大连理工大学模拟电路课件

模拟电路基础ppt课件可编辑全文

*
1.4.3 三极管的工作状态
1. 放大状态在上面一部分中分析了三极管的放大原理。为了使三极管有放大能力，在输入回路加基极直流电源VBB，在输出回路加集电极直流电源VCC，且VCC大于VBB，使发射结正向偏置、集电结反向偏置。此时称三极管处于放大状态，条件是发射结正向偏置、集电结反向偏置。 2. 饱和状态如果输出回路的集电极直流电源VCC小于输入回路的基极直流电源VBB，则发射结和集电结都是正向偏置。由于发射结和集电结都是正向偏置，在开始发射结和集电结上的势垒都变窄，使发射区和集电区的自由电子同时涌入基区，但是由于基区面积很小，且掺杂浓度很低，涌入到基区的电子中只有极少部分与空穴复合，形成基极电流IB，绝大部分扩散到基区的电子堆积在发射结和集电结附近，使发射结和集电结上的势垒加宽，阻止了发射区和集电区的自由电子进一步扩散到基区，由此可见，此时三极管没有放大能力。此种状态称三极管处于饱和状态，条件是发射结和集电结都是正向偏置。 3. 截止状态如果在输入回路的基极直流电源VBB小于发射结的开启电压，则发射结处于零偏置或反偏置。由于外加电压没有达到发射结的开启电压，使发射区的自由电子不能越过发射结达到基区，不能形成电流，从而发射极、集电极和基极的电流都很小，也就谈不上放大了。此时称三极管处于截止状态，条件是发射结零偏置或反偏置、集电结反向偏置。
*
1.3.3 二极管的等效电阻
直流等效电阻也称静态等效电阻。如图1-9所示，在二极管的两端加直流电压UQ、产生直流电流IQ，此时直流等效电阻RD定义为交流等效电阻表示，在二极管直流工作点确定后，交流小信号作用于二极管所产生的交流电流与交流电压的关系。在直流工作点Q一定，在二极管加有交流电压u，产生交流电流i，交流等效电阻r定义为
*
例1-1 图10(a)是由理想二极管D组成的电路，理想二极管是指二极管的导通电压U为0、反向击穿电压U为，设电路的输入电压u如图10(b)所示，试画出输出uo的波形解：由二极管的单向导电特性，输入信号正半周时二极管导通，负半周截止，故输出uo的波形如右图所示。

大连理工大学实验报告电路仿真 (2)

大连理工大学实验报告学院（系）：机械工程与材料能源学部专业：材料班级：1204班姓名：学号： 201265074 ___实验时间：第周星期第 / 节实验室：综合楼实验台：指导教师签字：成绩：实验名称: Multisim电路仿真实验报告一、实验目的和要求1、通过实验了解并掌握Multisim软件的运用方法，以及电路仿真的基本方法。

2、学会用电路仿真的方法分析各种电路。

3、通过电路仿真的方法验证所学的各种电路基础定律，并了解各种电路的特性。

二、实验原理和内容Multisim是主要用于集成电路的分析程序，其主要用途是用于于仿真设计：在实际制作电路之前，先进行计算机模拟，可根据模拟运行结果修改和优化电路设计，测试各种性能，不必涉及实际元器件及测试设备。

Multisim可以十分方便的进行电路设计，然后利用分析工具对所设计的电路进行仿真，测试电路的有效性、可靠性和功能。

同时，也可以配合电路理论的基本知识对理论的推导结果进行有效的比较和验证。

在设计和仿真中需要注意的一点是，Multisim中的元件值可以进行任意设定，但如果设计仿真的是实际电路，则需要考虑实际元件的额定值，否则无法起到验证实际电路性能的效果。

