半导体第三讲下单晶硅生长技术
单晶硅的生产工艺
单晶硅的生产工艺
单晶硅是一种高纯度的硅材料，广泛应用于太阳能电池、集成电路、半导体等领域。
它的制备过程主要包括三个步骤：原料准备、单晶生长和晶圆加工。
首先，原料准备是制备单晶硅的关键步骤。
通常使用的原料是金属硅，它的纯度需要达到99.9999%以上。
原料经过高温预处理，去除其中的杂质和气体。
然后将原料放入熔炉中，加热至高温，使其熔化成液态硅。
接下来是单晶生长阶段。
在熔融硅中加入少量的掺杂剂，以改变硅的性质。
然后，在特定的条件下，将种子晶体（通常是硅材料的小晶片）以特定的角度浸入熔融硅中。
通过缓慢提升或旋转种子晶体，可以在其上生长出一片完整的单晶硅。
在整个生长过程中，需要精确控制温度、气氛和流速等参数，以保证单晶的质量和形状。
最后是晶圆加工过程。
将生长好的单晶硅锯成薄片，通常称为晶圆。
晶圆表面会有一层氧化膜，需要通过化学腐蚀或机械抛光等方法去除。
然后，在晶圆表面通过光刻和腐蚀等工艺制作电路图案。
最后，进行离散元件的切割、测试和包装等步骤，得到最终的单晶硅产品。
总的来说，单晶硅的生产工艺是一个复杂而精细的过程。
在每个步骤中，需要严格控制工艺参数，以确保单晶硅的质量和性能。
随着技术的进步，单晶硅的生产工艺不断完善，产量和质量也在不断提高，为相关行业的发展提供了重要的支持。
半导体制造工艺之晶体的生长
半导体制造工艺之晶体的生长导语半导体制造是现代电子行业的关键环节之一，而晶体的生长是半导体制造工艺中的必要步骤之一。
本文将详细介绍半导体制造工艺中晶体的生长过程和相关技术。
一、晶体生长基础概念晶体是由连续的原子、离子或分子排列而成的固体物质，其内部结构具有高度有序性。
晶体的生长是指在适当条件下，将原子、离子或分子从溶液或气相中传输到一个固体基底上，形成一个完整的晶体结构。
半导体晶体通常是通过化学气相沉积（CVD）或溶液法来生长的。
在CVD过程中，悬浮的气体或溶液中的原料物质会在晶体基底表面孕育生长。
晶体的生长速度、晶体的性质和电学性能都与晶体生长条件密切相关。
二、晶体生长过程晶体生长过程涉及一系列的步骤，包括原料制备、气相或溶液传输、吸附、扩散、结晶和去除杂质等。
下面将逐步介绍这些步骤。
2.1 原料制备晶体生长的基本材料是高纯度的原料物质，以确保晶体的纯度和质量。
通常需要对原料进行提纯和处理，以去除其中的杂质。
2.2 传输在气相生长中，原料气体会通过供气系统进入晶体生长的反应室。
在溶液法中，原料会被溶解在溶液中，通过流动或浸没晶体基底的方式被传输到晶体生长区域。
2.3 吸附原料物质在晶体基底表面吸附，形成吸附物。
随着吸附反应的进行，表面吸附物会逐渐增多，形成一个薄层。
2.4 扩散扩散是指原料物质在吸附层内部的传输过程。
原料物质会沿着晶体基底的表面扩散，寻找到新的吸附位置，并逐渐积聚起来。
2.5 结晶当吸附物质达到一定浓度时，会出现结晶现象。
原料物质会从吸附层中析出，形成新的晶体结构。
晶体的生长速度取决于扩散速率和结晶速率。
2.6 去除杂质晶体生长过程中会存在一些杂质，如异质原子或离子。
这些杂质会影响晶体的纯度和性能。
因此，在晶体生长结束后，需要进行杂质的去除和晶体的后处理，以提高晶体的质量。
三、晶体生长技术半导体制造工艺中有多种晶体生长技术，常见的包括单晶生长和多晶生长两种。
3.1 单晶生长单晶生长是将晶体在基底上沿特定方向生长，并形成完整的单晶结构。
半导体材料与工艺之 晶体生长原理
晶体生长原理
1
1
晶体生长作为一种相变过程大体分为3类:
(1)固相生长：即物态没有变化，仅有晶格结构发生变化的 相变过程。譬如，离子注入后变成非晶态的注入层在 退火过程中再结晶的过程，具有两种以上同质异构体 的晶体在适当条件下的晶型转变过程等等。
2
(2)液相生长:伴随在液-固相变过程中的结晶过程，包括从 溶液中生长晶体(通常是薄层)的液相外延过程和从熔体中 生长晶体的正常凝固过程和区域熔炼过程。例如。GaAs衬 底上的GaAlAs液相外延和用直拉法生长硅单晶等。 (3)气相生长:伴随在气-固相变过程中的结晶过程，包括晶 体薄膜的气相外延生长过程和利用升华法生长难熔晶体的 过程。例如，SiH4生长硅薄膜的外延过程和碳化硅块状晶 体的生长过程等。
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8.1.1.3 结晶的微观过程
无论是非金属还是金属，结晶过程都是形核与长大的过 程。液态金属结晶时，首先形成一些微小而稳定的晶体， 它们就是晶体长大的核心，故称为晶核。这些晶核逐渐 长大，在先形成的晶核长大过程中，又有新的晶核形成， 直至液态金属全部消失。 由于每个晶核的晶体学位向不同，在结晶完成之后，由 一个晶核长成的一部分晶体，其位向相同，形成一个小 单元，这就是晶粒。晶粒与晶粒的交界面称为晶界。因 此，在一般结晶条件下，都得到由很多晶粒组成的多晶 体。如果要得到单晶体，就必须采取措施，保证结晶过 程是由一个晶粒长大而成。
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气相生长
在温度为T的气相生长系统中，将气体视为理想气体， 其化学势(对单元系即单位克分子物质的吉布斯自由能 )可用其温度T和压强P表示为
μ g (T, P) =μ 0 g (T) + RTln P
式中，右边第一项表示温度为T的标准态(即压强为1大 气压)理想气体的化学势，R为摩尔气体常数。
半导体晶体生长技术
