晶体管的微变等效电路
电工电子技术：10 微变等效电路法
输入端等效
iB B
+ uBE E-
= = rbe
iC
ΔUBE ΔIB
C
UCE
iB
+
uCE △iB IB
-E 0
ube ib
rb e
UCE
200 (1
)
2（6 mV）
I E（Q m A）
Q
UBE
△uBE
uBE
B ib rbe 电阻
E
微变等效电路法
晶体管微变等效电路：在交流小信号作用下, 晶体管的输入输出特性曲
rb e
200
UT ICQ
1.37k
放大电路的动态分析
已知VCC=12V，Rb=510k，Rc=3k，晶体管的=80，RL=3k 。
•
求：电路的 A u 、 R i 、 R o 。
+VCC 分析步骤 (1)画出直流通路，估算Q点。
RB RC
C2
C1
C
B
RL uo
ui
E
(2)画出微变等效电路。
•
+ r •
U be be
-
•
Ib
+
•
U
ce
RC
RL
•
Uo
-
E
rO
小结
◆ 晶体管微变等效电路：在交流小信号作用下, 晶体管的输入输出特
性曲线在工作点附近近似为线性，所以可以用线性元件来表示输入
输出电压与电流的相互关系，得到晶体管的线性等效模型。
◆ 放大电路的动态分析步骤：直流通路求解静态工作点，微变等效
微变等效电路法：在静态工作点确定后，分析信号的传输情况， 只考虑电流和电压的交流分量。
共发射极放大电路的微变等效电路
共发射极放大电路的微变等效电路一、概述1.1 研究背景共发射极放大电路是一种常见的电子放大电路，通过控制输入信号的变化来实现电压放大的功能。
而对于共发射极放大电路的微变等效电路的研究，则是为了更好地理解和应用这一电路，提高其性能和稳定性。
1.2 研究意义研究共发射极放大电路的微变等效电路，有助于深入了解其内部工作原理，便于电路设计和优化，提高电路的性能和稳定性，同时也有利于电子工程师的理论学习和实际工程应用。
二、共发射极放大电路的基本原理2.1 共发射极放大电路的结构共发射极放大电路由晶体管、电阻、电容等元件组成，其输入信号通过电容耦合到晶体管的基极，控制晶体管的导通和截止，从而实现对输入信号的放大。
2.2 共发射极放大电路的工作特性共发射极放大电路在放大电压的也具有一定的电流放大功能，其工作特性受到外部电路参数的影响，如负载电阻、电容等。
三、共发射极放大电路的微变等效电路模型3.1 微变等效电路的概念微变等效电路是指在电路分析和设计中，将原始电路按照一定规则抽象成简化的等效电路模型，用于分析电路的小信号响应和频率特性。
3.2 共发射极放大电路的微变等效电路模型对于共发射极放大电路，可以将其抽象成微变等效电路模型，包括输入等效电阻、输出等效电阻、电压增益等参数，便于分析和设计。
四、共发射极放大电路的微变等效电路分析4.1 输入等效电阻共发射极放大电路的输入等效电阻是指在电路的输入端等效看到的电阻，它受到晶体管的导通和截止状态的影响，可以通过微变等效电路模型进行分析和计算。
4.2 输出等效电阻共发射极放大电路的输出等效电阻是指在电路的输出端等效看到的电阻，它受到负载电阻的影响，同样可以通过微变等效电路模型进行分析和计算。
4.3 电压增益电压增益是指共发射极放大电路输出电压与输入电压之间的增益关系，也可以通过微变等效电路模型进行分析和计算。
五、共发射极放大电路的微变等效电路应用5.1 电路设计优化通过微变等效电路模型的分析，可以对共发射极放大电路进行设计优化，使其在特定的工作条件下达到最佳的性能指标。
晶体管的微变等效电路
IC/mA
IC
Q IB
输出特性在线性工作区是一组近似等距的
平行直线。
晶体管的电流放大系数 β IC ic
I i B UCE
b UCE
晶体管的输出回路(C、E 之间)可用一受
控电流源 ic = ib等效代替，即由 来确定
UCE 输出特性
UCE/V ic 和ib 之间的关系。
一般在20～200之间，在手册中常用 hfe 表示。
晶体管的 输入电阻
U BE IB
U CE
ube ib
UCE
晶体管的输入回路 ( B、E 之间 )可用 rbe 等
效代替， 即由 rbe 来确定ube和 ib 之间的关系。
对于小功率晶体管：
rbe
200()
(1
β)
26(mV IE (mA
) )
rbe一般为几百欧到几千欧。
(2) 输出回路
