红外单光子探测器
InGaAs(P)InP近红外单光子探测器暗计数特性研究.doc
InGaAs(P)/InP近红外单光子探测器暗计数特性研究基于InGaAs(P)/InP 雪崩光电二极管(Single Photon Avalanche Diodes,SPADs)的近红外单光子探测器具有功耗低、不需超低温制冷、可靠性高、使用简单、易集成、近红外探测效率高等优点,在光通讯波段(1310 nm、1550 nm)量子密钥分发(QKD)、激光测距(1064nm、1550nm)等前沿领域有着迫切的应用需求,但其暗计数特性对应用有诸多限制。
InGaAs(P)/InPSPAD基近红外单光子探测器主要包括InGaAs(P)/InP SPAD及其驱动电路,二者的性能均可影响探测器性能。
本论文主要针对InGaAs(P)/InP SPAD基近红外单光子探测器的暗计数特性及其影响因素、InGaAs(P)/InPSPAD暗电流特性及其影响因素进行深入研究,探索二者关联特性,为SPAD器件及单光子探测器的性能优化提供指导。
搭建SPAD 器件变温测试平台对SPAD暗电流特性进行了研究;搭建激光束诱导电流(LBIC)测试系统对SPAD器件的响应均匀性及其边缘击穿特性进行了研究;研制SPAD器件单光子探测性能测试装置对不同SPAD器件对应单光子探测器的暗计数特性进行了研究。
对SPAD器件暗电流特性及其对应单光子探测器的暗计数关联性进行探索,研究发现SPAD雪崩击穿偏压处的暗电流斜率与相应单光子探测器的暗计数相关,斜率较小时相应的暗计数较小;暗电流与暗计数存在抖动情况,此抖动均与温度呈负相关,与过偏压无关。
目前对暗计数特性的研究主要集中于影响机制,并未发现对上述结果的报导。
单光子探测器及其发展应用课件
暗物质探测
直接探测
在暗物质直接探测实验中，单光子探测 器用于探测暗物质粒子与原子核碰撞产 生的单个光子，以寻找暗物质存在的证 据。
VS
间接探测
在暗物质间接探测实验中，单光子探测器 用于探测暗物质湮灭或衰变产生的单个光 子，以研究暗物质的性质。
安全与防御
激光测距
在军事领域，单光子探测器用于激光测距和 目标识别，提高武器系统的精度和响应速度 。
类型与特点
类型
单光子探测器有多种类型，包括光电 倍增管、雪崩光电二极管和单光子计 数模块等。
特点
单光子探测器具有高灵敏度、低噪声 、快速响应等特点，能够在极低的光 子数密度下工作，广泛应用于量子通 信、量子计算、生物成像等领域。
应用领域
量子通信
生物成像
单光子探测器是量子通信中的关键器件， 用于实现安全的数据传输和密钥分发。
低温冷却技术能够提高单光子探测器的性能和稳定性。
详细描述
在低温环境下，探测器的性能得到提高，同时能够降低背景噪声和热噪声，从而提高探测器的信噪比 。这种技术需要使用低温冷却器或稀释制冷机等设备，以保证探测器在极低温度下稳定工作。
抗干扰技术
总结词
抗干扰技术能够提高单光子探测器的抗干扰能力和技术的发展，单光子探 测器有望实现更小尺寸和更高集成度 。
单光子探测器的关
03
键技术
高灵敏度探测技术
总结词
高灵敏度探测技术是单光子探测器的核心，能够实现单个光 子的探测。
详细描述
高灵敏度探测技术利用光电效应，将单个光子转化为电信号 ，从而实现对单光子的探测。这种技术需要高精度的光电转 换器件和优化的信号处理算法，以提高探测效率和准确性。
光电对抗
单光子探测器技术原理
单光子探测器技术原理简介1. 工作原理单光子探测器是一种对微弱光信号进行探测的设备，输入光强度最低可到单光子水平。
