分立器件应用基础
EMC基础知识.
TO-92.TO-220. TO-126.SIP.DIP
ZIP. SIP. DIP (引线数 <=42L) . SIP.DIP(引线数 <=28L).
产品规格
直径（φ）（mm） E M C 标准&尺寸 重量（G）（g） 40 43 48 55 58 62 65
45≤G≤220
密度（ρ）（g/cm3）
SP-100A-F. 3X. 3A SP-460 SP-660 SP-680. 700. SP-100A-3. 3S.3C SP-100-3. -3X. -3C SP-200 SP-500、SP-360 SP-300 SP-400-3D
流动性好,可焊性好 成型好 低应力 高导热 抗开裂. 高导热 低应力 低应力.高玻璃化温 度.
EMC
知识介绍
--市场部：许田力
本文简单介绍一下塑封料的组成及其组分所起的 作用，环氧塑封料是由环氧树脂，酚醛树脂填料及一 系列的辅助添加剂混合在一起经过一系列的加工混合 制造出来的粉末状材料。环氧树脂用作粘结剂，酚醛 树脂用作固化剂，经他们与其他组分按照一定的比例 称量并混合再经热混合之后制备的一个单一组分组合 物。在热和固化剂的作用下环氧树脂的环氧基开环与 酚醛树脂发生化学反应，产生交联固化作用使之成为 热固性塑料。固化后的环氧塑封料具有优良的粘结性， 优异的电绝缘性，机械强度高，耐热性和耐化学腐蚀 性好，吸水率低，成型收缩小，成型工艺性能良好及 应用范围宽等特点，因此得到很大的应用。
注塑压力 • 在注塑杆底部测量的实际注塑压力应该定时检查并且 记录.通常使用的方法就是用压力计在注塑杆底部直接 测量实际的压力.这将有助于调整压机上的液压显示器, 并且可以说明中心块和注塑杆的摩擦是恒定的.如果实 际的数值比正常的偏低或者不稳定,这就意味着注塑杆 和中心块之间的不匹配或者摩擦增大. • 在每天生产过程中必须经常注意压机注塑压力表并且 加以记录,而且仪表的读数必须按照上述方法周期性的 加以确认(比如一个星期).
安世半导体碳化硅分立器件介绍及高效应用
安世半导体碳化硅分立器件介绍及高效应用下载温馨提示：该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
本文下载后可定制随意修改，请根据实际需要进行相应的调整和使用，谢谢!并且，本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，如想了解不同资料格式和写法，敬请关注!Downloaded tips: This document is carefully compiled by the editor. I hope that after you download them, they can help you solve practical problems. The documents can be customized and modified after downloading, please adjust and use it according to actual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types of practical materials, such as educational essays, diary appreciation, sentence excerpts, ancient poems, classic articles, topic composition, work summary, word parsing, copy excerpts, other materials and so on, want to know different data formats and writing methods, please pay attention!安世半导体碳化硅分立器件介绍及高效应用。
电子硬件工程师需要具备的知识
电子硬件工程师需要具备的知识第一篇：电子硬件工程师需要具备的知识电子硬件工程师要求掌握的东西第一部分：硬件知识一、数字信号1、 TTL和带缓冲的TTL信号：逻辑门电路2、 RS232和定义：异步传输标准接口，通常以9个引脚 (DB-9) 或是25个引脚 (DB-25) 的型态出现，一般个人计算机上会有两组RS-232 接口，分别称为 COM1 和 COM2。
数据传输速率为每秒50、75、100、150、300、600、1200、2400、4800、9600、19200波特。
3、 RS485/422（平衡信号）半双工/全双工4、干接点信号：无源开关，具有闭合和断开的2种状态，2个接点之间没有极性，可以互换。
各种开关如：限位开关、行程开关、脚踏开关、旋转开关、温度开关、液位开关等；各种按键；各种传感器的输出，如：环境动力监控中的传感器、水浸传感器、火灾报警传感器、玻璃破碎、振动、烟雾和凝结传感器；继电器、干簧管的输出。
湿接点信号：有源开关；具有有电和无电的2种状态；2个接点之间有极性，不能反接。
二、模拟信号视频1、非平衡信号：非平稳信号是指分布参数或者分布律随时间发生变化的信号。
现实世界中我们所碰到的信号大都是非平稳信号。
平稳和非平稳都是针对随机信号说的，非平稳信号分析和处理的一般方法有时域分析、频域分析、时频联合分析。
2、平衡信号：信号在传输过程中，如果被直接传送就是非平衡信号，如果把信号反相，然后同时传送反相的信号和原始信号，就叫做平衡信号，平衡信号送入差动放大器，原信号和反相位信号相减，得到加强的原始信号，由于在传送中，两条线路受到的干扰差不多，在相减的过程中，减掉了一样的干扰信号，因此更加抗干扰。
这种在平衡式信号线中抑制两极导线中所共同有的噪声的现象便称为共模抑制。
所以平衡线路只需要在输入输出信号增加一个差动放大器就可以实现。
三、芯片1、封装2、 7407：TTL 集电极开路六正相高压驱动器。
分立器件基本知识简介和行业分析
