电子技术基础习题答案

第1 章检测题（共100 分，120 分钟）

一、填空题：（每空分，共25分）

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 _五_价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为—自由电子_,少数载流子为—空穴_,不能移动的杂质离子带—正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 _三_价元素组成的。这种半导体内

的多数载流子为—空穴_,少数载流子为—自由电子_,不能移动的杂质离子带_负_电。

2、三极管的内部结构是由—发射—区、_基_区、—集电区—区及—发射—结和—集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是—发射—极、_基_极和—集电—极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 _相反—，有利于—多数载流子—的

_扩散—运动而不利于—少数载流子_的_漂移_; PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向—一致_，有利于_少子—的_漂移_运动而不利于_多子_的_扩散_，这种情况下的电流称为_反向饱和_电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由_巳向_N区进行扩散，N 型半导体中的多数载流子由__^_向—P_区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个—空间电荷区_,其方向由_N区指向_P_区。—空间电荷区—的建立，对多数载流子的—扩散—起削弱作用，对少子的—漂移—起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，_PN结—形成。

5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的_R X 1K档位，当检测时表针偏转

度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的_阴_极；与黑表棒相接触的电极是二

极管的_阳_极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被—击穿_;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经_绝缘老化。

6、单极型晶体管又称为场效应（MO$管。其导电沟道分有N沟道和―巳沟

道。

7、稳压管是一种特殊物质制造的 _面_接触型_硅晶体_二极管，正常工作应在特性曲线的—反向击穿—区。

8、MOS管在不使用时应避免_栅_极悬空，务必将各电极短接。

二、判断正误：（每小题1分，共10分）

1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错）

2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。

（对）

3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R X 10K档位。

（错）

4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错）

5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。

（错）

6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对）

7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。

（错）

8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时，该管必被击穿。（错）

9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。（错）

10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。

（错）

三、选择题：（每小题2分，共20分）

1、单极型半导体器件是（ C ）。

2、P 型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。

A、三价；

B、四价；

C、五价；

D、六价。

3、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。

A导通状态； B 、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1K Q,说明该二极管（C ）。

A、已经击穿；

B、完好状态；

C、内部老化不通；

D、无法判断。

5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。

A、多子扩散；

B、少子扩散；

C、少子漂移；

D、多子漂移。

6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E=, V B=, ，说明此三极管处在（ A ）。

A、放大区；

B、饱和区；

C、截止区；

D、反向击穿区。

7、绝缘栅型场效应管的输入电流（ C ）。

A、较大；

B、较小；

C、为零；

D、无法判断。

A、二极管；

B、双极型三极管；

C、场效应管; D 、稳压管

8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（ C ）。

A、矩形方波；

B、等腰三角波；

C、正弦半波；

D、仍为正弦波。

9 、三极管超过（

C ）所示极限参数时，必定被损坏。

A集电极最大允许电流I CM； B 、集一射极间反向击穿电压U（BR）CEO；

C、集电极最大允许耗散功率P C M；

D、管子的电流放大倍数。

10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ）

A、发射结正偏、集电结正偏； B 、发射结反偏、集电结反偏；

C发射结正偏、集电结反偏； D 、发射结反偏、集电结正偏。

四、简述题：（每小题4分，共28分）

1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗

为什么

答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。

2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。

答：管脚③和管脚②电压相差，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管

脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个NPN型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。

3、图1-29所示电路中，已知E=5V，

通时电阻U i 10sin tV,二极管为理想元件（即认为正向导

R=0,反向阻断时电阻R=^），试画出U0的波形。

答：分析：根据电路可知，当U i>E时，二极管导通U0=U i，当U i