半导体相关技术及流程
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精确的控制温度，单晶硅就随着晶种被拉出来了。
经过切片后产生真正成型的晶园。
半导体工业使用的晶园并不是纯粹的硅晶园，而是 经过掺杂了的N型或者P型硅晶园。这是一套非常复 杂的工艺，用到很多不同种类的化学药品。做完这 一步，晶园才可以交付到半导体芯片制作工厂。
晶圆的尺寸
我们一般会听到是几寸的晶圆厂。一般现在有6寸,8寸,12 寸晶圆。正在研究16寸400mm晶圆。这里的几寸是指 Wafer的直径。
溶解
经过一系列的操作
拉单晶
多晶硅硅锭中晶体的晶向是杂乱无章的，如果使用 它来制作半导体器件，其电学特性将非常糟糕，所 以必须把多晶硅制作成单晶硅，这个过程可以形象 地称作拉单晶(Crystal Pulling)。
将高纯度的多晶硅碾碎，放入石英坩埚，加高温到 1400°C，注意反应的环境是高纯度的惰性气体氩 (Ar)。
Epoxy Aging： 使用之前回温24H，除去气
泡；
Epoxy Writing： 点银浆于L/F的Pad上，
Pattern可选；
引线框架
【Lead Frame】引线框架
De-Taping 去胶带
将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨，来减薄晶圆达到
封装需要的厚度；
磨片时，需要在正面（Active Area）贴胶带保护电路区域
同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度；
设备操作页面
SAWING 切割
晶圆切割（Die saw)，有时也叫“划片”(Dicing)。一个Wafer上做出来的 独立的IC有几百个到几千个甚至上万个，切割的目的是将整个晶圆上每一 个独立的IC通过高速旋转的金刚石刀片切割开来
芯片的原料晶圆：晶圆的成分是硅，硅是由石英沙所
精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），
接着是将些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石
英半导体的材料，将其切片就是芯片制作具体需要的
晶圆。晶圆越薄，成产的成本越低，但对工艺就要求
的越高。
石英/沙子
初步提纯
一定纯度的硅
单晶硅 晶棒
高度提纯
（多晶硅）纯硅
Wafer Mount 晶圆安装 贴蓝膜
Wafer Saw 晶圆切割
Wafer Wash 清洗
UV 光照
将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得
即使被切割开后，不会散落；
通过Saw Blade将整片Wafer切割成一
个个独立的Dice，方便后面的 Die Attach 等工序；
Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘，清洁Wafer； UV光照，光照后，底下贴膜不会沾的太紧。
IC产业链
IC Design IC设计
Customer 客户
SMT IC组装
Wafer Fab 晶圆制造
Wafer Probe 晶圆测试
Assembly& Test IC 封装测试
IC微电子技术 IC整体流程简介
一颗完整的芯片制造出需要经过300多道工序，历时3个月。
半导体晶圆制造： Wafer Fabrication 晶圆：Wafer
1英寸=25.4mm，6寸晶圆就是直径为150mm的晶圆。8 寸 200mm,12寸 300mm。
封装测试厂
封装测试生产流程： 点INK(晶圆来料测试）——Grading研磨——
SAWING划片——die bonding固晶——Wire Bonding固线——Molding封胶——Tirm From切 筋——Test测试——包装 一般制程工序流程分为前/后道。 前道：Grading,Sawing,die bond,wire bond. 后道：Molding,Tirm From,Test,Packing
在某一需求范围内，而所给予特别设计的车间。
无尘室的等级
洁净度级别 粒 径 (um)
0.1 0.2 0.3 0.5 5.0
1 35 7.5 3
1
NA
10 350 75 30 10
NA
100 NA 750 300 100 NA
1000 NA NA
NA 1000 7