瞬态二极管（Transient Voltage Suppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器 件。当TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将 其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定 值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。
汽车电路教学大纲
汽车电工电子基础及电路分析教学大纲第一部分大纲说明一、课程的性质和任务《汽车电工电子基础及电路分析》是汽车专业汽车维修方向的一门技术基础课、必修课程。
本课程的内容是紧密结合汽车电器及汽车电子的需求而设置。
本课程的任务是使学生获得电工电子技术的基础知识，掌握电路分析的一般方法以及电子技术的基础知识。
宗旨是使学生对汽车的基本电路具有初步的认知和分析能力，并为后续的汽车电器及汽车电控课程打下良好的基础。
二、课程的目的和要求通过本课程的学习，学生应能够了解汽车电器、电子的基本知识，掌握电路与电子的基本概念、基本的分析方法，了解电子器件的应用与参数选择，了解电磁、电机的基础知识及使用。
三、课程内容的教学要求本课程内容的教学要求分为“掌握、理解、了解”三个层次。
其中的“掌握”是指能够熟练运用和计算；“理解”表示能够理解其原理，能够读懂相应电路，但不能熟练的设计和计算；“了解”知道各部分的原理，能够了解电路或器件的功能。
第二部分教学媒体和教学建议一、学时分配总学时：133学时，其中理论学时：93 实践学时：40二、教学媒体主教材：本课程主教材为《汽车电工电子基础及电路分析》文字教材。
文字教材采用合一型结构，即教材和教学辅导合二为一的形式，教材以章来划分内容，每一章均包括教学内容、教学要求、导学内容和习题四部分内容。
三、考试本课程采用闭卷考试，时间为1.5小时。
学生获得成绩由考试成绩及平时考查成绩组成，其中考试成绩占70%。
四、教学建议本课程所提供的音像教材有录像带和CAI教学光盘2种，教学单位可根据自有设备和条件组织教学。
第三部分教学内容和教学要求第1篇电路分析基础（6学时）一、教学内容第1章电路的基本概念、定律与分析方法．（6学时）1．1 电路的基本概念1．2 电路的基本元件1．3 电路的基本定律1．4 电路的分析方法习题第2章正弦交流电路（6学时）2．1 正弦交流电的基本概念2．2 单一参数的正弦交流电路2．3 正弦交流电路的分析2．4 电路的谐振2．5 三相正弦交流电路2．6 安全用电技术习题二、教学要求掌握电路模型以及基本电路参数的概念、电阻、电容、电感等电路元件的基本知识；掌握欧姆定律、基尔霍夫的定律基本内容以及在电路中的应用以及包括叠加原理、戴维南定理在内的直流电路的基本分析方法；掌握正弦量的基本概念，理解正弦量的表示方法、RLC 元件的交流电路。
分立元器件实验报告
一、实验目的1. 熟悉分立元器件的基本特性和工作原理。
2. 掌握分立元器件在电路中的应用方法。
3. 培养电路搭建、调试和故障排除能力。
二、实验器材1. 电阻、电容、电感等基础分立元器件2. 晶体管（NPN、PNP）、场效应管、二极管等特殊分立元器件3. 万用表、信号发生器、示波器等测量仪器4. 电路板、导线等搭建工具三、实验内容1. 基础分立元器件特性测试- 电阻：测试不同阻值的电阻，观察其伏安特性。
- 电容：测试不同容值的电容，观察其伏安特性。
- 电感：测试不同感值的电感，观察其伏安特性。
2. 晶体管特性测试- NPN型晶体管：测试其输入特性、输出特性和转移特性。
- PNP型晶体管：测试其输入特性、输出特性和转移特性。
3. 场效应管特性测试- 结型场效应管：测试其漏源特性、转移特性和栅源特性。
- 晶体管场效应管：测试其漏源特性、转移特性和栅源特性。
4. 二极管特性测试- 晶体二极管：测试其伏安特性。
- 整流二极管：测试其伏安特性。
5. 分立元器件在电路中的应用- 电阻在电路中的应用：限流、分压、滤波等。
- 电容在电路中的应用：滤波、耦合、去耦等。
- 电感在电路中的应用：振荡、滤波、变压器等。
- 晶体管在电路中的应用：放大、开关、稳压等。
- 场效应管在电路中的应用：放大、开关、稳压等。
- 二极管在电路中的应用：整流、稳压、开关等。
四、实验步骤1. 根据实验要求，搭建相应的电路。
2. 使用万用表测量各元器件的参数，如电阻、电容、电感等。
3. 使用示波器观察电路的输出波形，如放大电路的输出波形。
4. 分析实验数据，总结实验结果。
五、实验结果与分析1. 通过测试，掌握了不同分立元器件的基本特性和工作原理。
2. 学会了如何搭建和调试分立元器件电路。
3. 掌握了分立元器件在电路中的应用方法。
4. 通过实验，提高了电路分析、设计和调试能力。
六、实验总结本次实验使我们对分立元器件有了更深入的了解，掌握了分立元器件的基本特性和工作原理，以及它们在电路中的应用方法。
功率半导体分立器件产业及标准化白皮书
本白皮书编写专家来自功率半导体器件产业链上下游各个环节 相关企事业单位，并面向全行业进行了广泛的征求意见。但由于编者
1
水平有限，疏漏和不足之处，欢迎读者批评指正，编制组将根据技术 发展和行业意见进行持续修订完善。
2
2 功率半导体分立器件概述 2.1 功率半导体分立器件的概念
功率半导体器件（Power Electronic Device）又称为电力电子 器件和功率电子器件，是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电 能的变换或控制的电子器件，其作用主要分为功率转换、功率放大、 功率开关、线路保护和整流等。功率半导体大致可分为功率半导体分 立器件（Power Discrete）(包括功率模块)和功率半导体集成电路 （Power IC）两大类，在半导体产业中的结构关系如图 1 所示。其中， 功率半导体分立器件是指被规定完成某种基本功能，并且本身在功能 上不能再细分的半导体器件。
