半导体三极管值测量仪设计

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青岛大学课程设计——三极管β值测量仪

青岛大学课程设计——三极管β值测量仪

电子技术课程设计报告设计名称:半导体三极管β值测量仪学校名称:青岛大学学院名称:自动化工程学院专业班级:13级通信工程1班学号:*************名:**指导老师:2015年9月22日目录一、课题名称 (3)二、内容摘要 (3)三、设计内容及要求 (3)3.1基础部分 (3)3.2发挥部分 (4)四、比较和选定设计的系统方案,画出系统框图 (4)4.1基础部分 (4)4.1.1 设计方案 (4)4.1.2模块结构与流程图 (4)4.1.3 基本设计原理 (5)4.2发挥部分 (5)4.2.1设计方案 (5)4.2.2系统框图 (6)4.2.3基本设计原理 (6)五、单元电路设计、参数和元器件选择说明 (7)基础部分 (7)5.1微电流源 (7)5.2共射放大电路 (8)5.3采样电路 (8)5.4采样电路、比较电路、基准电压 (10)5.5优先编码、显示译码、显示电路 (12)5.5.1编码电路 (12)5.5.2显示译码电路 (12)5.5.3显示电路 (13)5.6单稳态触发器 (14)5.7流控振荡器 (16)5.8计数电路、显示电路 (18)六、画出完整电路图,并说明电路的工作原理 (21)6.1基础部分 (21)6.1.1基础部分Multisim仿真图 (21)6.1.2基础部分电路的工作原理 (21)6.2发挥部分 (23)6.2.1发挥部分完整电路图 (23)6.2.2发挥部分的基本原理 (23)6.3总电路图 (24)七、仿真结果 (24)八、电路优缺点及改进方向 (25)九、器件清单 (25)十、实验心得 (26)十一、参考文献 (27)一、课题名称半导体三极管β值测量仪二、内容摘要本次课程设计制作一个测量NPN型半导体三极管β值的显示测试仪,分为基础部分和发挥部分。

基础部分:通过β-U的转换电路,将变化的β值转化成与之成正比例的电压即取样电压,对其进行比较、分档。

然后将取样信号同时加到四个具有不同基准电压的电压比较器中进行比较,对于某一定值,每个电压比较器输出端输出相应的高电平或者低电平,从而驱动优先编码器对高位进行二进制编码,再经过显示译码器驱动数码管显示出相应的档位。

半导体三极管β值测量仪

半导体三极管β值测量仪

目录目录 (2)第一部分系统设计 (3)1.1设计题目及要求 (3)1.2设计思路分析 (3)1.2.1设计思路 (3)1.2.2设计方案 (4)1.2.3方案论证与比较 (6)第二部分单元电路设计 (7)2.1被测三极管电路工作原理和功能说明 (7)2.2 β-v转换电路工作原理和功能说明 (9)2.3 LM331电路工作原理和功能说明 (9)2.4 555单稳态电路工作原理和功能说明 (12)2.5 计数、译码、显示电路及其原理和功能说明 (13)第三部分整机电路图 (15)3.1 整机电路图 (15)3.2 元件清单 (15)第四部分性能调试 (16)4.1 电路调试 (16)4.1.1 调试使用的仪器 (16)4.1.2 指标测试步骤及测量数据 (16)4.1.3故障分析及处理 (17)4.2 电路实现的功能和系统使用说明 (19)第五部分课程设计总结 (19)附件一整机电路图 (22)附件二 IC资料 (23)第一部分系统设计1.1设计题目及要求设计题目:半导体三极管β值测量仪设计任务:设计一个可测量NPN型硅三极管的β值的显示测量电路(β<200)任务要求:1用三个数码管显示β的大小,分别显示个位、十位和百位。

显示范围为0-199。

2响应时间不超过2秒,显示器显示读数清晰,注意避免出现“叠加现象”。

3电源采用5V或±5V供电。

1.2设计思路分析1.2.1设计思路将变化的β值转化为与之成正比变化的电压或电流量,再将得到的电压或者电流量转换为频率,然后计数、译码显示。

上述转换过程可由以下方案实现:根据三极管电流I C=βI B的关系,当I B为固定值时,I C反映了β的变化,电阻RC上的电压V RC又反映了IC的变化,这样,被测三极管就可以通过β-V转换电路把三极管的β值转换成对应的电压,然后再通过压控振荡器把电压转换成频率,若计数时间及电路参数选择合适,在计数时间内通过的脉冲个数即为被测三极管的β值。