半导体晶体生长技术半导体晶体生长技术是一项重要的技术领域，它在半导体器件制造、光电子器件制造等领域起着关键作用。
本文将从晶体生长方法、生长机理和应用等方面进行介绍。
一、晶体生长方法半导体晶体生长技术包括气相生长、液相生长和固相生长等方法。
其中，气相生长是在特定温度和压力条件下，通过气相中的原料气体在衬底上生长晶体。
液相生长是通过溶液中的溶质在衬底上沉积晶体，常用的方法有溶液浸渍法、溶液蒸发法等。
固相生长是通过固体相变化的方式在衬底上生长晶体，常用的方法有化学蒸发法、分子束外延法等。
二、晶体生长机理半导体晶体的生长机理涉及到热力学和动力学过程。
在热力学方面，晶体生长是由于原子或分子在原料气体或溶液中的过饱和度引起的。
过饱和度越大，晶体生长速度越快。
在动力学方面，晶体生长是由于原子或分子在表面附着、扩散和沉积的过程。
表面附着是原子或分子与晶体表面相互作用并附着在晶体上的过程，扩散是原子或分子在晶体表面上的迁移过程，沉积是原子或分子在晶体表面上的沉积过程。
三、晶体生长的应用半导体晶体生长技术在半导体器件制造、光电子器件制造等领域具有广泛的应用。
在半导体器件制造中，晶体生长技术可以用于生长硅、镓砷化镓、硫化锌等半导体材料，用于制备晶体管、二极管、场效应管等器件。
在光电子器件制造中，晶体生长技术可以用于生长锗、镓砷化镓等光电子材料，用于制备激光器、光电探测器等器件。
此外，晶体生长技术还在生物医学、能源等领域有着重要的应用，如用于生长蛋白质晶体、太阳能电池材料等。
半导体晶体生长技术是一项重要的技术领域，它通过不同的生长方法和生长机理，实现了半导体晶体的高质量生长。
该技术在半导体器件制造、光电子器件制造等领域具有广泛的应用。
随着科学技术的不断发展，半导体晶体生长技术将继续得到改进和创新，为相关领域的发展提供更多可能性。
单晶硅生长技术及氧缺陷控制方法
单晶硅生长技术及氧缺陷控制方法摘要：目前电子信息技术以及光伏技术飞速发展，而作为此类技术的基础材料，硅发挥了重要作用。
从某些角度分析，硅（Si）影响了未来科技的发展，是高薪技术进步的基础，因此国家想要发展自身在能源领域以及高新技术领域实力，必须将Si作为战略资源。
作为功能性材料，Si具有各项异性，所以将Si应用于半导体材料需要将其制成硅单晶，并进一步将其加工成为抛光片。
这样才能将Si应用于CI器件的制造中，目前所生产的电子元件中89%以上的均使用硅单晶。
关键词：单晶硅；生长技术；氧缺陷单晶硅的生产需要以半导体单晶硅切割过程中产生的头尾料、单晶硅碎片以及边皮料作为原料。
而生产所用技术目前主要有两种，一种为直拉法，一种则是悬浮区熔法。
制备单晶硅过程中，依照实际的需要还需要添加必要元素，从而增大、减小材料电阻率，掺杂元素主要为第Ⅲ主族元素以及第Ⅴ主族元素。
完成单晶硅材料的制备后，还需要依照半导体材料的需要进行深加工，深加工程序主要包括切片、打磨以及腐蚀和抛光。
而随着单晶硅的生产技术、加工技术的发展，目前的单晶硅逐步向着300mm以上大直径材料发展，且缺陷含量以及杂志含量更低，材料分布更加均匀，且生产成本不断降低、效率更高。
1 单晶硅的概念半导体材料的电学性质和其他物理性质对晶格缺陷以及所含杂质的种类和数量非常敏感。
制作各种半导体器件，尤其是集成电路和大规模集成电路的制作更需要均匀性好的大直径完善单晶。
目前不仅能制造无位错的完善单晶，而且还可以将位错密度控制在一定范围内[1]。
无位错单晶的直径已达到200mm规格化。
2 单晶硅的生长方法2.1 直拉（CZ）法CZ是单晶硅生长中直拉法的简称，其过程相对较为简单，通过从熔硅中利用旋转籽晶对单晶硅进行提拉制备，该种方法生产成本相对较低，且能够大量生产。
因此该项技术在国内太阳能单晶硅片的生产中广泛贵推广开来，直拉法目前使用的技术工艺核心有磁场直拉法、热场构造以及控制氧浓度等。
半导体材料课件熔体晶体生长 硅、锗单晶生长
≈ θm
1− hr 2 / 2ra
⎜⎛1 ⎝
−
1 2
hra
⎟⎞ ⎠
⎡ exp⎢−
⎢⎣
⎜⎜⎝⎛
2h ra
⎟⎟⎠⎞1/
2
z
⎤ ⎥ ⎥⎦
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
3-2 熔体的晶体生长
晶体中温度梯度沿轴向z和沿径向r的分量为
( ) ∂θ
∂z
≈
−θm
⎜⎜⎝⎛
2h ra
⎟⎟⎠⎞1/
2
1− hr 2 / 2ra
⎝ dZ ⎠L
Runyan对一个硅单晶生长系统进行了估算：
fmax=2.96cm/min。
实际测得 fmax=2.53 cm/min。
理论与实验值大体是相符的。 QF = fAdH~ = QC - QL
③ 生长速度f 一定时，A=（QC-QL）/fdH
QC→大 或 QL →小, A →大 (非稳定生长→建立新 的稳态 )
相对温度θ(r.φ.z)=T(r.φ.z)-T0；
T0：环境温度，T：体系温度。
晶体中热场是圆柱对称，与圆周角
φ无关；θ只是半径r和高度z的函
数，热传导方程为
∂ 2θ
∂r 2
+1 r
∂θ
∂r
+
∂ 2θ
∂z 2
=0
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
l
3-2 熔体的晶体生长
三个边界条件：
l
⑴ 固-液界面上，界面温度为熔点Tm，
3-2 熔体的晶体生长
AK
L
⎜⎛ ⎝
dT dZ
⎟⎞ ⎠L
+
fAd
H~
=
单晶硅的生长方法
单晶硅的生长方法1. 直拉法呀，就像我们小时候搭积木一样，一点点把单晶硅拉起来。