版权声明 本白皮书版权属于中国电子技术标准化研究院，并受法律保护。 转载、摘编或利用其它方式使用本白皮书文字或观点的，请注明：“来 源：中国电子技术标准化研究院”。违反上述声明者，本院将追求其 相关法律责任。
目录 1 前言........................................................................................................1 2 功率半导体分立器件概述................................................................... 3
电子元器件基础知识大全
电子元器件基础知识大全篇一：电子元器件基础知识第一讲电子元器件基础知识课程大纲：第一章电子元器件分类第二章集成电路的基础知识第三章集成电路的发展及分类第四章集成电路的命名第五章集成电路的封装第六章集成电路的品牌第七章集成电路的品牌分销商第一章电子元器件分类第一节电子元器件分类●概念：电子元器件是电子工业发展的基础。
它们是组成电子设备的基本单元，属电子工业的中间产品。
●电子元器件分为两类：半导体、电子元件第二节行业概念●被动组件是电子产品中不可缺少的基本组件。
电子电路有主动与被动两种装置，所谓被动组件是不必接电就可以动作，而产生调节电流电压，储蓄静电、防治电磁波不干扰、过滤电流杂质等的功能。
相对应主动组件，被动足是在电压改变的时候，电阻和阻抗都不会随之改变。
被动组件可以涵盖三大类产品：电阻器、电感器和电容器。
●半导体分立器件主要包括半导体二极管、三极管、三极管阵列、ＭＯＳ场效应管、结型场效应管、光电耦合器、可控硅等各种两端和三端器件。
●有源器件和无源器件简单地讲就是需能（电）源的器件叫有源器件，无需能（电）源的器件就是无源器件。
有源器件一般用来信号放大、变换等，无源器件用来进行信号传输，或者通过方向性进行“信号放大”。
电容、电阻、电感都是无源器件，ＩＣ、模块等都是有源器件。
●摩尔定律INTEL公司创建人之一戈登·摩尔的经验法则，他曾经这样描述：“随着芯片上的电路复杂度提高，元件数目必将增加，然而每个元件的成本却每年下降一半。
”摩尔定律看似非常简单，实则对于半导体工业的发展的指导意义深远。
一些分析家预测摩尔定律终将实效——一种自我激励的机制，只要半导体技术和经济的发展还能满足市场需要，摩尔定律还将继续生存下去，只不过是速度上的减缓。
第二章集成电路的基础知识第一节集成电路的基础介绍我们通常说的“芯片”是指集成电路，它是微电子技术的主要产品。
所谓微电子是相对“强电”、“弱电”等概念而言，指它处理的电子信号极其微小，它是现代信息技术的基础，我们通常所接触的电子产品，包括通讯、电脑、智能化系统、自动控制、空间技术、电台、电视等等都是在微电子技术的基础上发展起来的。
从51初学者到电子工程师
很多电子工程师在某个方面精深钻研，成为某一个特殊领域的专家，从一开始的养家糊口、慢慢小有收益、最后宝马豪宅，也是有的；这些电子工程师可能没有全面掌握这些知识，因为这些行业用不上，例如，液晶显示器，很多行业就不需要；但是，对于一个初学者，我认为，这个提纲是切合实际的，对于面向控制而言，已经基本够用了；对于初学者，全面地掌握这些知识是很有必要的，因为你不知道今后需要使用什么哪些知识，而这些知识，80%以上你会在今后的工作中使用上，因为这是都是最基本的。
熟练掌握这些知识和应用，根据不同的地区、行业和老板，月薪应该可以在3000元～5000元之间，甚至更高。
其实，可能有些你用不上，但是知道了也没有坏处；所谓书到用时方很少，又有谓艺不压身。
知识＝月薪＝年薪＝金钱＝香车宝马＝…….. ，呵呵。
为什么要掌握这些知识？实际上，电子工程师就是将一堆器件搭在一起，注入思想（程序），完成原来的这些器件分离时无法完成的功能，做成一个成品。
所需要的技能越高、功能越复杂、成本越低、市场上对相应的东东的需求越大，就越成功。
这就是电子工程师的自身的价值。
从成本到产品售出，之间的差价就是企业的追求。
作为企业的老板，是在市场上去寻找这样的应用；对电子工程师而言，是将老板提出的需求或者应用按照一定的构思原则（成本最低、可靠性最高、电路板最小、功能最强大等）在最短的时间内完成。
最短的时间，跟电子工程师的熟练程度、工作效率和工作时间直接有关。
这就是电子工程师的价值。
将电子产品抽象成一个硬件的模型，大约有以下组成：1) 输入2) 处理核心3) 输出输入基本上有以下的可能：1) 键盘2) 串行接口（RS232/485/can bus/以太网/USB）3) 开关量（TTL，电流环路，干接点）4) 模拟量（4~20ma、0~10ma、0~5V（平衡和非平衡信号））输出基本上有以下组成：1) 串行接口（RS232/485/can bus/以太网/USB）2) 开关量（TTL、电流环路、干接点、功率驱动）3) 模拟量（4~20ma，0~10ma，0~5V（平衡和非平衡信号））4) LED显示：发光管、八字5) 液晶显示器6) 蜂鸣器处理核心主要有：1) 8位单片机，主要就是51系列2) 32位arm单片机，主要有A TMEL和三星系列51系列单片机现在看来，只能做一些简单的应用，说白了，这个芯片也就是做单一的一件事情，做多了，不如使用arm来做；还可以在arm上加一个操作系统，程序既可靠又容易编写。
半导体分立器件
半导体分立器件半导体分立器件是现代电子工业中非常重要的一类元器件。
它们广泛应用于各种电子设备和系统中，包括通信设备、计算机、家用电器、汽车等。
本文将详细介绍半导体分立器件的概念、分类、特性以及应用领域。
半导体分立器件是指以半导体材料为基础，通过物理或化学的方法制造出来的电子器件。
与集成电路不同，分立器件是单个器件，具有独立的电气性能和功能。
半导体分立器件广泛应用于各种电子电路中，可以实现信号放大、开关控制、信号调整等功能。