半导体三极管β值测量仪

半导体三极管β值测量仪

摘要半导体三极管β值测量仪是用来测量NPN型三极管电流放大倍数β值的一种简易仪器。

它的设计分为几个部分,首先是转化电路,用微电流电路使晶体管基极电流为一定值,用转化电路将所求c I转换为电压来测量。

然后是比较电路,将转换电路得来的电压与所预设的基准电压比较即可知道β值的范围具体是在80~120,120~160还是160~200之间,其中基准电压用电阻分压的形式得到,大于对应的基准电压输出高电平,否则输出低电平,由比较电路的到比较结果后,将对应β值的由高到低的比较结果连接到发光二极管的阳极并且将二极管阴极接地这样即可实现当没有接入三极管或者β<80时,四个发光二极管全灭;80<β<120时,发光二极管亮一只;120<β<160时,发光二极管亮两个;160<β<200时,亮三个发光二极管;当β>200时,四只发光二极管全亮。

关键词:NPN三极管;转换电路;比较电路;发光二极管一、总体方案与原理说明 1、总体方案框图如图:2、各部分电路功能的简单说明:① 转换电路:它是用与把不能直接用仪器测量的NPN 型三极管β值转换成可以直接被测量的集电极电压,再把这个电压采样放大,为下一级电压比较电路提供采样电压,其中包括提供恒定电流的电路和起放大隔离的差动放大电路。

② 电压比较电路:由于被测量的物理量要分三档(即β值分别为80~120,120~160及160 ~200对应的分档编号分别是1、2、3)还要考虑到少于80,和大于200的,于是比较电路需要把结果分成五个层次。

则至少需要四个基准电压,该电路就是有一个串联电阻网络产生四个不同的基准电压,再用四个运算放大器组成的比较电路,将取样信号同时加到具有不同基准电压的比较电路输入端进行比较,对应某一定值o U ,相应的一个比较电路输出为高电平,其余比较器输出为低电平。

③显示:该电路功能是用发光二极管显示被测量的NPN 型三极管β值的档次。

三极管β值数显式测量电路设计.

三极管β值数显式测量电路设计.

××××大学课程设计2010年 7 月 11 日××××课程设计任务书课程电子技术课程设计题目三极管β值数显式测量电路设计专业自动化姓名学号主要内容:根据设计要求,运用所学的电子技术及电路基础等知识,自行设计一个三极管β值数显式测量电路,用数码管和发光二极管显示出被测三极管的β值,从而读数直观,误差较小。

基本要求:1可测NPN硅三极管的直流电流放大系数β值(设β小于200),测试条件如下:(1) Ig=10μΑ,误差为±2%(2)V CE为14到16V,且对于不同β值的三极管,V CE的值基本不变。

2用二只LED数码管和一只发光二极管构成数字显示器。

发光二极管显示最高位,它的亮状态和暗状态代表“1”和“0”,两只数码管显示拾位个位,即可显示0到199的正整数。

3在温度不变(20℃)时,本测量电路误差的绝对值不超过“0.05*数字显示器读数+1”。

4数字显示器所显示的数字应当清晰,稳定、可靠主要参考资料:[1]童诗白.模拟电子技术基础 [M].北京:高等教育出版社,2006.[2]张凤言.电子电路基础[M].北京:高等教育出版社,1995.[3]电子电路百科全书编辑组. 电子电路百科全书[M].北京:科学出版社.1988.[4]彭介华.电子技术课程设计指导[M].高等教育出版社,1997.[5]李哲英等.实用电子电路设计[M].北京:电子工业出版社,1997.[6]陈永甫.新编555集成电路应用800例.电子工业出版社,2000..完成期限2010.7.5-7.11指导教师专业负责人2010年 7 月 4日目录1 任务和要求 (1)2 总体方案设计与选择 (1)2.1任务分析 (1)2.2设计思路 (1)2.3系统概述 (1)3 电路总原理框图设计 (2)4 单元电路设计 (3)4.1转换电路 (3)4.2优频转换电路 (4)4.3控制计时电路 (5)4.4计数电路 (5)4.5译码与显示电路 (6)5 单元电路的级联设计 (7)6 设计总结 (7)参考文献 (8)附录 (1)1 任务和要求(1)任务:设计一个三极管β值数显式测量电路,用数码管和发光二极管显示出被测三极管的β值。