三、预习要求及思考题对于简单的电阻电路，用Multisim软件进行电路的仿真分析时，需进行画出电路图，然后调用分析模块、选择分析类型，进行电路分析等步骤的操作。

Multisim软件是采用节点电压法求电压的，因此，在绘制电路图时，一定要有零点（即接地点）。

同时，要可以用电路基础理论中的方法列电路方程，求解电路中各个电压和电流。

与仿真结果进行对比分析。

四、主要仪器设备五．实验步骤与操作方法 1.叠加原理验证（1）叠加原理理论叠加原理基本电路如下所示：利用U1,U2单独作用与U1，U2共同作用的电流的数据比较，进而验证电流的叠加原理。

45U 2I I（2）建立电路根据电路在Multisim 中创建出三个电路，在元件库中取出恒压源2个，交流电流表3个，不同阻值电阻5个，接地端。

大连理工大学电路理论课件7

L2 － jMI1+
i2
14
2、Equivalent nductor with no magnetic coupling
0k1
k=1， 21 = 11 ， 12 = 22 ， perfectly coupled，
全耦合电感
6
(3) self-induced voltage and mutual voltage
In linear case, 1、 2 (magnetic flux links coil 1、2) is
1＝ 11 12 =L1i1 Mi2 2＝ 22 21 =L2i2 Mi1
电压和电流为关联参考方向时，有：
u1

d 1
dt

L1
di1 dt

M
di2 dt
u2

d 2
dt
M
di1 dt
L2
di2 dt
自感电压：恒为正
互感电压：可正可负
u3 (t )

L3
di3 dt
M
di1(t) dt
i1
1
+
M

i3 3 +
u1 L1
L3 u3
_
1’

_
3’
u1(t)

L1
di1 dt
M
di3 (t ) dt
U1 jL1I1 jMI3
10
如何确定同名端？ 1.5V
* *
听
*
*
*
V 话
电压表指针右偏，说明哪两个端子为同名端？反之指针左偏呢？
Chapter 7 MAGNETICALLY COUPLED CIRCUITS

大连理工大学《电工技术》课件 (3)

已知R1 = 1 , R2 = R3 = 2 ，L = 2 H, US = 2 V。求换路后
的电流 iL (t)及电压uL (t)。
1S + R1 2
R2
iL +
解： iL (0)
= US
R1+R2
=0.67 A
US －
R3
uL
L
－
iL (∞) =0
τ=L/(R2+R3)= 0.5 s
iL (t)
f () f (0)
R
iC
+ C _uC
其中: RC
uC (∞) = US t
u c A e + US
起初S断开, uC (0) = 0 t=0时, S接通, uC =? iC =?
当t = 0时, uC (0) = 0
0 Ae0 Us ∴A = - US
t
uc U S (1 e )
二、 RC电路的零状态响应
t
uL=-U0 e
零状态响应
t
uC US (1 e )
t
iC=IS e
t
iL IS (1 e )
t
uL= US e
全响应
t
uC UC (U0 US )e
iC= USR-
U0
t
e
t
iL IS (I0 IS )e
t
uL=(US- U0) e
τ=RC
τ=
L R
2.5 一阶电路瞬态分析的三要素法
t
uCU0 e
t
uC US (1 e )
用除源等效法将换路后电路中的电源除去
求出从储能元件(C 或 L)两端看进去的等效电阻R