你看，在一个高温的坩埚里，把多晶硅熔化，然后用一根细细的籽晶去慢慢往上提拉，哇，单晶硅就这么神奇地生长出来啦！就像盖高楼一样，一层一层的。
2. 区熔法呢，这可有意思了，就好比是在一个局部区域进行一场特殊的“培育”。
把一根多晶硅棒固定，然后用一个加热环在上面移动，加热的地方就熔化啦，慢慢移动过去，单晶硅不就长出来了嘛！是不是很神奇呀！3. 外延生长法，哎呀呀，就好像给单晶硅穿上一件新衣服一样。
在一个已经有单晶硅的衬底上，让气态的反应物沉积上去，形成新的单晶硅层，这就像给它装饰打扮一番呢！4. 气相沉积法，就如同是在空中“变魔术”，让那些气体中的硅原子乖乖地聚集在一起变成单晶硅。
比如把含硅的气体通入反应室，它们就会乖乖地在合适的地方沉积下来成为单晶硅啦，多奇妙呀！5. 分子束外延法，这可是个精细活儿呀，就像一个细心的工匠在雕琢一件艺术品。
通过精确控制分子束的流量和方向，让单晶硅完美地生长出来，厉害吧！6. 固相晶体生长法，这就像是在一个安静的角落默默努力的小伙伴。
在固体状态下，通过一些特殊的条件，让单晶硅悄悄地生长，给人一种很踏实的感觉呢！7. 助熔剂法，好比是有了一个好帮手一样。
加入助熔剂来帮助单晶硅生长，就像有人在旁边助力，让单晶硅长得更好更快呢！8. 水热法，哇哦，就如同在一个温暖的水中“孕育”着单晶硅。
在特定的温度和压力下，让单晶硅在水中生长，是不是很特别呀！9. 熔盐法，这就好像是在一个充满魔法的盐世界里让单晶硅现身。
利用熔盐作为介质，单晶硅就神奇地冒出来啦，真的好有趣呀！10. 等离子体增强化学气相沉积法，就像有一股神奇的力量在推动着单晶硅生长。
利用等离子体来增强反应，让单晶硅快快长大，太有意思啦！我觉得呀，这些单晶硅的生长方法都好神奇，各有各的独特之处，都为我们的科技发展做出了重要贡献呢！。
半导体第三讲-下-单晶硅生长技术
单晶硅主要生长方法
直拉法生长单晶硅容易控制，产能 比区熔高，会引入杂质，应用于半 导体集成电路、二极管、外延片衬 底20、20/1太1/5阳能电池。
区熔法可生长出纯度高均匀性好的 单晶硅，应用于高电压大功率器件 上，如可控硅、可关断晶闸管。
2020/11/5
单晶硅简介
单晶硅属于立方晶系，金刚石结构，是一种性能优良 的半导体材料。
自上世纪 40 年代起开始使用多晶硅至今，硅材料的生 长技术已趋于完善，并广泛的应用于红外光谱频率光 学元件、红外及 射线探测器、集成电路、太阳能电池 等。
此外，硅没有毒性，且它的原材料石英(SiO2)构成了 大约60%的地壳成分，其原料供给可得到充分保障。
在磁场下生长单晶，当引入磁感应强度达 到一定值时，一切宏观对流均受到洛伦兹 力的作用而被抑制。
2020/11/5
垂直磁场对动量及热量的分布具有双重效 应。垂直磁场强度过大（Ha=1000/2000）， 不利于晶体生长。
对无磁场、垂直磁场、勾形磁场作用下熔 体内的传输特性进行比较后发现，随着勾 形磁场强度的增加，熔体内子午面上的流 动减弱，并且紊流强度也相应降低。
区熔硅的常规掺杂方法有硅芯掺杂、表面涂敷 掺杂、气相掺杂等，以气相掺杂最为常用。
2020/11/5
晶体缺陷 区熔硅中的晶体缺陷有位错和漩涡缺陷。
中子嬗变晶体还有辐照缺陷，在纯氢或氩 一氢混合气氛中区熔时，常引起氢致缺陷。
2020/11/5
通过在氩气气氛及真空环境下进行高阻区 熔硅单晶生长试验发现,与在氢气气氛下生长 硅单晶相比,在真空环境下采用较低的晶体生 长速率即可生长出无漩涡缺陷的单晶, 而当晶 体生长速度较高时, 尽管可以消除漩涡, 但单晶 的少子寿命却有明显的下降。在真空中生长无 漩涡缺陷单晶的生长速率,比在氢气气氛下生 长同样直径单晶的生长速率低,但漩涡缺陷对 单晶少子寿命的影响并不明显。
半导体材料与工艺之单晶半导体材料制备技术方案
半导体材料与工艺之单晶半导体材料制备技术方案单晶半导体材料制备技术是半导体材料与工艺中的一项重要内容，对于半导体器件的性能和可靠性有着直接的影响。
单晶半导体材料可以提供高电子迁移率、较低的电阻率和优异的光学性能，因此在微电子器件制造过程中被广泛应用。
本文将介绍单晶半导体材料制备的技术方案。
1.单晶生长技术单晶生长是制备单晶半导体材料的关键步骤，目前常用的单晶生长技术包括气相传输（CZ）法、流动增长法（VGF）和外延生长法（EPI）。
其中，CZ法是最常用的单晶生长技术，通过将高纯度的多晶硅加热熔化，再通过拉晶的方式生长单晶硅材料。
VGF法和EPI法则适用于其他半导体材料的生长，如GaAs、InP等。
2.杂质控制技术杂质是影响单晶半导体材料性能的重要因素，因此需要采取一系列的杂质控制技术。
首先是原材料的高纯度要求，通常使用区别于电子级的超高纯度材料，如电镀多晶硅。
其次是在生长过程中采用高纯度的保护气体和容器，以减少杂质的进入。
同时，可以通过控制生长条件和添加适量的掺杂源来控制杂质浓度和类型。
3.单晶取样技术单晶取样是制备单晶半导体材料的重要步骤，主要用于后续的材料表征和器件加工。
常用的单晶取样技术包括悬臂切割法、钻石切割法和溶剂蒸发法等。
悬臂切割法是一种常用且成本较低的单晶取样技术，通过机械切割单晶材料得到所需的单晶样品。
钻石切割法则是使用金刚石刀具进行切割，获得更加精密的单晶样品。
4.单晶材料的表征技术单晶材料的表征是了解其物理性质和化学成分的重要手段，常用的表征技术包括X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、能谱分析（EDS）和拉曼光谱等。
XRD可以定性分析材料的晶体结构和晶格参数；SEM可以观察材料的表面形貌和粗细度；EDS可以分析材料的化学成分和杂质元素的存在；拉曼光谱可以分析材料的晶格振动信息。
