贴片电容材质NP0、X7R、Y5V、Z5U图解及分析
贴片电容COGNPOX7RY5VX5R介质区别cog与x7r
贴片电容COG、NPO 、X7R、Ｙ5V、X5R介质区别在我们选择无极性电容式,不知道大家就是否有注意到电容的X5R,X7Ｒ,Y5V,ＣＯＧ等等瞧上去很奇怪的参数,有些摸不着头脑,本人特意为此查阅了相关的文献,现在翻译出来奉献给大家。
这个就是按美国电工协会(EIＡ)标准,不同介质材料的MLＣC按温度稳定性分成三类:超稳定级(工类)的介质材料为CＯG或NPＯ;稳定级(II类)的介质材料为Ｘ7R;能用级(Ⅲ)的介质材料Y５Ｖ。
这类参数描述了电容采用的电介质材料类别,温度特性以及误差等参数,不同的值也对应着一定的电容容量的范围。
具体来说,就就是:X7R常用于容量为330０ｐF～0.３3uF的电容,这类电容适用于滤波,耦合等场合,电介质常数比较大,当温度从0°Ｃ变化为70°C时,电容容量的变化为±15%;Y５P与Y５V常用于容量为1５0pＦ~2nF的电容,温度范围比较宽,随着温度变化,电容容量变化范围为±１0%或者+22%／-8２%。
对于其她的编码与温度特性的关系,大家可以参考表４-1。
例如,X5R的意思就就是该电容的正常工作温度为－５5°C～+8５°C,对应的电容容量变化为±1５％。
下面我们仅就常用的ＮＰＯ、X7R、Ｚ5U与Ｙ5V来介绍一下它们的性能与应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的就是AVX公司的命名方法,其她公司的产品请参照该公司的产品手册。
ＮＰO、Ｘ７R、Z５U与Y５V的主要区别就是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一、 NPO电容器NPO就是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
贴片电容COG、NPO、X7R、Y5V、X5R介质区别
贴片电容COG、NPO 、X7R、Y5V、X5R介质区别在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的X5R，X7R，Y5V，COG等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。
这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。
具体来说，就是：X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%；Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。
对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。
例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一、 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
贴片电容COG、NPO、X7R、Y5V、X5R介质区别-cog与x7r
贴片电容COG、NPO 、X7R、Y5V、X5R介质区别之邯郸勺丸创作在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的X5R，X7R，Y5V，COG等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，自己特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。
这个是按美国电工协会（EIA）尺度，分歧介质资料的MLCC 按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质资料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质资料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质资料Y5V。
这类参数描述了电容采取的电介质资料类别，温度特性以及误差等参数，分歧的值也对应着一定的电容容量的范围。
具体来说，就是：X7R经常使用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变更为70°C时，电容容量的变更为±15%；Y5P与Y5V经常使用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变更，电容容量变更范围为±10%或者+22%/-82%。
对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。
例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变更为±15%。
下面我们仅就经常使用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及推销中应注意的订货事项以引起大家的注意。
分歧的公司对于上述分歧性能的电容器可能有分歧的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质分歧。
在相同的体积下由于填充介质分歧所组成的电容器的容量就分歧，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就分歧。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用分歧来选用分歧的电容器。
一、NPO电容器NPO是一种最经常使用的具有温度抵偿特性的单片陶瓷电容器。
贴片电容COG、NPO、X7R、Y5V、X5R介质区别-cog与x7r
