材料合成与制备方法(金属篇) 复习总结

材料合成与制备方法（金属篇）

第一章单晶材料的制备

1.单晶体经常表现出电、磁、光、热等方面的优异性能，广泛用于现在工业的诸多领域。

2.固—固生长法即是结晶生长法。其主要优点是，能在较低的温度下生长；生长晶体的形状是预先固定的。缺点是难以控制成核以形成大晶粒。

3.结晶通常是放热过程的证明：对任何过程有△G=△H-T△S,在平衡态时△G=0，即

△H=T△S。这里△H是热焓的变化，△S是熵变，T是绝对温度。由于在晶体生长过程中，产物的有序度要比反应物的有序度要高，所以△S<0，△H<0，故结晶通常是放热过程。

4.应变是自发过程，而退火是非自发过程的证明：对于未应变到应变过程，有△E1-2=W-q,这里W是应变给予材料的功，q是释放的热，且W>q。△H1-2=△E1-2+△（pv），由于△（pv）很小，近似得△H1-2=△E1-2。而△G1-2=△H1-2-T△S=W-q-T△S，在低温下T△S可忽略，故△G1-2=W-q>0。因此使结晶产生应变不是一个自发过程，而退火是自发过程。（在退火过程中提高温度只是为了提高速度）

5.再结晶驱动力：经过=塑性变形后，材料承受了大量的应变，因而储存大量的应变能。在产生应变时，发生的自由能变化近似等于做功减去释放的热量。该热量通常就是应变退火再结晶的主要推动力。应变退火再结晶推动力可以由下式给出：△=W-q+G S+△G0。这里W是产生应变或加工时所做的功，q是作为热而释放的能量，G S是晶粒的表面自由能，△G0是试样中不同晶粒取向之间的自由能差。

6.晶粒长大的过程是：形核—焊接—并吞。其推动力是储存在晶粒间界的过剩自由能的减少，因此晶界间的运动起着缩短晶界的作用，晶界能可以看做晶界之间的一种界面张力，而晶粒的并吞使这种张力减小。

7.若有一个晶粒很细微的强烈的织构包含着几个取向稍微不同的较大的晶体，则有利于二次再结晶。再结晶的驱动力是由应变消除的大小差异和欲生长晶体的取向差异共同提供的。

8.在应变退火中，通常在一系列试样上改变应变量，以便找到退火期间引起一个或多个晶粒生长所必须的最佳应变量或临界应变。一般而言，1%~10%的应变足够满足要求，相应的临界应变控制精度不高于0.25%.

9.均匀形核：形成临界晶核时，液、固相之间的自由能差能供给所需要的表面能的三分之二，另三分之一则需由液体中的能量起伏提供。△G*=1/3A**σ。

10.非均匀形核：为了有效降低形核位垒加速形核，通常引进促进剂。在存有形核促进剂的亚稳系统，系统空间各点形核的概率也不均等，在促进剂上将优先形核，这也是所谓的非均匀形核。

（1）平衬底球冠核的形成及形核率：可以看出f（m）的大小完全取决于衬底，流体与晶体间的界面能的大小，或者说决定于三相间的接触角θ。主要有以下规律：①θ=0，f（m）=0，△G*=0，表明不需要形核，在衬底上流体可以立即变为晶体②θ=180，f（m）=1，此时衬底上非均匀形核的形成能与均匀形核的形成能完全相等。

由此可知，在生长系统中具有不同接触角的衬底在形核过程中所起的作用不同，可根据实际需要来选择衬底。

平衬底上有表面凹陷的影响：在衬底上形成胚团时，将一部分衬底与流体的界面转变为衬底与流晶体的界面。衬底上的表面凹陷能有效增加晶体与衬底间的界面面积，因此能有效地降低胚团的形成能，使得胚团在过热条件下或不饱和条件下得到稳定。

11.Walff定理：在恒温恒压下，一定体积的晶体（体自由能恒定的晶体）处于平衡态时，其总界面自由能为最小，也就是说，趋于平衡态时，晶体将调整自己的形状以使本身的总界面能降至最小。