第2章protel讲座创新教育基础与实践大连理工大学.pptx

在PCB图中，元件的封装均来自于原理图的元件属性设置。有时，发现PCB图中的元件不合适，可以从原理图中修改后，再导出到PCB图中即可。但是，有些封装，特别是专用接插件的封装在封装库中不容易找到，所以必须自己建立元件的封装库。
18
封装库的建立和安装
封装库的建立
单击文件（file）->创建（new）->PCB库（PCB library）就可以创建一个封装库。
14
布局和布线的注意事项布线的一些快捷键
1. PT：布线 2. Ctrl+鼠标点击：高亮显示同一网络 3. Shift+空格：改变布线的线型 4. Ctrl+M：测量两点间的距离
注：Protel有自动布线功能，但是功能有限，需谨慎使用。 Protel自动布线
15
封装库的建立和安装
封装的概念：这里定义为元器件实际引脚尺寸。
电感：Trans *
三极管：PNP、NPN
电容：Cap *
二极管：Diode*
接口：Header*
16
封装库的建立和安装
封装的查找
和原理图元件的查找基本相同。元件的搜索功能支持模糊功能及元件名称和注释双重查询。
封装库也可以通过已有的PCB图来导出(见后面部分)。
17
封装库的建立和安装
建立新封装库的原因
缺点是，转印法制板时焊覆接铜难度大（导热快）。
定位安装孔
焊盘
大面积覆铜（地线）丝印层
7
PCB设计的基本操作 PCB设计的基本操作和原理图中基本相同的部分有以下几个：
图纸操作：放大缩小方法和原理图相同（P＋、P－）。元件操作：元件的旋转（空格）、镜像（X，Y）、移动、属性的修改和原理图基本相同。布线操作：与原理图基本相同，但是增加了许多更加智能的功能。

大连理工大学《电工技术》课件 (5)

IP =
UP |Z |
Il
+
U·L = U·P Z
IP Z
_
IP
=
380 36.1
=10.5A
Il = 3 ·IP = 18.2A
Z
cos =
R Z
= 0.8
3. P =3UP IP cos =9800W
4.6 触电防护
4.6 触电防护
二、保护接地和保护接零 1. 接地
M
接地线接地体
一般要求接地电阻≤4Ω。
I·2 -I·3
I·1 I·L1
⑵若负载不对称
由于电源电压对称, 故负载的相电压对称,
但相电流和线电流不对称.
4.2 三相负载
★ 三角形联结只有三相三线制 ★ 三相负载的联结方式:
取决于电源电压和负载的额定电压, 原则上应使负载的实际工作电压等于额定电压。如: 某三相异步电动机,三相绕组的额定电压是220V,
相量图:
E·3
1200
1200
E·1
1200
E·2
相量表示 :
EE··1 2
= =
E ∠00 E ∠-1200
E·3 = E ∠-2400
波形图:
e
e1 e2 e3
t
相序为: L1 →L2 → L3
4.1 三相电源
一. 三相电源的星形联结
+
E·1
E·3 _ _
+
N
_
E·2 +
中性点零点
(Y形联结)
4.3 三相电路的功率
1. 有功功率
2.无功功率
P= P1+ P2 + P3
Q= Q1+ Q2 + Q3

大连理工大学《电工技术》课件 (1)

KMY
KMY KM△
KT KM KM△
大连理工大学电气工程学院
7.2.3 画出能分别在两地控制同一台电机起停的控制电路
SBstp2 SBstp1
SBst1, SBstp1为甲地按钮, SBst2, SBstp2为乙地按钮
SBst1 KM
SBst2
KM FR
大连理工大学电气工程学院
7.4.1两条皮带运输机分别由两台笼式电动机拖动,用一套起停按钮控制它们的起停,为了避免物体堆积在运输机上,要求电
Q
KM
M 3~
SBstp
自锁环节
× ××
Q
SBst KM
M
KM
3~
大连理工大学电气工程学院
L1 L2 L3 Q
KM FR
M 3~
SBstP
FR
SBst
KM
KM
FR
FR
大连理工大学电气工程学院
L1 L2 L3 Q
KM
FR
M 3~
SBstP SBst KM FR
1. 保护环节短路保护过载保护失压保护(欠压保护)
出出
接口
设备
大连理工大学电气工程学院
二、PLC的软件组成
●系统软件 ①系统管理程序 ②用户指令解释程序 ③标准程序模块和系统调用
●用户程序编程语言有三种形式：指令表(STL) 梯形图(LAD) 顺序流程图(SFC)
大连理工大学电气工程学院
三、PLC的工作原理
（以正反转控制电路为例）
Q
FU
偏心凸轮
复位按钮
发热元件
静触点（螺钉）
弹簧片
杠杆
动触点
静触点
双金属片 3. 符号

