 和T 2的低频跨导g m 均为10mS 。
试求解差模放大倍数和输入电阻。
图 图
解:差模放大倍数和输入电阻分别为:
200d m d A g R =-=-; i R =∞。
试写出图 所示电路A d 和R i 的近似表达式。
设T l 和T 2的电流放大系数分别为β1和β2,b-e 间动态电阻分别为1be r 和2be r 。
解:A d 和R i 的近似表达式分别为
12112
(//
)2(1)L
c
d b
e be R R A r r βββ≈-++; 1122[(1)]i be be R r r β=++
电路如图 所示,T l ~T 5的电流放大系数分别为β1~β5 , b-e 间动态电阻分别为r be1~r be5,写出A u 、R i 和R o 的表达式。
图 图
解:A u 、R i 和R o 的表达式分析如下:
11244511{//[(1)]}
2O be u I be u R r R A u r ββ∆++=
=∆
24655722445{//[(1)]}
(1)O be u I be u R r R A u r R βββ∆++=
=-∆++
357
33557
(1)(1)O u I be u R A u r R ββ∆+=
=
∆++
∴
123O
u u u u I u A A A A u ∆=
=⋅⋅∆; 12i be be R r r =+; 5
675
//1be o r R R R β+=+
电路如图 所示。
已知电压放大倍数为-100 ,输入电压u I 为正弦波,T 2和T 3管的饱和压降U CES =1V 。
试问:
(1)在不失真的情况下,输入电压最大有效值U imax 为多少伏
(2)若U i = 10mV (有效值),则U o =若此时R 3开路,则U o =若R 3短路,则U o =
解:(1)最大不失真输出电压有效值为
:7.78om
U V =
≈
故在不失真的情况下,输入电压最大有效值:
max 77.8om
i u
U U mV A =
≈&
(2)U i = 10mV ,则U o =1V (有效值)。
若R 3开路,则T l 和T 3组成复合管,等效13βββ=, T 3可能饱和,使得11O U V =-(直流);若R 3短路,
则11.3O
U V =(直流)。