07--4、电介质中的电场高斯定理
介质中的高斯定理
真空中 导体中
结论3
P与E的关系
0 0 r 1 ( r 1 ) 0 E 0 r
令 r 1 为电极化率。
1 由 P ' 和 ' 0 1 r 0 1 P ' 0 1 r 1 r r
R2
εr2
εr1 R1
R
解:E 和D 的分布具有柱对称性
D dS D 2rl l
S
D ( R1 r R2 ) 2r D E1 ( R1 r R ) 0 r1 20 r1r
D E2 0 r 2 20 r 2 r ( R r R2 )
P 0E
结论4
无介质 充满介质
充满各向同性的均匀电介质的电容器
C0
0S
C rC0
A
B
d q0 C U AB
S
q0 q S q 0 0 r 0 C U AB Ed E0 0 d d r 0 r 0S rC0 d
d
平行板电容器为例
例11.9 真空中有一半径为R,带电量为q的金属 球壳。求: (1)电场的总能量; (2)带电球壳周围空间中,多大半径球面内的 电场所具有的能量等于总能量的一半。
q
p
q
E0
E0 F
F
在介质表面产生极化电荷。
三、极化强度 描写电介质极化程度的物理量。 定义:单位体积内的电偶极矩矢量和。
p P V
E0
注意
1.真空中 P = 0 ,真空中无电介质。
大学物理介质中的高斯定理
r1
r2
18
例:球形电容器由半径为R1的球体和内半径为R3的导 体球壳构成,带电 q,其间有两层均匀电介质,
分界面的半径为R2,相对介电常数分别为r1和r2 。 求:E, D 和C。
解:
D
dS
4
r
2
D
q
S
R2
R1 r2
D1
q 4r 2
D2
q 4r 2
R3
r1
在界面上电位移线会发生折射
tan1 1
tan2
2
2 1
若 2 > 1 2 > 1 ,电位移线将折离法线
*
上海交通大学 董占海
28
证明:
E1t E2t D1n D2n
E1sin1 E2sin2
D1 cos 1 D2 cos 2
D1 1E1 D2 2 E2
39
思考:带电金属球 (R、Q),半个球处在电介质εr 中,则球正下方r > R 处的 E、D。
r
同上
上海交通大学 董占海
40
例5:一点电荷Q放在半无限大电介质为εr和真空的 界面处,求E、D。
解:空间的场强 = 两个点
电荷Q和q′产生的
故空间各点的E、为
r
点电荷的场,具有球
对称性
xd 2
2 DS 0 0 S0d
D
i
0
d
2
上海交通大学 董占海
d
r
0
Ox
23
xd 2
E
D
0r
0 x
电位移、介质中的高斯定理复习
E'
q'
q0
E E0 E '
E0
S
1 ( E d S q ' ) q (1) 0 内 S 0 S
S
q ' P d S 内 (3) S
S
E'
q' 1 E d S q0 S
S (1)式 0 +(3)式
S S
得介质中的高斯定理
介质中的高斯定理: 穿出某一闭合曲面的电位移矢量的通量等于 这个曲面所包围的“自由电荷”的代数和。
D d S q 0
S S
注意:1)D 是一个辅助量,场的基本量仍是场 强 E 2) D 0 E P 是 D. E 关系的普遍式。 对各向同性的介质: P e 0 E D 0E P 0 E e 0 E (1 e ) 0 E 令: r 1 e 称为相对介电常数, 0 r 称为介电常数,则: D r 0 E E
dW 1 2 1 w E DE dV 2 2 一般地,推广到任意电场(非均匀,交变场).
dV体积中的电场能量为 : dW wdV 1 2 E dV 2
1 2 整个空间中的电场能量 : W wdV E dV V V 2
例 : 求均匀带电球体內外的电场能. 已知球体带电量为Q, 半径R,內外电容率分别为 1 , 2 .
