同步整流技术总结
同步整流电路原理
同步整流电路原理同步整流电路是一种可以实现全波整流的电路，其原理是利用一种特殊的开关电源技术，通过对输入交流电进行适当的开关操作，使得输出的电压波形能够保持与输入电压波形相同，但是具有整流效果，使得电流只能从一个方向流过。
以下是对同步整流电路原理的详细解释。
同步整流电路是一种交流电-直流电转换的电路，可以将交流电转换为满足直流设备需要的直流电。
在一般的交流到直流转换电路中，通常会采用整流电路来实现这种转换。
传统的整流电路通常分为半波整流和全波整流两种。
半波整流电路仅利用输入交流波形的正半周或负半周，而全波整流电路则能够利用输入交流波形的全周期。
在一般的交流整流电路中，通常会使用二极管来实现整流功能。
二极管是一种具有导通方向的二端元件，能够允许电流从一个方向流过，而阻止电流从反向流动。
当输入交流电的电压为正向时，二极管就处于正向偏置状态，电流可以通过；当输入电压为反向时，二极管就处于反向偏置状态，电流无法通过。
因此，在半波整流电路中，通过选择合适的二极管方向，就可以实现电流从输入交流电的正半周流过，从而实现整流效果。
而在全波整流电路中，通常需要使用两个二极管的组合才能达到整流效果。
然而，半波和全波整流电路都存在一定的损耗，例如二极管的导通压降和正向电阻等。
这些损耗会导致输入交流电的能量损失，降低整流电路的效率。
为了提高整流电路的效率，降低能源损耗，同步整流电路应运而生。
同步整流电路采用的是一种特殊的开关电源技术，通过对输入交流电进行适当的开关操作，使得输出的电压波形能够保持与输入电压波形相同，但是具有整流效果，使得电流只能从一个方向流过。
在同步整流电路中，会使用一种称为功率场效应管的器件来取代传统的二极管。
功率场效应管是一种具有高导通能力和低导通压降的器件，能够实现很高的开关频率和响应速度。
在同步整流电路中，功率场效应管的导通和截止状态由一个控制信号控制，使得只有在输入交流电的正半周或负半周中，才能够通过功率场效应管实现电流的导通。
同步整流技术分享
江苏宏微科技股份有限公司 Power for the Better同步整流技术及主要拓扑电路宏微科技市场部2015-9-16Contents• 同步整流电路概述 • 典型电路及其特点 • 损耗分析 • 同步整流电路中常见问题 • MOSFET选型设计参考Power for the Better1 CONFIDENTIAL力求更好Contents• 同步整流技术概述 • 典型电路及其特点 • 损耗分析 • 同步整流电路中常见问题 • MOSFET选型设计参考Power for the Better2 CONFIDENTIAL力求更好同步整流技术概述由于中低压MOSFET具有很小的导通电阻，在有电流通过时产生的电压降很 小，可以替代二极管作为整流器件，可以提高变换器的效率。
diodeMOSFETMOSFET作整流器时，栅源极间电压必须与被整流电压的相位保持同步关系才 能完成整流功能，故称同步整流技术。
MOSFET是电压控制型开关器件，且没有反向阻断能力，必须在其栅-源之 间加上驱动电压来控制器漏-源极之间的导通和关断。
这是同步整流设计的难 点和重点。
根据其控制方式，同步整流的驱动电路分为 •自驱动方式； • 独立控制电路他驱方式； • 部分自驱+部分他驱方式结合；Power for the Better3 CONFIDENTIAL力求更好Contents• 同步整流技术概述 • 典型电路及其特点 • 损耗分析 • 同步整流电路中常见问题 • MOSFET选型设计参考Power for the Better4 CONFIDENTIAL力求更好典型电路及其特点1u 2u L1 TX1 1m C1 P1 S1 2 R1 P1 S1 D1N4148 D2 TX1 1m C1 L1 2 R1DC-AC ConverterDC-AC ConverterD1N4148 D1 S2 1u 2uL2L2主变压器副边绕组自驱动 自驱同步整流电路辅助绕组自驱动优点： 电路相对简单，可靠性较高； 成本低； 当采用辅助绕组时，不受主绕组输出电压限制； 在有源钳位正激，双管正激，谐振复位正激，不对称半桥拓扑应用广 泛。
有源钳位同步整流
有源钳位同步整流一、引言有源钳位同步整流技术是一种高效的电力转换技术，它能够提高电力转换的效率，降低能量损失，减少电网对环境的影响。
本文将从以下几个方面详细介绍有源钳位同步整流技术。
二、有源钳位同步整流技术的原理有源钳位同步整流技术是一种基于PWM（脉宽调制）控制的电力转换技术。
其原理是通过控制开关管的导通和截止状态，使得输入交流电转化为输出直流电。
具体来说，当输入交流电为正弦波时，通过PWM 调制可以得到一个矩形波形信号，并通过开关管进行控制，使得输出直流电的平均值等于输入交流电的有效值。
三、有源钳位同步整流技术的特点1. 高效性：有源钳位同步整流技术能够实现高效率的能量转换，因为它采用了PWM控制和高频变压器等高效元件。
2. 稳定性：由于有源钳位同步整流技术采用了闭环控制系统，所以具有良好的稳定性和抗干扰能力。
3. 可靠性：有源钳位同步整流技术采用了高可靠性的开关管和变压器等元件，因此具有较高的可靠性。
4. 适应性：有源钳位同步整流技术可以适应不同的输入电压和输出电压，因此具有广泛的应用范围。
四、有源钳位同步整流技术的应用领域1. 交通运输领域：有源钳位同步整流技术可以用于电动汽车、混合动力汽车和轨道交通系统等领域，提高能量利用效率和降低环境污染。
2. 工业自动化领域：有源钳位同步整流技术可以用于工业机械控制系统、UPS（不间断电源）等领域，提高工业生产效率和稳定性。
3. 新能源领域：有源钳位同步整流技术可以用于太阳能发电系统、风力发电系统等新能源领域，提高能量转换效率。
五、有源钳位同步整流技术的未来发展趋势1. 高频化：随着半导体器件的进一步发展，未来有源钳位同步整流技术将更加高频化，提高能量转换效率。
2. 多级化：未来有源钳位同步整流技术将采用多级结构，提高能量转换效率和稳定性。
3. 智能化：未来有源钳位同步整流技术将采用智能控制系统，实现更加精准的控制和管理。
六、总结有源钳位同步整流技术是一种高效、稳定、可靠、适应性强的电力转换技术。