微变等效电路法： 利用放大电路的微变等效电路分析计算放大电路电压放大倍数 Au、
输入电阻 ri、输出电阻 ro等。
1. 晶体管的微变等效电路 晶体管的微变等效电路可从晶体管特性曲线求出。
(1) 输入回路
IB
当信号很小时，在静态工作点附近的 输入特性在小范围内可近似线性化。
Q IB
UBE
O
UBE
输入特性
晶体管的 输出电阻
rce
U CE IC
IB
uce ic
IB
rce愈大，恒流特性愈好 因rce阻值很高，一般忽略不计。
晶体管
ic
C
+
ib
B
+
uce
ube
-
-
E
09第九讲 晶体三极管的等效电路
Uoo为负载RL开路时放大器输出电压
4. 非线性失真系数D
U U D 100 % U1
2 2 2 3
不同用途的放大器，对非线性失真系数的要求不同， 例如普通话音放大器，只要求D<10%，而高保真度的音频 放大器，则要求D<1‰。
5. 通频带fbw
| Au (f) | | Au m| | Au m| 2 0 fl
内部噪声决定于器件的噪声，为此，通常定义晶体管噪声系
数为
Ps P N F N i Ps P N o
用分贝(dB)表示的噪声系数为
( Ps / PN )i N F (dB) 10lg ( Ps / PN )o
hie 称 为 输 出 短 路 时 的 共 射 输 入 电 阻 ， 这 是 因 为 uCE=UCE ， duCE=0，即输出端电压恒定，对交流而言，相当于短路之故； hre称为输入开路时(因为iB=IB, ib=0)的电压反馈系数; hfe称为输出短路时的共射电流放大系数； hoe称为输入开路时的共射输出电导。
iC iB B ＋ u BE － E (a) u CE u BE C ＋ b ＋ iB iC c ＋ rb e b ＋ Ib Ic c ＋ rb e
u CE iB e (b) － －
ub e
Ib
e (c)
u ce
－
－
－
(a) 晶体管双端口表示； (b) 增量等效电路； (c) 交流等效电路
1. 电压放大倍数Au
通常定义输出电压Uo与输入电压Ui之比为放大器的电压 放大倍数， 记作Au
而Uo 与信号源开路电压Us 之比称考虑信号源内阻时的电 压放大倍数，记作Aus，即
晶体管放大电路的三种组态
2.6 三极管放大电路的三种组态
第2章 三极管及其放大电路
(4) 晶体管共基截止频率fα远大于共射截止频率fβ，
因而共基放大电路的频带宽，常用于无线电通讯和
宽频带放大电路。 (5) 当输入恒定时，uce变化引起的ic变化很小， 即共基电路是很好的恒流源电路。
基于这些优点，功率放大和高频放大常采用共
(3) 求解输出电阻 将信号源 U s 短路，保留其内阻Rs ，负载RL开路，输出端 信号源 U 与流入电流 I 之比即为输出电阻。如图2—34 (b)
o
o
所示。
I ( U R R ) o br be s // b r I ( 1 ) I e b
' o
r R // R be s b r R // R R // 3 7 Ω o e e ( 1 )
(1)电压放大倍数
列出输入和输出回路电压方程，即
I r U i b be
' U RL o Au rb e Ui
' U I ( R // R ) I R o c c L b L
其中：
rb e rhb'
26 IE Q
(2)输入电阻
因为
U r I r ' i be b be r i ( 1 I 1 ) I e b
(1)求解电压放大倍数： 列输入回路和输出回路方程
' U I r I ( R // R ) I r ( 1 ) I R i b be ee L b be b L
' U I ( R // R ) ( 1 ) I R o e e L b L
第7讲 微变等效电路法 - 副本
一、电路组成
+VCC
——分压式偏置电路
Rb2 iR C1+ iB
Rc+ C2 iC
+
+ ui
uB
Rb1
iE
uE +
Re
RL Ce
uo
由于
UBQ
不随温度变化，
图
2.5.2
分压式工作点稳定电路
T ICQ IEQ UEQ UBEQ (= UBQ – UEQ)
IBQ ICQ
——电流负反馈式工作点稳定电路
2.5 工作点的稳定问题
2.5.1 温度对静态工作点的影响
三极管是一种对温度十分敏感的元件。温度变化对管 子参数的影响主要表现有：