模拟电路PPT课件

起隔直作用。为了减小传递信号的电压损失，Cl、C2应选得足够大，一般为几微法至几十微法，通常采用电解
电容器。
共发射极放大电路的实用电路
RB
C1 +
+
Rs
us+－
ui －
RC
+UCC C2
+
V
+
RL uo
－
2 共发射极基本放大电路的静态分析
静态是指无交流信号输入时，电路中的电流、电压都不变的状态，静态时三极管各极电流和电压值称为静态工作点Q（主要指IBQ、ICQ和UCEQ）。静态分析主要是确定放大电路中的静态值IBQ、ICQ和UCEQ。
③输出电阻
B
Ib
Ic C I +
Rs
RB rbe
RC
U
Ib
－
E
Ro 的计算方法是：信号源U s 短路，断开负载 RL ，在输出端加电压U ，求出由U 产生的电流 I ，则输出电阻 Ro 为：
Ro
U I
RC
对于负载而言，放大器的输出电阻Ro越小，负载电阻RL的变化对输出电压的影响就越小，表明放大器带负载能力越
反相输入端
Δ
A
u－
－
uo
+
u+
+
同相输入端
2 集成运算放大器的主要参数及种类
1、集成运放的主要参数
（1）差模开环电压放大倍数 Ado。指集成运放本身（无外加反馈回路）的
差模电压放大倍数，即
Ado
uo u u
。它体现了集成运放的电压放大能力，一
般在 104～107 之间。Ado 越大，电路越稳定，运算精度也越高。

模拟集成电路课件(清华、北大、复旦、东南、电大、西点、哈工、大连理工)复旦cmos

多晶硅 FOX P- 衬底 n阱
n+ S/D注入
N 阱CMOS 工艺步骤
多晶硅 FOX P- 衬底 n阱 n- S/D LDD注入
多晶硅
LDD扩散 FOX n阱 P- 衬底形成n沟道LDD晶体管和p沟道LDD晶体管
N 阱CMOS 工艺步骤
n+扩散 p+扩散 FOX P- 衬底 n阱 BPSG
金属1 CVD氧化 FOX n阱 P- 衬底
利用PLL得到精确的控制电压
PLL可得到精确的频率。 PLL的频率和振荡器(VCO)的特征时间常数成反比。~C/Gm 低通滤波器中的电路和VCO的电路是匹配的。
磁盘驱动器中的模块电路（2）
模数转换器(ADC)
6位ADC，由VCO提供采样时钟。采样频率由数字时钟恢复电路控制。偏移控制：采集63个比较器的失调电压，反馈到输入端，抵消由此引起的失真。
模拟信号模拟信号的采样信号
一般概念（续）
什么是模拟集成电路设计？特定模拟电路、或系统的功能和性能设计选择合适的集成电路工艺成功的设计结果
模拟集成电路设计步骤
电路设计
物理版图设计根据工艺版图设计规则设计器件、器件之间的互联电源和时钟线的分布与外部的连接电路测试电路制备后对电路功能和性能参数的测试验证产品开发
层次设计
结构开关电容电路、*VCO和PLL、 *A/D D/A、
复杂电路
运算放大器、带隙基准、*比较器
简单电路
单级放大器、差动放大器、电路偏置、电流镜电路
器件
CMOS工艺、器件物理、器件Spice参数、 *版图设计、*电路模拟
模拟集成电路设计步骤
设计要求描述设计定义电路设计与设计指标比较执行设计仿真物理层设计物理层设计物理层验证提取寄生参数芯片设计测试和产品开发芯片制造测试和验证产品生产与设计指标比较