以通信最常用的1550nm和1310nm光波长为例，单个光子的能量分别为1.28*10-19焦耳和1.52*10-19焦耳，这意味着输入信号能量极其微弱，必须使用特殊的光子检测器件探测输入光子脉冲事件。
不同种类的雪崩管服务于不同的探测应用目的，例如基于Si的雪崩管适用于可见光波段检测，InGaAs或InP 的雪崩管更适合近红外波段。
薄结工艺标准CMOS工艺厚结工艺常见的SACM型InGaAs/InP APD的半导体结构数据来自Micro Photon Devices公司数据来自Perkin Elmer公司单光子探测器的工作原理是利用工作于盖革模式（Geiger Mode）下的InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）进行单光子探测。
所谓盖革模式是指APD 工作时要加反向偏压，偏压幅度略微超过雪崩阈值电压，盖革模式与线性模式的区别在于能够将微弱光生载流子放大产生宏观电流。
根据对APD施加偏压的波形，将探测器分为门控工作模式和自由运行模式两类。
光子入射到APD内部引发雪崩，产生微弱雪崩电流脉冲。
探测器内部处理电路采用跨导放大器将微弱电流脉冲转换成电压脉冲并放大、整形，再经过甄别、死时间处理后输出电平、宽度固定的数字脉冲，探测器有脉冲输出表示检测到了输入单光子或微弱光脉冲，而脉冲前沿位置代表光子输入时刻。
光子输入事件及其发生事件正是量子信息、单光子雷达等应用关注的最重要内容，单位时间内计数值则反映了输入光强度。
入射光子引发雪崩发生后，必须尽快将雪崩淬灭，一方面避免雪崩管过度放电，更重要的是将雪崩管恢复到可用状态，能够及时检测下一个入射光子事件。
根据淬灭方式的不同，将探测器分为主动淬灭和被动淬灭两类。
通过空间耦合光内部集成了TEC，耦合光纤输入耦合光纤，需外部配置TEC量子通信主流技术是基于通信光纤的方案，与常规通信一样远距离传输必然使用单模光纤，例如电信基础设施建设广泛应用的G.652单模光纤。
红外探测器
温差电偶和温差电堆的原理性结构如下图所示
❖ 热电偶型红外探测器的时间常数较大，所以响应时间较长， 动态特性较差，北侧辐射变化频率一般应在10HZ以下。
❖ 在实际应用中，往往将几个热偶串联起来组成热电堆来检 测红外辐射的强弱
v R(T)--电阻值 v T--温度 v A,C,D--随材料而变化的常数
v 金属热敏电阻，电阻温度 系数为正，绝对值比半导 体小，电阻与温度的关系 基本上是线性的，耐高温 能力较强，多用于温度的 模拟测量。
v 半导体热敏电阻恰恰相反， 用于辐射探测，如报警、 防火系统、热辐射体搜索 和跟踪。
v 常见的是NTC型热敏电阻.
热电偶型红外探测器
❖ 热电偶也叫温差电偶，是最早出现的一种热电探测器件， 其工作原理是热电效应。由两种不同的导体材料构成的接 点，在接点处可产生电动势。热电偶接收辐射的一端称为 热端，另一端称为冷端。
❖ 热电效应:如果把这两种不同的导体材料接成回路，当两 个接头处温度不同时，回路中即产生电流。
❖ 为提高吸收系数，在热端都装有涂黑的金箔构成热电偶的 材料，既可以是金属，也可以是半导体。在结构上既可以 是线、条状的实体，也可以是利用真空沉积技术或光刻技 术制成的薄膜
❖ 由于自由电荷中和面束缚电荷所需时间较长，大约需要数 秒钟以上，而晶体自发
❖ 极化的驰豫时间很短，约为10-12秒，因此热释电晶体可响 应快速的温度变化.