综上所述，单晶半导体材料制备技术方案包括单晶生长技术、杂质控制技术、单晶取样技术和单晶材料表征技术等多个方面。
单晶生长技术的发展及应用
单晶生长技术的发展及应用随着现代化科技的发展，人们对材料的性质和质量的要求越来越高。
单晶材料是一种重要的功能性材料，被广泛应用于半导体、电子、光学、航空等领域。
而单晶生长技术作为单晶材料生产的基础技术，也在不断发展与创新中。
一、单晶生长技术简介单晶生长技术是通过在超温、超压、超纯洁的条件下，将零散的晶核长成完整的单晶体。
目前常用的单晶生长技术有凝固法、气相生长法、溶液法、化学气相沉积法等。
1、凝固法凝固法是单晶生长技术中最早被发现和应用的方法。
它利用温度梯度、浓度梯度等条件，将溶液或熔体中的溶质逐步凝固，并长成单晶。
这种方法适用于许多晶体材料的生长，如硅、锗、镓、铟、铜、黄金等金属和非金属材料。
2、气相生长法气相生长法是通过控制气相中的气氛、温度、压力等条件，使气体中的化学物质在基片上形成单晶。
它广泛应用于钙钛矿、硼化物、蓝宝石、氮化硅、碳化硅等材料的生长。
3、溶液法溶液法是将固体物质或气态物质溶解到溶液中，在温度、浓度等筛选条件下，使其逐步长成单晶。
溶液法具有生长速度快、生长质量好等优点。
目前使用最广泛的溶液法是水热法，它能够较好的生长出氧化物、硫酸盐等化合物的高质量单晶。
4、化学气相沉积法化学气相沉积法是利用化学反应沉积单原子层或几原子层的材料，并组装成高质量的单晶。
该方法可用于比较稳定的材料的生长，如氧化铟、钨酸盐等。
二、单晶生长技术的应用单晶材料具有优异的性能，被广泛应用于半导体、电子、光学、航空等领域。
生长出高质量、大尺寸且准确控制其物性的单晶，不仅能够提升材料的性能，也能够拓展材料应用的领域。
1、半导体单晶硅被广泛应用于半导体领域，其应用主要体现在太阳能电池、集成电路、红外探测器等领域。
其生长技术主要采用凝固法和气相生长法。
2、光学单晶材料在光学领域有着极为广泛的应用。
例如单晶蓝宝石在照明领域有着非常广泛的应用，其应用于LED中的蓝宝石基板，可以大大提高LED的发光效率。
此外，单晶材料还在光学器件、激光等领域得到了广泛应用。
半导体材料与工艺之晶体生长原理
半导体材料与工艺之晶体生长原理晶体生长是半导体制备过程中至关重要的步骤，它直接决定了半导体材料的质量和性能。
具体来说，晶体生长是指在合适的条件下，使已有的晶体生长并形成更大晶体的过程。
在半导体材料与工艺中，晶体生长原理包括物质迁移、晶格匹配以及晶体生长动力学。
首先，半导体晶体的生长需要物质源。
一般来说，常用的半导体材料生长方法有气相传输、分子束外延、液相生长和金属有机气相沉积等。
这些方法都需要提供适当的物质源，如气体、液体或固体，以供原子或分子向生长界面输送。
物质源中的原子或分子通过蒸发、溶解或反应等方式进入生长介质，并在生长界面上沉积形成晶体。
其次，晶体生长过程中晶格匹配是一个重要的考虑因素。
晶体的生长需要满足晶格的连续性和匹配性，使得新生长的晶体与已有晶体之间具有较好的相容性。
晶格匹配可以通过不同材料之间的共面性和插层性来实现。
共面性是指两种晶体的晶格面能够完全重合，插层性是指两种晶体之间存在一定的晶格距离差异，但可以通过引入插入层来实现晶格匹配。
在晶格匹配的基础上，可以通过控制生长条件和材料搭配选择合适的晶体生长方法，以得到质量较好的半导体晶体。
最后，晶体的生长动力学是影响晶体生长的决定性因素之一、晶体生长动力学涉及物质输运、界面平衡、表面反应和晶格扩散等多个方面的过程。
物质输运指的是物质在生长介质中的迁移过程，分为质量传递和热量传递两部分。
质量传递主要与物质扩散有关，而热传递则与温度梯度和热导率有关。
界面平衡是指晶体与生长介质之间的界面存在的不平衡情况，通过调控界面吸附行为和界面能量来实现界面平衡。
表面反应是指晶体在界面上发生的表面化学反应，如表面吸附、解吸和表面扩散等。
晶格扩散是指晶体内部原子之间的迁移，它对晶体生长速率和晶格缺陷的形成有着重要的影响。
总的来说，半导体材料与工艺中的晶体生长原理包括物质迁移、晶格匹配和晶体生长动力学等多个方面的考虑。
只有深入了解并掌握这些原理，才能够高效地制备出质量优良的半导体晶体。
硅基半导体的制备技术
硅基半导体的制备技术硅基半导体是一种重要的材料，在电子行业中有广泛的应用。
它具有优良的电子特性和稳定性，因此被广泛用于集成电路、太阳能电池等领域。
本文将介绍硅基半导体的制备技术，包括单晶硅的生长、掺杂和薄膜沉积等关键步骤。
一、单晶硅的生长单晶硅是硅基半导体的基础材料，其生长过程需要高纯度的硅原料和精密的控制条件。
目前常用的单晶硅生长方法有Czochralski法和区域熔融法。
Czochralski法是一种常用的单晶硅生长方法。
首先，将高纯度的硅原料放入石英坩埚中，加热至高温熔化。
然后，在熔融硅液表面缓慢地降下单晶硅种子，通过旋转坩埚和提升种子的方式，使硅液逐渐凝固形成单晶硅棒。
这种方法生长的单晶硅具有较高的纯度和晶格完整性。
区域熔融法是另一种常用的单晶硅生长方法。
它通过在硅片表面形成一个局部区域的熔融，然后使熔融区域逐渐扩大，最终形成单晶硅。
这种方法可以在硅片上生长大面积的单晶硅，适用于大规模生产。
二、掺杂掺杂是指向单晶硅中引入杂质，改变其电子特性的过程。
常用的掺杂方法有扩散法和离子注入法。
扩散法是一种将杂质从气相或液相扩散到单晶硅中的方法。
首先，在单晶硅表面形成一层薄膜，然后将硅片放入高温炉中，在一定的温度和时间条件下，使杂质从薄膜扩散到单晶硅中。