同步整流
同步整流技术及其在DC／DC变换器中的应用沙占友，王彦朋，于鹏(河北科技大学，河北石家庄050054）摘要：同步整流技术是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管，因此能大大降低整流器的损耗，提高DC／DC变换器的效率，满足低压、大电流整流的需要。
首先介绍了同步整流的基本原理，然后重点阐述同步整流式DC／DC电源变换器的设计。
关键词：同步整流；磁复位；箝位电路；DC／DC变换器1 同步整流技术概述近年来随着电源技术的发展，同步整流技术正在向低电压、大电流输出的DC／DC变换器中迅速推广应用。
DC／DC变换器的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。
在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。
快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。
举例说明，目前笔记本电脑普遍采用3.3V甚至1.8V 或1.5V的供电电压，所消耗的电流可达20A。
此时超快恢复二极管的整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的50％。
即使采用肖特基二极管，整流管上的损耗也会达到（18％～40％）PO，占电源总损耗的60％以上。
因此，传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率及小体积的需要，成为制约DC／DC变换器提高效率的瓶颈。
同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。
它能大大提高DC／DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。
功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。
用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。
为满足高频、大容量同步整流电路的需要，近年来一些专用功率MOSFET不断问世，典型产品有FAIRCHILD公司生产的NDS8410型N沟道功率MOSFET，其通态电阻为0.015Ω。
同步整流和全桥整流
同步整流和全桥整流一、同步整流技术同步整流是一种利用电子方式控制直流输出的技术，常用于电源供应器、适配器等设备中。
其基本原理是利用控制芯片或微处理器，根据负载电流或电压的变化，调整整流管的导通状态，从而控制输出电压和电流。
同步整流技术具有以下优点：1.效率高：由于整流管采用电子方式控制，因此可以减小整流损耗，提高电源效率。
2.体积小：由于采用小型电子元件，因此可以减小电源体积，便于携带。
3.稳定性好：由于采用电子控制方式，因此可以减小因负载变化引起的电压波动，提高电源稳定性。
二、全桥整流电路全桥整流电路是一种将交流电转换为直流电的电路，主要由四个二极管组成，具有较高的转换效率和稳定性。
全桥整流电路的工作原理是将输入的交流电通过四个二极管进行整流，将交流电的正半周和负半周分别整流为直流电输出。
由于全桥整流电路中采用了四个二极管，因此可以对输入的交流电进行全面的整流，使得输出直流电的电压和电流更加稳定。
全桥整流电路具有以下优点：1.转换效率高：由于采用了四个二极管进行整流，因此转换效率较高。
2.稳定性好：由于对输入的交流电进行了全面的整流，因此输出直流电的电压和电流更加稳定。
3.适用范围广：全桥整流电路可以适用于各种不同的输入交流电压和电流，具有较广的应用范围。
三、整流管选择在选择整流管时，需要考虑以下几个因素：1.额定电压：根据电路的最高电压选择合适的额定电压。
选择过高可能导致整流管烧毁，选择过低则可能无法满足电路需求。
2.额定电流：根据电路的最大电流选择合适的额定电流。
选择过小可能导致整流管烧毁，选择过大则可能影响效率。
3.反向恢复时间：在选择快恢复二极管时需要考虑反向恢复时间。
较短的恢复时间可以减小开关损耗并提高效率。
4.导通压降：导通压降小的整流管具有较高的效率，适用于对效率要求较高的场合。
5.封装和热性能：根据实际应用需求选择合适的封装和热性能良好的整流管。
四、整流电路调试在安装和调试整流电路时，需要注意以下几点：1.检查输入和输出电压是否符合要求，是否在安全范围内。
同步整流技术总结
同步整流总结1概述近年来，为了适应微处理器的发展，模块电源的发展呈现两个明显的发展趋势：低压和快速动态响应，在过去的10年中，模块电源大大改善了分布式供电系统的面貌。
即使是在对成本敏感器件如线路卡，单板安装，模块电源也提供了诱人的解决方案。
然而，高速处理器持续降低的工作电压需要一个全新的，适应未来的电压方案，尤其考虑到肖特级二极管整流模块不能令人满意的效率。
同步整流电路正是为了适应低压输出要求应运而生的。
由于一般的肖特基二极管的正向压降为0.3V以上，在低压输出时模块的效率就不能做的很高，有资料表明采用肖特基二极管的隔离式DC-DC模块电源的效率可以按照下式进行估算：我们假设采用0.4V的肖特基整流二极管，印制板的线路损耗为0.1V，则1.8V的模块最大的估算效率为72%。
这意味着28%的能量被模块内部损耗了。
其中由于二极管导通压降造成的损耗占了约15%。
随着半导体工艺的发展，低压功率MOS管的的有着越来越小的通态电阻，越来越低的开关损耗，现在IR公司最新的技术可以制作30V/2.5m Ω的MOS管，在电流为15A时，导通压降为0.0375，比采用肖特基二极管低了一个数量级。
所以近年来对同步整流电路的研究已经引起了人们的极大关注。
在中大功率低压输出的DC-DC变换器的产品开发中，采用低压功率MOSFET替代肖特基二极管的方案得到了广泛的认同。
今天，采用同步整流技术的ON-BOARD 模块已经广泛应用于通讯的所有领域。