半导体分立器件可以根据其功能和结构进行分类。
主要的分类包括二极管、三极管、场效应管、光电器件等。
二极管是最简单的一种分立器件，它具有只允许电流在一个方向上通过的特性。
三极管是一种三端器件，可以实现电流放大和开关控制功能。
场效应管是一种控制输出电流的器件，其输入电阻很高，可以应用在信号放大和开关控制电路中。
光电器件可以将光信号转换为电信号，广泛应用于光通信和光电传感器等领域。
半导体分立器件具有多种特性，这些特性决定了它们在电子电路中的应用。
首先，半导体分立器件具有高速开关特性，可以快速响应输入信号并控制输出信号。
其次，它们具有高电压和高电流承载能力，可以满足不同应用场景下的需求。
第三，半导体分立器件具有低功耗和高效传输特性，可以提高电子设备的性能和效率。
此外，它们还具有稳定性好、体积小、可靠性高等优点。
半导体分立器件在各个领域都有广泛的应用。
在通信设备领域，分立器件可以实现信号放大、开关控制、滤波器等功能，用于信号的传输和处理。
在计算机领域，分立器件用于逻辑电路和存储电路中，实现数据的处理和存储。
在家用电器领域，分立器件可以应用于电源控制、电机驱动、温度控制等方面。
在汽车电子领域，分立器件可以应用于发动机控制、车载电源、车载通信等系统。
总之，半导体分立器件是现代电子工业不可或缺的一部分。
它们在各个领域中扮演着重要的角色，实现了电子设备和系统的功能和性能。
随着科技的不断进步和创新，半导体分立器件将会继续发展和应用，为人类创造更多的福利和便利。
半导体分立器件
半导体分立器件半导体分立器件是现代电子工业中不可或缺的重要组成部分。
它们在各个领域的电子设备中发挥着关键作用，例如通信、计算机、医疗器械、航空航天等。
本文将重点介绍半导体分立器件的定义、种类、应用领域和未来发展趋势。
首先，我们来了解一下什么是半导体分立器件。
半导体分立器件是指由单个半导体晶体制成的电子器件，它们能够在电路中完成信号的放大、开关、限幅、整流等功能。
根据功能不同，半导体分立器件可以分为三大类，分别是二极管、场效应晶体管和双极晶体管。
二极管是最简单的半导体分立器件之一，它由P型和N型半导体材料组成。
当施加正向偏置电压时，二极管将导通电流；而当施加反向偏置电压时，二极管处于截止状态，不导电。
二极管常用于整流、限幅和检波等电路中。
场效应晶体管是一种带有控制端的三极半导体器件。
它由源极、栅极和漏极组成。
通过控制栅极电压，可以调节源极与漏极之间的电流。
场效应晶体管在电子设备中经常用于信号放大、开关和调节等功能。
双极晶体管也是常见的半导体分立器件，由两个PN结组成。
双极晶体管的基极、发射极和集电极分别对应场效应晶体管的栅极、源极和漏极。
双极晶体管常用于信号放大、稳压和开关等电路中。
半导体分立器件在各个行业中都有着广泛的应用。
在通信领域，它们用于光通信、射频系统和调制解调器等设备中。
在计算机领域，半导体分立器件是CPU、内存、硬盘等基础组件的重要部分。
在医疗器械中，半导体分立器件用于生命监测、医学成像和治疗设备等。
在航空航天领域，半导体分立器件被广泛应用于导航、通信和传感器等系统中。
随着科技的不断进步，半导体分立器件也在不断发展。
未来，我们可以预见以下几个发展趋势。
首先，器件尺寸将进一步缩小，以实现更高的集成度和更小的体积。
其次，功耗将继续降低，以提高能源效率和延长电池寿命。
同时，半导体分立器件的工作频率也将得到提高，以满足日益增长的数据处理需求。
此外，半导体分立器件的性能也将得到进一步提升。
更好的导电性能、更高的可靠性和更低的噪声水平将成为未来的发展方向。
LED封装技术及结构
led封装技术及结构newmakerLED封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的，但却有很大的特殊性。
一般情况下，分立器件的管芯被密封在封装体内，封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。
而LED封装则是完成输出电信号，保护管芯正常工作，输出：可见光的功能，既有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于LED。
LED的核心发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯，当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或近红外光。
但pn结区发出的光子是非定向的，即向各个方向发射有相同的几率，因此，并不是管芯产生的所有光都可以释放出来，这主要取决于半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料，应用要求提高LED的内、外部量子效率。
常规Φ5mm型LED封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上，管芯的正极通过球形接触点与金丝，键合为内引线与一条管脚相连，负极通过反射杯和引线架的另一管脚相连，然后其顶部用环氧树脂包封。
反射杯的作用是收集管芯侧面、界面发出的光，向期望的方向角内发射。
顶部包封的环氧树脂做成一定形状，有这样几种作用：保护管芯等不受外界侵蚀；采用不同的形状和材料性质(掺或不掺散色剂)，起透镜或漫射透镜功能，控制光的发散角；管芯折射率与空气折射率相关太大，致使管芯内部的全反射临界角很小，其有源层产生的光只有小部分被取出，大部分易在管芯内部经多次反射而被吸收，易发生全反射导致过多光损失，选用相应折射率的环氧树脂作过渡，提高管芯的光出射效率。
用作构成管壳的环氧树脂须具有耐湿性，绝缘性，机械强度，对管芯发出光的折射率和透射率高。
选择不同折射率的封装材料，封装几何形状对光子逸出效率的影响是不同的，发光强度的角分布也与管芯结构、光输出方式、封装透镜所用材质和形状有关。