这种方法可以实现对单晶硅的局部掺杂，用于制备各种器件。
离子注入法是一种将杂质离子注入到单晶硅中的方法。
通过加速器将杂质离子加速到一定能量，然后注入到单晶硅中。
这种方法可以实现对单晶硅的全面掺杂，用于制备集成电路等器件。
三、薄膜沉积薄膜沉积是指在硅基半导体表面沉积一层薄膜，用于改变其表面性质或制备特定的器件结构。
常用的薄膜沉积方法有化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。
化学气相沉积是一种将气体中的化学物质在硅基半导体表面发生化学反应，形成薄膜的方法。
通过控制反应条件和气体流量，可以得到不同性质的薄膜，如氧化硅、氮化硅等。
物理气相沉积是一种将固体材料在真空环境下蒸发或溅射到硅基半导体表面形成薄膜的方法。
单晶硅生长过程
（5）等径生长 引晶和放肩之后，通过拉速和温度的不断调整，可使晶棒的直径维持在±2mm之
间，这段直径固定的部分称之为晶身。由于硅片即来自于晶身，所以此阶段的
参数控制是非常重要的。由于在晶棒生长过程中，液面会逐渐下降，加热功率 逐渐上升等因素，使得晶棒的散热速率随着晶棒长度的增加而递减。因此固液 界面处的温度梯度减小，使得晶棒的最大拉速随着晶棒长度而减小。
当硅熔液的温度稳定之后将100或111方向的籽晶慢慢浸入硅熔液中由于籽晶和硅熔液接触时的热应力会使得籽晶产生位错这些位错必须利用引晶生长使之消失
单晶硅的生长及硅片加工
单晶硅按晶体伸长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。 直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材，外延法伸长单晶硅薄膜。直拉法伸长的单晶 硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。区熔法单晶 主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、 整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。外延片主要用于集成 电路领域。
（6）收尾
在长完晶身部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么热应力将使得晶棒出 现位错和滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小， 直到成一个尖点而与sensor）和
电脑控制系统等。 右图为一典型的CZ生长炉的示意图。
2. CZ操作流程与原理
（1）加料 此步骤主要是将晶硅原料和搀杂剂放入石英坩埚内。搀杂剂的种类是按照导电类型
N或P而定的，P型的搀杂剂一般为硼/镓，N型搀杂剂则一般为磷。
（2）熔化 当加完晶硅原料于石英坩埚内后，单晶炉必须关闭并抽真空使之维持在一定的压力范围。
然后加热至熔化温度（1420℃）以上，将晶硅原料熔化。使用过大的功率来熔化晶
单晶硅生长技术及氧缺陷控制方法2100字
单晶硅生长技术及氧缺陷控制方法2100字摘要：本文介绍了单晶硅的基本概念和用途，并对单晶硅的几种主要制备方法做了简单介绍。
同时结合生产实际经验，对单晶硅中的主要杂质――氧，提出了几种控制方法。
关键词：单晶硅;生长技术;氧缺陷1 单晶硅的概念半导体材料的电学性质和其他物理性质对晶格缺陷以及所含杂质的种类和数量非常敏感。
制作各种半导体器件，尤其是集成电路和大规模集成电路的制作更需要均匀性好的大直径完善单晶。
目前不仅能制造无位错的完善单晶，而且还可以将位错密度控制在一定范围内[1]。
无位错单晶的直径已达到200mm规格化。
2 单晶硅的生长方法生长单晶的方法有很多种，但基本上可分为：从熔体中的生长法、从溶剂的溶液中生长法和气相生长法[2]。
从熔体中生长单晶的方法，根据具体的工艺又分为立式和水平布里支曼法、立式和水平区溶法、直拉法和粉末法等。
立式区熔法又称无坩埚区熔法。
从溶液中生长单晶的方法有溶剂层移动法，液相外延法等。
从气相生长单晶方法，又可分为热分解或氢还原CVE、利用歧化反应的CVE以及分子束外延法等。
体单晶硅的制备主要用直拉法和区溶法。
薄层单晶硅的制备主要用硅的化合物热分解或氢还原的CVE及分子束外延法。
直拉法又称为乔赫拉尔斯基法。
这种方法生长的单晶硅径向杂质分布比较均匀，但纵向分布就差一些。
另外，拉制单晶时熔体直接与石英坩埚接触，会引进一些氧原子及碳沾污。
目前用区熔法能生长直径100mm，长1m以上的单晶硅，这种单晶中纵向杂质分布比较好，但径向分布不如直拉法的单晶。
用气相外延法（如SiH4的热分解或SiCl4氢还原）能够制备质量非常好的薄层单晶，一般器件大多制作在这个外延层中。
气相外延是目前在器件生产中不可缺少的工艺。
为了满足器件对材料的导电类型和电阻率的要求，在直拉法中采用在熔体中掺杂的方法，在无坩埚区熔中采用的掺杂方法有多种。
前些年，我国主要采用溶液掺杂法，最近提出了一些新的行之有效的掺杂方法。
硅材料加工及应用技术
硅材料加工及应用技术硅材料是一类重要的半导体材料，具有广泛的应用领域。
硅材料加工及应用技术可以分为硅晶体生长、硅材料加工工艺和硅材料的应用等方面。
下面将分别对这些方面进行详细阐述。
一、硅晶体生长技术硅晶体生长是硅材料制备的关键步骤之一，主要有单晶生长和多晶生长两种技术。
1. 单晶生长技术单晶生长技术是指将硅溶液或硅气体经过特殊方法制备成单晶硅。