2同步整流电路的工作原理整流管导通压降损耗—印制板的线路损耗—原边和控制电路损耗—fcutoufcutououtoutVVVVVVVV⨯++⨯+≈1.0)1.0(η图1 采用同步整流的正激电路示意图(无复位绕组) 同步整流电路与普通整流电路的区别在于它采用了MOS管代替二极管，而MOS管是它驱的开关器件，必须采用一定的方式控制MOS管的开关。
同步整流电路中功率MOS 管的驱动方式主要有两种：自驱动和它驱动。
同步整流技术原理
同步整流技术原理同步整流技术是一种常用于电力电子领域的技术，主要用于将交流电信号转换为直流电信号。
在现代电子设备中，直流电信号是非常常见的，因此同步整流技术在各种电力系统中得到了广泛应用。
本文将探讨同步整流技术的原理及其在实际应用中的重要性。
同步整流技术的原理主要涉及到整流器和逆变器两个部分。
整流器用于将交流电信号转换为直流电信号，而逆变器则负责将直流电信号转回交流电信号。
在同步整流技术中，整流器和逆变器之间需要进行精密的同步控制，以确保电能的高效传输和转换。
同步整流技术的关键在于其控制系统的精密性和稳定性。
通过在整流器和逆变器之间设置同步触发器以及精确控制电路的开关时间，可以实现电能的高效传输和转换。
同时，在实际应用中，同步整流技术还需要考虑到电压波动、负载变化等因素，以确保系统的稳定性和可靠性。
在现代电力系统中，同步整流技术被广泛应用于各种场合，包括直流电动机驱动、UPS系统、电压稳定器等。
在直流电动机驱动系统中，同步整流技术可以提高电动机的效率和响应速度，减少能量损失。
在UPS系统中，同步整流技术可以确保电能的高效传输，提高系统的可靠性。
在电压稳定器中，同步整流技术可以有效地稳定输出电压，保护电子设备不受电压波动的影响。
除了在电力系统中的应用，同步整流技术还被广泛应用于新能源领域。
太阳能和风能等可再生能源都需要将直流电信号转换为交流电信号才能接入电网，而同步整流技术可以实现这一转换过程。
此外，在电动汽车充电桩等应用中，同步整流技术也发挥着重要作用，可以实现快速充电和高效能量转换。
让我们总结一下本文的重点，我们可以发现，同步整流技术作为一种重要的电力电子技术，在现代电力系统和新能源领域中起着至关重要的作用。
通过精密的控制系统和稳定的运行性能，同步整流技术可以实现电能的高效传输和转换，推动电力系统的发展和升级。
随着科技的不断进步和应用领域的不断扩大，同步整流技术将继续发挥着重要作用，为实现能源可持续发展和环保做出贡献。
无刷电机同步整流
无刷电机同步整流是一种电机控制技术，可以提高无刷电机的效率和性能。
无刷电机是一种电子式电机，它采用电子控制器来控制电机转子的位置和速度。
相比传统的有刷电机，无刷电机具有更高的效率、更长的寿命和更低的噪音。
同步整流是一种控制无刷电机的技术，它通过控制电机的电流方向来实现电机转子的控制。
在传统的无刷电机控制中，电流的方向是通过切换电机的电源电压来实现的。
但是这种方法会导致电机的电源电压波动，从而影响电机的效率和性能。
同步整流技术通过在电机的电源电路中加入一个同步整流器来解决这个问题。
同步整流器可以控制电流的方向，使其与电机转子的位置同步，从而实现高效率的电机控制。
同步整流器可以使用MOSFET或IGBT等电子元件实现。
无刷电机同步整流技术可以提高电机的效率和性能，同时也可以减少电机的噪音和电磁干扰。
它在许多应用中得到了广泛应用，如无人机、电动车、家用电器等。
同步整流电路分析
同步整流电路分析一、传统二极管整流电路面临的问题近年来，电子技术的发展，使得电路的工作电压越来越低、电流越来越大。
低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗，但也给电源设计提出了新的难题。
开关电源的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。
在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。
快恢复二极管（FRD）的压。
此时超达到（18大大提高12基本原理如图1所示，V1及V2为功率MOSFET，在次级电压的正半周，V1导通，V2关断，V1起整流作用；在次级电压的负半周，V1关断，V2导通，V2起到续流作用。
同步整流电路的功率损耗主要包括V1及V2的导通损耗及栅极驱动损耗。
当开关频率低于1MHz时，导通损耗占主导地位；开关频率高于1MHz时，以栅极驱动损耗为主。
3、半桥他激、倍流式同步整流电路图2单端降压式同步整流器的基本原理图该电路的基本特点是：1）变压器副边只需一个绕组，与中间抽头结构相比较，它的副边绕组数只有中间抽头结构的一半，所以损耗在副边的功率相对较小；2）输出有两个滤波电感，两个滤波电感上的电流相加后得到输出负载电流，而这两个电感上的电流纹波有相互抵消的作用，所以，最终得到了很小的输出电流纹波；3）流过每个滤波电感的平均电流只有输出电流的一半，与中间抽头结构相比较，在输出滤波电感上的损耗明显减小了；4只有25（DPA424R，由干扰。
R1用来设定欠电压值（U UV）及过电压值（U OV），取R1=619kΩ时，U UV=619kΩ×50μA＋2.35V=33.3V，U OV=619kΩ×135μA＋2.5V=86.0V。
当输入电压过高时R1还能线性地减小最大占空比，防止磁饱和。
R3为极限电流设定电阻，取R3=11.1kΩ时，所设定的漏极极限电流I′LIMIT=0.6I LIMIT=0.6×2.50A=1.5A。
同步整流的工作原理
同步整流是一种电力电子技术，它使用了同步变流器和整流技术来将交流电转换为直流电。
同步变流器的工作原理是，将交流电通过变压器转换到一个高频高电压的交流电，然后将其通过一个由三相半导体模块组成的桥式结构转换成直流电。
整流技术的工作原理是，通过控制半导体模块的导通时间来实现将交流电转换为直流电。
当半导体模块导通时，电流从交流电输入端流入直流输出端，而当半导体模块关断时，电流就不能流入直流输出端。
这样就可以实现对交流电信号的整流，得到纯正的直流电。
通过同步变流和整流技术的结合，同步整流系统能够将交流电高效率地转换为直流电，并且能够提供较高的电压和电流精度。
同步整流系统广泛应用于电力电子、电力调压、新能源储能等领域。
同步整流的工作原理
同步整流的工作原理