1. UBE 改变。UBE 的温度系数约为 –2 mV/C，即温度 每升高 1C，UBE 约下降 2 mV 。
2. 改变。温度每升高 1C， 值约增加 0.5% ~ 1 %， 温度系数分散性较大。
其中 Ie (1 )Ib
引入发射极电阻
后， Au 降低了。
若满足(1 + ) Re >> rbe
Au
RL Re
Au 与 三 极 管 的 参 数 、rbe 无关。
b +
Ui Rb
Ib
Ic c
rbe e
Ib Rc
Ie Re
+
RLUo
2. 放大电路的输入电阻
Ri
Ui Ii
rbe (1 )Re
+
uBE
iC c
+
uCE
iB b
+
uBE rbe
iC c
+
iB uCE
高职晶体管基本放大电路的微变等效电路分析法解析
２ 晶体 管基本 放 大 电路 的微变 等效 电路 图
三种放大电路的 区分方 法是看输入 回路 和输 出 回路共 用 了三极管 的哪个级来确定是 哪种放大 电路 的。以共射放 大电路 为例 ， 从ｕ 的参考方 向正极 出发 ， 经过三极管 Ｂ极到 三极管 Ｅ极 回到 ｕ ｉ 的负极形成输 入回路 ， 从 Ｕ 。 的参考方 向
ｑｕ ｉ ｖ ｌｅ ａ ｎｔ ｃ ｉ ｒ ｃ ｕｉ ｔ ； ｄ ｙ ｎａ ｍｉ ｃ ｐａ ｒ ａ ｍｅ ｔ ｅ ｒ
图 １基 本 共 射 放 大
高职 电子技术基 础课程 中，晶体 管基本放大 电路是 模 拟 电子 部分 比较重要和基础 的内容 ，包括基本共射 放大 电 路、 共集放大 电路 、 共基放大 电路 。分析和计算各种 基本放
ｔ ｅ ｘ ｔ ｂ ｏ ｏ ｋ ｓ ｈ ａ ｖ ｅ ｂ ｒ ｉ ｅ ｆ ｅ ｘ ｐ ｌ ａ ｎ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ｓ ａ ｂ ｏ ｕ ｔ ｔ ｈ ｉ ｓ ｐ ａ ｒ ｔ ． ｍａ ｋ ｉ ｎ ｇ ｉ ｔ ｄ ｉ ｍ—
ｃ ｕ ｌ ｔ ｆ ｏ ｒ ｒ ｅ ａ ｄ ｅ ｒ ｓ ｔ ｏ ｋｎ ｏ ｗ ｉ ｔ ｓ ｃ ｏ ｎｔ ｅ ｎ ｔ ａ ｎｄ ｉ ｔ ｓ ｒ ｅ ａ ｓ ｏ ｎｓ ，Ｓ Ｏ ｈｅ ｔ ｄｅ ｄ ｕｃ —
法 。 由 于 电子 技 术 基 础 教 材 上 都 已经 明确 地 画 出放 大 电路
本 放 大 电路 的微 变 等 效 电路 分 析 法进 行 说 明。 由于 大部 分
高 职教材在 本部 分讲解简略 ， 读 者难知其 然又 知其所 以然 ， 因而， 特将 动 态 参 数 的推 导过 程 进 行 补 充 说 明。 关键词
总第 ３ １ ５期 ２ ０ １ ５ 年５ 月（ 下）
三种放大电路的微变等效电路
三种放大电路的微变等效电路一、引言放大电路是电子工程中最基本的电路之一，其作用是将输入信号放大到一定程度后输出。
在实际应用中，我们常常需要对不同类型的信号进行放大，因此需要设计不同类型的放大电路。
本文主要介绍三种常见的放大电路：共射极放大电路、共基极放大电路和共集极放大电路，并对它们进行微变等效电路的分析。
二、共射极放大电路1. 基本原理共射极放大电路（Common Emitter Amplifier）是最常见的一种放大电路，其基本原理如下图所示：其中，Vcc为直流供电电压，Rb为输入信号源阻抗，Rc为负载阻抗，Re为发射极稳压器阻抗。
2. 微变等效电路在微变等效电路中，我们将所有直流元件短接或开路，并用小信号模型替换晶体管。
如下图所示：其中，rπ为输入阻抗，gm为转移导纳（即传输系数），r0为输出阻抗。
3. 放大倍数计算根据微变等效电路可得到放大倍数的计算公式：Av = -gm(Rc||RL)其中，Rc为晶体管的负载电阻，RL为输出电路的负载电阻。
4. 特点和应用共射极放大电路具有以下特点：（1）输入阻抗较高，输出阻抗较低；（2）放大倍数较大，一般可达几十至上百倍；（3）适用于中频和高频信号放大。
三、共基极放大电路1. 基本原理共基极放大电路（Common Base Amplifier）是一种常见的低噪声、高频率的放大电路。
其基本原理如下图所示：其中，Vcc为直流供电电压，Rb为输入信号源阻抗，Rc为负载阻抗。
2. 微变等效电路在微变等效电路中，我们将所有直流元件短接或开路，并用小信号模型替换晶体管。
如下图所示：其中，rπ为输入阻抗，gm为转移导纳（即传输系数），r0为输出阻抗。
702(第3节 微变等效电路,第4节 多级放大电路)