若采用尖形树脂透镜，可使光集中到LED的轴线方向，相应的视角较小；如果顶部的树脂透镜为圆形或平面型，其相应视角将增大。
有源器件、无源器件、分立器件、集成电路的异同
有源器件、无源器件、分立器件、集成电路的异同有源器件、无源器件、分立器件和集成电路是电子器件的四种基本类型，它们在电子领域中具有不同的作用和特点。
在本文中，将对这四种器件的异同进行全面评估，帮助读者更深入地理解它们的内涵和应用。
1. 有源器件有源器件是指需要外部能量源供给的电子器件，例如晶体管和集成电路中的放大器。
有源器件能够在不同的电路中扮演调节信号的角色，从而实现信号放大、调制、解调、幅度限制等功能。
有源器件是电子电路中不可或缺的组成部分，它们对信号的处理起着至关重要的作用。
2. 无源器件相比有源器件，无源器件指的是不需要外部能量源供给的器件，例如二极管和电阻。
无源器件在电路中主要用于对信号的传输和调节，如电流限制和电压降低等。
无源器件通常被用于控制电流和电压，以实现对电路的调节和保护作用。
3. 分立器件分立器件是指将功能完整并能独立使用的器件，如二极管、三极管和场效应管等。
分立器件可以在电路中直接使用，而不需要其他器件的帮助。
分立器件在电子电路设计中具有重要作用，它们可以根据需要独立选择，从而更灵活地实现电路功能。
4. 集成电路集成电路是将多个器件集成在一个芯片中，如微处理器和存储器件。
集成电路可以实现复杂的功能，如计算、存储、控制等，同时占用空间小、功耗低。
集成电路在现代电子设备中得到了广泛应用，它们推动了电子技术的发展，并为人们的生活带来了便利。
个人观点和理解：在电子器件中，有源器件和无源器件分别扮演着信号处理和能量传输的角色，它们互为补充，共同构成了电路的基本部分。
分立器件和集成电路则代表了电子器件的两种不同形态，它们在电子领域中发挥着不同的作用。
我认为，掌握这四种器件的特点和应用是理解电子电路设计的重要基础，也是提升电子技术应用能力的关键。
有源器件、无源器件、分立器件和集成电路各有特点，它们在电子领域中的作用和应用是不可替代的。
希望通过本文的讨论，读者能对这四种器件有更深入的理解，从而更好地应用于实际工程中。
搞懂MOS管：MOS管的半导体结构
搞懂MOS管：MOS管的半导体结构
MOS 管作为半导体领域最基础的器件之一，无论是在IC 设计里，还是板级电路应用上，都十分广泛。
目前尤其在大功率半导体领域，各种结构的MOS 管更是发挥着不可替代的作用。
作为一个基础器件，往往集简单与复杂与一身，简单在于它的结构，复杂在于基于应用的深入考量。
因此，作为硬件开发者，想在电路设计上进阶，搞懂MOS 管是必不可少的一步，今天来聊聊。
一、MOS管的半导体结构
作为半导体器件，它的来源还是最原始的材料，掺杂半导体形成的P 和N 型物质。
那么，在半导体工艺里，如何制造MOS 管的？
这就是一个NMOS 的结构简图，一个看起来很简单的三端元器件。
具体的制造过程就像搭建积木一样，在一定的地基（衬底）上依据设计一步步“盖”起来。
MOS 管的符号描述为：
二、MOS管的工作机制
以增强型MOS 管为例，我们先简单来看下MOS 管的工作原理。
由上图结构我们可以看到MOS 管类似三极管，也是背靠背的两个PN结！三极管的原理是在偏置的情况下注入电流到很薄的基区通过电子-空穴复合来控制CE之间的导通，MOS 管则利用电场来在栅极形成载流子沟道来沟通DS之间。
如上图，在开启电压不足时，N区和衬底P之间因为载流子的自然复合会形成一个中性的耗尽区。
半导体器件分立器件--场效应晶体管
半导体器件分立器件–场效应晶体管引言场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET）是一种关键的半导体分立器件，广泛应用于电子电路中。
它具有速度快、功耗低、噪声小等优势，被广泛应用于放大、开关、调节等电路中。
本文将介绍场效应晶体管的基本原理、构造和工作方式，并分析其在电子电路中的应用。
基本原理场效应晶体管是一种三极管，由源极、漏极和栅极构成。
与双极晶体管相比，它不是通过控制一个载流子流向来控制电流，而是通过改变场效应晶体管中的电场来控制载流子的流动。
当在栅极与源极之间施加一个电压，形成栅源电压（VGS）时，栅极下形成一个电场。
这个电场控制了沟道中形成的载流子，从而控制了源极到漏极之间的电流流动。
栅源电压可以正向或反向偏置，栅源电流一般非常小，可以忽略不计。
根据栅源电压的不同，场效应晶体管可以分为三种类型： - N沟道型（N-Channel）FET：当栅源电压为正时，沟道中的电子受到栅源电压的吸引，形成导电通道。
- P沟道型（P-Channel）FET：当栅源电压为负时，沟道中的电洞受到栅源电压的吸引，形成导电通道。
- 绝缘栅型（I-Channel）FET：当栅源电压为零时，晶体管处于阻断状态。
结构与工作方式场效应晶体管通常采用硅材料制造，其结构主要包括源极、漏极、栅极和沟道。
源极和漏极是两个接触电极，被用于连接外部电路。
栅极位于源极和漏极之间，用于控制电流流动。
沟道将源极和漏极连接起来，负责载流子流动。
在工作时，源极和漏极之间施加一个正向偏置电压（VDS）。
栅极与源极之间施加一个电压（VGS），通常为正向或负向偏置。
当VGS为正时，N沟道型场效应晶体管中，栅源电压吸引电子，使其通过沟道流向漏极；在P沟道型场效应晶体管中，栅源电压吸引电洞，使其通过沟道流向漏极。
当VGS为负时，晶体管会进入截止状态。
应用场效应晶体管广泛应用于电子电路中，包括放大电路、开关电路、调整电路等。
以下是场效应晶体管在不同应用中的作用：放大电路场效应晶体管可以用作信号放大的关键元件。
半导体技术的概念和发展
半导体技术的概念和发展半导体技术是现代生产中不可或缺的重要部分。
它由一种半导体材料制成，具有半导体特性，其电学属性介于导体和绝缘体之间。
半导体技术是纳米技术的中心领域之一，对于信息技术、能源、环境、医疗和国防等领域的进步和发展起到了至关重要的作用。