贴片电容COG.NPO .X7R.Y5V.X5R介质差别在我们选择无极性电容式,不知道大家是否有留意到电容的X5R,X7R,Y5V,COG等等看上去很奇异的参数,有些摸不着脑筋,本身特意为此查阅了相干的文献,如今翻译出来奉献给大家.这个是按美国电工协会（EIA）尺度,不合介质材料的MLCC按温度稳固性分成三类：超稳固级（工类）的介质材料为COG或NPO;稳固级（II类）的介质材料为X7R;能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V.这类参数描写了电容采取的电介质材料类别,温度特征以及误差等参数,不合的值也对应着必定的电容容量的规模.具体来说,就是：X7R经常运用于容量为3300pF~0.33uF的电容,这类电容实用于滤波,耦合等场合,电介质常数比较大,当温度从0°C变更为70°C时,电容容量的变更为±15%;Y5P与Y5V经常运用于容量为150pF~2nF的电容,温度规模比较宽,跟着温度变更,电容容量变更规模为±10%或者+22%/-82%.对于其他的编码与温度特征的关系,大家可以参考表4-1.例如,X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C,对应的电容容量变更为±15%.下面我们仅就经常运用的NPO.X7R.Z5U和Y5V来介绍一下它们的机能和运用以及倾销中应留意的订货事项以引起大家的留意.不合的公司对于上述不合机能的电容器可能有不合的定名办法,这里我们引用的是AVX公司的定名办法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册.NPO.X7R.Z5U和Y5V的重要差别是它们的填充介质不合.在雷同的体积下因为填充介质不合所构成的电容器的容量就不合,随之带来的电容器的介质损耗.容量稳固性等也就不合.所以在运用电容器时应依据电容器在电路中感化不合来选用不合的电容器.一.NPO电容器NPO是一种最经常运用的具有温度抵偿特征的单片陶瓷电容器.它的填充介质是由铷.钐和一些其它罕见氧化物构成的.NPO电容器是电容量和介质损耗最稳固的电容器之一.在温度从-55℃到+125℃时容量变更为0±30ppm/℃,电容量随频率的变更小于±0.3ΔC.NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以疏忽不计的.其典范的容量相对运用寿命的变更小于±0.1%.NPO电容器随封装情势不合其电容量和介质损耗随频率变更的特征也不合,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特征好.下表给出了NPO电容器可拔取的容量规模.NPO电容器合实用于振荡器.谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容.平日COG和NPO指的是I 类电介质,温度特征-2-55℃~125℃容量变更率30ppm以内,如今C特征都用COG来暗示,不必NP0暗示了.二.X7R电容器X7R电容器被称为温度稳固型的陶瓷电容器.当温度在-55℃到+125℃时其容量变更为15%,须要留意的是此时电容器容量变更长短线性的.X7R电容器的容量在不合的电压和频率前提下是不合的,它也随时光的变更而变更,大约每10年变更1%ΔC,表示为10年变更了约5%.X7R电容器重要运用于请求不高的工业运用,并且当电压变更时其容量变更是可以接收的前提下.它的重要特色是在雷同的体积下电容量可以做的比较大.下表给出了X7R电容器可拔取的容量规模.三.Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器.这里起首须要斟酌的是运用温度规模,对于Z5U电容器重要的是它的小尺寸和低成本.对于上述三种陶瓷单片电容起来说在雷同的体积下Z5U电容器有最大的电容量.但它的电容量受情况和工作前提影响较大,它的老化率最大可达每10年降低5%.尽管它的容量不稳固,因为它具有小体积.等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低.优越的频率响应,使其具有普遍的运用规模.尤其是在退耦电路的运用中.下表给出了Z5U电容器的取值规模.Z5U电容器的其他技巧指标如下:工作温度规模+10℃ ---+85℃ 温度特征 +22% ---- -56% 介质损耗最大 4%四.Y5V电容器Y5V电容器是一种有必定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃规模内其容量变更可达+22%到-82%.Y5V的高介电常数许可在较小的物理尺寸下制作出高达4.7μF电容器.Y5V电容器的取值规模如下表所示Y5V电容器的其他技巧指标如下:工作温度规模 -30℃ --- +85℃ 温度特征 +22% ---- -82% 介质损耗最大 5%贴片电容器定名办法可到AVX网站上找到.五 .NPO,X7R及Y5V电容的特征及重要用处NPO的特征及重要用处属1类陶瓷介质,电气机能稳固,根本上不随时光.温度.电压变更,实用于高靠得住.高稳固的高额.特高频场合.特征：电容规模：1pF～0.1uF (1±0.2V rms 1MHz)情况温度： -55℃～+125℃ 组别：CG温度特征：0±30ppm/℃损耗角正切值： 15x10-4绝缘电阻：≥10GΩ抗电强度：2.5倍额定电压 5秒浪涌电流：≤50毫安X7R的特征及重要用处属2类陶瓷介质,电气机能较稳固,随时光.温度.电压的变更,其特征变更不显著,实用于请求较高的耦合.旁路.源波电路以及10兆周以下的频率场合.特征：电容规模 300pF～3.3uF (1.0±0.2V rms 1KHz)情况温度：-55℃～+125℃ 组别：2X1温度特征：±15%% max50Volts: 2.5% max25Volts: 3.0% max16Volts: 3.5% max10Volts: 5.0% max绝缘电阻：≥4GΩ或≥100S/C (单位：MΩ)抗电强度：5秒浪涌电流：≤50毫安Y5V的特征及重要用处属 2类陶瓷介质,具有很高的介电系数,能较轻易做到小体积,大容量,其容量随温度变更比较显著,但成本较低.普遍运用于对容量,损耗请求不高的场合.特征：电容规模 1000pF～22uF (0.3V 1KHz)情况温度：-30℃～+85℃温度特征：±22%～-82%损耗角正切值：50Volts: 3.5%25Volts: 5.0%16Volts: 7.0%绝缘电阻：≥4GΩ或≥100S/C (单位：MΩ)抗电强度：2.5倍额定电压 5秒浪涌电流：≤50毫安。