' I b R' R L L AU
C
I b r be
r be
例：电路如图，β=40，计算Q、Au、Ri、Ro 。 (UBE=0) ○ 4K +12V 解：（1）确定Q
U CC 12 0.04m A IB 300 Rb I C I B 40 40 1.6mA
第三节
•
•
•
微变等效电路法
晶体管的微变等效电路
共射放大电路的微变等效电路
放大器的性能分析
一、晶体管的微变等效电路
1. 微变等效电路: 将三极管在小范围内等效为线性元件的电路。 2．三极管微变等效电路 输入回路：Q点附近近似看成直线。
U BE IB (μA) 恒量 r be IB 三极管b,e之间等效为一个电阻rbe。 Q △I B
RB
rbe
ic iO β ib
RC RL
uO
U i I b rbe rO r 3. 输出电阻 r i o ' // U I ( // ) R R RC b 0 － L L R R C L U I O O RO ro 可在输入电压为零，负载开路的 ' I b R L 条件下求得。 R R
26mV r be 300 (1 ) I EQ (mA)
△UBE
UBE (V)
输出回路：
Q点附近可看成平行于X轴
的直线，则
IC (mA)
Ic Ib －－受控电流源
三极管c,e之间等效为受控电流源。 ib B C B E E rbe
ic
UCE (V)
β ib
C
教案13-微变等效电路 - 副本
教案
3.应用微变等效电路法：
利用放大电路的微变等效电路分析计算放大电路电压放大倍数A u、输入电阻r i、输出电阻r o。
4.动态分析图解法
主要让学生理解非线性失真的原因：
（1）如果Q设置不合适，晶体管进入截止区或饱和区工作，将造成非线性失真。
（2）若Q设置过高，晶体管进入饱和区工作，造成饱和失真。
（3）若Q设置过低，晶体管进入截止区工作，造成截止失真。
课堂小结：
这一节的内容是模拟电子技术的核心，学生对晶体管的线性化的理解不够深入、难以接受，这里面涉及到一些等效变换的概念，而受到课时的限制，课堂上不可能讲得非常详细，增加了授课难度；对含晶体管的放大电路的等效微变电路的画法不熟练，放大电路的输入电阻、输出电阻的理解容易出现偏差。
习题（或复习思考题）：这里指课后思考题，另有作业。
1.简述晶体管线性化的概念。
2.画出固定式偏置电路的微变等效电路。
3.预习静态工作点的稳定
课后检查（学生掌握情况及存在问题）：
1.学生课前预习和和课后复习的情况不好。
2.对微变等效电路的掌握较差。
检查日期：
任课教师制订日期。
pnp微变等效电路
pnp微变等效电路
PNP微变等效电路是一种利用负反馈技术来控制基极电流的电路。
它的作用是将大电流转化为小电流，从而起到保护电路元件的作用。
下面将对PNP微变等效电路进行分步骤阐述：
第一步，了解PNP微变等效电路的原理和结构。
PNP微变等效电
路由三个部分组成：一个PNP三极管、一个电阻和一个电容。
PNP三极管的集电极和基极之间串联一个电阻，电容则连接在基极和负电源之间。
第二步，了解PNP微变等效电路的工作过程。
当外界的信号输入
到PNP微变等效电路中，通过负反馈作用，使得基极电流得到控制，
从而通过晶体管的放大作用，输出一个稳定的电压信号。
第三步，了解PNP微变等效电路的优缺点。
与其他保护电路相比，PNP微变等效电路具有功耗小、反馈稳定等优点。
同时，它的缺点是输入电压范围狭窄不便于调节和控制。
第四步，了解PNP微变等效电路的应用范围。
PNP微变等效电路
广泛应用于各种电子产品中，如放大器、自动控制系统和起动电路等。
总之，PNP微变等效电路是一种重要的电路保护手段，能够将大
电流转化为小电流，从而保护电路元件及其它设备。
对于需要使用该
电路的工程师们来说，了解PNP微变等效电路的原理、工作过程、优
缺点以及应用范围，是非常必要的。
晶体管的等效电路
晶体管的等效电路
嘿，大伙们！今天咱来聊聊晶体管的等效电路是啥。
就说有一次我去参观一个电子工厂吧。
在那看到好多工人在组装电子产品，其中就有晶体管。
那时候我就好奇，这晶体管到底是咋工作的呢？
晶体管的等效电路呢，简单来说就是用一些简单的电路元件来模拟晶体管的工作特性。
就像我们玩游戏的时候，用一些小模型来代表大的东西一样。
我记得有一回，我看到一个工程师在纸上画晶体管的等效电路。