大连理工大学,机械工程学院,机械电子学第二章模拟电子

2.3.4 电压传输特性
运放工作在线性区时，Uo＝Aod ( UP－UN)，由于开环电压放大倍数Aod很高，输入很小的信号也足以使输出电压饱和，另外干扰信号也会使输出难于稳定。所以，要使运算放大器稳定工作在线性区，必须引入深度负反馈。
2.4 电路中的负反馈
若引回的信号削弱了输入信号，就称为负反馈。若引回的信号增强了输入信号，就称为正反馈。
大连理工大学,机械工程学院,机械电子学第二章
模拟电子
2020/11/15
大连理工大学,机械工程学院,机械电子学第二章模拟电子
2.1 基本半导体元件
2.1.1 半导体的基本知识
本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。最多的半导体是硅和锗。
➢ 受外界热和光的作用
➢ 往纯净的半导体中掺入某些杂质
2.5.7 单运放的加减运算电路
R1
R5
ui1
ui2
R2
ui3
R3
_
uo
+
+
ui4
R4
R6
虚开路虚短路虚开路
单运放的加减运算电路的特例：差动放大器
R2
ui1 R1
ui2 R1
_ +
+
R2
uo 解出：
2.5.8 双运放的加减运算电路
ui1 R1
RF1
ui2
R2
+ +
R3
-
uo1
R4
RF2
ui3
G（控制极）
N2
K（阴极）
A G
K 符号
A
A
P1
N1 G
P2 N2
K
P
NN G

模拟电路整套课件完整版电子教案最全ppt整本书课件全套教学教程

常使用的二极管，是不允许出现这种现象的。
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第一节晶体二极管
三、晶体二极管器件的参数及分类
1.二极管的主要参数 (1)最大整流电流IFM 最大整流电流是指二极管长时间使用时，允许流过二极管的
最大正向平均电流。当电流超过这个允许值时，二极管会因过热而烧坏，使用时务必注意。 (2)最高反向工作电压VRM 指二极管在使用时允许加上的最高反向电压。如果超过此值二极管可能被击穿。一般是反向击穿电压的1/2或2/3。
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第一节晶体二极管
二、PN结合晶体二极管的结构和特性
1.PN结如果在硅或锗本征半导体中采用掺杂工艺，使半导体的一边
形成P型半导体，另一边形成N型半导体，则在这两种导电性能相反的半导体交界面上，将形成一个特殊的接触面，称为 PN结。如图1-2 ( a)所示。将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在无外电场和其他激发作用下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到动态平衡
和集电极电流之和。无论是NPN型管还是PNP型管，均符合这
一规律。由于基极电流很小，因而 IE≈IC 在PNP型管中，IE流入三极管，IB IC流出三极管，如图1-19
所示
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第二节晶体三极管
(2)三极管的电流放大作用。
在图1-18所示电路中，信号从基极与发射极之间输入，从集电极和发射极输出，因此发射极是输入、输出回路的公共端，这
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第二节晶体三极管
2.极限参数极限参数是指管子工作时，不允许超过的参数，否则管子性
能下降或损坏。常见的极限参数主要有: (1)集电极最大允许电流ICM ：当集电极电流超过此值时，三

大连理工大学《电工技术》课件 (2)

I2’
+
U2’ R2
-
IS
IS单独作用: ——电压源短路。
I1’’
I2’’
IS
+
+
U1’’ R1 U2’’ R2
-
-
叠加时: 与总图方向一致的取 “+” , 与总图方向相反的取“－”
大连理工大学电气工程学院
+ US
9V _
I1 R1 1Ω
+ U1 - + I2 U2 R
-- 22Ω
IS
3A
I1’ R1
2.电路中有多个有源元件时当电压和电流的实际方向与规定的电源关联参
考方向相同,则是输出电功率,起电源作用。当电压和电流的实际方向与规定的负载关联参
考方向相同,则是消耗电功率,起负载作用。
I1 + 40V _
5Ω I3 2Ω
I2 + 10V _
电源
负载
大连理工大学电气工程学院
1.6 基尔霍夫定律
+
U_ S
US + I ·R - U =0
U
_
R
大连理工大学电气工程学院
例: 在图示电路中, 已知US = 4V, IS = 1A, 问电流源是输出电功率还是消耗电功率? P= ?
解:
+
US - IS ·R1 - U1 =0 U1 = US - IS ·R1
= (4 - 1×1) V = 3 V
所做的功，称为这两点间的电压。
表示: U
单位：V
大小: 电压 = 电位差
方向: 高电位指向低电位。
+
+
E US
UL