同步整流是一种电路技术，可以将交流电转换为直流电。
它的工作原理如下：
1. 输入交流电源：将交流电源接入整流电路的输入端。
2. 变压器：通过变压器将输入的交流电压变压为所需的电压。
变压器通常由铁芯和线圈组成，线圈分为输入线圈和输出线圈。
3. 整流桥：将变压器的输出线圈连接到整流桥。
整流桥由四个二极管构成，排列成一个桥形电路。
4. 二极管导通：当输入电压的极性正向时，整流桥中的二极管将导通，允许电流流过。
5. 二极管截止：当输入电压的极性反向时，整流桥中的二极管将截止，阻止电流通过。
6. 输出滤波：经过整流桥后的电流为脉动直流电流，还需要进行滤波，使其变为稳定的直流电流。
滤波电路通常由电容器和电感器组成，能够平滑输出电流。
7. 输出负载：将滤波后的直流电流连接到所需的负载上，例如电路中的电子器件或设备。
通过以上步骤，同步整流能够将交流电转换为稳定的直流电，
并提供给负载使用。
它被广泛应用在各种电子设备和电源系统中，以满足直流电的需求。
同步整流
同步整流同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。
它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。
简介同步整流的基本电路结构功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。
用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。
为什么要应用同步整流技术电子技术的发展，使得电路的工作电压越来越低、电流越来越大。
低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗，但也给电源设计提出了新的难题。
开关电源的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。
在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。
快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。
举例说明，笔记本电脑普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供电电压，所消耗的电流可达20A。
此时超快恢复二极管的整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的50%。
即使采用肖特基二极管，整流管上的损耗也会达到（18%～40%）PO，占电源总损耗的60%以上。
因此，传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率及小体积的需要，成为制约DC/DC变换器提高效率的瓶颈。
同步整流比之于传统的肖特基整流技术可以这样理解：这两种整流管都可以看成一扇电流通过的门，电流只有通过了这扇门才能供负载使用。
传统的整流技术类似于一扇必须要通过有人大力推才能推开的门，故电流通过这扇门时每次都要巨大努力，出了一身汗，损耗自然也就不少了。
而同步整流技术有点类似我们通过的较高档场所的感应门了：它看起来是关着的，但你走到它跟前需要通过的时候，它就自己开了，根本不用你自己费大力去推，所以自然就没有什么损耗了。
同步整流以及电荷保持驱动技术解读
同步整流以及电荷保持驱动技术1、为什么我们使用同步整流技术：目前,越来越多的IC芯片都需要低电压供电。
随着功率变换器输出电压的降低,整流损耗成为变换器的主要损耗。
为使变换器达到很高的效率,必须降低整流损耗。
原有整流电路使用肖特基二极管作为整流二极管，但是由于导通压降在低压输出时候相对较大，引起的损耗也是我们不能接受的。
于是我们采用低导通电阻的MOSFET 进行整流,这是提高变换器效率的一种有效途径。
实现这一功能的电路就叫做同步整流电路。
实现同步整流功能的MOSFET 称作同步整流管。
2、同步整流电路拓扑简单介绍：使用肖特基二极管做整流管，正向压降0.4V左右。
使用MOSFET做整流管。
自驱动方式。
在采用了自驱动同步整流中。
当变压器次级同名端电压为正的时候，VQ2的栅极电压为底VQ2关断。
VQ1的栅极电压为高，Vgd>0 则VQ1导通。
电流通过L1负载VQ1流通。
当变压器次级同名端电压为负，VQ1关断，VQ2开通。
负载电流通过VQ2续流。
这就是同步整流的基本原理。
当变换器输出电压在5V 左右时,可以直接利用变压器次级电压驱动同步整流管;当变换器输出电压明显高于5V 或很低( 2. 2V以下) 时,一般附加一个绕组,利用附加绕组电压驱动同步整流管。
3、拓扑结构及其缺点：正激式变换器是最多使用在同步整流中的拓扑，其优点主要在于结构简单、次级纹波电流明显衰减,纹波电压低、功率开关管峰值电流较低、并联工作容易、可以自动平衡、属降压型变换器。
它也是最早应用于低压大电流的变换器。
但其在采用同步整流时候存在以下缺点: 第一：同步整流中的死区过大使得其效率减小; 第二：整流管的体二极管不仅在导通的过程中增加了电路的损耗,而且在关断过程中,由于其反向恢复特征,也会引起能量损耗。
由于死区产生的体二极管导通损耗分析如下：在变压器电压保持为零的死区时间内,输出电流流经续流同步整流管VS2 ,但VS2栅极无驱动电压,所以输出电流必须流经VS2的体二极管。
同步整流
同步整流技术已经成为现代开关电源技术的标志。
凡是高水平开关电源，必定有同步整流技术。
在使用面上早已不再局限于5V、3.3V、2.5V这些低输出电压领域，现在上至12V，15V，19V至24V以下输出，几乎都在使用同步整流技术。
下面介绍和分析各种同步整流技术的优点、缺点及实现方法。
一、自驱动同步整流这里给出反激、正激及推挽三种电路的同步整流电路。
在正常输入电压值附近工作时，效果十分明显，在高端时，效率变坏而且容易损坏MOSFET。
其电路如图1所示。
输出电压小于5V时才适用。
图1. 反激、正激、推挽电路的自偏置同步整流电路二、辅助绕组驱动的同步整流为了防止高端输入时同步整流的MOSFET栅极上的电压过高，改用从二次侧绕组中增加驱动绕组的方式。