10000 NA NA
NA 10000 70
100000 NA NA
NA 100000 700
等级概念：如1000级，每立方英尺内,大
于等于0.5的灰尘颗粒不能超过1000颗
IC产业链
Βιβλιοθήκη Baidu
芯片制作完整过程包括 ：芯片设计、晶圆制造、 芯片生产（封装、测试）等几个环节。
芯片设计
晶圆制造，FAB晶圆厂。
设计
芯片封装 芯片测试
封装测试厂
晶圆制造
芯片封测
Die bonding固晶/装片 DB就是把芯片装配到框架上去
Write Epoxy 点银浆
Die Attach 芯片粘接
Epoxy Cure 银浆固化
银浆成分为环氧树脂填充金属粉末（Ag）； 有三个作用：将Die固定在Die Pad，散热作用，导电作用；
Epoxy Storage： 零下50度存放；
。 寸不断缩小，从而集成度不断提高，功耗降低，器件性能得到提高
晶圆尺寸.6寸——8寸——12寸——16寸（400um)
： 芯片的厚度 整体芯片的厚度。
引脚大小及个数 封装形式
半导体生产环境：无尘室
「无尘室」是指将一定空间范围内之空气中的微 粒子、有害空气、细菌等之污染物排除，并将 室内之温度、湿度、洁净度、室内压力、气流 速度与气流分布、噪音振动及照明、静电控制
IC封测
形 成
晶圆
Inking 机
此工序主要针对Wafer测试。 晶圆厂出厂的晶圆不是全是好的。只是 那边测试,会给个MAP图标注！那边是坏 die,那些是好die,所以一般此工序好多工 厂是不会在测试，除了特别需求。
Grading研磨——减薄
Grading研磨 Taping
粘胶带
Back
Grinding 磨片
半导体知识介绍
陈灿文 2012.3.26
内容
1.半导体相关知识介绍 2.半导体产业介绍 3.半导体晶圆制造 4.半导体封装测试 5.封装形式介绍 6.封装测试厂流程细则 7.半导体中国产业分布，著名半导体厂
制程相关：
晶圆制造工艺的微米是指IC内电路与电路之间的距离。制造工艺的趋势 是向密集度愈高的方向发展，。密度愈高的IC电路设计，意味着在同样 大小面积的IC中，可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计。微电子 技术的发展与进步，主要是靠工艺技术的不断改进，使得器件的特征尺
经过切片后产生真正成型的晶园。
半导体工业使用的晶园并不是纯粹的硅晶园，而是 经过掺杂了的N型或者P型硅晶园。这是一套非常复 杂的工艺，用到很多不同种类的化学药品。做完这 一步，晶园才可以交付到半导体芯片制作工厂。
晶圆的尺寸
我们一般会听到是几寸的晶圆厂。一般现在有6寸,8寸,12 寸晶圆。正在研究16寸400mm晶圆。这里的几寸是指 Wafer的直径。
溶解
经过一系列的操作
拉单晶
多晶硅硅锭中晶体的晶向是杂乱无章的，如果使用 它来制作半导体器件，其电学特性将非常糟糕，所 以必须把多晶硅制作成单晶硅，这个过程可以形象 地称作拉单晶(Crystal Pulling)。
将高纯度的多晶硅碾碎，放入石英坩埚，加高温到 1400°C，注意反应的环境是高纯度的惰性气体氩 (Ar)。
Epoxy Aging： 使用之前回温24H，除去气
泡；
Epoxy Writing： 点银浆于L/F的Pad上，
Pattern可选；
引线框架
【Lead Frame】引线框架
De-Taping 去胶带
将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨，来减薄晶圆达到
封装需要的厚度；
磨片时，需要在正面（Active Area）贴胶带保护电路区域
同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度；
设备操作页面
SAWING 切割
晶圆切割（Die saw)，有时也叫“划片”(Dicing)。一个Wafer上做出来的 独立的IC有几百个到几千个甚至上万个，切割的目的是将整个晶圆上每一 个独立的IC通过高速旋转的金刚石刀片切割开来
芯片的原料晶圆：晶圆的成分是硅，硅是由石英沙所
精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），
接着是将些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石
英半导体的材料，将其切片就是芯片制作具体需要的