常用的单晶生长方法有Czochralski法和区域熔融法。
Czochralski法是最常用的单晶生长方法之一，其原理是将高纯度的硅溶液放入铂或石英制成的坩埚中，然后通过在溶液表面引起温度梯度和晶体的旋转，使得溶液中的硅晶体逐渐生长。
区域熔融法是另一种重要的单晶生长方法，其原理是在硅晶体的腔中创建高温区域，通过控制高温区域的形态和移动，使得硅晶体逐渐生长。
2. 多晶生长技术多晶生长技术是指将硅溶液或硅气体制备成多晶硅。
常用的多晶生长方法有气相沉积法和溶液抛光法。
气相沉积法是一种多晶生长技术的主要方法，其原理是通过将硅气体在高温下分解成硅原子，并沉积在基底上形成多晶硅。
溶液抛光法是一种新兴的多晶生长技术，其原理是通过将硅溶液注入到特殊的设备中，通过机械抛光的方式在硅基底上形成多晶硅。
二、硅材料加工工艺硅材料加工工艺主要包括切割、研磨、抛光等过程。
1. 切割硅材料的切割主要是将大块的硅晶体切割成所需尺寸的晶片。
常用的切割方法有线锯切割和酸蚀切割。
线锯切割是一种常见的切割方法，其原理是通过用金刚石线锯将硅晶体切割成所需的尺寸。
酸蚀切割是另一种切割方法，其原理是通过在硅晶体上涂覆一层保护膜，然后将硅晶体浸入酸液中，使其被酸蚀，从而实现切割。
2. 研磨与抛光硅材料的研磨与抛光主要是为了获得光滑的表面，常用的方法有机械研磨和化学机械抛光。
机械研磨是通过使用研磨机械将硅材料的表面进行机械研磨，以去除表面的不均匀性和缺陷。
化学机械抛光是一种将硅材料的表面进行化学和机械结合的处理方法，其原理是通过在硅材料上涂覆一层化学溶液，然后使用机械研磨机械进行抛光，以获得光滑的表面。
半导体第三讲下单晶硅生长技术课件
•2024/1/15
•半导体第三讲下单晶硅生长技术
ß 垂直磁场对动量及热量的分布具有双重效 应。垂直磁场强度过大（Ha=1000/2000）， 不利于晶体生长。
ß 对无磁场、垂直磁场、勾形磁场作用下熔 体内的传输特性进行比较后发现，随着勾 形磁场强度的增加，熔体内子午面上的流 动减弱，并且紊流强度也相应降低。
显增大。研究还发现, 氧沉淀消融处理后，
后续退火的温度越高, 氧沉淀的再生长越快。
•2024/1/15
•半导体第三讲下单晶硅生长技术
ß 对1000 ℃、1100℃退火后的掺氮直拉硅中 氧沉淀的尺寸分布进行的研究表明，随着 退火时间的延长，小尺寸的氧沉淀逐渐减 少，而大尺寸的氧沉淀逐渐增多。氮浓度 越高或退火温度越高, 氧沉淀的熟化过程进 行得越快。
ß 因此适当控制氧析出物的含量对制备性能 优良的单晶硅材料有重大意义
•2024/1/15
•半导体第三讲下单晶硅生长技术
ß
研究发现，快速热处理( R T P)是一种
快速消融氧沉淀的有效方式, 比常规炉退火
消融氧沉淀更加显著。硅片经R TP 消融处
理后, 在氧沉淀再生长退火过程中，硅的体
微缺陷(BMD)密度显著增加, BMD的尺寸明
•2024/1/15
•半导体第三讲下单晶硅生长技术
ß 通过一定的工艺, 在硅片体内形成高密度的 氧沉淀, 而在硅片表面形成一定深度的无缺 陷洁净区，该区域将用于制造器件, 这就是 “内吸杂”工艺。
ß 如果氧浓度太低, 就没有 “内吸杂”作用, 反之如果氧浓度太高, 会使晶片在高温制程 中产生挠曲。
拉晶试验，结果发现平均 拉速可从0.6mm/min提高 到0.9mm/min，提升了 50%。
半导体材料的生长与制备技术
半导体材料的生长与制备技术半导体材料是现代电子产业的核心，它是制造晶体管、光电器件等电子元件的基础。
它的生长和制备技术是电子产业中最重要的环节之一。
本文将介绍半导体材料的生长和制备技术的基本原理和方法，以及这些技术应用的发展趋势。
一、半导体材料的生长技术半导体材料的生长技术主要包括晶体生长、薄膜生长和量子点生长等方面。
1. 晶体生长技术晶体生长通常是通过在高温熔解状态下，在单晶种子上生长单晶体。
晶体生长的过程中，需要控制合金元素的添加、温度、压力、晶体生长速率等因素。
常见的晶体生长技术包括：固相生长、液相生长、气相生长以及分子束外延等技术。
2. 薄膜生长技术薄膜生长技术通常是在具有特殊表面能的衬底上通过物理蒸发、化学气相沉积、离子束外延等方式来生长制备。
其生长的过程中需要控制特定的参数，如蒸发速率、气压、反应温度等。
其中，化学气相沉积和物理气相沉积是薄膜生长技术中最常见的方法。
3. 量子点生长技术量子点生长技术是一种特殊的薄膜生长技术，它能制备出尺寸在几个到几十个纳米的半导体量子点。
量子点具有比基材内部物质更大的限制和量子效应，自然地表现出不同的电学和光学属性。
其生长技术主要包括原位处理、结构上生长和自形成等方法。
二、半导体材料的制备技术半导体材料的制备技术主要包括微电子加工技术、光电子加工技术、光刻技术等方面。
1. 微电子加工技术微电子加工技术是制备半导体芯片的主要方法，可分为前端工艺和后端工艺两个部分。
前端工艺主要是通过光刻或电子束刻蚀等方式制备出光刻胶层图形，然后将胶层用于约束理化腐蚀等技术制备出所需的图案结构。
后端工艺则包括金属化、制造管孔和封装等步骤。
2. 光电子加工技术光电子加工技术主要是通过光刻和光刻胶压印等方法来制造精确的微纳米结构。
光刻技术具有极高的图形形成精度和可重复性，通过在光刻胶层上的光学显影过程，将图案转移至掩模芯片上，使得芯片上的所需结构与掩模芯片上的图案几乎完全一致。
单晶硅生长技术
2020/9/12
与敞开系统相 比，密闭系统界面 附近晶体轴向温度 梯度增大约10℃， 而熔体中轴向温度 梯度降低约5℃。