他一边画一边给旁边的人解释，说这样可以更好地理解晶体管的工作原理。
比如说，晶体管可以放大信号，就像一个小喇叭可以把声音放大一样。
通过等效电路，我们就能知道晶体管是怎么做到放大信号的。
所以啊，晶体管的等效电路就是帮助我们更好地理解晶体管工作的一种方法。
下次你看到晶体管的时候，就可以想想它的等效电路啦。
这就是晶体管的等效电路啦。
微变等效电路分析方法
电源电路是电子设备中的重要组成部分，通过微变等效电路分析方法，可以简化电路模型，提高分析效率。
详细描述
在电子设备中，电源电路负责提供稳定的直流电压或电流。由于电源电路通常包含电阻、电容、电感等元件，其 分析较为复杂。通过微变等效电路分析方法，可以将电源电路简化为一个等效模型，从而快速准确地计算出电路 的性能参数。
局限性
复杂度高
对于复杂电路，微变等效电路可能变得非常复杂，需要花费大量时 间和精力进行建模和计算。
近似性限制
该方法假设电路元件的特性在小信号下变化，对于大信号或非线性 电路，其预测精度可能会受到影响。
实际应用限制
由于该方法主要关注元件的动态特性，对于实际应用中需要考虑的其 他因素（如温度、噪声等）考虑不足。
利用微变等效电路分析方 法，可以对电子设备的性 能进行评估，如频率响应、 噪声系数等。
故障诊断
通过分析电子设备在不同 工作状态下的微变等效电 路，可以诊断设备是否存 在故障。
在电力网络中的应用
电力传输
微变等效电路分析方法可用于分析电力网络中的电压和电流分布， 优化电力传输。
故障定位
通过分析电力网络中的微变等效电路，可以快速定位故障点，提 高故障排除效率。
02
通过合理的构建微变等效电路，可以有效地简化电 路分析过程，提高分析效率。
03
构建微变等效电路是微变等效电路分析方法的关键 步骤。
03
微变等效电路分析方法的应 用
在电子设备中的应用
01
02
03
电路元件识别
通过微变等效电路分析方 法，可以识别电子设备中 的电路元件，如电阻、电 容、电感等。
性能评估
特点
适用于分析电路中的微小变化，能够 快速准确地得出电路的性能参数，适 用于各种类型的电路分析。
晶体管的微变等效电路
晶体管的微变等效电路
得到了晶体管的h参数后，就可以画出晶体管的线性等效电路，图
Z0214是晶体管的h参数等效电路。
关于h参数等效电路，应注意以下几点：
（1）电压的参考极性为上正下负，电流的参考正方向是流入为正；
（2）电路中出现了受控源。
受控源的大小和极性均具有从属性。
在分析电路时，可以象独立源一样进行等效变换，但控制量不能丢失，在涉及独立源
取零值的处理中，不能对受控源进行开路或短路处理，只能视控制量而定。
（3）微变等效电路只适用于低频小信号放大电路，只能用来计算交流分量，不能计算总的瞬时值和静态工作点。
（4）晶体管的输入电阻RbE（hie）一般可用下列近似公式进行估算：
式中表示晶体管基区的体电阻，对一般小功率管约为300Ω左右（计算时，若未给出，可取为300Ω），IE 为通过管于发射极的静态
电流，单位是mA。
在IE 小于等于5mA范围内，式GS0220计算结果与实际测量值基本一致。
npn和pnp的微变等效电路
npn和pnp的微变等效电路
NPn和pnp是指双极型晶体管（BJT）的两种类型。
NPn和pnp的微变等效电路可以用于简化对BJT的分析和设计。
在NPn型BJT的微变等效电路中，主要由三个元件组成：电流源（IE）、输出电阻（r0）和输入电阻（rπ）。
其中，电流源表示基极电流（IB），输出电阻表示集电极电流（IC）与集电极-发射极电压（VCE）之间的关系，输入电阻表示基极电流（IB）与基极-发射极电压（VBE）之间的关系。
在pnp型BJT的微变等效电路中，同样也由三个元件组成：电流源（IE）、输出电阻（r0）和输入电阻（rπ）。
但是，其电路结构与NPn型BJT微变等效电路在构造上有所不同，即电流源与输入电阻的位置与方向会发生反转。
需要注意的是，NPn和pnp型BJT的微变等效电路只是一种简化模型，用于近似描述BJT的行为。
在实际应用中，可能需要更为复杂和精确的模型来分析和设计电路。
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ic hfeib hoeuce
hre与hoe一般比较小，可忽略不计
b ib
+
ube
rbe
+