E E0 E '
0
(q
S
S
0
q'内 ) (1)
E0
S
P dS q'内 (3)
电位移介质中的高斯定理复习课件
掌握高斯定理的应用步骤
确定高斯面
根据问题的对称性选择适当的高斯面 ,高斯面应包含所有需要求解的电荷 分布。
计算电位移矢量D的通量
根据电位移的定义和性质,计算高斯 面上各点电位移矢量的通量。
应用高斯定理
将电位移矢量的通量代入高斯定理公 式中,求解出电场强度E的值。
02
高斯定理表述为"通过任意闭合曲 面的电位移通量等于该闭合曲面 所包围的体积内所含电荷量"。
高斯定理的意义
总结:高斯定理揭示了电场与电荷之 间的内在关系,是理解电场分布和电 荷相互作用的基础。
高斯定理阐明了电场线从正电荷发出 ,终止于负电荷,总电位移线闭合的 事实,对于理解电荷分布与电场的关 系至关重要。
圆柱对称分布电场的高斯定理应用
总结词
圆柱对称分布电场的高斯定理应用是指将高 斯定理应用于圆柱对称分布的电场中,以求 解电场分布和电位移矢量的方法。
详细描述
在圆柱对称分布电场中,高斯定理的应用同 样可以简化计算过程。通过将圆柱面分割成 若干个圆环,并应用高斯定理计算每个圆环 内的电位移矢量,再求和即可得到整个圆柱 面的电位移矢量。这种方法可以用于求解圆 柱形电荷、带电导体等问题的电场分布。
平面分布电场的高斯定理应用
总结词
平面分布电场的高斯定理应用是指将高斯定 理应用于平面分布的电场中,以求解电场分 布和电位移矢量的方法。
详细描述
在平面分布电场中,高斯定理的应用同样适 用。通过将平面分割成若干个小区域,并应 用高斯定理计算每个小区域内的电位移矢量 ,再求和即可得到整个平面的电位移矢量。 这种方法可以用于求解平面电荷、带电导体
电位移介质中的高斯定 理复习课件
静电场-高斯定理
电容器极板间电场分布
极板间相互作用力计算
理介
第 推质
四 章
广中 及高 应斯用定Fra bibliotek电介质极化现象及极化强度矢量引入
为了描述电介质极化 的程度和方向,引入 极化强度矢量P,其 大小与电偶极矩成正 比,方向由负电荷指 向正电荷。
在电场作用下,电介质内部正负电荷中心发生相对 位移,形成电偶极子,从而产生宏观上的电极化现 象。
高斯定理是电磁学中的基本定理之一,它表述了静电场中电场强度与电荷分布之间的关系。
高斯面选取原则及技巧
高斯面选取应遵循简单、对称、便于计算等原则。
02
在实际问题中,常根据电荷分布和电场强度的对称性来选取高斯面,以便简化计算。
03
高斯面的形状和大小应根据具体问题灵活选择,可以是平面、球面、柱面等。
高斯定理物理意义阐释
高斯定理反映了静电场的空间分布特性,即电场 强度与电荷分布之间的定量关系。
高斯定理为求解复杂静电场问题提供了一种有效 的方法,即通过选取适当的高斯面来简化计算。
高斯定理揭示了静电场的有源性,即静电场是由 电荷产生的。
高斯定理在电磁学中的地位
高斯定理是电磁学四大基本定理之一,是静 电场理论的基础。 高斯定理在电磁学中具有重要的地位,它不 仅适用于静电场,还可推广应用于恒定电场、 恒定磁场以及时变电磁场等领域。
要点一
麦克斯韦方程组
麦克斯韦方程组是描述电磁场基本规律的方程组,包括高斯定理、 安培环路定律、法拉第电磁感应定律和麦克斯韦-安培定律。
要点二
高斯定理在麦克斯韦方程组中的地 位
高斯定理是麦克斯韦方程组中的重要组成部分,它描述了电荷分 布与电场之间的关系,为电磁场理论奠定了基础。
有电介质时的高斯定理
解:( 1 )求 : D D, E , P 具有球对称性
选过场点与球面同心的 球面为S:r
S内
R
q
r
P
2 D d S D 4 r q 0
S
r
当:r R : 当: r R :
q q
0
0 q0
D=0
E=0
P=0
0
E
(1 r )q0 R P n P 2 4r R 2 (1 r )q0 q 4R R
总结
D分布
球对称 面对称 轴对称
高斯面 同心球面 垂直于板的和中心 面对称的封闭柱面 同轴封闭园柱面
由于导体为等势体:
例:设无限长同轴电缆的芯线半径为R1,外皮 的内半径为R2。芯线与外皮之间充入两层绝缘 的均匀电介质,其相对电容率分别为εr1和εr2。 两层电介质的分界面半径为R,如图。求单位 长度的电容。 解: (1) 先求 : D R2 εr1 设单位长芯线、外皮 R R1 分别带电λ、-λ εr2 D, E 具有轴对称性 选过场点与电缆同轴的单位长封闭园柱 面为高斯面:r
§9-4 有介质时的高斯定理
一、有介质时的环路定理和高斯定理:
E E0 E
L
有介质时的环路定理:
E d l 0
有介质时的高斯定理:
q内
E d S
S
q