温度-距离曲线（熔体）
磁场直拉法
今年来，随着生产ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ模的扩大，直拉单晶 硅正向大直径发展，投料量急剧增加。由 于大熔体严重的热对流不但影响晶体质量， 甚至会破坏单晶生长。
目前，抑制热对流最常用的方法是在长晶 系统内加装磁场。
区熔硅的常规掺杂方法有硅芯掺杂、表面涂敷 掺杂、气相掺杂等，以气相掺杂最为常用。
2020/9/12
晶体缺陷 区熔硅中的晶体缺陷有位错和漩涡缺陷。
中子嬗变晶体还有辐照缺陷，在纯氢或氩 一氢混合气氛中区熔时，常引起氢致缺陷。
2020/9/12
通过在氩气气氛及真空环境下进行高阻区 熔硅单晶生长试验发现,与在氢气气氛下生长 硅单晶相比,在真空环境下采用较低的晶体生 长速率即可生长出无漩涡缺陷的单晶, 而当晶 体生长速度较高时, 尽管可以消除漩涡, 但单晶 的少子寿命却有明显的下降。在真空中生长无 漩涡缺陷单晶的生长速率,比在氢气气氛下生 长同样直径单晶的生长速率低,但漩涡缺陷对 单晶少子寿命的影响并不明显。
2020/9/12
研究发现，快速热处理( R T P)是一种
快速消融氧沉淀的有效方式, 比常规炉退火
消融氧沉淀更加显著。硅片经R TP 消融处
理后, 在氧沉淀再生长退火过程中，硅的体
微缺陷(BMD)密度显著增加, BMD的尺寸明
显增大。研究还发现, 氧沉淀消融处理后，
后续退火的温度越高, 氧沉淀的再生长越快。
单晶硅生长技术现状
2020/9/12
单晶硅简介
硅(Si)材料是信息技术、电子技术和光伏技术最重 要的基础材料。
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2018/11/21
应用简介
2018/11/21
2018/11/21
单晶硅生长的原材料:多晶硅原料的制备 技术
地球上Si材料的含量丰富，它以硅砂的Sia:状态存在 于地球表面。从硅砂中融熔还原形成低纯度的Si是制造 高纯度Si的第一步。将Si仇与焦炭、煤及木屑等混合， 置于石墨电弧炉中在1 SDO℃一2 000℃下加热，将氧化 物分解还原，可以获得纯度为98%的多晶硅。接下来需 将这种多晶硅经一系列的化学过程逐步纯化，其工艺及 化学反应式分别如下:
2018/11/21
பைடு நூலகம்
通过一定的工艺, 在硅片体内形成高密度的 氧沉淀, 而在硅片表面形成一定深度的无缺 陷洁净区，该区域将用于制造器件, 这就是 “内吸杂”工艺。 如果氧浓度太低, 就没有 “内吸杂”作用, 反之如果氧浓度太高, 会使晶片在高温制程 中产生挠曲。 因此适当控制氧析出物的含量对制备性能 优良的单晶硅材料有重大意义
2018/11/21
先进的热场构造
在现代下游IC产业对硅片品质依赖度日益 增加的情况下, 热场的设计要求越来越高 。 好的热场必须能够使炉内的温度分布达到 最佳化，因此一些特殊的热场元件正逐渐 被使用在先进的CZ长晶炉内。
2018/11/21
先进的热场构造
任丙彦等对200mm太 阳能用直拉单晶的生长速 率进行了研究。通过采用 热屏、复合式导流系统及 双加热器改造直拉炉的热 系统进行不同热系统下的 拉晶试验，结果发现平均 拉速可从0.6mm/min提高 到0.9mm/min，提升了 50%。
2018/11/21
与敞开系统相 比，密闭系统界面 附近晶体轴向温度 梯度增大约10℃， 而熔体中轴向温度 梯度降低约5℃。 温度-距离曲线（晶体） 在CZ长晶过程中， 当熔体中的温度梯度 越小而晶体温度梯度 越大时，生长速率越 高。
2018/11/21
温度-距离曲线（熔体）
磁场直拉法
今年来，随着生产规模的扩大，直拉单晶 硅正向大直径发展，投料量急剧增加。由 于大熔体严重的热对流不但影响晶体质量， 甚至会破坏单晶生长。 目前，抑制热对流最常用的方法是在长晶 系统内加装磁场。 在磁场下生长单晶，当引入磁感应强度达 到一定值时，一切宏观对流均受到洛伦兹 力的作用而被抑制。
2018/11/21
直拉法生长单晶硅设备实物图与示意图
直拉法单晶硅生长工艺
直拉法生长单晶硅的制备步骤一般包括： （1）多晶硅的装料和熔化 （2）引晶 （3）缩颈 （4）放肩 （5）等颈 （6）收尾
2018/11/21
直拉法生长单晶硅工艺流程图
2018/11/21
目前, 直拉法生产工艺的研究热点主要有: 先进的热场构造 磁场直拉法 对单晶硅中氧浓度的控制
2018/11/21
垂直磁场对动量及热量的分布具有双重效 应。垂直磁场强度过大（Ha=1000/2000）， 不利于晶体生长。 对无磁场、垂直磁场、勾形磁场作用下熔 体内的传输特性进行比较后发现，随着勾 形磁场强度的增加，熔体内子午面上的流 动减弱，并且紊流强度也相应降低。
2018/11/21
2018/11/21
单晶硅简介
单晶硅属于立方晶系，金刚石结构，是一种性能优良 的半导体材料。 自上世纪 40 年代起开始使用多晶硅至今，硅材料的生 长技术已趋于完善，并广泛的应用于红外光谱频率光 学元件、红外及 射线探测器、集成电路、太阳能电池 等。 此外，硅没有毒性，且它的原材料石英(SiO2)构成了 大约60%的地壳成分，其原料供给可得到充分保障。 硅材料的优点及用途决定了它是目前最重要、产量最 大、发展最快、用途最广泛的一种半导体材料。
单晶硅主要生长方法
直拉法生长单晶硅容易控制，产能 比区熔高，会引入杂质，应用于半 导体集成电路、二极管、外延片衬 2018/11/21 底、太阳能电池。