半导体技术的发展历程半导体技术起源于20世纪中期，当时最初的半导体材料是金属的氧化物，如硒和硫等。
到20世纪60年代，人类开始利用硅材料制作半导体电路。
由于硅的原子结构类似于一个稳定的晶体结构，因此它可以作为一种优秀的半导体材料应用于电路制造中。
20世纪70年代，半导体技术取得了重大进展，高速计算机芯片的出现为信息技术的快速发展奠定了基础。
大约在20世纪80年代初期，人们开始探索更复杂的半导体体系，如异质结构、半导体量子阱和超晶格等。
这些新的半导体材料具有更好的电性能，可以用于制造更快的信息处理器。
半导体技术的发展以颠覆性的速度促进了信息技术的发展，推动了半导体技术在全球范围内的应用。
在这个过程中，硅半导体将推动电子产业的快速发展，成为当今半导体市场的主体。
半导体技术的分类半导体技术可分为集成电路和分立器件两类。
集成电路是指将多个电子元件、电阻元件、电容器元件、电感元件和半导体元件等组件化成一个完整的电器元件。
分立器件可以理解为单个电路元件，如二极管、三极管和继电器等。
半导体技术的细分领域也非常多，例如光电器件、储存器件、逻辑电路、微控制器等。
半导体技术的应用领域半导体技术的应用越来越广泛，从通信、计算机和家用电器等消费类电子产品到机器人、医疗器械和太空探测器等高科技领域都有着广泛的应用。
下面，我们将简单地介绍其中一些应用领域。
通信通信领域是半导体技术的重要应用领域，特别是在移动通信中，半导体器件必须具有小体积、低功耗、高可靠性和高性能等特点。
半导体器件的性能和效率将直接影响到移动通信的质量。
半导体技术被用来制造微波电路、光电元件和数字信号处理器，这些器件可提高通信网络的速度和容量，并缩小红色和移动设备之间的信号传输延迟。
射频氮化镓分立器件__概述说明以及解释
射频氮化镓分立器件概述说明以及解释1. 引言1.1 概述射频氮化镓分立器件是一类在射频领域中应用广泛的电子元件，它由氮化镓材料制成，具有出色的高频性能和优异的功耗特性。
这些分立器件可以单独使用或与其他器件结合，用于各种通信和雷达系统中。
本文将对射频氮化镓分立器件进行概述并详细解释其原理、优势、种类和应用领域。
1.2 文章结构本文共分为五个部分：引言、射频氮化镓分立器件、氮化镓材料的特性和制备方法、射频氮化镓分立器件的种类和应用领域以及结论与展望。
在引言部分，我们将简要介绍文章的主题和组织结构。
1.3 目的本文旨在深入探讨射频氮化镓分立器件这一重要主题，并提供相关领域的研究人员和工程师们基本了解该技术背景以及其关键应用。
通过本文内容，读者将能够理解射频氮化镓分立器件的原理、制备方法以及其在通信等领域的应用案例，同时也将对该领域的发展趋势有一定的了解。
2. 射频氮化镓分立器件2.1 简介射频氮化镓分立器件是一种关键的无线通信元件，广泛用于各种无线通信系统中。
这些分立器件包括射频功率放大器、开关、混频器和控制电路等，它们在无线通信中起着至关重要的作用。
由于氮化镓具有优异的特性，如高电子迁移率、高可靠性和较高的工作温度范围，因此射频氮化镓分立器件在无线通信领域中被广泛采用。
2.2 分立器件的原理和作用射频氮化镓分立器件基于半导体技术与微纳加工技术相结合，通过设计和制造出小型化、高效率、低功耗的器件来满足无线通信系统对高速数据传输和广带应用的需求。
其中，射频功率放大器负责将输入的弱信号放大为更强大的输出信号；开关则负责控制输入信号的流向，并实现快速切换；混频器则能够将两个不同频率的信号进行合并或相互转换；控制电路则起到调节和监控这些分立器件工作状态的作用。
2.3 射频氮化镓分立器件的优势相比于其他材料制造的器件，射频氮化镓分立器件具有一系列明显的优势。
首先，射频氮化镓分立器件具有较高的电子迁移率，使其在高频场合下能够更好地传递信号。
硅基半导体分立器件生产设备的跨源标定与一致性控制
硅基半导体分立器件生产设备的跨源标定与一致性控制随着科技的不断发展，硅基半导体分立器件在电子设备中的应用逐渐广泛。
为了确保硅基半导体分立器件的品质和性能，对生产过程中所使用的设备进行跨源标定与一致性控制是至关重要的。
本文将从跨源标定和一致性控制两个方面进行讨论。
1. 跨源标定跨源标定是指在不同设备之间进行性能和参数的校准，以确保它们的测量结果和操作一致。
在硅基半导体分立器件生产中，不同设备的差异、光源的稳定性、温度飘移等因素会导致设备之间存在一定的误差。
在跨源标定过程中，我们需要考虑以下几个关键点：1.1 标定方法标定方法应综合考虑设备性能和参数的差异性，选择合适的标定方法。
一般来说，可以使用硅基半导体分立器件作为标准器件，通过测量其性能和参数，并与待标定设备进行比较，来评估设备的误差。
1.2 标定环境标定环境需要具备良好的稳定性和精确度，以保证标定结果的准确性。
温度、湿度、光照等因素都会对标定结果产生影响。
因此，要在一个恒定且受控的环境中进行标定，例如在恒温箱中进行标定。
1.3 标定周期标定周期是指多长时间需要对设备进行标定一次。
由于设备使用时间的增加，其性能和参数可能会发生变化。
因此，需要制定合理的标定周期来保证设备的准确性。
一般来说，标定周期可以根据设备的使用情况和性能需求来确定。
2. 一致性控制一致性控制是在生产过程中保持设备之间的一致性，以确保产品的质量和稳定性。
具体的一致性控制方法包括以下几个方面：2.1 工艺管理工艺管理是一致性控制的基础。
合理的工艺管理可以确保不同设备在生产过程中的参数设置和操作步骤一致。
需要建立统一的工艺规范和操作流程，并对操作人员进行培训，以确保工艺的一致性。
2.2 设备维护设备维护是保持设备性能一致性的必要手段。
定期对设备进行维护和检修，包括清洁设备、更换耗材和部件等。
监测设备的运行状态和性能参数，及时发现并修复可能存在的问题，以保持设备的稳定性和一致性。
2.3 质量控制质量控制是在生产过程中验证产品质量的关键环节。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
电感基本参数
1. 2. 3.
