贴片电容材质NP0、X7R、Y5V、Z5U图解及分析

贴片电容材质 NP0、X7R、Y5V、Z5U 图解及分析 区别：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体 积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器 的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器 在电路中作用不同来选用不同的电容器。 NPO 电容器
C B H A M P R S T U
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
ห้องสมุดไป่ตู้
G H J K L M N
例如 :C0G = NP0,.TC.= 0(-1)30 ppm C: 0 N : 正（Negative） 0: -1 P : 负（Positive） G: 30 ppm 0 : 0 曲线图：
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。 Z5U 材质电容器 Z5U 电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使 用温度范围， 对于 Z5U 电容器主要的是它的小尺寸和低成本。 对于上述三
种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下 Z5U 电容器有最大的电容量。 但它 的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每 10 年下降 5%。 尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等 效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤 其是在退耦电路的应用中。
Y5V 电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围 -30℃ --- +85℃ 温度特性 +22% ---- -82% 介质损耗 最大 5% NPO 电气性能稳定,基本上不随温度、时间、电压的改变而改变,适用 于对稳定性、
可靠性要求较严格的场合,由于电气性能稳定,可很好的工作在高频、 特高频、甚高频频段;X7R 电气性能较稳定,随温度、时间、电压的变化,其 特性变化并不明显,适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及 10 兆周以 下的中频场合;Y5V 具有很高的介电系数,常用于生产小体积,大容量的电容 器,其容量随温度改变比较明显,但成本较低,仍广泛用于对容量,损耗要求 不高的耦合、滤波、旁路等电路场合. 内电极：它与陶瓷介质交替叠层，提供电极板正对面积； PME-Ag/Pd ：主要在 X7R 和 Y5V 中高压 MLCC 产品系列中，材 料成本高。 BME-Ni：目前大部分产品均为 Ni 内电极，材料成本低，但需要还 原气氛烧结。 端电极： 基 层：铜金属电极或银金属电极，与内电极相连接，引出容量。
Y5V ,or (F) Y : -30 C ,(-25 C) 5 : +85 C ,(+85 C ) V : +22 to -82% ,(+30 to -80% )
Z5U Z : +10 C 5 : +85 C U : +22 to -56%
曲线图：
X7R 材质电容器 X7R 电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125 ℃时其容量变化为 15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R 电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的， 它也随时间 的变化而变化，大约每 10 年变化 1%ΔC，表现为 10 年变化了约 5%。 X7R 电容器主要应用于要求不高的工业应用， 而且当电压变化时其容量变 化是可以接受的条件下。
下表给出了 Z5U 电容器的取值范围。
封 装 DC=25V DC=50V 0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF 1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF 1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF
下表给出了 X7R 电容器可选取的容量范围。
封 装 DC=50V DC=100V 0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF 1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF 1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是 由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃ 到 125℃时容量变化为 0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。 NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%， 相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽 略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封 装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的 要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。 封 装 DC=50V DC=100V 0805 0.5---1000pF 0.5---820pF 1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF 1210 560---5600pF 560---2700pF 2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦 合电容。
X 7R、Z5U 和 Y5V 电容器
Low Temp.
Symbol
High Temp.
Symbol
Max. Cap. change over temp. range (%) ±1.0 ±1.5 ±2.2 ±3.3 ±4.7 ±7.5 ±10 ±15 ±22 +22 to -33 +22 to -56 +22 to -82
Significant figure of temp. coeff. of Cap. (ppm/° C) 0 0.3 0.8 0.9 1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 7.5 Symbol Multiplier applied to significant figure -1 -10 -100 -1000 -10000 1 10 100 1000 10000 Symbol Tolerance of temp. coeff. (ppm) ±30 ±60 ± 120 ± 250 ± 500 ± 1000 ± 2500 Symbol
Y5V 电容器的取值范围如下表所示
封 装 DC=25V DC=50V 0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF 1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF 1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF 2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF
阻挡层：镍镀层，热阻挡作用，可焊的镍阻挡层能避免焊接时 Sn 层熔落。 焊接层：Sn 镀层，提供焊接金属层。
温度规格参数表
符号 CG CH CJ CK NPO(Walsin) PH(N150) RH(N220) SH(N330) TH(N470) UJ(N750) SL B(J) B(D) B(B ,or R) X7R(Walsin) X5R X6S X8R X9R F Y5V Y5V(Walsin) Z5U 环境温度 2 0℃ 2 0℃ 2 0℃ 2 0℃ 2 5℃ 2 0℃ 2 0℃ 2 0℃ 2 0℃ 2 0℃ 2 0℃ 2 0℃ 2 0℃ 2 0℃ 2 5℃ 2 5℃ 2 5℃ 2 5℃ 2 5℃ 2 0℃ 2 5℃ 2 0℃ 2 5℃ 最低温度 -25 ℃ -25 ℃ -25 ℃ -25 ℃ -55℃ -25 ℃ -25 ℃ -25 ℃ -25 ℃ -25 ℃ -25 ℃ -25 ℃ -55℃ -55℃ -55℃ -55℃ -55℃ -55℃ -55℃ -25 ℃ -25 ℃ -25 ℃ -25 ℃ 最高温度 +85℃ +85℃ +85℃ +85℃ +125℃ +85℃ +85℃ +85℃ +85℃ +85℃ +85℃ +85℃ +85℃ +125℃ +125℃ +85℃ +105℃ +150℃ +200℃ +85℃ +85℃ +85℃ +85℃ 温度系数变化 0 +/- 30ppm/℃ 0 +/- 60ppm/℃ 0 +/- 120ppm/℃ 0 +/- 250ppm/℃ 0 +/- 30ppm/℃ -150+/- 60ppm/℃ -220+/- 60ppm/℃ -330+/- 60ppm/℃ -470+/- 60ppm/℃ -750+/- 120ppm/℃ -1000~+350ppm/℃ +/- 10% +/- 15% +/- 15% +/- 15% +/- 15% +/- 22% +/- 15% +/- 15% +30/-80% +22/-82% +30/-80% +22/-56%
Symbol
+10 -30 -55
Z Y X
+45 +65 +85 +105 +125 +150 +200
2 4 5 6 7 8 9
A B C D E F P R S T U V
Ex. :
X7R X : -55C 7 : +125 C R : 15%
X5R ,or(B) X : -55C ,(-25 C) 5 : +85 C ,(+85 C ) R : 15% ,(10%)
多层片式陶瓷电容器（MLCC）
技 术 交 流
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Z5U 电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围 +10℃ --- +85℃ 温度特性 +22% ---- -56% 介质损耗 最大 4% Y5V 材质电容器 Y5V 电容器是一种有一定温度限制的通用电容器， 在-30℃到 85℃范围 内其容量变化可达+22%到-82%。 Y5V 的高介电常数允许在较小的物理 尺寸下制造出高达 4.7μF 电容器。