区熔法可生长出纯度高均匀性好的 单晶硅，应用于高电压大功率器件 上，如可控硅、可关断晶闸管。
直拉法生长硅单晶
基本原理：原料装在一个坩埚中，坩埚上 方有一可旋转和升降的籽晶杆，杆的下端 有一夹头，其上捆上一根籽晶。原料被加 热器熔化后，将籽晶插入熔体之中，控制 合适的温度，使之达到过饱和温度，边旋 转边提拉，即可获得所需单晶。因此，单 晶硅生长的驱动力为硅熔体的过饱和。根 据生长晶体不同的要求，加热方式可用高 频或中频感应加热或电阻加热。
2018/11/21
工艺及化学反应式分别如下
1.盐酸化处理
将冶金级Si置于流床反应器中，通人盐酸形成 SiHCI
2.蒸馏提纯
置于蒸馏塔中，通过蒸馏的方法去除其他的反应杂质
3.分解析出多晶硅
将上面已纯化的SiHCl}置于化学气相沉积反应炉中与 氢气，发生还原反应，使得单质Si在炉内高纯度细长 硅棒表面析出，再将此析出物击碎即成块状多晶硅
2018/11/21
Fz单晶的氧含量比直拉硅单晶的氧含量 低2～3个数量级，这一方面不会产生由氧 形成的施主与沉积物，但其机械强度却不 如直拉单晶硅，在器件制备过程中容易产 生翘曲和缺陷。在Fz单晶中掺入氮可提高 其强度。
2018/11/21
工艺特点 大直径生长，比直拉硅单晶困难得多，要克服 的主要问题是熔区的稳定性。这可用“针眼技 术”解决，在FZ法中这是一项重大成就。另一 项重大成就是中子嬗变掺杂。Fz技术无法控制 熔体对流和晶／熔边界层厚度，因而电阻率的 波动比CZ单晶大。高的电阻率不均匀性限制了 大功率整流器和晶闸管的反向击穿电压。利用 中子嬗变掺杂可获得掺杂浓度很均匀的区熔硅 (简称NTD硅)，从而促进了大功率电力电子器 件的发展与应用。 区熔硅的常规掺杂方法有硅芯掺杂、表面涂敷 掺杂、气相掺杂等，以气相掺杂最为常用。
2018/11/21
热系统改造示意图
直拉炉中增加热屏后平均拉速明显提高的原因 主要有两个： 一方面，热屏阻止加热器的热量向晶体辐射， 减弱了固液界面热辐射力度； 另一方面，热屏起到了氩气导流作用。在敞开 系统中，氩气流形成漩涡，增加了炉内气氛流 的的不稳定性，氩气对晶体的直接冷却能力弱， 不利于生长出无位错单晶。增加热屏后，漩涡 消失，氩气流速增加，对晶体的直接冷却和溶 液界面吹拂能力加强。
单晶硅生长技术现状
2018/11/21
单晶硅简介
硅(Si)材料是信息技术、电子技术和光伏技术最重 要的基础材料。 从某种意义上讲, 硅是影响国家未来在高新技术和 能源领域实力的战略资源。 作为一种功能材料, 其性能应该是各向异性的, 因 此半导体硅大都应该制备成硅单晶, 并加工成抛光 片, 方可制造IC器件, 超过98%的电子元件都是使 用硅单晶
2018/11/21
熔区悬浮的稳定性很重要，稳定熔区的力 主要是熔体的表面张力和加热线圈提供的 磁浮力，而造成熔区不稳定的力主要是熔 硅的重力和旋转产生的离心力。要熔区稳 定地悬浮在硅棒上，前两种力之和必须大 于后两种力之和。
2018/11/21
由于生长过程中熔区始终处于悬浮状 态,不与任何物质接触,生长过程中的杂质分 凝效应和蒸发效应显著等原因, 因此产品纯 度高, 各项性能好。 但由于其生产成本高, 对设备和技术的 要求较为苛刻, 所以一般仅用于军工。太空 等高要求硅片的生长。
2018/11/21
直拉法单晶硅生长原理示意图
2018/11/21
直拉法单晶硅生长设备
整个生长系统主要包括：
晶体旋转提拉系统 加热系统 坩埚旋转提拉系统 控制系统等
。
2018/11/21
1 －晶体上升旋转机构； 2 －吊线； 3 －隔离阀； 4 －籽晶夹头； 5 －籽晶； 6 －石英坩埚； 7 －石 墨坩埚； 8 －加热器； 9 －绝缘材料； 10－真空泵； 11 －坩埚上升旋转机构； 12 －控制系统； 13 － 直径控制传感器； 14 －氩气； 15 －硅熔体
Si单晶的生长是将Si原料在1420℃以上的温度下融化， 再小心的控制液态一固态凝固过程，以长出直径4英寸、 5英寸、6英寸或8英寸的单一结晶体。 目前常用的晶体生长技术有:①提拉法，也称CZ法是将 Si原料在石英塔中加热融化，再将籽晶种入液面，通过 旋转和上拉长出单品棒②悬浮区熔法(floating zone technique),即将一多晶硅棒通过环带状加热器使多晶 硅棒产生局部融化现象，再控制凝固过程而生成 单晶棒:据估计，CZ法长晶法约占整个Si单晶市场的82%， 其余采用悬浮区熔法制备。
2018/11/21
对1000 ℃、1100℃退火后的掺氮直拉硅中 氧沉淀的尺寸分布进行的研究表明，随着 退火时间的延长，小尺寸的氧沉淀逐渐减 少，而大尺寸的氧沉淀逐渐增多。氮浓度 越高或退火温度越高, 氧沉淀的熟化过程进 行得越快。
2018/11/21
区熔(FZ )法生长硅单晶
无坩埚悬浮区熔法。 原理：在气氛或真空的炉室中，利用高频 线圈在单晶籽晶和其上方悬挂的多晶硅棒 的接触处产生熔区，然后使熔区向上移动 进行单晶生长。 由于硅熔体完全依靠其表面张力和高频电 磁力的支托，悬浮于多晶棒与单晶之间， 故称为悬浮区熔法。
体生长速度较高时, 尽管可以消除漩涡, 但单晶
的少子寿命却有明显的下降。在真空中生长无 漩涡缺陷单晶的生长速率,比在氢气气氛下生 长同样直径单晶的生长速率低,但漩涡缺陷对 单晶少子寿命的影响并不明显。
2018/11/21
采用钕铁硼永磁体向熔硅所在空间中引入 Cusp磁场后，当坩埚边缘磁感应强度达到 0.15T时，熔硅中杂质输运受到扩散控制， 熔硅自由表面观察到明显的表面张力对流， 单晶硅的纵向、径向电阻率均匀性得到改 善。