模电课件大连理工大学第17章正弦波振荡电路.ppt

C
– ++ +
RF >2R1；即AuF>1。随着振荡幅度的不断加强，
R
C R1
uO –
uO增大，流过RF 的电流也增大，RF受热而降低其阻值，使得Au下降，直到RF=2 R1时，稳定于AuF=1，振荡稳定。
带稳幅环节的电路(1) 热敏电阻具有负温度系
数，利用它的非线性可以自动稳幅。稳幅过程：
（4）起振及稳定振荡的条件
起振条件AuF > 1 ，因为 | F |=1/ 3，则
Au
1
RF R1
3
稳定振荡条件AuF = 1 ，| F |= 1/ 3，则
考虑到Au起振1 条件RRF1Au3F > 1, 一般应选取 RF 略大2R1。
如果这个比值取得过大，会引起振荡波形严重失真。
由运放构成的RC串并联正弦波振荡电路不是靠运放内部的晶体管进入非线性区稳幅，而是通过在外
部引入负反馈来达到稳幅的目的。
带稳幅环节的电路(1) 热敏电阻具有负温度系
数，利用它的非线性可以
半导体热敏电阻
自动稳幅。
在起振时，由于 uO 很
小，流过RF的电流也很小，于是发热少，阻值高，使
R RF ∞
第17章正弦波振荡电路
17.1 自激振荡 17.2 RC振荡电路
第17章正弦波振荡电路
本章要求： 1. 了解正弦波振荡电路自激振荡的条件。 2. 了解RC振荡电路的工作原理。
17.1 自激振荡
正弦波振荡电路用来产生一定频率和幅值的正弦交流信号。它的频率范围很广，可以从一赫以下到几百兆以上；输出功率可以从几毫瓦到几十千瓦；输出的交流电能是从电源的直流电能转换而来的。常用的正弦波振荡器

模拟电子线路PPT课件

+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
图1.1.1 硅或锗的简化原子结构模型
+4
Байду номын сангаас
+4
+4
图1.1.2 硅或锗晶体的共价健结构示意图
第2页/共55页
1.1.1 本征半导体
●本征半导体
通常把非常纯净的、几乎不含杂质的且结构完整的半导体晶体称为本征半导体。
在T=0K（相当于—273oC）时半导体不导电，如同绝缘体一样。
（1.2.1）
Isat--反向饱和电流
UT =kT/q-温度电压当量，其中k为玻耳兹曼常数， T为绝对温度，q为电子电量。在室温（27℃或300K）
时U ≈26mV。
第16页/共55页
三、二极管的主要参数
1、最大整流电流IF：指二极管长期工作时，允许通过管子的最大正向平均电流。
2、最高反向工作电压UR： 3、反向电流IR：指在室温下，在二极管两端加上规定的反向电压时，流过管子的反向电流。 IR愈小单向导电性愈好。IR与温度有关（少子运动） 4、最高工作频率：fM值主要决定于PN结结电容的大小。结电容愈大，则fM愈低。
第27页/共55页
半导体三极管又称为双极型三极管（ Bipo lar Ju nc tio n Trans istor ， BJT）、晶体三极管，简称三极管，是最为常用的一种半导体器件。它是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件。由于PN结之间的相互影响，使三极管表现出不同于二极管单个PN结的特性而具有电流放大作用，从而使PN 结的应用发生了质的飞跃。本节将围绕三极管为什么具有电流放大作用这个核心问题，讨论三极管的结构、内部载流子的运动过程以及它的各极电流分配关系。