贴片电容COG、NPO、X7R、Y5V、X5R介质区别
贴片电容COG、NPO 、X7R、Y5V、X5R介质区别在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的X5R，X7R，Y5V，COG等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。
这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。
具体来说，就是：X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°Ｃ变化为70°Ｃ时，电容容量的变化为±15%；Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。
对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。
例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一、NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
贴片电容COG,X7R,Y5V,X5R,NPO介质区别
贴片电容COG,X7R,Y5V,X5R,NPO介质区别这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减的，不同材质的频率特性也是不同的。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容，NPO（C0G）由于有温度补偿特性，精度能做到5%，但是不能做到太高的容值。
COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。
这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD的主要连接方式。
详细解解读贴片电容：NP0、C0G、X7R、X5R、Y5V、Z5U的区别
详细解解读贴片电容：NP0、C0G、X7R、X5R、Y5V、Z5U的区别NP0、C0G、X7R、X5R、Y5V、Z5U的区别主要是介质材料不同。
不同介质种类由于它的主要极化类型不一样，其对电场变化的响应速度和极化率亦不一样。
在相同的体积下的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
介质材料划按容量的温度稳定性可以分为两类，即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器，NPO属于Ⅰ类陶瓷，而其他的X7R、X5R、Y5V、Z5U等都属于Ⅱ类陶瓷。
什么是Ⅰ类陶瓷，有什么特点？Ⅰ类陶瓷电容器（ClassⅠce ram ic capacitor），过去称高频陶瓷电容器（High-frequency ceramic capacitor），介质采用非铁电（顺电）配方，以Ti O2为主要成分（介电常数小于150），因此具有最稳定的性能；或者通过添加少量其他（铁电体）氧化物，如CaTiO3 或SrTiO3，构成“扩展型”温度补偿陶瓷，则可表现出近似线性的温度系数，介电常数增加至500。
这两种介质损耗小、绝缘电阻高、温度特性好。
特别适用于振荡器、谐振回路、高频电路中的耦合电容，以及其他要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿。
Ⅰ类陶瓷的温度特性怎么表示Ⅰ类陶瓷的温度容量特性（TCC）非常小，单位往往在ppm/℃，容量较基准值的变化往往远小于1皮法。
美国电子工业协会（EIA）标准采用“字母+数字+字母”这种代码形式来表示Ⅰ类陶瓷温度系数。
比如常见的C0G。
C0G代表的温度系数究竟是多少？C 表示电容温度系数的有效数字为0 ppm/℃0 表示有效数字的倍乘因数为 -1（即10的0次方）G 表示随温度变化的容差为±30ppm计算下来，C0G电容最终的TCC为：0×（-1）ppm/℃±30ppm/℃。
而相应的其他Ⅰ类陶瓷的温度系数，例如U2J电容，计算下来则为：-750 ppm/℃±120 ppm/℃。
贴片电容的介质分类(按温度稳定性)COG_X7R_Y5V_X5R_NPO
贴片电容COG,X7R,Y5V,X5R,NPO介质区别这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减的，不同材质的频率特性也是不同的。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。
这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD 的主要连接方式。
NPO与X7R等电容的区别
NPO与X7R、X5R、Y5V、Z5U神马的有啥区别？(2012-06-05 14:05:54)转载▼分类：电路基础标签：杂谈主要是介质材料不同。
不同介质种类由于它的主要极化类型不一样，其对电场变化的响应速度和极化率亦不一样。
在相同的体积下的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
介质材料划按容量的温度稳定性可以分为两类，即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器， NPO属于Ⅰ类陶瓷，而其他的X7R、X5R、Y5V、Z5U等都属于Ⅱ类陶瓷。