该方式可以有效地调节驱动同步整流的MOSFET的栅压，使它在MOSFET栅压的合理区域，从而保护了MOSFET，提高了电源的可靠性，此外也将输出电压从5V扩展到24V。
其工作原理如图2所示。
图2辅助绕组驱动的同步整流电路三、控制IC方式的同步整流为提高驱动同步整流MOSFET的效果，从而设计了各种模式的同步整流的控制驱动IC，也取得了不少成果，它将同步整流MOSFET的栅压调至最佳状态。
将其开启关断也提高了时控精度，其主要的不足在于MOSFET的源极必须接地，这会加大地线上的开关噪声，并传输至电源输出端。
此外其开关时序由自身输出脉冲给出，所以同步整流MOSFET的开启关断通常为硬开关，其时间会与初级侧主开关有些时间差，因此输出电压大体控制在20V以下，ST 公司推出的STSR2、STSR3，以及线性技术公司的LTC3900和LTC3901即是此种控制方式的代表作品。
图3和图4给出其应用电路图。
图3 STSR2,STSR3驱动同步整流的电路图4 LTC3900和LTC3901驱动的同步整流电路四、ZVS、ZCS同步整流该种方式诞生于2002年5月，在全桥或半桥电路中，PWM 输出的信号经信号变压器或高速光耦传递至二次侧，再经过RC网络积分后，经过MOSFET驱动器去驱动同步整流的MOSFET，驱动信号的脉冲宽度几乎不变，保持各50％的占空比，而当DC／DC系统输出电压稳压，一次脉宽调宽以后，二次侧同步整流MOSFET 即工作于ZVS、ZCS条件之下。
电源设计的同步整流技术
电源设计的同步整流技术随着科技的发展，电力需求不断增加，对高效能源的需求也逐渐增加。
因此，同步整流技术应运而生。
同步整流技术是指在电源设计中采用一种控制方法，使得输出电流与输入电流同步，从而提高整体系统的效率和稳定性。
同步整流技术的原理是通过对输入和输出的电流进行精确的控制，使其在时间和幅度上保持同步。
这样可以避免功率损耗和系统能量浪费，从而实现高效能源的利用。
与传统的非同步整流技术相比，同步整流技术具有更高的转换效率和更低的电压波动。
在同步整流技术中，有两种常见的实现方式：主动式和无源式。
主动式同步整流技术是通过电路中的开关管进行控制，实现输入和输出电流的同步。
主动式同步整流技术的特点是具有高效率和高可靠性，适用于大功率和高频率的应用。
常见的主动式同步整流电路包括有源整流器、LLC谐振整流器等。
无源式同步整流技术是通过电路中的无源元件（如二极管、电感器等）进行控制，实现输入和输出电流的同步。
无源式同步整流技术的特点是结构简单、成本低廉，适用于小功率和低频率的应用。
常见的无源式同步整流电路有无源整流桥、谐振型无源整流器等。
无论是主动式还是无源式同步整流技术，在设计过程中都需要考虑一些关键因素。
首先，要考虑电源的输入和输出功率的匹配。
输入功率越接近输出功率，整流效率就越高。
其次，还需要考虑电路的设计参数，如开关频率、电感和电容的选择等。
合理的设计参数可以提高整流系统的效率和稳定性。
同步整流技术不仅可以应用于传统的交流-直流电源设计，还广泛应用于新能源领域，如风电、太阳能等。
在这些领域中，同步整流技术可以将可再生能源转换为可用的电能，提高能源转换效率，促进可再生能源的开发和利用。
综上所述，同步整流技术是一种提高电源设计效率和稳定性的重要方法。
在电力需求不断增加和对高效能源的需求日益增加的背景下，同步整流技术具有重要的应用前景。
通过不断的研究和创新，同步整流技术有望在未来实现更高效、更稳定的能源转换。
高频电源开关同步整流技术
同步整流原理同步整流(SynchronousRectification)是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET取代传统的整流二极管以降低整流损耗的技术。
它能够大大提高DC/DC变换器的效率并不存在由快速恢复二极管势垒电压造成的死区电压。
同步整流的基本原理：单端正激、隔离降压同步整流的基本原理电路中，其中，Q1、Q2为功率MOSFET。
该电路的工作原理为在次级电压的正半周期，Q1导通、Q2关断，在次级电压的负半周期，Q2导通、Q1关断。
同步整流电路的功率损耗主要包括MOSFET的导通损耗和栅极驱动损耗，在开关频率低于1MHz时，以导通损耗为主。
正激式DC/DC变换器在功率管截止期间必须有将高频变压器复位的电路，以防止变压器磁芯饱和，一般采用C、R、VD无源箝位电路。
当功率管V截止时，高频变压器初级线圈由R、VD电路构成的放电通路使变压器复位。
DPA-Switch电路的内部结构与工作原理DPA-Switch电路是6端器件，6个引脚分别为控制端C、线路检测端L、外部设定极限电流端X、开关频率选择端F、源极S和漏极D。
线路检测端可实现过压检测、欠压检测、电压反馈、远程通断和同步等功能。
将开关频率选择端与源极端连接时，开关频率为400kHz，而将其连接控制端时，开关频率为300kHz。
(1)控制电压源用于控制电压UC以向并联调整器和门驱动器级提供偏置电压。
控制电流IC用来调节占空比。
(2)带隙基准电压源用于向内部提供各种基准电压，同时产生一个具有温度补偿并可调整的电流源，以保证精确设定振荡器频率和门级驱动电流。
(3)振荡器用于产生脉宽调制器所需要的锯齿波、时钟信号及最大占空比信号(Dmax)。
(4)并联调整器和误差放大器误差放大器用于将反馈电压Uf与5.8V基准电压进行比较以输出误差电流Ir，从而在电阻Rs上形成误差电压Ur。
(5)脉宽调制器(PWM)脉宽调制器是一个电压反馈式控制电路，具有两个功能：一是改变控制端电流IC的大小，即调节占空比，实现脉宽调制；二是将误差电压Ur经由Ra和Ca组成的截止频率为7kHz的低通滤波器进行滤波，以在滤掉开关噪声电压后，加至PWM比较器的同相输入端，然后再与锯齿波电压Uj进行比较，从而产生脉宽调制信号Ub。
升压芯片 同步整流
升压芯片同步整流技术
升压芯片中的同步整流技术是一种采用通态电阻极低的专用功
率MOSFET来取代整流二极管，以降低整流损耗的新技术。