电感量和精度 ； 饱和电流和温升电流； 等效串联电阻；
4. 温度和电流对电感量的影响； 5. 频率特性和等效并联电容
电感的种类和规格
小功率电感——用于信号滤波和阻抗匹配 等小功率场合 大功率电感——用于DC/DC等大功率场合
电感量的取值更少，一般有6种 ：10 15 22 33 47 68 取值范围从nH到uH的的数量级。 额定电流的取值，各个厂家不统一，但在同一封装下，额定的电流随电 感量的上升而下降（其实质是绕组的匝数上升后，磁芯更容易饱和， 且导线变细后电阻上升）
穿心电容
电感
基本理论
1.
电气特性的定义；
U = L*dI/dt A= L*I2/2 L= Ψ/I
2. 导磁材料常见的有2种，一种是叠层的硅钢片，导磁率很高， 但高频损耗大，适用于工频和音频；一种是铁氧体，导磁率 不是很大但高频损耗小，常用于DC/DC和信号隔离耦合等； 3. 存储和释放磁场能量，常见的用途有：DC/DC转换；RF阻抗 匹配； 电源滤波； 模拟滤波器，高频信号隔离等；
磁珠
磁珠和电感的作用非常相像,但是磁珠比电感的阻抗大,滤波效果更好.
磁珠主要看2个方面，一个是频率-阻抗曲线，一个是直流电阻/通流量，阻 抗越大，通流量越大的磁珠，通常体积就越大
磁珠和电感的区别，磁珠的缺点——损耗非常大，会将高频的电信号转变 为热，而不是磁场能量，所以它只能用于电源滤波，而不能用于信号处理
陶瓷介质电容器
I类陶瓷介质 常见的如C0G 温度稳定性好 电压稳定性极好 介质损耗小 介电常数约100，容量小于0.1uF II类陶瓷介质 X5R,X7R,Y5U等 温度稳定性差 电压稳定性极差 介质损耗较小， 介电常数可达10000以上，容量可达47uF 以上
铝电解电容
• 深度腐蚀增加电容器极板面积 • 阳极氧化生成介质Al2O3（er=7）， 厚度可控 • 利用电解液做负极
电阻的种类
电阻的识别1
移动终端常用的电阻
• • • 贴片电阻 0201 0402 0603 0805 1206 1210 对应功率1/20 1/16 1/10 1/8 1/5 1/3 常用电阻的阻值规则——按等比数列分布，20%的电阻只有6个取值，10% 的电阻有12个取值，5%的电阻有24个取值，2%的电阻有48个取值，1%的电 阻有96个取值，ZTE为了压缩代码，贴片电阻以5%和1%精度的电阻作为优 选，其余的精度不常用。 5%精度共24个阻值： 10 15 22 33 47 68 最常用 12 18 27 39 56 82 次常用 11 13 16 20 24 30 36 43 51 62 75 91不常用 1%精度共96个阻值： 阻值规则10(M+N/96) 例如，6.04k = 10(3+75/96) 电阻的取值范围： 0.1~10M，更大的或者更小的电阻极少使用
工作原理参考下图
MOSFET的主要技术参数
GS之间的电容特性，包括容量，耐压等； DS之间的二极管特性，正向电流，反向耐压，等 开启阈值电压VGS ； VGS对应的RDS （电阻区）和ID(饱和区）； 允许的热功耗; 最大的VDS和IDS；
BJT和MOSFET的对比
BJT 电流驱动，驱动电压较低， 但驱动电流较大，功耗大， 开关速度低 线性放大 大电流下饱和压降较低，功 耗较小
一般不要求 有不同规格 一般不要求 瞬间承受很大 稍大
不做要求 不做要求 有不同规 格 较小 较小
指示灯 背光灯 稳压 RF电路 保护 整流 DC/DC 低电平逻辑
晶体管
双极性晶体管
常见的都是硅器件， Bipolar Junction Transistor简称BJT， 分为NPN和PNP两种
工作原理：BC结反向电压 不导通，但当E有载 流子注入B后，BC结 就导通了
分立器件应用基础
分立器件
一、电阻 二、电容 三、电感 四、二极管 五、晶体管
这些实在是太简单了， 这些实在是太简单了，没什么可学的 我上学的时候就没弄懂过， 我上学的时候就没弄懂过，现在更学不会了 越来越多的功能已经集成在芯片内部， 越来越多的功能已经集成在芯片内部，学这些过时了 按照参考设计做就行了， 按照参考设计做就行了，没必要深究这些细节
钽电解电容
• 介质采用氧化生成的五氧化二钽 （er=27）,小体积大容量 • 传统的阴极材料使用二氧化锰； • 温度特性，容量精度较好 • ESR比铝电解好，但仍较差； • 高频性能仍较差，耐压低于铝电解； • 钽金属比较昂贵 • 阴极也可使用有机材料 （polymer），ESR性能更好 • 安全性比较差，容易爆炸起火
• • • • • • • 有极性，反接会损坏 容量/耐压较大，价格优势明显 精度和温度稳定性都比较差，20%； 电解液导电性能影响导致ESR较大； 高频性能很差； 漏电流较大， 寿命和存储寿命短，不适合高可跟普通铝电解 电容相同，阴极使用有机导电材料 制造，使ESR降低1~2个数量级 温度稳定性较好； 寿命长，适用于高可靠场合； 可承受较小的反向电压； 价格较昂贵；