S内
q
S
0
0
q0
1 1 S内 ) ( q0 q内 P dS 0 S内 0 0 S ( E P ) d S q 0 0
D, E , P
40 r r
电场的高斯定理及其应用
电场的高斯定理及其应用1. 高斯定理的背景高斯定理,也称为高斯电场定理,是电磁学中的基本定律之一。
它描述了电场通过任意闭合曲面的电通量与该闭合曲面内部的总电荷之间的关系。
这个定理是由德国数学家和物理学家卡尔·弗里德里希·高斯在19世纪初期提出的。
高斯定理在电磁学、物理学和工程学等领域有着广泛的应用。
2. 高斯定理的数学表述高斯定理的数学表述如下:对于任意闭合曲面S,电场通过S的电通量(记作ΦE)与曲面S内部的总电荷(记作q)之间存在以下关系:ΦE = ∫∫S E·dA = q / ε₀其中,E是电场强度,dA是曲面元素的面积向量,ε₀是真空的电介质常数(也称为电常数),其值约为8.85×10^-12 C2/N·m2。
3. 高斯定理的物理意义高斯定理的物理意义可以从两个方面来理解:(1)电场线与闭合曲面的关系:高斯定理说明,对于任意闭合曲面S,电场线通过S的电通量等于曲面S内部的总电荷。
这意味着,无论曲面S如何选择,只要它是闭合的,电场线穿过它的总通量都与曲面内部的电荷有关,而与曲面的形状和位置无关。
(2)电场的分布与电荷的关系:高斯定理表明,电场是通过闭合曲面的电通量的度量,而电通量与曲面内部的总电荷成正比。
这意味着,电场的强度和分布与曲面内部的电荷量有关,而与曲面的具体形状和位置无关。
4. 高斯定理的应用高斯定理在电场分析和计算中有着广泛的应用,下面列举几个常见的应用例子:(1)计算静电场中的电荷分布:通过高斯定理,可以计算静电场中某个闭合曲面内的电荷分布。
只需测量通过该曲面的电通量,然后根据电通量与电荷的关系,可以确定曲面内部的电荷量。
(2)设计电容器和绝缘材料:在电容器和绝缘材料的设计中,高斯定理可以用来分析电场的分布和电荷的积累。
通过合理选择闭合曲面的形状和位置,可以优化电场分布,提高电容器的性能和绝缘材料的可靠性。
(3)研究电磁波的传播:在研究电磁波的传播过程中,高斯定理可以用来分析电磁波在不同介质中的电场分布和电荷的变化。
大学物理课件-4静电场中的电介质电介质中的电场高斯定理电位移
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2021/3/18
26
4πe r
Q R12
2
4πR1
er
1 Q
er
在外表面上的正极化电荷的总量为
q外
外 S外
er 1 4πe r
Q R22
4πR22
er 1Q er
2021/3/18
21
例2:平行板电容器充满两层厚度 +
为 d1 和 d2 的电介质(d=d1+d2 ),
相对电容率分别为e r1 和e r2 。
S1
求:1.电介质中的电场 ;2.电容量。
2021/3/18
12
在保持电容器极板所带电量不变的情况下, 电容与电势差成反比,所以
C C0
U012 U12
er
即
C = e r C0
式中C0是电介质不存在时电容器的电容。
可见,由于电容器内充满了相对电容率为e r的 电介质, 其电容增大为原来的e r倍。
2021/3/18
13
四、电介质存在时的高斯定理
但随着外电场的增强,排列整齐的程度要增大。
无论排列整齐的程度如何,在垂直外电场的两个端面上 都产生了束缚电荷。
结论:有极分子的电极化是由于分子偶极子在外电场的作用 下发生转向的结果,故这种电极化称为转向电极化。
说明:在静电场中,两种电介质电极化的微观机
理显然不同,但是宏观结果即在电介质中出现束缚
电荷的效果时确是一样的,故在宏观讨论中不必区
在宏观上测量到的是大量分子电偶极矩的统计
平均值,为了描述电介质在外场中的行为引入电极化
强度矢量。
2021/3/18
6
为表征电介质的极化状态,定义极化强度矢量:
静电场中的电介质电位移介质中的高斯定理
电介质被引入电场中后,将产生极化现象,即:在外 电场的作用下,介质中或表面上将出现极化电荷。
2
1.无极分子的位移极化 分子的等效正、负电荷作用中心在外电场作用下沿 电场方向发生反向位移而产生极化电荷。
无外电场时
处于外电场中时
E
E0
E
垂直于电场方向的表 面出现极化电荷(称 束缚电荷)。
E 3
2.有极分子的取向极化 每个分子电矩在外场作用下沿外场取向而使整体出现 极化电荷。(此时也有位移极化,但相较很小)。
0r 为介质的电容率。
★ 在各向同性介质中:E 1/ , 而 D E.
所以,D与介质的介电性质 无关。
e
E dS 1
S
0
(q0
q)
由自由电荷与极 化电荷共同决定.