这种技术能大大提高DC/DC变换器的效率，并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。
同步整流的基本电路结构中，功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。
当使用功率MOSFET作为整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步，才能完成整流功能。
在升压芯片中，同步整流技术能大大减少开关电源输出端的整流损耗，从而提高转换效率，降低电源本身的发热。
例如，DK5V45R25和DK100R20是锂电池升压输出5V1A、2A的同步整流升压经典IC，而FP6717和FP6716则是锂电池升压输出5V3A、5V2A中的佼佼者。
此外，还有一款12V转24V10A的升压同步整流芯片，它采用同步整流MOSFET代替传统异步变换器的续流二极管，极大地提高了电源转换效率，并支持高压大电流方案，满足各类高压设备的供电需求。
这款芯片还具有灵活的设置功能，如通过外接一个电容可设置工作频率，通过调整外部电阻可灵活调整启动和关闭电压，还具备欠压锁定功能等。
总的来说，同步整流技术在升压芯片中的应用，对于提高电源转换效率、降低能耗、优化电源管理等方面具有重要的意义。
4.3 同步整流技术
（b）同步整流管的驱动逻辑信号
（4）推挽变换器 （a）全波整流 Q1导通， SR1导通， SR2截止； Q2导通， SR2导通， SR1截止； （b）倍流整流 Q1导通， SR1导通， SR2截止； Q2导通， SR2导通， SR1截止； 驱动信号： SR1=������2 SR2=������1
（2）关断
① td(off)<0，正向电流下降至 0前关断，此时电流将流过体 二极管，产生较大损耗； ② td(off)>0，正向电流下降至 0后，将反向流动，直到整流 管关断； ③ td(off)=0，正向电流下降到0时 关断整流管。
因此，在正向电流到达时要及时开通整流管，正向电流 下降至0时要及时关断整流管。
（2）有源箝位正激 变换器 主开关Q1导通、辅 助开关Q2截止时， SR1导通，SR2截止；
（a）有源箝位正激变换器
主开关Q1截止、辅 助开关Q2导通时， SR1截止，SR2导通； 驱动信号： SR1=Q1， SR2=�����
驱动信号： SR2=������2
• 4.3.2 同步整流管的驱动时序
(1)������������������ 存在电流上升时间 下降时间，可以在这个过 程对MOSFET驱动； （1）开通 ①td(on)<0，在正向电流出 现前导通，会造成电路短 路，损坏电路； ② td(on)>0，在正向电流 出现以后导通，电流先流过 体二极管，造成较大的导通损耗，因此希望td(on)越小越好； ③ td(on)=0，在正向电流出现时驱动整流管导通。
（a）同步整流管自驱动电路
4.3 同步整流技术
4.3.1 同步整流技术的基本概念 .
同步整流（Synchronous Rectifier，SR），是指在开关电源 中采用开关管代替二极管来实现整流的功能，其目的是降低整 流电路的导通损耗。 同步整流通常应用于电压低、电流大的开关电源中。其导 通压降低，可以大大降低损耗，提高效率。因此一般采用 MOSFET作为开关管。 当整流电路的输出电压低至2V或者更低时，即便采用肖特 基二极管作为整流器件也是不合适的，因为SBD的导通压降在 0.6~0.8V之间，相反，低压功率MOSFET的导通压降却相对低得 多，例如intersil公司产品型号为HUF67145P3的器件（Uds=30V， Id=75A），其导通电阻Ron=4.5mΩ，若输出电压U0=2V，负载电 流I0=20A，则器件导通压降为Ut0=90mV，因此利用低压功率 MOSFET作为整流器件可以提高电路效率。
同步整流技术
同步整流技术6.2 同步整流技术作为整流电路的主要元件，通常用的是整流二极管（利用它的单向导电特性），它可以理解为一种被动式器件：只要有足够的正向电压它就开通，而不需要另外的控制电路。
但其导通压降较高，快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降。
这个压降完全是做的无用功，并且整流二极管是一种固定压降的器件，举个例子：如有一个管子压降为0.7V，其整流为12V时它的前端要等效12.7V电压，损耗占0.7/12.7≈5.5%.而当其为3.3V整流时，损耗为0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。
可见此类器件在低压大电流的工作环境下其损耗是何等地惊人。
这就导致电源效率降低，损耗产生的热能导致整流管进而开关电源的温度上升、机箱温度上升，有时系统运行不稳定、电脑硬件使用寿命急剧缩短都是拜这个高温所赐。
同步整流技术采用通态电阻极低的电力MOSFET来取代整流二极管，能大大降低整流电路的损耗，提高DC/DC变频器的效率，满足低压、大电流整流器的需要。
DC/DC变换器的损耗主要由三部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出整流管的损耗。
在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。
快恢复二极管或超快恢复二极管可达1.0~1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管，也会产生0.4V~0.8V的压降，导致整流损耗增大，电源效率降低。
因此。
传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率、小体积的需要，成为制约DC/DC变频器提高效率的瓶颈。
作为取代整流二极管以降低整流损耗的一种新器件，功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。
因为用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。
它可以理解为一种主动式器件，必须要在其控制极（栅极）有一定电压才能允许电流通过，这种复杂的控制要求得到的回报就是极小的电流损耗。