二极管的参数
正向导通电压 最大正向电流 有不同的规格 允许的热功耗；跟封装有关 反向耐压 反向漏电流（leackage current） 反向恢复时间（recover time） 开关状态下的 结电容 （junction capcitor）
二极管的选择
可能引起器件损坏的参数必须留足降额：反向耐压，正向电流； 影响整机功能和性能的因素仔细选择：正向电压，恢复时间等； 其他的细节：反向漏电流，结电容等； 根据热功率，工艺，成本等要求选择合适的封装；
•
电阻的识别2
• 3位数表示普通电阻和4 位数表示精密电阻的规 则
3位数表示精密电阻的规则
电阻的选择
1. 根据功率和工艺条件，选择合适的封装 2. 在满足需求的前提下，尽可能选择常用阻值和通用件; 3. 模拟电路的电阻注意精度和温度系数; 4. 高频电路注意寄生参数； 5. 满足需求的情况下选择最小最廉价的器件；
设置特定的驱动电流 将电流转换为某个确定的电压，如电流采样等 设置晶体管的静态工作点 分压/反馈网络 RC延时，滤波网络 阻抗匹配 衰减振荡，吸收功率
电阻的参数
• • • • • • • 阻值 精度 温度系数 功率 工作温度 封装 寄生参数 0.1--10M 0.1%--20% 10ppm 50ppm 100ppm等，对精密电阻更重要 插装1/16 W–2W， 贴片1/20W-1/2W 对功率电阻较重要 贴片封装包括： 0201 0402 0805 1206 1210等 用于RF电路时需要考虑，贴片器件的寄生参数 比较小，优先选用
100
常用贴片封装： 贴片瓷介电容：0201 0402 0603 0805 1206 （英制） 贴片钽电容：2012 3216 3528 6032 7343 （公制）
电容器的选择
1. 2. 3. 4. 5.
根据用途选择电容器种类 根据工艺要求选择封装形式 容量根据需要决定，关注频率阻抗曲线， 耐压必须留足余量 RF电路考虑高频损耗
移动终端电感的选择
1. 2. 3. 4. 根据所需要的电感量和电流估计封装 在对应的封装下查找所需的电感量 检查电流余量是否足够 检查其余的细节如频率特性等是否满足需求，器件的谐振频率必须高 于工作频率 RF电感的品质因数
5.
二极管
半导体基础
金属是依靠电子导电的； 纯净水几乎不导电，但无机溶液是含有正负离子明显导电；
有机薄膜电容器
• • • • • • 高耐压，高精度，高稳定性要求的等场合常用 基利用导体薄膜和介质薄膜叠层形成 常用介质有聚乙烯，聚苯乙烯，聚丙烯，聚碳酸酯，纸介质等 频率特性，温度特性，精度都好，损耗小，耐压容易做高，但容量不易 做大 可靠性好， 体积比较大，终端上一般不使用
电容器的规格
常用容量——依然遵循等比数列原则 最常用10 15 22 33 47 68 次常用12 18 27 39 56 82 除此之外的容量极少见 常用耐压： 4.0 6.3 10 16 25 35 50
电阻
电阻的基本常识
• • • • • 区分两个概念 电阻，一个物理参数，resistance 电阻，电阻器，一个电子元件，resistor 电气特性：R=U/I P=I2R P=U2/R 根据材料特性的计算：R= er*d/S 用途：电压电流转换，限制或者设置电压和电流 具体的应用：
– – – – – – –
FET 电压驱动，静态电流几乎为 0，驱动功耗低 开关速度高 非线性放大 导通后沟道电阻恒定，中小 电流热耗低
晶体管的选择
BJT 还是MOSFET ? 根据电路的需求确定 电流和耐压，留足余量，但必须考虑成本； 导通电阻/饱和压降是否影响整机性能？ 根据热功率，可初步确定器件封装; 某些场合需要考虑开关特性和高频特性；
电容的参数
• • • • • • 容量和精度 温度稳定性和电压稳定性 电容的耐压值 等效串连电阻和等效串连电感 小电流场合需要考虑绝缘电阻和漏电流 高频电路需要考虑介质损耗
电容的种类
介电材料是电容器中最关键的技术，根据介电材料的不同， 电性能差 异很大，常见的电容有这3种： 陶瓷介质电容； 电解电容； 有机薄膜电容；
双极性晶体管主要参数
BE、BC之间的二极管特性； 集电极可承受的电压； 集电极可承受的电流； 允许的最大功耗； 电流放大系数：Ic/Ib 开关速度，结电容；
场效应晶体管
FET，Field Efficient Transistor 场效应晶体管 常见的有MOSFET和JFET，即金属-氧化物-半导体和结型 MOSFET，又分为PMOSFET和NMOSFET；
特殊的二极管
正向导 通电压 发光二极管 稳压二极管 变容二极管 TVS 肖特基二极管 1.5~4 0.7 0.7 0.7 0.3-0.6