什么是Ⅰ类陶瓷，有什么特点？Ⅰ类陶瓷电容器（ClassⅠceramic capacitor），过去称高频陶瓷电容器（High-frequency ceramic capacitor），介质采用非铁电（顺电）配方，以TiO2为主要成分（介电常数小于150），因此具有最稳定的性能；或者通过添加少量其他（铁电体）氧化物，如CaTiO3 或SrTiO3，构成“扩展型”温度补偿陶瓷，则可表现出近似线性的温度系数，介电常数增加至500。
这两种介质损耗小、绝缘电阻高、温度特性好。
特别适用于振荡器、谐振回路、高频电路中的耦合电容，以及其他要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿。
Ⅰ类陶瓷的温度特性怎么表示Ⅰ类陶瓷的温度容量特性（TCC）非常小，单位往往在ppm/℃，容量较基准值的变化往往远小于1皮法。
美国电子工业协会（EIA）标准采用“字母+数字+字母” 这种代码形式来表示Ⅰ类陶瓷温度系数。
比如常见的C0G。
C0G代表的温度系数究竟是多少？C 表示电容温度系数的有效数字为0 ppm/℃0 表示有效数字的倍乘因数为-1（即10的0次方）G 表示随温度变化的容差为±30ppm计算下来，C0G电容最终的TCC为：0×（-1）ppm/℃±30ppm/℃。
而相应的其他Ⅰ类陶瓷的温度系数，例如U2J电容，计算下来则为：-750 ppm/℃±120 ppm/℃。
贴片电容COGNPOX7RY5VX5R介质区别
贴片电容COG、NPO 、X7R、Y5V、X5R介质区别在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的X5R，X7R，Y5V，COG等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。
这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。
具体来说，就是：X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%；Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。
对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。
例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，word 编辑版．其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一、NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
贴片电容C0G、NPO_、X7R、Y5V、X5R介质区别
贴片电容C0G、NPO 、X7R、Y5V、X5R介质区别在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的X5R，X7R，Y5V，C0G等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。
这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。
具体来说，就是：X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%；Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。
对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。
例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
贴片电容分类
1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF
Z5U电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围 +10℃ --- +85℃
温度特性 +22% ---- -56%
单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照00pF---0.1μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF
三 Z5U电容器
Z5U 电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。
1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF
1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF
Y5V电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围 -30℃ --- +85℃
温度特性 +22% ---- -82%
贴片电容COG、NPO、X7R、Y5V、X5R介质区别
贴片电容COG、NPO 、X7R、Y5V、X5R介质区别在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的X5R，X7R，Y5V，COG等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。
这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。
具体来说，就是：X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%；Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。
对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。