整流系统工作总结
整流系统工作总结
整流系统是电力系统中非常重要的一个部分，它的主要作用是将交流电转换成
直流电。
整流系统的工作原理和性能直接影响着电力系统的稳定性和可靠性。
在过去的一段时间里，我们对整流系统的工作进行了总结和分析，现在将对这些工作进行总结。
首先，整流系统的工作需要高度的自动化和可靠性。
我们对整流系统的自动化
控制进行了深入研究，通过引入先进的控制算法和技术，提高了整流系统的自动化水平，使得整流系统能够更加智能地进行运行和控制。
同时，我们对整流系统的可靠性进行了评估和改进，通过优化设计和加强设备的维护管理，提高了整流系统的可靠性，保障了电力系统的稳定运行。
其次，整流系统的工作还需要高效的能源转换和节能减排。
我们对整流系统的
能源转换效率进行了分析和改进，通过优化电路设计和材料选择，提高了整流系统的能源转换效率，降低了能源损耗。
同时，我们还对整流系统的节能减排进行了研究，通过引入清洁能源和减少排放，降低了整流系统的能耗和环境影响。
最后，整流系统的工作还需要与电力系统的其他部分进行协调和配合。
我们对
整流系统与发电、输电、配电等其他部分的协调工作进行了分析和优化，通过提高整流系统与其他部分的协同性，提高了电力系统的整体运行效率和可靠性。
总的来说，整流系统的工作总结表明，我们在提高整流系统的自动化和可靠性、提高能源转换效率和节能减排、以及与电力系统其他部分的协调配合方面取得了一定的成果。
但是，整流系统的工作仍然面临着一些挑战，需要我们不断地进行研究和改进，以更好地满足电力系统的需求。
希望在未来的工作中，我们能够继续努力，为整流系统的发展和电力系统的稳定运行做出更大的贡献。
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同步整流总结1概述近年来，为了适应微处理器的发展，模块电源的发展呈现两个明显的发展趋势：低压和快速动态响应，在过去的10年中，模块电源大大改善了分布式供电系统的面貌。
即使是在对成本敏感器件如线路卡，单板安装，模块电源也提供了诱人的解决方案。
然而，高速处理器持续降低的工作电压需要一个全新的，适应未来的电压方案，尤其考虑到肖特级二极管整流模块不能令人满意的效率。
同步整流电路正是为了适应低压输出要求应运而生的。
由于一般的肖特基二极管的正向压降为0.3V以上，在低压输出时模块的效率就不能做的很高，有资料表明采用肖特基二极管的隔离式DC-DC模块电源的效率可以按照下式进行估算：V outV out (0.1 V out V cu V f)0.1 V out—原边和控制电路损耗V cu —印制板的线路损耗V f —整流管导通压降损耗我们假设采用0.4V的肖特基整流二极管，印制板的线路损耗为0.1V，则1.8V的模块最大的估算效率为 72%。
这意味着28%的能量被模块内部损耗了。
其中由于二极管导通压降造成的损耗占了约15%。
随着半导体工艺的发展，低压功率MOS管的的有着越来越小的通态电阻，越来越低的开关损耗，现在IR公司最新的技术可以制作30V/2.5m Q的MOS管，在电流为15A时，导通压降为0.0375,比采用肖特基二极管低了一个数量级。
所以近年来对同步整流电路的研究已经引起了人们的极大关注。
在中大功率低压输出的DC-DC变换器的产品开发中，采用低压功率MOSFET替代肖特基二极管的方案得到了广泛的认同。
今天，采用同步整流技术的ON-BOARD 模块已经广泛应用于通讯的所有领域。
2同步整流电路的工作原理图1采用同步整流的正激电路示意图(无复位绕组)同步整流电路与普通整流电路的区别在于它采用了MOS 管代替二极管，而 MOS 管是它驱的开关器件，必须采用一定的方式控制 MOS 管的开关。
同步整流电路中功率 MOS 管的驱动方式主要有两种：自驱动和它驱动。
它驱动的方式与普通 MOS 管的驱动方式相同，通过控制电路控制整流和续流MOS 管的栅源电压实现同步开关的目的。
而自驱动一般应用于隔离式的变换器中，下面举个个例子说明上图是同步整流电路在正激电路中应用的实例，从图中可以看出，整流管VT3 和续流管 VT2 的驱动电压从变压器的副边绕组取出，加在 MOS 管的栅 G 和漏 D 之间，如果在独立的电路中 MOS 管这样应用不能完全开通，损耗很大，但用在同步整流时是可行的简化方案。
由于这两个管子开关状态互琐，一个管子开，另一个管子关，所以我们只简要分析电感电流连续时的开通情况，我们知道 MOS 管具有体内寄生的反并联二极管，这样电感电流连续应用时， MOS 管在真正开通之前并联的二极管已经开通，把源S和漏D相对栅的电平保持一致，加在GD之间的电压等同于加在 GS之间的电压，这样变压器副边绕组同铭端为正时，整流管 VT3 的栅漏电压为正，整流管零压开通，当变压器副边绕组为负时，续流管VT2 开通，滤波电感续流。
3 同步整流电路的应用设计注意事项同步整流电路的概念由来已久，不过在产品中大量应用只是最近几年的事。
这一方面是因为半导体技术的发展，另一方面在隔离式变换器中采用同步整流也存在一定的问题。
下面以图 1 为例进行详细的说明3.1 轻载效率低和同步整流管电压尖峰。
由于功率MOST开通后为双向导电器件，输出滤波电感的电流不可能不连续，当轻载或空载时，输出滤波电感的电流下降到 0后会继续反方向增加，直到整流二极管开通。
这样虽然空载稳定性很容易保证，但这时造成续流管和滤波电感的一个环流，形成滤波电感的铁损和铜损以及续流管和输出线路阻抗损耗比采用肖特基二极管的模块电源效率低。
这种状况下，由于滤波电感的反向电流，续流管的并联体二极管反向，如果续流管的关断和整流管的开通之间的死区时间较长，续流管关断后，整流管没有开通，由于输出滤波电感的电流突变，就会造成续流管漏源和整流管栅源电压尖峰，损坏同步整流电路。
在一般的MOS T中，由于栅源电压比漏源电压低很多，这样整流管损坏的概率比续流管大。
所以在同步整流电路的设计中，一般输出滤波电感的电感量在设计允许的条件下尽量大，这样电感电流的上升和下降缓慢，可以大大降低电感电流的最大值，减小模块的空载损耗。
但这种设计又会造成模块电源的输出动态响应太慢，所以还有一种解决方式是通过滤波电感电流检测控制整流和续流二极管开关条件，不允许电流反向。