液体总界面能最小就是其界面面积最小，故液体的平衡形状只能是球状，而对于晶体，其所显露的面尽可能是界面能较低的晶面。

12.等温面（直拉法生长）：在某确定的时刻，炉膛内全部空间中，每一点都有确定的温度，而不同的点上温度可能不同，这种温度的空间分布称为温场。若炉内的温场不随时间而变化，这样的温场称为稳态温场，若将温场中温度相同的空间各点联结起来，就形成了一个空间曲面，称为等温面。

13.控制晶粒直径（直拉生长法）：(1)控制加热功率（2）调节热损耗Q S（3）利用帕耳帖效应：利用气流控制晶体的直径的帕耳帖效应是热电偶的温差电效应相反的效应（4）控制提拉速率：在加热功率和热损耗不变的条件下，拉速越快则直径越小。

14.晶体旋转对直径的影响（直拉生长法）：晶体旋转能搅拌熔体，有利于熔体中溶质混合均匀，同时增加了熔体中温场相对于晶体的对称性，即使在不对称的温场中也能生出几何形状对称的晶体，晶体旋转还改变熔体中的温场，因而可以通过晶体旋转来控制固—液界面的形状。

15.定向凝固法生长晶体的基本思想：B—S方法的构思是在一个温度梯度场内生长结晶，在单一固-液界面上成核。待结晶的材料通常放在一个圆柱形的干国内，使坩埚下降通过一个温度梯度，或使加热器沿坩埚上升。加热炉一般设计为近似线性温度梯度结构，即炉内有一段温度梯度。

16.定向凝固法还常用于生长低熔点的非金属。为了制备优质的CaF2，需防止CaO生成，

所以原料要干燥，为了避免表面氧化，通常使用HF处理CaCl2，反应式为：

CaCl2+2HF--CaF2+2HCl

17.单晶高温合金一般采用定向凝固制备，有两种方法：一种为选晶法（自生籽晶法），另一种为籽晶法。原理是具有狭窄截面的选晶器只允许一个晶粒长出它的顶部，然后这个晶体长满整个铸型腔，从而得到整体只有一个晶粒的单晶部件。

18.用提拉法生长晶体的一般原则：提拉法的要求之一就是平衡提拉速度和加热条件，从而实现正常生长，在籽晶体附近沿坩埚相似的热梯度和垂直于生长界面的热梯度在确定晶体的形状和完整性方面是有重要意义的。为了保证均匀的外延生长，对于蒸汽压低的气体，可以用He、Ar、H2、N2等保护气氛。提拉时，还要设计适当的冷却速度，避免冷却太快而引起晶体应变。

19.气相生长的方法和原理：（1）升华法：是将固体在高温区升华，蒸汽在温度梯度的作用下向低温区运输结晶的一种生长晶体的方法。（2）蒸汽运输法：是在一定的环境（如真空）下，利用运载气体生长晶体的方法，通常用卤族元素来帮助源的挥发和原料的运输，可以促进晶体的生长。（3）气相反应法：是利用气体之间的直接混合反应生成晶体的方法。

第二章非晶态材料的制备

1.非晶态的概念：一般认为，组成物质的原子、分子的空间排列不呈周期性和平移对称性，晶态的长程有序收到破坏，只有由于原子间的相互关联作用，使其在小于几个原子间距的小区间内仍然保持形貌和组分的某些特征而具有短程有序，这样一类物质状态统称为非晶态。

2.非晶态的特性：（1）只存在于小区间内短程有序，在近邻和次近邻原子间的键合具有一定的规律性，而没有任何长程有序。（2）它的衍射花样是由较宽的晕和弥散的环组成，没有表征晶态的任何斑点和条纹，用电镜看不到晶粒、晶界、晶格缺陷等形成的衍射反差。（3）当温度连续升高时，在某个很窄的温区内，会明显发生结构相变，是一种亚稳态的结构。

3.非晶固体的形成条件：（1）晶核形成的热力学势垒要大，液体中不存在成核杂质（2）结晶的动力学势垒要大，物质在T m或液相温度处的年度要大（3）在粘度与温度关系相似的条件下，T m或液相温度要低（4）原子要实现较大的重新分配，达到共晶点附近的组成。

4.化学键特性是决定物质结构的最主要因素之一。化学键表示原子间的作用力。化学键