高莱气动型ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ测器
v 高莱气动型探测器又称高莱(Golay) 管，是高莱于1947年发明的。它 是利用气体吸收红外辐射能量后， 温度升高、体积增大的特性，来 反映红外辐射的强弱。其结构原 理如下图所示:
单光子探测器及其发展
单光子探测器及其发展摘要：本文介绍了光电倍增管单光子探测器、雪崩光电二极管单光子探测器和真空单光子探测器以及它们的基本工作原理和特性，分析了它们各自的优缺点和未来的发展方向。
关键词：单光子探测；光电倍增管（PMT）；雪崩光电二极管（APD）；真空雪崩光电二极管（VAPD）中图分类号：TP21.14 文献标识码：A一、引言单光子探测技术在高分辨率的光谱测量、非破坏性物质分析、高速现象检测、精密分析、大气测污、生物发光、放射探测、高能物理、天文测光、光时域反射、量子密钥分发系统等领域有着广泛的应用。
由于单光子探测器在高技术领域的重要地位，它已经成为各发达国家光电子学界重点研究的课题之一。
二、单光子探测器的原理及种类单光子探测是一种极微弱光探测法，它所探测的光的光电流强度比光电检测器本身在室温下的热噪声水平（10-14W）还要低，用通常的直流检测方法不能把这种湮没在噪声中的信号提取出来。
单光子计数方法利用弱光照射下光子探测器输出电信号自然离散的特点，采用脉冲甄别技术和数字计数技术把极其弱的信号识别并提取出来。
这种技术和模拟检测技术相比有如下优点[1]：（1）测量结果受光电探测器的漂移、系统增益变化以及其它不稳定因素的影响较小；（2）消除了探测器的大部分热噪声的影响，大大提高了测量结果的信噪比；（3）有比较宽的线性动态区；（4）可输出数字信号，适合与计算机接口连接进行数字数据处理。
入射的光子信号打到光电倍增器件上产生光电子，然后经过倍增系统倍增产生电脉冲信号，称为单光子脉冲。
计数电路对这些脉冲的计数率随脉冲幅度大小的分布如图1所示。
脉冲幅度较小的脉冲是探测器噪声，其中主要是热噪声；脉冲幅度较大的是单光电子峰。
V h为鉴别电平，用它来把高于V h的脉冲鉴别输出，以实现单光子计数。
可用来作为单光子计数的光电器件有许多种，如光电倍增管（PMT）、雪崩光电二极管（APD）、增强型光电极管（IPD）、微通道板（MCP）、微球板（MSP）和真空光电二极管（VAPD）等。
APD温度自适应近红外单光子探测装置[实用新型专利]
![APD温度自适应近红外单光子探测装置[实用新型专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/a9bac4e1f78a6529657d5329.png)
专利名称：APD温度自适应近红外单光子探测装置专利类型：实用新型专利
发明人：张战盈,徐赤东,纪玉峰,余东升,方蔚恺,张伟丽申请号：CN201320859186.7
申请日：20131220
公开号：CN203732166U
公开日：
20140723
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本实用新型公开了APD温度自适应近红外单光子探测装置，包括雪崩光电二极管APD、直流偏压温度跟随电路、直流偏压保护电路、信号放大输出电路、DC-DC高压模块和外壳；直流偏压温度跟随电路、直流偏压保护电路与DC-DC高压模块输入端连接；雪崩光电二极管APD的阴极通过电阻R1与DC-DC高压模块输出端连接；雪崩光电二极管APD的阳极与信号放大输出电路连接；雪崩光电二极管APD的阳极通过负载电阻R2接地；直流偏压温度跟随电路、直流偏压保护电路、信号放大输出电路、DC-DC高压模块安装在外壳的内腔；雪崩光电二极管APD嵌入外壳的前端。
本实用新型通过直流偏压温度跟随电路，保证温度变化时APD增益的稳定。
申请人：中国科学院合肥物质科学研究院
地址：230000 安徽省合肥市董铺岛
国籍：CN
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超导纳米线单光子探测器原理及应用-v4
目
录
摘要.............................................................................................................1 1 简介.......................................................................................................3 1.1 1.2 2 超导光辐射检测技术 .................................................................3 单光子检测：基本原理和评判依据 .........................................4
4
总结.....................................................................................................23
1 简介
1.1 超导光辐射检测技术