这种设计已经有产品应用。
3.2 驱动不足和驱动过压在图 1 所示的同步整流电路中，如果变压器副边电压在主功率管开通之间已经复位到零，会造成续流管驱动电压提前为零，输出滤波电感通过并联的体二极管续流，增加模块的损耗。
另外最大和最小占空比的选择很关键，如果占空比选择不合适，在输入电压变化时也有可能造成整流管或续流管驱动电压不足或过压，前者会造成模块的效率低下，后者会造成模块电源的失效。
所以设计时一定要仔细计算模块电源变压器的驱动电压大小，限制控制芯片的最大驱动脉宽，必要时输入采用过压和欠压保护电路，确保不发生驱动过压和欠压，同时要选用合适的电路拓扑，尽量减小开关尖峰对驱动电压的影响。
如果设计指标不能满足，可采用附加的驱动电路或采用独立的驱动绕组。
论文中也有人在二次电源中采用两级变换来保证同步整流电压的恒定，前一级变换采用 BUCK电路进行预稳压后进行隔离降压变换。
这样后一级变换的占空比固定为50%左右，增加了同步整流电路的可靠性。
3.3 不能直接并联当采用图 1 所示的同步整流电路的模块直接把输出端接在一起进行并联时，相当于在模块的输出端并联了一个电压源，这样通过边压器副边绕组可以把驱动电压直接加到续流二极管的GS 之间，会造成续流管的损坏和另一模块输出电压的短路。
当然可以采用独立的驱动绕组解决这个问题，但这又增加了变压器设计难度，降低了变压器磁芯利用率。
同时双同步整流模块直接并联也会造成模块之间的环流，增加模块的损耗。
4 同步整流电路的选择依据虽然同步整流电路可以提高模块电源的效率，但同步整流电路的应用面还是比较窄的。
采用同步整流电路的一个主要目的是提高模块的效率，当模块的效率低于采用肖特基二极管时，采用同住整流电路也就失去了意义。
下面介绍同步整流电路的选择依据。
从上面的介绍我们可以看出，同步整流电路的应用只限于低压大功率输出的模块，目前主要的应用为输出电压小于等于 5V 的模块。
原因除了轻载效率低以外，还有比较重要的一点在于功率半导体器件发展的滞后。
在高压输出的应用中，仅通态压降一项指标就很难选择在额定输出电流下低于快恢复或超快恢复二极管正向压降的整流MOS t。
另外在低压应用时，采用同步整流电路的应用面也有一定的局限, 下面具体介绍。
首先我们考察一下用户希望的模块性能。
近几年的便携式设备包括电子笔记本，计算器，远程控制器，传呼机，手提电话等，电压为 1.1-1.8V ，其特点是负载变化大，多数情况下工作低于备用模式，长期轻载运行。
要求DC-DC变换器具有如下特征：a）负载变化的整个范围内效率高。
b）输出电压低（CMO电路的损耗与电压的平方成正比，供电电压低，则电路损耗小）°c）功率密度高。
为了迎合这这种发展，一种比较简洁的解决方案是提高模块的开关频率，但在频率提高以后，同步整流电路的优点逐渐减弱。
从上面的介绍我们可以看出，同步整流电路通过一定的处理虽然可以满足a），但频率增加以后，MOS t整流河肖特基二极管整流的损耗发生了很大变化。
图2和图3是一些学者做出的同步整流电路和一般肖特基二极管整流电路效率对比曲线的仿真结果。
试验条件：输入电压Vin=5V输出电压Vout=2.0VBUCK 开关管为 P 沟道 MOSFET , Rdson=29m Q , Qs=22.5nC, Vgs=5V，开关时间 tr=20ns , tf=30ns采用的肖特基二极管的参数Vf=0.3V@3Apk Tj=75 oC, lf（AV）max=3A同步整流电路中的续流管为N沟道MOSFET , Rdson=18m Q , Qs=22.5 nC ,开关时间 tr=15ns, tf=30ns同步整流电路两路驱动的死区时间为60 ns纹波电流和平均电流之间的比值为50%-60%。
电路拓扑:%%率效fs[MHz]图2同步整流电路和采用肖特基二极管电路效率随频率的变化曲线图2中，n s( i, 10, 2)s 代表同步整流电路，i 表示开关频率，10表示输出电流, 第三项表示主开关和同步整流开管并联的 MOS 管数量。
从上表可以看出，采用同步整 流电路在电流大于10A ，开关频率大于700KHZ 以后于普通的肖特基尔基二极管整流电路相比效率要低。
在开关频率低于800KHZ 的场合，采用同步整流电路具有更好的表现。
图3同步整流电路和肖特基二极管整流电路在不同在不同负载下效率曲线图2表明了在同步整流电路和肖特级二极管整流电路中，随着负载变化效率的变化情况，我们可以看出，在 1.5MHz 的开关频率，在全负载范围内，肖特基二极管整流电 路比同步整流电路具有更高的效率，在600KHz 的开关频率，电流小于 9A 时采用同步 整流电路具有更高的效率，当电流大于 9A 时，采用肖特基二极管整流具有更高的效率。
另外也有研究表明，如果模块的占空比减小，采用同步整流电路与普通肖特基二极 管整流电路效率分割点的频率和电流也会呈上升的趋势。
反过来，分割点的频率和电流呈下降的趋势。
这主要因为采用同步整流电路存在两个严重的制约因素：并联的体内二 极管和必须的死区时间。
这两个因素大大限制了同步整流电路在大电流、 高频率的应用。
低压，大电流，高开关频率的应用场合，肖特级二极管整流比采用同步整流电路具有更 低的损耗。
停n r (i ,10, 2) -■— n s (i , 10, 2) =“=n r (i , 6, 2) j — n s (i , 6, 2) t — n r (1.5 , j , 2) -■— n s (1.5 , j , 2)r 一 n r (0.6 , j , 2)n s (0.6 , i , 2)随着微处理器和数字信号处理器的不断发展，对芯片的供电电源的要求越来越高了。
不论是功率密度、效率和动态响应等方面都有了新要求，特别是要求输出电压越来越低，电流却越来越大。
输出电压会从过去的 3.3V降低到1.1〜1.8V之间，甚至更低 [1] 。
从电源的角度来看，微处理器和数字信号处理器等都是电源的负载，而且它们都是动态的负载，这就意味着负载电流会在瞬间变化很大，从过去的13A 口 s到将来的30A/ 口 s〜50A/ 口 s[2]。
这就要求有能够输出电压低、电流大、动态响应好的变换器拓扑。