S
D
D dS
S
q0
仅由自由电荷决定, 而与极化电荷无关。
S
★在研究电场本身的性质时,引入辅助量 D 可以排开介质极化的影响,
●极化电荷的场又称退极化场。理由是:
决定介质极化的不是源电场E0,而是介质内的总场
E E0 E
E总是会削弱总场E,所以也总是起到减弱极化的作
用,故称为退极化场。 提示:在均匀外场中,极化
E E0 E
电荷在介质中产生的场大体
与外场方向相反。而具有对
称形状的介质体,极化场总
E
是严格地与外场相反且极化
S (0 E P) dS q0 S
定义电位移矢量:D 0 E P 单位:库仑/米2
则:
S D dS q0
S
介质中的高斯定理
●穿出某一闭合曲面的电位移通量等于这个曲面所 包围的自由电荷的代数和。
电介质的高斯定理
电介质的高斯定理
电介质的高斯定理是描述电场在电介质中分布的定律,它是电磁学中的基本定理之一。
根据电介质的高斯定理,在一个封闭曲面上的电通量与该曲面内的电荷分布有关。
具体来说,电介质的高斯定理表述如下:
∮E·dA = Q/ε,
其中,∮E·dA表示封闭曲面上的电场强度矢量与微元面积矢
量的点积之和,Q表示曲面内的总电荷量,ε表示电介质的介
电常数。
根据电介质的高斯定理可以得出以下几个结论:
1. 当曲面内没有电荷时,电场强度矢量在曲面上的积分为零。
即∮E·dA = 0。
这是因为曲面内没有电荷,所以没有电通量通
过曲面。
2. 当曲面内存在正电荷时,电场强度矢量在曲面上的积分为正。
即∮E·dA > 0。
这是因为正电荷会产生由内向外的电场,导致
电通量通过曲面。
3. 当曲面内存在负电荷时,电场强度矢量在曲面上的积分为负。
即∮E·dA < 0。
这是因为负电荷会产生由外向内的电场,导致
电通量通过曲面。
通过电介质的高斯定理,可以方便地计算电场强度矢量在曲面上的积分,从而研究电介质材料中电场的分布情况。
此外,电介质的高斯定理也可用于推导其他电磁学定律和电磁学中的一些问题的解。
电学高斯定理-概述说明以及解释
电学高斯定理-概述说明以及解释1.引言1.1 概述:电学高斯定理,又称高斯电场定理,是电学领域中一个非常重要的定理,它描述了电场在闭合曲面上的总通量与在该曲面内所有点电荷的代数和之间的关系。
通过高斯定理,我们可以更加深入地理解电场的性质和分布。
在本文中,我们将对电学高斯定理进行详细探讨,包括其概念、数学表达以及应用。
通过对电场的分析和计算,我们可以更好地理解高斯定理在电学领域中的重要性和实际应用价值。
同时,我们也将展望未来高斯定理的发展方向,探讨其在电学研究中的潜在应用和意义。
通过本文的学习,读者将能够更加全面地认识和理解电学高斯定理,为其在实际工程和科研中的应用提供帮助和指导。
1.2 文章结构本文将从引言部分开始,首先概述电学高斯定理的重要性和应用价值,然后介绍文章的结构安排。
接着将进入正文部分,详细讨论电学高斯定理的概念、数学表达以及其在现实生活中的应用情况。
最后,结论部分将总结电学高斯定理的重要性和在电学领域的应用,同时展望未来高斯定理的发展趋势。
整篇文章将全面介绍电学高斯定理,帮助读者更好地理解和应用这一重要理论。
1.3 目的电学高斯定理作为电磁学中的重要定律之一,其目的在于帮助我们理解电荷在电场中的行为规律。
通过深入研究高斯定理,我们可以更好地理解电场分布情况,预测电荷的运动轨迹,并解决复杂电学问题。
此外,掌握电学高斯定理还可以为我们提供一种便捷的计算电场强度的方法,简化电场分析的过程。
通过对高斯定理的掌握,我们可以更高效地解决工程中的电学问题,提高电学学科的研究水平和工程应用技术。
因此,本文旨在深入探讨电学高斯定理的概念、数学表达和应用,帮助读者更好地理解电场的特性,拓展电学知识,为电学领域的学习和研究提供有益的参考。
2.正文2.1 电学高斯定理的概念电学高斯定理,也称为高斯通量定理,是电学领域中的一个重要定理。
它描述了电场通过任意闭合曲面的总通量等于该曲面内的电荷总量的1/ε₀倍,其中ε₀为真空介电常数。
高斯定理
1.2.4
高斯定律的应用
高斯定律适用于任何情况,但仅具有一定对称
性的场才有解析解。 计算技巧:
a) 分析场分布的对称性,判断能否用高斯定律 求解。 b)选择适当的闭合面作为高斯面,使 中的 D 可作为常数提出积分号外。
32
S D dS
例
求电荷线密度为 的无限长均匀带电体的电场。
解:电场分布特点: D 线皆垂直于导线,呈辐射状态; 等 r 处D 值相等; 取长为L,半径为 r 的封闭圆柱面 为高斯面。
2
1-2 静电场中的导体
导体的定义:其内存在着能够自由运动的电荷的物质。 自由运动的电荷可以是自由电子或离子,金属是最常见 的导体。 当我们把导体放入外电场中,则外电场对导体内的自由 电荷将产生作用力,使它们沿着(或逆着)电场的方向 运动,导体表面会出现感应电荷。
Eex
17
根据电荷守恒原理,这两部分极化电荷的总和
P dV ' P e dS ' 0
V ' S ' n
在均匀极化的电介质内,极化电荷体密度
p 0
有电介质存在的场域中,任一点的电位及电场 强度表示为
) ( ) 1 ( f p f p ( r ) dV ' dS ' V ' S ' 4 r ' r r ' 0 r
27
D 线从正的自由电荷发出而终止于负的自由电荷。 在各向同性介质中
D E P E E 0 0 e 0
其中
( 1 ) E E E 0 e r 0
9.5 有电介质时的高斯定理
/
E
dS
q0内+q内
0
S
电
q0内
介 q内
质
S
E:总场强,
q0:自由电荷,
q:极化电荷
为什么?
