第九章 测试卷答案

第九章测试卷

一、选择题和填空题

1、信息可随时读出或写入，断电后信息立即全部消失的存储器是_B_。

A．ROM B．RAM C．PROM D．Flash Memory

2、.只能读出、不能写入，但信息可永久保存的存储器是_A__。信息可随时读出或写入，断电后信息立即全部消失的存储器是_B_。

A．ROM B．RAM C．PROM D．Flash Memory

A．ROM B．RAM C．EPROM D．DRAM

3、16K×8RAM，其地址线和数据线的数目分别为_D__。

A．8条地址线，8条数据线B．10条地址线，4条数据线

C．16条地址线，8条数据线D．14条地址线，8条数据线

4、已知某存储器芯片有地址线12条，数据线8条，则该存储器的存储容量是_D_位。

A．1024×8 B．4096×4 C．2048×8 D．4096×8

5、若用ROM实现“两个三位二进制数相乘的乘法器”，则ROM的容量至少应为_64×6_。

6、随机存储器存储容量的扩展两种基本方式分别为字扩展和位扩展。

7、若用ROM实现“将八位二进制数转换成十进制数(用BCD码表示)的转换电路”，则ROM的容量至少应为__8192_____。

8、用1K×4位的2114RAM扩展成一个16K×8位的存储器需要_32__片2114芯片，扩展后的存储器共有地址线_14__根。

9、一容量为1024×4位的RAM，其存储单元排列成64行×64列的矩阵形式，该存储器有__6_根行地址线，__4__根列地址线,每次访问_4__个基本存储单元。总共可访问__1024_个字。

10、RAM2114的有（A）条行地址选择线

A．6 B.8 C. 9 D. 10

11、用0，1两个符号对100个信息进行编码，则至少需要（B）

(A)8位 (B) 7位 (C) 9位 (D) 6位

12、8K×8位的RAM有13 条地址线。

13、一个RAM的容量为256×4位，则该RAM有_1024_个基本存储单元，工作时每次访问__4_个基本存储单元，有__8__个地址端。

14、.一个RAM的容量为1024×8位，则该RAM有__8192_个基本存储单元，工作时每次访问__8_个基本存储单元，有__10_个地址端。总共可访问_1024__个字。

15、一片8K×8位的ROM存储器有_8192_个字，字长为_8_位。

16、已知某RAM的每个字所存储的信息为4位，且其存储矩阵按照128行×64列排列，则该RAM的地址译码器的列地址线有_4_根，能存储的字总数为_128×16=2048__。

17、半导体存储器中一个字包含的二进制码元的位数称为__字长_______。

1.18、存储器容量的扩展有_字扩展__扩展和_位扩展___扩展两种方式。如把1K×4容量的RAM 2114扩展为16K×16的RAM，则需__64_________片RAM2114和一个__4/16____线译码器。

⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧+++==++=∑ABC

C AB C B A C B A C B A F C B A F BC B A B A C B A F m ),,()7,6,4,1(),,(),,(32

1

二、用图5中给出的三个触发器设计一个三位二进制异步加法计数器，时钟CP 接入DFF1，直接在电路图上连线；设实现后的计数器与PROM 的输入端连线如图示，要求在PROM 或阵列输出端F 实现序列码11011100，在图中完成编程连接。

三、试用ROM 阵列图实现下列一组多输出逻辑函数

CP

三、由PROM 和DFF 构成的电路如图所示，设Q1Q2Q3的初态为000。 1）试填写Q1Q2Q3的状态转移表。（10分） 2）试写出序列码F 码型。

3）试说明这是什么功能的电路。

F= 11011100

功能：11011100序列信号发生器。

四、根据ROM 存储矩阵连线图写出输出逻辑表达式，能化简则化简至最简与或式。指出逻辑功能。

X =∑m （1,2,4,7） Y=∑m(3,5,6,7）

功能：一位二进制全加器，X 为本位和，Y 为低位向高位的进位。

五、8选1数据选择器74151构成图1所示电路，写出F （A,B ,C ,D ）最小项和形式的表达式。

F =∑m(1,2 ,3 6,8,11,14)

图 5

图1

六、用PROM 实现3位二进制自然码转换成二进制格雷码并画出ROM 阵列图。

七、ROM 的阵列如图4所示，试列出真值表，并说明其功能。（10分） ① 该阵列的真值表为：

图4

②该阵列实现的逻辑功能是__一位二进制全加器，F1为本位和，F2为低位向高位的进位。