大连理工大学电子科学与技术课件第11章

A B ≥1 F
输入信号
控制信号
还起控制门的作用：还起控制门的作用控制门的作用：门被打开。当B=0时, F=A, 门被打开。时门被关闭。当B=1时, F= 1, 门被关闭。时
二、与门电路实现与逻辑关系表达式：表达式：F=A·B
两个条件都具备时,事件才发生. 两个条件都具备时,事件才发生.
0 0 1 1
0 1 0 1
0 0 0 1※
0 1△ 1△ 0
3. 根据逻辑表达式画逻辑电路
F= AB+AB= A⊕B ⊕ C=A·B
A B
=1
F
&
C
符号
A B
∑
CO
F C
用与非门组成半加器：用与非门组成半加器：
F= AB+AB = AB+AB = A B · AB
C= A·B = A·B
& & & &
12.1 集成基本门电路
一、或门电路实现或逻辑关系
＋U F
表达式：表达式：F = A + B
只要有一个条件具备,事件则发生。只要有一个条件具备,事件则发生。真值表: 真值表
A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 F 0 1 1 1
运算规律:
A+ 0=A A+ 1= 1 A+A= A
A
B
符号：符号：
1. 二进制编码器将输入信号编成二进制代码的电路。将输入信号编成二进制代码的电路。
高低电平信号 2n个编码器 n位二进制代码
当 n = 2 时，即为 4 线－2 线编码器：线编码器：
A0 A1 A2 A3 二进制编码器 F1 F2

大连理工大学《模拟电子线路实验》实验报告

网络高等教育《模拟电子线路》实验报告学习中心：远程网络教育学校奥鹏学习中心层次：高中起点专科 .专业：电力系统自动化技术 .年级：2015 年春季 .学号161586128155 .学生：惠伟.实验一常用电子仪器的使用一、实验目的1．了解并掌握模拟电子技术实验箱的主要功能及使用方法。

2．了解并掌握数字万用表的主要功能及使用方法。

3．学习并掌握TDS1002 型数字存储示波器和信号源的基本操作方法。

二、基本知识4．简述模拟电子技术实验箱布线区的结构及导电机制。

答：模拟电子技术试验箱布线区：用来插接元件和导线，搭建实验电路。

配有2 只8 脚集成电路插座和 1 只14 脚集成电路插座。

结构及导电机制：布线区面板以大焊孔为主，其周围以十字花小孔结构相结合，构成接点的连接形式，每个大焊孔与它周围的小孔都是相通的。

5．试述NEEL-03A型信号源的主要技术特性。

答：NEEL-03A 型信号源的主要技术特性：①输出波形：三角波、正弦波、方波、二脉、四脉、八脉、单次脉冲信号；②输出频率：10Hz~1MHz 连续可调；③幅值调节围：0~10VP-P 连续可调；④波形衰减：20dB、40dB；⑤带有6 位数字频率计，既可作为信号源的输出监视仪表，也可以作外侧频率计用。

注意：信号源输出端不能短路。

6．试述使用万用表时应注意的问题。

答：应注意使用万用表进行测量时，应先确定所需测量功能和量程。

确定量程的原则：①若已知被测参数大致围，所选量程应“大于被测值，且最接近被测值”。

②如果被测参数的围未知，则先选择所需功能的最大量程测量，根据初测结果逐步把量程下调到最接近于被测值的量程，以便测量出更加准确的数值。

如屏幕显示“1”，表明已超过量程围，须将量程开关转至相应档位上。

三、预习题1．正弦交流信号的峰-峰值=2×峰值，峰值2．交流信号的周期和频率是什么关系？答：互为倒数，f=1/T，T=1/f。

四、实验容1．电阻阻值的测量表一2．直流电压和交流电压的测量表二3．测试9V交流电压的波形及参数表三4．测量信号源输出信号的波形及参数表四五、实验仪器设备六、问题与思考1．使用数字万用表时，如果已知被测参数的大致围，量程应如何选定？答：（1）如果已知被测参数大致围，所选量程应“大于被测值，且最接近被测值”；（2）如果被测参数的围未知，则先选择所需功能的最大量程测量，根据初测结果逐步把量程下调到最接近于被测值的量程，以便测量出更加准确的数值。