极化电荷 q内 PdS ,代入移项得
S
(0E P) dS q0内
S
(0E P) dS q0内
S
定义(引入)电位移矢量:
D0E P
D 的高斯定理:
通过任意封闭曲面的电位移矢量的通量,等于该 封闭面所包围的自由电荷的代数和
解: D 的高斯定理
D4r 2 q
D
q
rˆ
4r 2
E
D
0 r
q
40 r r 2
rˆ
-+
q' +q
-+ +-
-+
R
+
-
+r
+-
+
-
P E
D
r
E
q
4 0 r r 2
E0
q
4 0r 2
为什么?
P 0( r 1)E
0(
r
1)
4
q
0
r
r
2
rˆ
(1
1
r
)
q
4 r
2
rˆ
-
q' +q
-+
+
+-
-
+
D
dS
D1S+D2S=0
S1
所以 D1=D2
即在两电介质内,电位移
D1和
D2
的量值相等。由于
用高斯定理求解有电介质时的电场强度
用高斯定理求解有电介质时的电场强度物理与电信工程学院 10级课程与教学论 张雅琪 2010021539在电介质中,由电场引起的极化电荷会激发附加电场,使原电场发生改变,反过来又会影响极化情况。
如此相互影响,最终达到平衡。
在直接计算空间场强时会遇到如下困难:要由电荷分布求场强E ,必须同时知道自由电荷及极化电荷的密度,而极化电荷密度取决于极化强度P 【VdS P S∆⎰⎰⋅-='ρ,ne P P ⋅-=)('12σ】,P 又取决于E (E P χε0=),这就似乎形成计算上的循环。
高斯定理通过列出有关E 、P 、'ρ、'σ的数量足够的方程,然后联立求解,同时引入一个新矢量场D 以消去'ρ和'σ,方便求解。
当空间有电介质时,只要把自由电荷和极化电荷同时考虑在内,可以得到有电介质的高斯定理⎰⎰=⋅SqdS D 0其中P E D +≡0ε.如图1所示,假设有一厚度为b 的无限大均匀介质平板中有体密度为0ρ的均匀分布自由电荷,平板的相对介电常数为r ε,两侧分别充满相对介电常数为1r ε和2r ε的均匀介质.要求板内外的电场强度E ,首先分析介质平板中激发电场的电荷分布,因介质板内有自由电荷0ρ,在自由电荷处对应的极化电荷密度为01'ρεερrr --= 总电荷体密度为rερρρρ00'=+=因此,平板中电荷为均匀分布.另外,在介质板两侧为不同的介质,由于21r r εε≠,故在两界面上的极化电荷面密度OMD 11r ε2r εD 2O ’M ’ b 1b 2 Sxb 图21r ε2r ε图121''σσ≠.在板内存在一个电场强度0=E 的平面'OO ,不妨称它为零电场面.此面的电位移矢量0=D ,如图2.以'OO 面为基面,向两侧作底面积为S ,垂直'OO 面伸出平板外的柱体,柱体的表面为高斯面,根据对称性,E 与D 的方向垂直介质板的表面,因此高斯面侧面的电通量为0.两个高斯面包围的自由电荷的电荷量分别为10Sb ρ和20Sb ρ.根据介质中高斯定理,求得介质板两侧的电位移矢量为n n e b D e b D 202101,ρρ==两侧的电场强度为n r n r e bE e b E 2020210101,εερεερ==单位矢n e 的方向为背向介质板表面,如图2所示,介质板两侧的电场的大小相等,即21E E =.因而2211r r b b εε=因21b b b +=,求得零电场面的位置21212111,r r r r r r bb b b εεεεεε+=+=用i 表示方向向右的单位矢,则板外两侧介质的电场为i b E r r )(2100εεερ+±=同理,以零电场面为基面在板内作底面积为S 、长为x 的高斯面,求得介质板内电位移矢量为xi D 0ρ=内板内的电场强度为i xE rεερ00=内 式中x 为板内场点的坐标.。
有电介质时的高斯定理
而 P 0 E (用于各向同性介质)
3
则 D 0 1 E (用于各向同性介质)
即由E和可求得D,而且D与E方向相同,大小成正比。
① 令比例系数 0 1 称为电介质的绝对
介电常数。
② 真空中的绝对介电常数 0
∵
P真空 0 而 P 0 E ,E不一定为0来自D ds q0S
4 r2 D q0
D
q0
4 r2
D
q0
4 r2
rˆ
P +-
E + 金属 +
P
r 介质ε
-+
+-
q0+
B
n
+-
R
+
S
由D E得:
E
q0
4 r2
rˆ
q0 0,E与rˆ同向,背离球心
q0
0,E与rˆ反向,指向球心
(2)在交界面上取一点B,过B点作界面的法线单
单位矢 nˆ(由介质指向金属),则
∴
真空 0 真空 0
③ 电介质的相对介电常数