100 年前，荷兰人 Onnes 发现了神奇的超导现象【1】 ，超导应用发展进 程也从此拉开序幕。超导态对光波段的辐射较为敏感【2】 ，1994 年人类首次 成功实现了超导辐射探测器和超导测辐射热仪【3】 ，这得益于超导薄膜、微 加工技术和激光光源等学科的发展。在天文等领域的需求牵引下，出现了一 系列具有单光子灵敏度能量分辨率的超导探测器，它们工作温度通常在 1 开 尔文以下。 这类探测器包括： 超导隧道结 （STJ: superconducting tunnel junction） 【4】 ，电阻转变沿探测器（TES: transition edge sensor） 【5】和动态电感探测 器（KID: kinetic inductance detector） 【6】 。 十年前，Gol’tsman 等人利用氮化铌（NbN）纳米线首次验证了一类新 概念的超导探测器【7】 。这类探测器在可见光和近红外波段具有单光子灵敏 度，且其恢复时间和定时精度比现有的基于超导材料的单光子探测器具有数 量级的提升， 被称为超导单光子探测器 （SSPD： superconducting single-photon detector ）或超导纳米线单光子探测器（ SNSPD ： superconducting nanowire single-photon detector）*。此外，这类探测器可以工作在液氦温区（4.2K） ， 是较为成熟的闭合循环（机械）制冷技术可以实现的温度区间【8】 。SNSPD 在红外波段时间关联单光子计数（ TCSPC ： time correlated single-photon counting） 【9】方面具有很大的应用潜力，该领域已开始出现很多新的重要 应 用。 SNSPD 的主要竞争对手是固态单光子雪崩光电二极管（ SPAD: single-photon avalanche photodiode ） 。 而 大 尺 寸 的 光 电 倍 增 管 （ PMT: photomultipliers） 【10】目前已经被 SPAD 所取代。SNSPD 的波长响应范围 远高于硅 SPAD【11】 ；和 InGaAs SPAD【12】相比，SNSPD 在性噪比方面 具有明显的优势。SNSPD 在过去十年内已经成为一个研究的热点领域。目 前世界上很多研究小组都在开展相关的研究工作，并不断推动这个领域的发 展。本综述文章将概要介绍器件的工作原理、器件结构设计、制冷、器件材 料以及应用研究进展。
课程报告《近红外单光子探测器》
电子科技大学光电信息学院课程论文课程名称红外与传感技术题目名称单光子探测器研究进展学号姓名2014年6月20日摘要：单光子探测是一种极微弱光探测技术, 在高分辨率光谱测量、高速现象检测、精密分析、非破坏性物质分析、大气测污、生物发光、放射探测、高能物理、天文测光、光时域反射、地球科学、空间科学、量子信息等领域有着极其广泛的应用。
本文主要从工作原理、工作参数和优缺点等方面介绍了目前常用的单光子探测器件和技术。
关键词：单光子，近红外，探测器1 引言自从1984年Bennett 和Brassard 提出第一个量子密码术方案并于1989 年成功地完成量子密码通讯实验的演示之后，世界各国掀起了量子密码通讯实验的高潮。
作为量子密码通讯技术关键技术之一的单光子探测技术也逐渐在量子光学的微弱光探测领域中显示出广阔的前景，而日新月异的半导体技术为单光子探测技术的发展提供了强大的动力。
量子通讯是利用量子态不可克隆的原理来保护量子载体中的保密信息不被窃取，根据量子探测原理，窃听者获取的载有相同信息的量子体系数量越多，其经过多次探测后获得正确信息的可能性就越大，所以载有保密信息的量子体系越少越好。
因此在各种QKD方案中，实际载有信息的量子体系一般都是单光子。
对一套QKD方案来说，单光子探测的表现很大程度上影响其安全性和最大有效通讯距离，很多QKD系统的潜在漏洞都是由于量子器件的不够完美造成的。
同时，单光子探测器的重复频率影响系统的工作频率，探测效率影响系统的成码率，暗计数率影响误码率和基于误码率检测的安全性分析。
除此之外，某些单光子探测器对不同偏振态入射的光子有不同的探测效率，这同样会影响系统成码率的稳定度。
若单光子探测器具有良好的光子数分辨能力的话，基于光子数布居的安全监测方法也能够增加系统的安全性。
所以单光子探测器性能对量子通讯有着非常重要的意义。
2 单光子探测器件参数单光子探测器（Single Photon Detector SPD）的基本功能是响应单个或多个光子，并输出相应的计数脉冲信号以表征该光子。
单光子探测器及其发展应用
解决的办法：可以从新材料的选择，器件结 构设计，抑制电路参数优化，集成化与小型 化等方面。
不仅仅用在量子通讯技术上，它还是高分辨 光时域反射计（OTDR）的核心，而且在红 外光谱等方面也可以找到广泛应用。
谢谢大家！
生活中的辛苦阻挠不了我对生活的热 爱。21.1.1921.1.19Tuesday, January 19, 2021
人生得意须尽欢，莫使金樽空对月。08:53:5008:53:5008:531/19/2021 8:53:50 AM
做一枚螺丝钉，那里需要那里上。21.1.1908:53:5008:53Jan-2119-J an-21
精益求精，追求卓越，因为相信而伟 大。2021年1月 19日星 期二上 午8时53分50秒08:53:5021.1.19
让自己更加强大，更加专业，这才能 让自己 更好。2021年1月上午 8时53分21.1.1908:53Januar y 19, 2021
这些年的努力就为了得到相应的回报 。2021年1月19日星期 二8时53分50秒08:53:5019 January 2021
人生得意须尽欢，莫使金樽空对月。08:53:5008:53:5008:531/19/2021 8:53:50 AM
安全象只弓，不拉它就松，要想保安 全，常 把弓弦 绷。21.1.1908:53:5008:53Jan-2119-J an-21