例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一、 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO与X7R、X5R区别
NPO与X7R、X5R、Y5V、Z5U神马的有啥区别主要是介质材料不同。
不同介质种类由于它的主要极化类型不一样，其对电场变化的响应速度和极化率亦不一样。
在相同的体积下的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
介质材料划按容量的温度稳定性可以分为两类，即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器， NPO属于Ⅰ类陶瓷，而其他的X7R、X5R、Y5V、Z5U等都属于Ⅱ类陶瓷。
什么是Ⅰ类陶瓷，有什么特点？Ⅰ类陶瓷电容器（ClassⅠceramic capacitor），过去称高频陶瓷电容器（High-frequency ceramic capacitor），介质采用非铁电（顺电）配方，以TiO2为主要成分（介电常数小于150），因此具有最稳定的性能；或者通过添加少量其他（铁电体）氧化物，如CaTiO3 或SrTiO3，构成“扩展型”温度补偿陶瓷，则可表现出近似线性的温度系数，介电常数增加至500。
这两种介质损耗小、绝缘电阻高、温度特性好。
特别适用于振荡器、谐振回路、高频电路中的耦合电容，以及其他要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿。
Ⅰ类陶瓷的温度特性怎么表示Ⅰ类陶瓷的温度容量特性（TCC）非常小，单位往往在ppm/℃，容量较基准值的变化往往远小于1皮法。
美国电子工业协会（EIA）标准采用“字母+数字+字母”这种代码形式来表示Ⅰ类陶瓷温度系数。
比如常见的C0G。
C0G代表的温度系数究竟是多少？C 表示电容温度系数的有效数字为0 ppm/℃0 表示有效数字的倍乘因数为-1（即10的0次方）G 表示随温度变化的容差为±30ppm计算下来，C0G电容最终的TCC为：0×（-1）ppm/℃±30ppm/℃。
而相应的其他Ⅰ类陶瓷的温度系数，例如U2J电容，计算下来则为：-750 ppm/℃±120 ppm/℃。
NPO和C0G是同一种电容吗？NPO是美国军用标准（MIL）中的说法，其实应该是NP0（零），但一般大家习惯写成NPO（欧）。
贴片陶瓷电容器材质NP0 X7R Y5V Z5U分析
陶瓷电容器NPO与X7R、X5R、Y5V、Z5U等有什么区别？主要是介质材料不同。
不同介质种类由于它的主要极化类型不一样，其对电场变化的响应速度和极化率亦不一样。
在相同的体积下的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
介质材料划按容量的温度稳定性可以分为两类，即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器，NPO属于Ⅰ类陶瓷，而其他的X7R、X5R、Y5V、Z5U等都属于Ⅱ类陶瓷。
什么是Ⅰ类陶瓷，有什么特点？Ⅰ类陶瓷电容器（ClassⅠceramic capacitor），过去称高频陶瓷电容器（High-frequency ceramic capacitor），介质采用非铁电（顺电）配方，以TiO2为主要成分（介电常数小于150），因此具有最稳定的性能；或者通过添加少量其他（铁电体）氧化物，如CaTiO3 或SrTiO3，构成“扩展型”温度补偿陶瓷，则可表现出近似线性的温度系数，介电常数增加至500。
这两种介质损耗小、绝缘电阻高、温度特性好。
特别适用于振荡器、谐振回路、高频电路中的耦合电容，以及其他要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿。
Ⅰ类陶瓷的温度特性怎么表示Ⅰ类陶瓷的温度容量特性（TCC）非常小，单位往往在ppm/℃，容量较基准值的变化往往远小于1皮法。
美国电子工业协会（EIA）标准采用“字母+数字+字母”这种代码形式来表示Ⅰ类陶瓷温度系数。
比如常见的C0G。
C0G代表的温度系数究竟是多少？C 表示电容温度系数的有效数字为 0 ppm/℃0 表示有效数字的倍乘因数为 -1（即10的0次方）G 表示随温度变化的容差为±30ppm计算下来，C0G电容最终的TCC为：0×（-1）ppm/℃±30ppm/℃。
而相应的其他Ⅰ类陶瓷的温度系数，例如U2J电容，计算下来则为：-750 ppm/℃±120 ppm/℃。
NPO和C0G是同一种电容吗？NPO是美国军用标准（MIL）中的说法，其实应该是NP0（零），但一般大家习惯写成NPO（欧）。
贴片电容COG、NPO、X7R、Y5V、X5R介质区别-cog与x7r
贴片电容COG、NPO 、X7R、Y5V、X5R介质区别之樊仲川亿创作在我们选择无极性电容式, 不知道年夜家是否有注意到电容的X5R, X7R, Y5V, COG等等看上去很奇怪的参数, 有些摸不着头脑, 自己特意为此查阅了相关的文献, 现在翻译出来奉献给年夜家.这个是按美国电工协会（EIA）标准, 分歧介质资料的MLCC 按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质资料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质资料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质资料Y5V.这类参数描述了电容采纳的电介质资料类别, 温度特性以及误差等参数, 分歧的值也对应着一定的电容容量的范围.具体来说, 就是：X7R经常使用于容量为3300pF~0.33uF的电容, 这类电容适用于滤波, 耦合等场所, 电介质常数比力年夜, 当温度从0°C 变动为70°C时, 电容容量的变动为±15%；Y5P与Y5V经常使用于容量为150pF~2nF的电容, 温度范围比力宽, 随着温度变动, 电容容量变动范围为±10%或者+22%/-82%.