模拟电子技术基础》典型习题解答
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
（华北电力大学主编）模拟电子技术基础习题答案
（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案模拟电⼦技术基础习题答案电⼦技术课程组2018.8.15⽬录第1章习题及答案 (1)第2章习题及答案 (14)第3章习题及答案 (36)第4章习题及答案 (45)第5章习题及答案 (55)第6章习题及答案 (70)第7章习题及答案 (86)第8章习题及答案 (104)第9章习题及答案 (117)第10章习题及答案 (133)模拟电⼦技术试卷1 (146)模拟电⼦技术试卷2 (152)模拟电⼦技术试卷3 (158)第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。
（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。
A. 增⼤B. 不变C. 减⼩（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。
A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设⼆极管正向导通电压可忽略不计。
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
(完整word版)模拟电子技术基础,课后习题答案
模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知()5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。
试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。
解：对于（a ）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，6V AO U =-采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。
采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I = 解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c 模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与问题详解
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
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第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C1060217731.1q19库伦-⨯=，则)V(2.11594TV T=，在常温（T=300K）下，V T=25.875mV=26mV。
当外加正向电压，即V为正值，且V比V T大几倍时，1e T VV>>，于是T VVseII⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN结为正向导通状态.外加反向电压，即V为负值，且|V|比V T大几倍时，1e T VV<<，于是s II-≈，这时PN结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN结呈反向截止状态。
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第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础习题答案
；
②U I 为 15V， IDZ
IR IRL
UI
UZ R
UZ RL
3mA
IZ min 5mA ，最大稳定电流 IZ max 25mA。
小于 5mA, 所以稳压管不工作在稳压状态，起普通二极管的作用。
UI
15V
时， U O
R
RL RL
U
I
5V
；
③U I 为 35V， IDZ
IR IRL
解：(1) IC
VCC U CE Rc
2mA ， I B
IC / 20A ,
∴ Rb
VCC U BE IB
565k 。
(2)由
Au
Uo Ui
(Rc // rbe
RL )
100 ,
可得: RL 2.625k 。
2.11 电路如图 P2.11 所示，晶体管 β=100， rbb =100Ω。 (1)求电路的 Q 点、 Au 、 Ri 和 Ro ；
态电压 uo ?
解：电路的共模输入电压 uIC 、差模输入电压 uId 、差模放大倍数 Ad 和动态电压 uO 分别为：
u IC
uI1 uI2 2
15mV
；
uId uI1 uI2 10mV
Ad
Rc 2rbe
175
；
uO AduId 1.75V
5.3 已知某共射放大电路的波特图如图 P5.3 所示，试写出 Au 的表达式。
6.5 电路如图 P6.5 所示，要求同题 6.4。
+— —
++
—
—
(a)
—
(b)
+—
—
—
—
— —
模拟电子技术基础部分练习题含答案
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
模拟电子技术基础习题解答
(c)(d)
解图P2.2
2.3分别判断图P2.2(a)、 (b)所示两电路各属哪种放大电路，并写出的表达式。
(a)(b)(c)
(d)(e)(f)
(g)(h)(i)
图T2.2
解：图(a)不能。VBB将输入信号短路。
图(b)可以。
图(c)不能。输入信号与基极偏置是xx关系而非xx关系。
图(d)不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。
图(e)不能。输入信号被电容C2短路。
图(f)不能。输出始终为零。
图(g)可能。
解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极① 、② 、③ 与G 、S 、D 的对应关系如解图Pl.13 所示。
解图Pl.13
1.14已知场效应管的输出特性曲线如图Pl.14所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图Pl.14(a)(b)
解图Pl.14