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红外光子探测器与热探测器性能分析
测器 主 要 是通 过吸 收红 外辐 射 的能 量 ，使 探测 器 的温 度 发 生变化 ，引起 探测 器 电阻率 或 电极性 的 改变 ，热 探 测 器 电 阻率 或 电极 性 的 改变 量 同样 取 决 与 辐 射 源 的辐 射 强度 和 探测 器 的灵 敏度 …。 由于工 作机 理 的不
作 高温 工作 的升高 ，热探 测器 可 比光 电探 测器 具有 更
高 的灵 敏度 。因此 ，通常 广泛 应用 于工 作温 度接 近 室
温 场合 ，被 称 为 “ 非制 冷 ”探测 器 。
类 超 晶格探 测 器等 ；而 常见 的热 探测 器有 辐射 热 测 定
器 （ ｏｏ ｔｒ 、热 释 电探 测器 、热 电探 测器 、超 导 Ｂ ｌｍｅｅ）
引 言
红外探 测 器从 探测 机 理上 可 以分 为两大 类 ：光子 探 测器 和 热探 测器 。光 子探 测 器包 括碲 镉汞 探 测器 、 锑 化铟 探测 器 、铂化 硅探 测器 、多量子 阱探 测器 、 Ｉ Ｉ
同而有 很大 的不 同；而热 探测 器 的响应 率 随波 长 的变 化 几 乎是平 坦 的 。因 此 ，热探 测器 的黑体 响应 和 峰值 响应 几乎 没有 什 么差 别［。另 一方 面 ，随着 探测 器 工 ２ 】
的性 能特 点 ，对 它们 各 自具有 优 势 的应 用 领域进 行 分
析。
子 发 生跃 迁形 成 晶体 内的 自由 电子 ，产 生光 生 电导或
光生伏特效应 。 电导和光生伏特效应的强弱取决与 光 辐 射源 的辐 射 强度 和探 测器 的灵敏 度 。在 整 个探 测工 作 过程 中，光 子探 测 器 的温度 基 本保 持恒 定 ；而 热探
高增益红外单光子探测技术研究进展(特邀)
第50卷第1期 V〇1.50 No.l红外与激光工程Infrared and Laser Engineering2021年1月Jan. 2021高增益红外单光子探测技术研究进展（特邀）吴静远、刘肇国张彤2(1.东华大学理学院光电科学与工程系，上海201620;2.东南大学电子科学与工程学院信息显示与可视化国际合作实验室，江苏南京210096)摘要：超灵敏单光子探测是光量子信息和量子调控领域发展的关键技术，实现高效率、超灵敏、低功耗以及低成本的单光子探测具有重要的科学意义和应用价值。
与可见光波段的S i基单光子探测器相 比，红外响应单光子探测器目前在成本和性能方面都存在较大差距，探索基于新材料和新机制的红外单光子探测技术是光电探测领域发展的迫切需求。
近年来，低维材料由于其独特的物化性质，为研制高增益、室温工作和宽波段响应的探测器提供了新的可能，高性能低维材料光电探测技术也成为了当前红外探测领域的研究热点。
文中首先回顾了传统雪崩类半导体红外光电探测器的基本原理，在此基础上,介绍了基于新型低维材料的雪崩机制光电探测技术的最新进展，之后讨论了光诱导栅压效应型光电探测器件的新型光增益放大机制，并描述了在该工作机制下相关低维材料红外探测器的基本结构和性能表现。
最后展望了高增益红外单光子探测技术的未来发展方向和面临的挑战。
关键词：单光子；雪崩机制；低维材料；红外探测器中图分类号：TN215 文献标志码：A D O I：10.3788/IRLA20211016Research progress of infrared single-photondetection with high gain (Invited)Wu Jingyuan1,Liu Zhaoguo2,Zhang Tong2(1. D e p a rtment of Optoelectronic Science and Engineering, College of Science, D o n g h u a University, Shanghai 201620, China;2. Joint International Research Laboratory of Information Display a n d Visualization, School ofElectronic Science and Engineering, Southeast University, Nanjing 210096, China)Abstract:Ultra-sensitive single-photon detection is a key technology for the development of optical quantum information and quantum manipulation.It is of important scientific significance and application value to realize high-efficiency,high-sensitivity,low-power and low-cost single-photon photodetectors.There is still a large gap between visible single-photon detector based on silicon and infrared ones in terms of the cost and performance. Exploring the technology of infrared single-photon detection with novel materials