晶圆。晶圆越薄，成产的成本越低，但对工艺就要求
的越高。
石英/沙子
初步提纯
一定纯度的硅
单晶硅 晶棒
高度提纯
（多晶硅）纯硅
Wafer Mount 晶圆安装 贴蓝膜
Wafer Saw 晶圆切割
Wafer Wash 清洗
UV 光照
将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得
即使被切割开后，不会散落；
通过Saw Blade将整片Wafer切割成一
个个独立的Dice，方便后面的 Die Attach 等工序；
Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘，清洁Wafer； UV光照，光照后，底下贴膜不会沾的太紧。
IC产业链
IC Design IC设计
Customer 客户
SMT IC组装
Wafer Fab 晶圆制造
Wafer Probe 晶圆测试
Assembly& Test IC 封装测试
IC微电子技术 IC整体流程简介
一颗完整的芯片制造出需要经过300多道工序，历时3个月。
半导体晶圆制造： Wafer Fabrication 晶圆：Wafer
1英寸=25.4mm，6寸晶圆就是直径为150mm的晶圆。8 寸 200mm,12寸 300mm。
封装测试厂
封装测试生产流程： 点INK(晶圆来料测试）——Grading研磨——
SAWING划片——die bonding固晶——Wire Bonding固线——Molding封胶——Tirm From切 筋——Test测试——包装 一般制程工序流程分为前/后道。 前道：Grading,Sawing,die bond,wire bond. 后道：Molding,Tirm From,Test,Packing
在某一需求范围内，而所给予特别设计的车间。
无尘室的等级
洁净度级别 粒 径 (um)
0.1 0.2 0.3 0.5 5.0
1 35 7.5 3
1
NA
10 350 75 30 10
NA
100 NA 750 300 100 NA
1000 NA NA
NA 1000 7
10000 NA NA
NA 10000 70
100000 NA NA
NA 100000 700
等级概念：如1000级，每立方英尺内,大
于等于0.5的灰尘颗粒不能超过1000颗
IC产业链
Βιβλιοθήκη Baidu
芯片制作完整过程包括 ：芯片设计、晶圆制造、 芯片生产（封装、测试）等几个环节。
芯片设计
晶圆制造，FAB晶圆厂。
设计
芯片封装 芯片测试
封装测试厂
晶圆制造
芯片封测
Die bonding固晶/装片 DB就是把芯片装配到框架上去
Write Epoxy 点银浆
Die Attach 芯片粘接
Epoxy Cure 银浆固化
银浆成分为环氧树脂填充金属粉末（Ag）； 有三个作用：将Die固定在Die Pad，散热作用，导电作用；
Epoxy Storage： 零下50度存放；
。 寸不断缩小，从而集成度不断提高，功耗降低，器件性能得到提高
晶圆尺寸.6寸——8寸——12寸——16寸（400um)
： 芯片的厚度 整体芯片的厚度。
引脚大小及个数 封装形式
半导体生产环境：无尘室
「无尘室」是指将一定空间范围内之空气中的微 粒子、有害空气、细菌等之污染物排除，并将 室内之温度、湿度、洁净度、室内压力、气流 速度与气流分布、噪音振动及照明、静电控制
IC封测
形 成
晶圆
Inking 机
此工序主要针对Wafer测试。 晶圆厂出厂的晶圆不是全是好的。只是 那边测试,会给个MAP图标注！那边是坏 die,那些是好die,所以一般此工序好多工 厂是不会在测试，除了特别需求。
Grading研磨——减薄
Grading研磨 Taping
粘胶带
Back
Grinding 磨片
半导体知识介绍
陈灿文 2012.3.26
内容
1.半导体相关知识介绍 2.半导体产业介绍 3.半导体晶圆制造 4.半导体封装测试 5.封装形式介绍 6.封装测试厂流程细则 7.半导体中国产业分布，著名半导体厂
制程相关：
晶圆制造工艺的微米是指IC内电路与电路之间的距离。制造工艺的趋势 是向密集度愈高的方向发展，。密度愈高的IC电路设计，意味着在同样 大小面积的IC中，可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计。微电子 技术的发展与进步，主要是靠工艺技术的不断改进，使得器件的特征尺