④ 由此得
0
r
1
D
0
1
E
0r E
E
(对各向同性介质)
4
(3) D ds q0
S ①上式说明 D 对S面的通量等于S内的自由电荷量,
与 q 无关,但 D 本身与 q和 q0 均有关。
②如果 q0 0,则 D ds 0
S
说明 D 对S面的通量为0,但 D 不一定为0;S面内
§3.5 有电介质时的高斯定理
一 电介质中的场强
电介质在外电场中极化,电介质 中的电场是极化 电荷产生的附加电场 E和外电场 E0 的矢量和。
07--4、电介质中的电场高斯定理
解: (1)自由电荷所产生旳场强(在真空中)为
E0
σ0 ε0
9.0 106 8.85 1012
1.02 106 V/m
(2)
由
E
E0 εr
εσrε00
σ0 ε
可知电介质内的场强为
E
σ0 ε
9.0 106 3.5 1011
2.57 105
V/m
(3)极化电荷面密度为:
0
0
3.5 1011 8.85 1010 3.5 1011
有电介质时旳高斯定理得(注意导体中
D=0):
D dS S2
D dS
右底面
D1 A
A
与前面的式子相比较, 有D1 D2
+ +
S2
利用 D1 1E1 ,D2 2 E2 ,可求得:
E1
1
r1 0
,
E2
2
r 2 0
(2)正、负两极板间旳电势差为:
U
E1d1
E2d2
(d1 1
E1 E2
S D dS D S 0 S
D= 0
E1
D
1
0 0 r
E2
D
0
0 0
U
E1
d 2
E2
d 2
0d 2 0 r
0d 2 0
0d 0
r 1 2 r
3 5 U0
C1
Q1 U1
2 r 0 S
d
C2
Q2 U2
2 0 S
d
C1,C2串联:
C
C1C2 C1 C2
5 3 C0
由前面知:
例6、同轴电缆半径分别为R1和R2,其间充斥电介质 r1,,r2 ,
静电平衡条件电介质中的高斯定理
-q
H+
= +
H+
H2O
+q
2. 电介质在外电场中的极化现象
电结构特点: 分子中的正负电荷 束缚的很紧, 介质内部几乎没有 自由电荷.
电介质极化: 在外电场的作用下, 介质表面产生电荷的现象.
极化电荷或束缚电荷
1) 非极性分子的位移极化 无外电场时
±±±±± ±±±±± ±±±±±
在外电场作用下
- + - F+ -
的电荷密度与其邻近处场强的大 象, 称为尖端放电.
小成正比.
2) 静电平衡时, 导体表面曲率越
大, 面电荷密度越大, 电场也越强.
尖端放电演示
+ +
- - ++++++
+ +
+
静电吹烛
避雷针
10.1.3 空腔导体和静电屏蔽 1. 空腔导体 • 腔内没有电荷: 屏蔽外电场
E0 E'
0
• 腔内存在电荷: 间断内外电
同理, B板中一点b : Eb=0.
Eb
1 2 0
2 2 0
3 2 0
4 2 0
0
(4)
q1
q2 解: 设四板面密
度如图示.
1 2 3 4
E4 E3 E2
. E1
a
. b
由电荷守恒得:
1S 2S q1 (1)
联立(1) (2) (3) (4)解得:
1
4
q1 q2 2S
2
3
q1 q2 2S
q1
q2
A
B 3S 4S q2 (2)
高二物理竞赛课件-7.3静电场的高斯定理
§7-3 静电场的高斯定理
1
第七章 静止电荷的电场
7.1 物质的电结构 库仑定律
7.2 静电场 电场强度
7.3 静电场的高斯定理
7.4 静电场的环路定理 电势
7.5 电场强度与电势梯度的关系
7.6 静电场中的导体
7.7 电容器的电容
7.8 静电场中的电介质
7.9 有电介质时的高斯定理 电位移
高斯定理并未反映静电场是有心力这一特点。 实际上,不增加附加条件(如点电荷电场的方向沿径向或 具有球面对称性等条件)并不能从高斯定理推出库仑定律。
在静电场范围内,库仑定律比高斯定理包含更多的信息: 库仑定律将电场强度和电荷直接联系起来; 高斯定理将电场通量和某一区域内的电荷联系在一起。
17
高斯定理 讨论 (3)
因为高斯面外的电荷对在高斯面上产生的电通量没有贡献,但其对总场强有贡献。
q 其值等于dS2面内的电通量,
(2)通过包围点电荷q 的任意闭合面S的电通量都 =
4 r 高斯定理 讨论 (2)
2
直接运用高斯定理求出场强的情形,须有一定的对0 称性。
如
,则S 上各点E = 0 ?
解:柱面外一点对称性分析:任一点(P)的场强沿径向,距中心同远处场强相同。
电荷间的作用力有平方反比关系;
解:柱面内一点对称性分析:圆柱内任一点的场强沿径向。
电偶极子 如S上各点E=0,能否肯定此闭合面内一定没有包围净电荷?