and mechanism has become the urgent needs in the field of photodetection.In recent years,low-dimensional materials have offered a new possibility for realizing high-gain,room-temperature and broad-band photodetectors due to their unique physical and chemical properties.The research on the low-dimensional materials based photodetectors with good performance has also become a hot topic in the field of infrared photodetection.In this review,the basic principlesof traditional avalanche infrared photodetectors were introduced firstly.On this basis,the latest development of avalanche devices based on novel low-dimensional materials was summarized.Then the new gain amplification mechanism of the photodetector based on photogating effect was discussed and the structure as well as the收稿日期:2020-11-03;修订日期:2020-12-14基金项目:国家自然科学基金（62005042, 61875241);上海市青年科技英才扬帆计划（20Y F1401400);中央高校基本科研业务费专项资金 (2232020D-44)第1期红外与激光工程^504-performance of the devices were reviewed.Finally,the future developing directions and challenges of the infrared single-photon detection technology were prospected.Key words:single photon;avalanche effect;low-dimensional materials;infrared photodetector〇引言单光子探测是一种光子尺度下的极限灵敏光电 探测技术，在量子通信、激光雷达、精密测量以及超 灵敏探测等前沿学科领域发挥着重要作用[14]，尤其 随着量子信息科学领域的迅猛发展，极大地推动了高 性能单光子探测技术研究，部分可见光硅基单光子探 测器已经实用化并得到广泛应用。
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SPD
XX
（探测器等级）
10%
15%
20%
ULN---超低噪声等级
< 0.5×10-5
< 1.0×10-5
< 1.5×10-5
LN---低噪声等级
< 1.0×10-5
< 2.0×1ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ-5
< 4.0×10-5
STD---标准等级
< 2.5×10-5
< 5.0×10-5
< 10×10-5
-
延时抖动
-
ps
-
-
50
功率要求
P
W
-
40
70
制冷系统温度
℃
-52
-50
-48
输入阻抗
Ro
W
-
50
1M
供电电源
Vop
V
-
100-240V/AC
-
外形尺寸
LxWxH
mm
275×138×354
输出方式
SMA
输入方式
单模光纤
光纤接头
FC/PC
*产品说明书及其他参数要求请与我公司销售人员联系sales@
极限条件
参数
符号
单位
最小值
典型值
最大值
损坏光强极限
Pin
dBm
0
工作电压AC
Vop
V
100
220
240
工作温度
Top
ºC
10
30
储存温度
Tst
ºC
-30
60
湿度
RH
%
5
90
订货信息
KG-SPD200单光子探测器根据暗计数率参数分为三个级别分别为：标准等级（STD），低噪声等级（LN）和超低噪声等级（ULN），各个噪声等级的探测器在1ns有效门宽时不同探测效率下的暗计数率如下表所示，所有数据基于重复频率10MHz，死时间10us的测量结果，表中所列数据为平均每个门脉冲产生的暗计数概率。
外触发模式
应用领域
红外波段单光子探测器及其在量子通信领域
QKD领域
可门控单光子探测器在天文观测中的应用
性能参数
参数
符号
单位
最小值
典型值
最大值
探测器波长范围
l
nm
950
1550
1650
探测效率
-
%
10
15
20
探测门宽
ns
1.0
2.5
5.0
内部触发延时
ns
0
-
20
延时范围
-
ns
0
-
20
延时分辨率
ps
-
10
红外单光子探测器
产品描述
KG-SPD200红外单光子探测器使用红外雪崩光电二极管(APD)作为光敏元件，内部温控电路使APD工作在-50℃的低温环境下，采用门脉冲工作模式，可以有效的降低噪声引起的暗计数并保持较高的探测效率。
产品特点
光谱范围：950~1650nm
可调延时
内部触发延时0~20ns
单光子测量功能