解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及值，建立坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图Pl.14 (b)所示。
(a)(b)(c)
补图P1
解：波形如下图所示
补充2.在温度20oC时某晶体管的试问温度是60oC时的？
解:。
补充3.有两只晶体管，一只的β=200 , ；另一只的β=100 , ，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？
解：选用β=100 , 的管子，因其β适中,较小，因而温度稳定性较另一只管子好。
第1xx 常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ )
完整版模拟电子技术基础典型习题解答
半导体器件的基础知识1.1电路如图P1.1所示，已知U i = 5sin与U o的波形，并标出幅值。
cot (V)，二极管导通电压U D= 0.7V。
试画出U i1.2电路如图P1.2 (a)所示，其输入电压电压U D= 0.7V。
试画出输出电压U o的波形，并标出幅值。
P1.2解：波形如解图P1.1所示。
U I1和U I2的波形如图(b)所示，二极管导通»1|O"ilG---- 冏(II)O +厂f+5 V>0.3解：U o的波形如解图P 1.2所示。
(h>w…/V30.3fl 心V3H 3 (J叫yv0 3(t呵/V1.5电路如图P 1.5(a )、(b )所示，稳压管的稳定电压U Z = 3V, R 的取值合适，U i 的波解图P1.21.3已知稳压管的稳定电压 U Z = 6V,稳定电流的最小值I zmi 尸5mA 最大功耗P z 心150mW 试求图P1.3所示电路中电阻 R 的取值范围。
0 *图 P1.3解：稳压管的最大稳定电流I ZM = P ZM / U Z = 25mA电阻R 的电流为I Z Q i Zmin ,所以其取值范围为U IU zR ———-0.36 〜1.8k1.4已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压 LZ = 6V,最小稳定电流I zmin = 5mA 最大 稳定电流 (1) (2) I Zmax — 25mA别计算U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; 若U = 35V 时负载开路，则会出现什么现象？为什么？I kQR50(11图 P1.4解： 以稳压管未击穿。
故U oR LU I 3.33VR R L当U = 15V 时，若U 尸U Z = 6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管 未击穿。
故(1)当U = 10V 时，若UhU Z = 6V,则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所 U oR L R L U I 5V当U = 35V 时,⑵R稳压管中的电流大于最小稳定电流 I zmin ,所以U O = LZ = 6V 。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（ 1）√ （2）× （ 3）√ （ 4）× （ 5）√ （ 6）× 二、（ 1） A （2）C （ 3）C （4） B （ 5）A C 三、 U O1≈ 1.3VU O2＝ 0 U O3≈－ 1.3VU O4≈ 2V U O5≈ 2.3V U O6≈－ 2V四、 U O1＝ 6V U O2＝5V五、根据 P CM ＝ 200mW 可得： U CE ＝ 40V 时 I C ＝ 5mA ，U CE ＝ 30V 时 I C ≈ 6.67mA ， U CE＝ 20V 时 I C ＝ 10mA ， U CE ＝ 10V 时 I C ＝ 20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、 1、I BVBBUBE26μAR bI CI B2.6mAUCEVCCI C R C 2VU O ＝ U CE ＝2V 。
2、临界饱和时 U CES ＝ U BE ＝0.7V ，所以VCC UCES2.86mAI CR cI C28.6μAI BV BBU BE45.4kR bI B七、 T 1：恒流区； T 2：夹断区； T 3：可变电阻区。
习题u i /V101.1（ 1） A C （ 2）A（3） C（ 4）AtO1.2 不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系， 当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
u o /V101.3 u i 和 u o 的波形如图所示。
tO1.4u i和 u o的波形如图所示。
u i/V53O-3u O/V3.7O-3.7 1.5u o的波形如图所示。
u I1/V t t30.3Otu I2/V30.3tOu O/V3.71O t1.6I D＝（ V － U D） /R＝2.6mA ， r D≈ U T/I D＝ 10Ω， I d＝ U i/r D≈ 1mA 。
1.7（ 1）两只稳压管串联时可得 1.4V 、6.7V 、 8.7V 和 14V 等四种稳压值。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C1060217731.1q19库伦-⨯=，则)V(2.11594TV T=，在常温（T=300K）下，V T=25.875mV=26mV。
当外加正向电压，即V为正值，且V比V T大几倍时，1e T VV>>，于是T VVseII⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN结为正向导通状态.外加反向电压，即V为负值，且|V|比V T大几倍时，1e T VV<<，于是s II-≈，这时PN结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
第1章常用半导体器件自测题一、判断以下说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)假设耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=V。
图T1.3四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)假设T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