(中线、延长线)
中垂线
2 0
1
x
x2
R2
1 E
r3
中垂线
2 0 r
19
例题 7-9
求均匀带正电球壳所激发的场强。(R, q)
07电介质的极化和介质中的高斯定理
Pn P cos 极化强度矢量在表面外法线方向上的分量
'为电介质表面极化电荷的面密度,
通常定义 en为介质外法线方向。
n
n
为极化强度矢量与外法线方向的夹角
在电介质的内部,极化强度与极化电荷之间有如 下关系: '
P dS q
S Sinside
在任一闭合曲面内极化电荷的负值等于极化强度的通量。
9
三、退极化场
电介质在外场中的性质相当于在 真空中有适当的束缚电荷体密度分布 在其内部。因此可用 ' 和 ' 的分布来 代替电介质对电场的影响。 在外电场 E0中,介质极化产生的束 缚电荷,在其周围无论介质内部还是外 部都产生附加电场 E ' ,称为退极化场。
+Q
–Q
' '
退极化场
极化电荷所产生的附加电场不足 以将介质中的外电场完全抵消,它只 能削弱外电场。 介质内部的总场强不为零!
在各向同性均匀电介质中: E
E'
E
E0
E0
r 称为相对
介电常数或 电容率。
2.电介质极化的微观机制 从电学性质看电介质的分子可分为两类:无极分子、 有极分子。 每个分子负电荷对外影响均可等效为 单独一个静止的负电荷 的作用。其大小为 分子中所有负电之和,这个等效负电荷的 作用位置称为分子的“负电作用中心”。
E0
外场越强,分子电矩的矢量和越大,极化也越厉害。
位移极化主要是由电子的移动造成的。
5
(2)有极分子电介质的极化 •在没有外电场时,有极分子正负电 荷中心不重合,分子存在固有电偶 极矩。但介质中的电偶极子排列杂 乱,宏观不显极性。 •有外场时电偶极子在外场作用下 发生转向,使电偶极矩方向趋近于 F 与外场一致所致。 由于分子的无规则热运动, 这种转向只能是部分的,遵守统 计规律。 在外电场中,在有极分子电介 质表面出现极化电荷,
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(5) 电位移的单位是“库仑 每平方米”,符号为:C/m2 , (这也就是电荷面密度的单位),其量纲是 I L -2T 。
例2、一金属球体,半径为R,带有电荷q0,埋在均匀“无限大” 的电介质中(介电常数为ε),求: (1)球外任意一点P的场 强;(2)与金属球接触处的电介质表面上的极化电荷。
解:由于电场具有球对称性,同时已知自由电荷的分布,所以 用有介质时的高斯定理来计算球外的场强是方便的。
(1
1
r
)
0
0
0
注意,上面得到的总电场 E 与真空中电场 E0 的关系式,
以及自由电荷面密度 σ0 与极化电荷面密度 σ’ 的关系式,并
非普适关系式,仅在均匀各向同性介质充满电场存在的空间
时才成立。
例1、平行板电容器的两极板上分别带有等值异号的电荷,面密 度为 9.0×10 –6 C/m2,在两极板间充满介电常数 3.5×10 –11 C2/ (Nm2)的电介质,求(1)自由电荷产生的场强;(2)电介 质内的场强;(3)电介质表面上的极化电荷的面密度;(4) 极化电荷所产生的场强。
0A r
q0
r
ε=ε0εr
定义电介质的介电常数与电场强度的乘积为电位移矢量,
即:
D
E时则的得高到斯有定介理质:
S
D
ds
q0(内)
(1) 我们是从平行板电容器这个特例推出有电介质的高斯
几 定理的,但它是普遍适用的,是静电场的基本规律之一;
点 (2) 电位移矢量 D 是一个辅助物理量,真正有物理意义
空
中
的
高
斯
定
理于
高
斯
面S
得
1
:
S1
E
dS
1
0
( A
1
A
2
)
E1
E2 S1
E dS
右底面
E dS
左底面
E1 A
E2 A
A
A
r1 0
r 2 0
所以
A
r1 0
A
r 2 0
1(A 0
1
A
(d1
1
d2
2
)
q S是极板上的电荷,所以电容为:
C q S 1 d1 d2
U d1 d2
c 1S 2S
1 2
(3)设电介质各个面上的极化电荷面密度分
别为 -σ 1 ’ ,+ σ 1’ ,- σ 2’ 和+σ2’(如图)
- σ 2’
-σ1’
+σ2’
+σ1’
与极板平行,面积均为 A ,上底面在正极板内,下底面在电介
质内。
这样,闭合曲面 S 内的自由电荷 q 0= σ0A ,而极化电荷
q’= -σ’A ,高斯定理写为:
代入S前E面已 d得s到的,1自0 (由电0荷A与极化电A荷) 面密度间的关系
式,有:
0A
代入高斯定理有:
A
D1 A
A
与前面的式子相比较,有D1 D2
+ +
S2
利用 D1 1E1 ,D2 2 E2 ,可求得:
E1
1
r1 0
,
E2
2
r 2 0