对其他的编码与温度特性的关系, 年夜家可以参考表4-1.例如, X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C, 对应的电容容量变动为±15%.下面我们仅就经常使用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及推销中应注意的定货事项以引起年夜家的注意.分歧的公司对上述分歧性能的电容器可能有分歧的命名方法, 这里我们引用的是AVX公司的命名方法, 其他公司的产物请参照该公司的产物手册.NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质分歧.在相同的体积下由于填充介质分歧所组成的电容器的容量就分歧, 随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就分歧.所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用分歧来选用分歧的电容器.一、NPO电容器NPO是一种最经常使用的具有温度赔偿特性的单片陶瓷电容器.它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的.NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一.在温度从-55℃到+125℃时容量变动为0±30ppm/℃, 电容量随频率的变动小于±0.3ΔC.NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对年夜于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的.其典范的容量相对使用寿命的变动小于±0.1%.NPO电容器随封装形式分歧其电容量和介质损耗随频率变动的特性也分歧, 年夜封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好.下表给出了NPO电容器可选取的容量范围.NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容, 以及高频电路中的耦合电容.通常COG和NPO指的是I 类电介质, 温度特性-2-55℃~125℃容量变动率30ppm以内, 现在C特性都用COG来暗示, 不用NP0暗示了.二、X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器.当温度在-55℃到+125℃时其容量变动为15%, 需要注意的是此时电容器容量变动是非线性的.X7R电容器的容量在分歧的电压和频率条件下是分歧的, 它也随时间的变动而变动, 年夜约每10年变动1%ΔC, 暗示为10年变动了约5%.X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用, 而且当电压变动时其容量变动是可以接受的条件下.它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比力年夜.下表给出了X7R电容器可选取的容量范围.三、Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器.这里首先需要考虑的是使用温度范围, 对Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低本钱.对上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最年夜的电容量.但它的电容量受环境和工作条件影响较年夜, 它的老化率最年夜可达每10年下降5%.尽管它的容量不稳定, 由于它具有小体积、等效串连电感（ESL）和等效串连电阻（ESR）低、良好的频率响应, 使其具有广泛的应用范围.尤其是在退耦电路的应用中.下表给出了Z5U电容器的取值范围.Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围+10℃ --- +85℃ 温度特性 +22% ---- -56% 介质损耗最年夜 4%四、Y5V电容器Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器, 在-30℃到85℃范围内其容量变动可达+22%到-82%.Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器.Y5V电容器的取值范围如下表所示Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 -30℃ --- +85℃ 温度特性 +22% ---- -82% 介质损耗最年夜 5%贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到.五、NPO,X7R及Y5V电容的特性及主要用途NPO的特性及主要用途属1类陶瓷介质, 电气性能稳定, 基本上不随时间、温度、电压变动, 适用于高可靠、高稳定的高额、特高频场所.特性：电容范围：1pF～0.1uF (1±0.2V rms 1MHz)环境温度： -55℃～+125℃ 组别：CG温度特性：0±30ppm/℃损耗角正切值： 15x10-4绝缘电阻：≥10GΩ抗电强度：2.5倍额定电压 5秒浪涌电流：≤50毫安X7R的特性及主要用途属2类陶瓷介质, 电气性能较稳定, 随时间、温度、电压的变动, 其特性变动不明显, 适用于要求较高的耦合、旁路、源波电路以及10兆周以下的频率场所.特性：电容范围 300pF～3.3uF (1.0±0.2V rms 1KHz)环境温度：-55℃～+125℃ 组别：2X1温度特性：±15%% max50Volts: 2.5% max25Volts: 3.0% max16Volts: 3.5% max10Volts: 5.0% max绝缘电阻：≥4GΩ或≥100S/C (单元：MΩ)抗电强度：5秒浪涌电流：≤50毫安Y5V的特性及主要用途属 2类陶瓷介质, 具有很高的介电系数, 能较容易做到小体积, 年夜容量, 其容量随温度变动比力明显, 但本钱较低.广泛应用于对容量, 损耗要求不高的场所.特性：电容范围 1000pF～22uF (0.3V 1KHz)环境温度：-30℃～+85℃温度特性：±22%～-82%损耗角正切值：50Volts: 3.5%25Volts: 5.0%16Volts: 7.0%绝缘电阻：≥4GΩ或≥100S/C (单元：MΩ)抗电强度：2.5倍额定电压 5秒浪涌电流：≤50毫安。
