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技术响应书

1.1概述

利用先进数字技术生产的新一代智能变送器,在原理上采用直接数字电容电路替代模拟信号放大电路及A/D转化电路,利用数字化补偿技术对温度、静压进行补偿,提高了测量精度,降低了温度漂移。该系列变送器具有体积小,可靠性高,长期稳定性好等特点。具有极高的性价比而成为变送器市场的主流产品。可广泛使用于石油/ 石化/ 化工、电力/ 城市煤气/ 其它公司事业、纸浆和造纸、钢铁/ 有色金属/ 陶瓷、机械/ 造船等行业。

1.2特点:

◆采用了微处理器而使灵活性增大,功能强;

◆量程覆盖:0-0.12KP a~41.37MPa;

◆精度优于0.1级, ±0.075%,量程比优于40:1;

◆具有很强的自诊断能力;

◆零点和量程调整互不影响;

◆兼有远程和本地量程、零点调整;

◆二线制,符合HART协议,可与ROSEMOUNT275型及欧德利CDHT型手操器进行

数字通信而不中断模似量输出;

◆传感器内带非易失性存贮器;

◆稳定性好,精度高,阻尼可调,抗单向过载能力强;

◆全部通用件,传感器与电子板互换不影响其特性,维护方便;

◆接触介质的膜片材料可选项,防爆超额壳体结构。

1.3工作原理

CDH200变送器由传感器和电子线路板两部分组成,传感器部分由敏感元件、直接数字电容电路、温度传感器和特征化EEPROM等组成;电子线路板部分包括微处理器、数/模信号转换器、数字通信和存储器EEPROM等几部分组成,完成压力信号到4-20mA信号的转换。

1.3.1传感器部分

敏感元件:被测介质的两种压力通入高、低两压力室,作用在δ元

件(即敏感元件)的两侧隔离膜片上,通过隔离膜片和δ

元件内的填充液传到预张紧的测量膜片两侧。测量膜片

与两侧绝缘体上的电极各组成一个电容器,在无压力通

入或两压力均等时测量膜片处于中间位置,两侧两电容

器的电容量相等,当两侧压力不一致时,致使测量膜片

产生位移,其位移量和压力差成正比,故两侧电容就不

等,测量膜片的位置由它两侧的电容极板通过直接数字

电容电路测出来。

直接数字电容电路:该电路是用来将敏感元件所承受的压力转换成频率信号,并使该频率信号与压力信号成比例关系,供CPU采样使用。

温度传感器:用来测量压力传感器的工作介质温度,并将其转换为数字信号,供微处理器进行数字温度补偿。

特征化EEPROM:保存变送器温度补偿、传感器特征化曲线及特征数据和数字微调等数据。

即使关闭了电源,数据仍能完整地保存在存储器中。EEPROM总存储容量512字

节。

1.3.2电子线路板部分(智能型)

微处理器:微处理器控制变送器的运行,对压力敏感元件通过直接数字电容电路和温度传感器对其工作压力和工作介质温度进行检测。微处理器利用传感器特征化EEPROM

中的数据进行线性化处理和补偿运算,计算出工作介质的压力值,并送往数/模转

换器和HART通信部分。从而在原理上实现了电子板与传感器互换不会影响变送

器的输出特征。除此之外微处理器还进行传递函数的运算,工程单位及量程的转

换,阻尼调整及自诊断等功能。

存储器EEPROM:保存着通过远程、本地调整所能修改的所有组态数据。即使关闭了电源,仍能完整地保存存储器中的数据。EEPROM总存贮容量512字节。

数/模转换器:数/模转换器把微处理器修正后的压力数字信号按输出形式转换为4-20mA模拟信号送往输出回路。

HART通信:数据通信电路在变送器和欧德利CDHT型手操器或控制系统之间提供接口。

这个电路检测叠加在4-20mA回路上的信号,发送部分以同样形式将信号叠加在

4-20mA回路上。

1.4技术指标

(参考条件,零基量程、硅油、316L不锈钢膜片、量程比1:1、数字微调值等于量程设定点值)

精度:

智能:±0.1%F.S

模似:±0.2%F.S

(注意:对于<10:1的量程,精度≤±0.2%)

环境温度影响/28℃

量程比1:1至10:1:≤±0.2%

微量程(≤1.5KPa):±0.5%

静压影响(差压变送器)

1、零点误差(可在静压下消除)

静压从0~13.7MPa,±0.2%/6.9MPa

静压超过13.7MPa,±0.5%/6.9MPa

2、量程误差±0.25%/6.9MPa

稳定性:12个月,±0.15%,在温度变化28℃,静压最大为6.9MPa,量程1:1条件下。

安装位置影响:零点最多漂移250Pa,可修正掉,无量程影响。

技术性能(基于参考精度、环境温度、静压影响等综合误差):

在变送器1:1量程,28℃温度变化,6.9MPa 静压下为±0.25%。

输出信号:4-20mA输出叠加HART协议数字信号(二线制)

振动影响(微量程除外):

在管道安装过程条件相关的任意轴向上进行15至2000Hz测试小于±0.1%F.S

电源影响:小于0.005%/V

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