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第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和0。
5pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：m V 6.179A1m A1ln m V 26U D =μ≈ 对于锗管:m V 8.556pA5.0m A1ln m V 26U D =≈1—2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =0。
1pA.（1）当二极管正偏压为0。
65V 时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流.此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：(1)m A 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1—3 二极管电路如图P1-3（a ）所示,二极管伏安特性如图P1—3(b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为0。
7伏。
试求: （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
模拟电子技术基础习题及答案(清华大学出版社)
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和0.5pA .如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：m V 6.179A1m A1ln m V 26U D =μ≈ 对于锗管：m V 8.556pA5.0m A1ln m V 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =0。
1pA 。
（1）当二极管正偏压为0。
65V 时，二极管的正向电流为多少？(2）当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）m A 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时,S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k （即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1—3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示.已知电源电压为6V ,二极管压降为0.7伏。
试求： （1)流过二极管的直流电流;(2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
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半导体器件的基础知识电路如图所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝。
试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。
图 解图解：波形如解图所示。
电路如图（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所示，二极管导通电压U D ＝。
试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值。
图解：u O 的波形如解图所示。
解图已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图所示电路中电阻R 的取值范围。
图解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象为什么 图 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
电路如图（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。
试分别画出u O1和u O2的波形。
图 解图解：波形如解图所示测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表所示。
图解：取U CES ＝U BE ，若管子饱和，则所以，100Cb =≥R Rβ时，管子饱和。
分别判断图所示的各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
图解：（a ）可能 （b ）可能 （c ）不能（d ）不能，T 的发射结会因电流过大而损坏。
（e ）可能第二章 基本放大电路分别改正图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
图解：（a ）将－V CC 改为＋V CC 。
（b ）在＋V CC 与基极之间加R b 。
（c ）将V BB 反接，且在输入端串联一个电阻。
（d ）在V BB 支路加R b ，在－V CC 与集电极之间加R c 。
电路如图（a ）所示，图（b ）是晶体管的输出特性，静态时U BEQ ＝。
利用图解法分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时的静态工作点和最大不失真输出电压U om （有效值）。
图解：空载时：I BQ ＝20μA ，I CQ ＝2mA ，U CEQ ＝6V ；最大不失真输出电压峰值约为，有效值约为。
带载时：I BQ ＝20μA ，I CQ ＝2mA ，U CEQ ＝3V ；最大不失真输出电压峰值约为，有效值约为。
如解图所示。
解图 电路如图所示，晶体管的＝80，'bb r=100Ω。
分别计算R L ＝∞和R L ＝3k Ω时的Q 点、u A &、R i和R o。
图解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、r be 均相等，它们分别为空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为Ω==-≈⋅+≈Ω≈≈=-≈-=≈-=k 593k 3.1308V 2.6 c o bes bebe be b i becc CQ CC CEQ R R A r R r A r r R R r R A R I V U uusu&&&∥βR L ＝5k Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为电路如图所示，晶体管的＝100，'bb r=100Ω。