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封 装 DC=25V DC=50V 0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF 1206 0.01μF---0.33μF 0.01---0.47μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF
下表给出了 X7R 电容器可选取的容量范围。
封 装 DC=50V DC=100V 0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF 1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF 1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF
X 7R、Z5U 和 Y5V 电容器
Low Temp.
Symbol
High Temp.
Symbol
Max. Cap. change over temp. range (%) ±1.0 ±1.5 ±2.2 ±3.3 ±4.7 ±7.5 ±10 ±15 ±22 +22 to -33 +22 to -56 +22 to -82
Symbol
+10 -30 -55
Z Y X
+45 +65 +85 +105 +125 +150 +200
2 4 5 6 7 8 9
A B C D E F P R S T U V
Ex. :
X7R X : -55C 7 : +125 C R : 15%
X5R ,or(B) X : -55C ,(-25 C) 5 : +85 C ,(+85 C ) R : 15% ,(10%)
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是 由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃ 到 125℃时容量变化为 0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。 NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%， 相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽 略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封 装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的 要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。 封 装 DC=50V DC=100V 0805 0.5---1000pF 0.5---820pF 1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF 1210 560---5600pF 560---2700pF 2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦 合电容。
C B H A M P R S T U
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
G H J K L M N
例如 :C0G = NP0,.TC.= 0(-1)30 ppm C: 0 N : 正（Negative） 0: -1 P : 负（Positive） G: 30 ppm 0 : 0 曲线图：
Y5V ,or (F) Y : -30 C ,(-25 C) 5 : +85 C ,(+85 C ) V : +22 to -82% ,(+30 to -80% )
Z5U Z : +10 C 5 : +85 C U : +22 to -56%
曲线图：
X7R 材质电容器 X7R 电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125 ℃时其容量变化为 15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R 电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的， 它也随时间 的变化而变化，大约每 10 年变化 1%ΔC，表现为 10 年变化了约 5%。 X7R 电容器主要应用于要求不高的工业应用， 而且当电压变化时其容量变 化是可以接受的条件下。
Y5V 电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围 -30℃ --- +85℃ 温度特性 +22% ---- -82% 介质损耗 最大 5% NPO 电气性能稳定,基本上不随温度、时间、电压的改变而改变,适用 于对稳定性、