(2)正、负两极板间的电势差为:
U
E1d1
E2d2
(d1 1
d2 )
2
q S
无数实验证明:电场能量是定域在电场中的,哪里有电 场那里就有能量,无论这电场是稳恒不变的还是交变的。
能量是物质的固有属性(能量与物质相联系),电场具 有能量,说明电场是一种物质。
电场是一种特殊的物质。
例1、球形电容器的内、外球面半径各为 RA 和 RB,两球间充满 介电常数为ε的均匀电介质,当内、外球面各带有电荷+q 及-q 时,求电容器的总能量。
应用真空中的高斯定理于高斯面 S2 得:
E dS
S2
1 ( A 0
A
1
)
A
E dS S2
E dS
右底面
E1 A
r1 0
所 以 :A r1 0
1(A 0
A
1
)
可
得
:
1
(1
1 ) r1
D1
D2
应用
真
然后将开关拨向2 ,发现灯泡会
发光,说明带电的电容器中有能量。
1
2
设充电过程中某一时刻,极板带
电q,电势差为 uA-uB ,有 dq 的
dq
E
正电荷从负极板移到正极板,
外力所作的功为 dW =( uA – uB ) dq
dW dqU dq q 1 qdq cc
由于( uA – uB ) = q / C ,电容器在电荷从零增加至Q 的过程 中,外力所作的功,即电容器储存的能量为:
由此得: q
(1
1
r
)q0
例3、如图所示,平行板电容器两极板之间有两层电介质,电 介质表面与极板平行,介电常数分别为ε1 和ε2 ,厚度分别为 d1 和 d2 ,电容器两极板的面积为S,两极板上自由电荷面密度为 ±σ。求:
(1)两层电介质内的电位移和场强;
(2)电容器的电容;
(3)两层电介质表面的极化电荷面密度。 解:(1)设这两层电介质中的场强分别为 E1 和 E2 ,电位移分别为 D1 和 D2 ,在电介 质中作一扁盒形高斯面S1 ,其两底面与电 介质表面平行,在此高斯面内的自由电荷
1 S (Ed )2
2d
1 E 2 Sd
2
Sd 是电容器的体积,所以,有电场的空间中,单位体积 内的能量为(称为电场能量密度):
we
1 E 2
2
1 2
DE
一般情况下,有电场的空间V 中的总电场能为:
电容器的能量有两个表达式,能量是属于电荷还是属于 电场?由电磁场的传播可知这些能量是属于电场的。
分界处半径为R。 求:单位长度电缆的电容
解:设内外电缆线密度 ,在介质中做底面半径为r 长为l 的
圆柱面,有
r1
R R1 R2
r2
§7-5 电场的能量
一、带电电容器的能量
如图:书P188 图7-25 的电路,先将开关拨向1 ,使电容器
充有电量 Q ,两极间的电势差为 UA - UB
§7-4 电介质中的电场 有电介质时的高斯定理 电位移
一、电介质中的电场
附电加介电质场中之的和电(矢场量等和于)自:由电E荷产生E的0 电E场与极化电荷产生的
下面我们以平行板电容器为例求电介质中的场强:
设电容器带有电量q 0 ,其间无电介质 +σ0 -σ’ +σ’ -σ 0
时,两板间电势差为U 0,电容值为C 0; 当充满相对介电常数为εr 的电介质时, 电势差为U,电容值为C 。
极板上的自由电荷面密度为σ0 ,
相邻介质表面的极化电荷面密
++ + --
+ +σ0 - -σ’
度为 -σ’,
根据真空中的高斯定理,在
电场中任作一闭合曲面 S,通 过该闭合曲面的电通量为:
+
+
+
--
-
-
E
ds
1
S
0
q(内)
其中q(内)是曲面内所有电 荷的代数和。
为方便计,我们取如图的长方形闭合曲面 S ,其上、下底面
+ + D1
+ + E1 +
+
D2
- -
- E2 -
- S1 -
为零,由有电介质时的高斯定理得:
D dS D dS D dS D dS 0
S1
左底面
右底面
侧底面
因 侧 面 法 线nD,即dSD, 故
D
dS
说
的是电场强度矢量 E,引入 D 的好处是在高斯定理的表 达式中,不出现很难求解的极化电荷;
明:
(3)
与电力线的概念一样,我们可以引入电位移线来描述
D 矢量场,同时计算通过任意曲面的电位移通量,不过要
注意,D 线与 E 线是不同的;
(4) 引入电位移通量后,有介质时的高斯定理可以表述为: “在任意电场中,通过任意一个闭合曲面的电位移通量 等于该面所包围的自由电荷的代数和”。
0,
侧面
上式化为(其中A为扁盒形高斯面的底面积):
S1
D
dS
D
左底面
dS
D
右底面
dS
D1 A
D2 A
0
即D1 D2 两种电介质内的电位移相等。
由于:D1 1E1 D2 2 E2 所以:E 1 2 r 2 0 r 2
E dS
1
S
0
q
1
0
(q0
q)
由第一问的结论有: SE dS SEdS
- -+ + +- --++q-q+0’-++--