（1）求电路的Q 点、u A &、R i 和R o ；（2） 若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化如何变化图解：（1）静态分析：动态分析：（3） R i 增大，R i ≈Ω；u A &减小，e f 'L R R R A u +-≈&≈－。
设图所示电路所加输入电压为正弦波。
试问：（1）1u A &=o1U &/i U &≈ 2u A &=o2U &/i U &≈（2）画出输入电压和输出电压u i 、u o1、u o2 的波形。
图解：（1）因为通常β＞＞1，所以电压放大倍数分别应为（2）两个电压放大倍数说明 u o1≈－u i ，u o2≈u i 。
波形如解图所示。
解图电路如图所示，晶体管的＝80，r be =1k Ω。
（1）求出Q 点；（2）分别求出R L＝∞和R L＝3k Ω时电路的u A &、R i、R o。
图解：（1）求解Q 点：（2）求解输入电阻和电压放大倍数： R L ＝∞时R L ＝3k Ω时电路如图所示，晶体管的＝60，'bb r=100Ω。
（1）求解Q 点、u A &、R i和R o； （2）设s U ＝10mV （有效值），问i U ＝o U ＝若C 3开路，则i U ＝o U ＝图解：（1）Q 点： u A &、R i和R o的分析：（2）设s U ＝10mV （有效值），则 若C 3开路，则已知图（a ）所示电路中场效应管的转移特性如图（b ）所示。
求解电路的Q 点和u A &。
图解：（1）求Q 点：根据电路图可知， U GSQ ＝V GG ＝3V 。
从转移特性查得，当U GSQ ＝3V 时的漏极电流 I DQ ＝1mA因此管压降 U DSQ ＝V DD －I DQ R D ＝5V 。
（2）求电压放大倍数：图中的哪些接法可以构成复合管标出它们等效管的类型（如NPN 型、PNP 型、N 沟道结型……）及管脚（b 、e 、c 、d 、g 、s ）图解：（a ）不能。
（b ）不能。
（c ）构成NPN 型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
（d ）不能。
（e ）不能。
（f ）PNP 型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。
（g ）构成NPN 型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
设图所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出u A &、R i 和R o 的表达式。
图解：（1）图示各电路的交流等效电路如解图所示。
（2）各电路u A &、R i和R o的表达式分别为图（a ）图（b ） 图（c ） 图（d ）解图已知某基本共射电路的波特图如图所示，试写出u A &的表达式。
图解:已知某共射放大电路的波特图如图所示，试写出u A &的表达式。
图解：观察波特图可知，中频电压增益为40dB ，即中频放大倍数为－100；下限截止频率为1Hz 和10Hz ，上限截止频率为250kHz 。
故电路u A &的表达式为已知某电路的幅频特性如图所示，试问： （1）该电路的耦合方式；（2）该电路由几级放大电路组成；（3）当f ＝104Hz 时，附加相移为多少当f ＝105时，附加相移又约为多少图解:（1）因为下限截止频率为0，所以电路为直接耦合电路；（2）因为在高频段幅频特性为－60dB/十倍频，所以电路为三级放大电路；（3）当f ＝104Hz 时，φ'＝－135o ；当f ＝105Hz 时，φ'≈－270o 。
已知某电路电压放大倍数试求解：（1）m u A &＝f L ＝f H ＝（2）画出波特图。
解：（1）变换电压放大倍数的表达式，求出m u A &、f L 、f H 。
（2）波特图如解图所示。
解图已知两级共射放大电路的电压放大倍数（1）m u A &＝f L＝f H＝（2）画出波特图。
解：（1）变换电压放大倍数的表达式，求出m u A &、f L 、f H 。
（2）波特图如解图所示。
解图已知一个两级放大电路各级电压放大倍数分别为 （1）写出该放大电路的表达式；（2）求出该电路的f L 和f H 各约为多少； （3）画出该电路的波特图。
解：（1）电压放大电路的表达式 （2）f L 和f H 分别为：（3）根据电压放大倍数的表达式可知，中频电压放大倍数为104，增益为80dB 。
波特图如解图所示。
解图电路如图所示，T 1和T 2管的饱和管压降│U CES │＝3V ，U CC ＝15V ，R L ＝8Ω。
选择正确答案填入空内。
图（1）电路中D 1和D 2管的作用是消除 。
A ．饱和失真B ．截止失真C ．交越失真 （2）静态时，晶体管发射极电位U EQ 。
A ．＞0VB ．＝0VC ．＜0V （3）最大输出功率P OM 。
A ．≈28WB ．＝18WC ．＝9W（4）当输入为正弦波时，若R 1虚焊，即开路，则输出电压 。
A ．为正弦波 B ．仅有正半波 C ．仅有负半波 （5）若D 1虚焊，则T 1管 。
A ．可能因功耗过大烧坏B ．始终饱和C ．始终截止解：（1）C （2）B （3）C （4）C （5）A在图电路中，已知U CC ＝16V ，R L ＝4Ω，T 1和T 2管的饱和管压降│U CES │＝2V ，输入电压足够大。
试问：（1）最大输出功率P om 和效率η各为多少 （2）晶体管的最大功耗P Tmax 为多少（3）为了使输出功率达到P om ，输入电压的有效值约为多少 解：（1）最大输出功率和效率分别为（2）晶体管的最大功耗（3）输出功率为P om 时的输入电压有效值第三章 负反馈放大电路判断图所示各电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图解：图（a ）所示电路中引入了直流负反馈。
图（b ）所示电路中引入了交、直流正反馈。
图（c ）所示电路中引入了直流负反馈图（d ）、（e ）、（f ）、（g ）、（h ）所示各电路中均引入了交、直流负反馈。
电路如图所示，要求同题。
图解：图（a ）所示电路中引入了交、直流负反馈图（b ）所示电路中引入了交、直流负反馈图（c ）所示电路中通过R s 引入直流负反馈，通过R s 、R 1、R 2并联引入交流负反馈，通过C 2、R g 引入交流正反馈。
图（d ）、（e ）、（f ）所示各电路中均引入了交、直流负反馈。
图（g ）所示电路中通过R 3和R 7引入直流负反馈，通过R 4引入交、直流负反馈。