可靠性要求较严格的场合,由于电气性能稳定,可很好的工作在高频、 特高频、甚高频频段;X7R 电气性能较稳定,随温度、时间、电压的变化,其 特性变化并不明显,适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及 10 兆周以 下的中频场合;Y5V 具有很高的介电系数,常用于生产小体积,大容量的电容 器,其容量随温度改变比较明显,但成本较低,仍广泛用于对容量,损耗要求 不高的耦合、滤波、旁路等电路场合. 内电极：它与陶瓷介质交替叠层，提供电极板正对面积； PME-Ag/Pd ：主要在 X7R 和 Y5V 中高压 MLCC 产品系列中，材 料成本高。 BME-Ni：目前大部分产品均为 Ni 内电极，材料成本低，但需要还 原气氛烧结。 端电极： 基 层：铜金属电极或银金属电极，与内电极相连接，引出容量。
Y5V 电容器的取值范围如下表所示
封 装 DC=25V DC=50V 0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF 1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF 1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF 2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF
Z5U 电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围 +10℃ --- +85℃ 温度特性 +22% ---- -56% 介质损耗 最大 4% Y5V 材质电容器 Y5V 电容器是一种有一定温度限制的通用电容器， 在-30℃到 85℃范围 内其容量变化可达+22%到-82%。 Y5V 的高介电常数允许在较小的物理 尺寸下制造出高达 4.7μF 电容器。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。 Z5U 材质电容器 Z5U 电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使 用温度范围， 对于 Z5U 电容器主要的是它的小尺寸和低成本。 对于上述三
种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下 Z5U 电容器有最大的电容量。 但它 的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每 10 年下降 5%。 尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等 效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤 其是在退耦电路的应用中。
Significant figure of temp. coeff. of Cap. (ppm/° C) 0 0.3 0.8 0.9 1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 7.5 Symbol Multiplier applied to significant figure -1 -10 -100 -1000 -10000 1 10 100 1000 10000 Symbol Tolerance of temp. coeff. (ppm) ±30 ±60 ± 120 ± 250 ± 500 ± 1000 ± 2500 Symbol
多层片式陶瓷电容器（MLCC）
技 术 交 流
贴片电容材质 NP0、X7R、Y5V、Z5U 图解及分析
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贴片电容材质 NP0、X7R、Y5V、Z5U 图解及分析 区别：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体 积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器 的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器 在电路中作用不同来选用不同的电容器。 NPO 电容器
阻挡层：镍镀层，热阻挡作用，可焊的镍阻挡层能避免焊接时 Sn 层熔落。 焊接层：Sn 镀层，提供焊接金属层。
温度规格参数表
符号 CG CH CJ CK NPO(Walsin) PH(N150) RH(N220) SH(N330) TH(N470) UJ(N750) SL B(J) B(D) B(B ,or R) X7R(Walsin) X5R X6S X8R X9R F Y5V Y5V(Walsin) Z5U 环境温度 2 0℃ 2 0℃ 2 0℃ 2 0℃ 2 5℃ 2 0℃ 2 0℃ 2 0℃ 2 0℃ 2 0℃ 2 0℃ 2 0℃ 2 0℃ 2 0℃ 2 5℃ 2 5℃ 2 5℃ 2 5℃ 2 5℃ 2 0℃ 2 5℃ 2 0℃ 2 5℃ 最低温度 -25 ℃ -25 ℃ -25 ℃ -25 ℃ -55℃ -25 ℃ -25 ℃ -25 ℃ -25 ℃ -25 ℃ -25 ℃ -25 ℃ -55℃ -55℃ -55℃ -55℃ -55℃ -55℃ -55℃ -25 ℃ -25 ℃ -25 ℃ -25 ℃ 最高温度 +85℃ +85℃ +85℃ +85℃ +125℃ +85℃ +85℃ +85℃ +85℃ +85℃ +85℃ +85℃ +85℃ +125℃ +125℃ +85℃ +105℃ +150℃ +200℃ +85℃ +85℃ +85℃ +85℃ 温度系数变化 0 +/- 30ppm/℃ 0 +/- 60ppm/℃ 0 +/- 120ppm/℃ 0 +/- 250ppm/℃ 0 +/- 30ppm/℃ -150+/- 60ppm/℃ -220+/- 60ppm/℃ -330+/- 60ppm/℃ -470+/- 60ppm/℃ -750+/- 120ppm/℃ -1000~+350ppm/℃ +/- 10% +/- 15% +/- 15% +/- 15% +/- 15% +/- 22% +/- 15% +/- 15% +30/-80% +22/-82% +30/-80% +22/-56%