_ hreu_ce
ic c
ib
+
1/hoe uce
e
_
晶体管微变等效简化电路
b ib
+
ube rbe
_
e
ic c
+
β ib
uce
_
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
图中
rbe
hie
rbb'
(1
)
2. 晶体管及放大电路基础
2.4 放大电路的动态分析 2.4.1 图解法 2.4.2 微变等效电路法 2.4.2.1 晶体管的微变等效电路
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
2.4.2.1 晶体管的微变等效电路 ib NPN 型 或 PNP型 ic
1．晶体管的H参数微变等效电路 +
c+
（1） 晶体管线性化的条件： 电路工作在小信号状态。
IEQ (mA)
uBE uBE rbe的量级从几百欧到 2~4 kΩ。
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
VCC
ui
RB
C1
RC
C2
T
RL
uo
ui
放大电路的微变等效电路
ib
T
bc
ic
RB rbe
ib
RC
RL uo
T
e
ui RB
u RC RL o
•
交流通路
模拟电子技术
谢 谢！
模拟电子技术
rbe
ube ib
rbb' (1 )rb'e
Je
rD
UT ID
Jc
rb'e
UT I EQ
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
当信号很小时，将输入特性在小范围内近
似线性。
rbe
ube ib
对输入的小交流信号而言，
iB iB
三极管相当于电阻rbe。
rbe
rbb'
(1
)
UT I EQ
300 (1 ) 26(mV)
iB 0
iB IBQ
ΔuCE ΔuBE uBE
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
ib
ic
+ 线性 +
ube
uce
– 网络 –
ic ΔiC
ube hieib hreuce
ic hfeib hoeuce 式中
hf e
iC iB
Uce 0
iC iB
uCE 0
ib2
ΔiB ib1
uCE
uce
模拟电子技术
ube
晶体管
b
uce
–
e
–
（2）晶体管可线性化的主要依据：
a. ΔiB与 Δ uBE 之间具有线性关系
b. β 值恒定
等效图
ib
ic
+ 线性 +
ube
uce
– 网络 –
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
晶体管线性等效电路的H参数描述
ib
ic
+ 线性 +
ube
uce
– 网络 –
iB iB
ube hieib hreuce
ic hfeib hoeuce
式中
hie
uB E iB
Uce 0
uB E iB
UCE 0
uBE uBE
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
ib
ic
+ 线性 +
ube
uce
– 网络 –
ube hieib hreuce
ic hfeib hoeuce
式中
hre
uB E uCE
Ib
0
uB E uCE
2. 晶体管及放大电路基础
ib
ic
+ 线性 +
ube
uce
– 网络 –
ic Δic
ube hieib hreuce
ic hfeib hoeuce
式中 hoe
iC uCE
Ib
0
iC uCE
iB 0
ΔuCE
uce
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
ube hieib hreuce
由
可画出等效电路
UT I EQ
称为晶体管的交流输入电阻
式中
称为晶体管的基区体电阻
， UT —热电压 在室温（T=300K)时
ib NPN 型 或 PNP型 ic
b ib
ic c
+
c
ube
晶体管
b
–
e
++ uce uberbe
–
_
e
+β ib来自uce_模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
交流输入电阻的计算：
ube ibrbb' (1 )ibrb'e