半导体三极管β值测量仪

半导体三极管β值测量仪

课程设计名称:电子技术课程设计
题目:半导体三极管β值测量仪
专业:
班级:
姓名:
学号:
课程设计成绩评定表
课程设计任务书
一、设计题目
半导体三极管β值测量仪
二、设计任务
1.对被测NPN型三极管值分三档,80-120,120-160,160--200三档,
并分别编号为1、2、3;
2.用四个发光二极管显示编号,处于待测时全部灭,超过200显示四个
全部亮。

三、设计计划
电子技术课程设计共1周。

第1天:选题,查资料;
第2天:方案分析比较,确定设计方案;
第3~4天:电路原理设计与电路仿真;
第5天:编写整理设计说明书。

四、设计要求
1. 画出整体电路图。

2. 对所设计的电路全部或部分进行仿真,使之达到设计任务要求。

3. 写出设计说明书。

指导教师:回立川
时间:2012年6月12日。

基于 STM32的晶体管特性曲线测试仪

基于 STM32的晶体管特性曲线测试仪

基于 STM32的晶体管特性曲线测试仪刘士兴;刘宏银;赵博;鲁迎春;易茂祥【摘要】A transistor characteristic curve tester has been designed,which is based on STM32F103.The input ladder current of the base of the triode under test is implemented by adopting digital potentiometer,and the base drive current is 0-1 60 μA whose resolution is 0.1 μA.The regulation of the collector scanning voltage is achieved by the output of the three-terminal voltage regulator circuit which is controlled by embedded DAC, and the output ranges 0-30 V whose highest resolution is 3.18 mV.First of all,a sense resistor has been used to change the determined current into voltage ,which is amplified by instrumentation amplifier and sampled by the embedded ADC,also the median average filtering method has been used to filter the sampling disturbance. The measured parameters are processed by STM32F103 processor to map the input-output characteristic curve and have a real-time display of the amplification h FE on LCD.The tester also has the function of communication with PC which is convenient for further processing.%设计了一种以 STM32F103VET6为核心的晶体管输入输出特性曲线测试仪.通过数字电位器实现对待测三极管基极输入电流的阶梯控制,基极驱动电流0~160μA,分辨率达到0.1μA;通过内嵌 DAC 控制三端稳压电路的输出实现集电极扫描电压的调节,输出范围0~30 V,最高分辨率3.18 mV;电流的测量首先通过采样电阻转换为待测电压,经仪表放大器进行放大后由内嵌 ADC 进行采样,采用中位值平均滤波法滤除采样干扰.由 STM32F103VET6处理器对所测得参数运算处理,绘制晶体管输入输出特性曲线,通过 LCD实时显示晶体管特性曲线及放大倍数 h FE 值;测试仪还具有与上位机通信的功能,方便实现对所测数据做进一步处理.【期刊名称】《实验技术与管理》【年(卷),期】2015(000)011【总页数】5页(P86-90)【关键词】晶体管特性曲线;嵌入式处理器;数字滤波;LCD 显示【作者】刘士兴;刘宏银;赵博;鲁迎春;易茂祥【作者单位】合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥 230009;合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥 230009;合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥 230009;合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥 230009;合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥 230009【正文语种】中文【中图分类】TN32晶体管特性曲线图示仪能够测量半导体晶体管的静态参数[1],显示晶体管的输入、输出特性曲线,在高校电子信息类专业的教学中获得了广泛的应用[2]。

半导体三极管β值测量仪

半导体三极管β值测量仪

唐山学院《电子技术》课程设计题目三极管 值测量电路系 (部) 机电工程系班级姓名学号指导教师年月日至月日共1周年月日第一部分设计任务一、设计题目、内容及要求设计题目:半导体三极管β值测量仪设计内容:任务:设计制作一个可自动测量NPN型硅三极管β值的显示测量仪。

基本部分:对被测三极管的β值分三档;β值的范围分别为80~120及120~160,160~200;其对应的分档编号分别是1、2、3;待测三极管为空时显示0,超过200显示4;用数码管显示β值的档次。

设计要求:1、根据任务要求设计中的各个电路模块;2、给出multisim仿真结果;3、设计说明书要包含设计总结;前言1.1设计意义学习了一个学期的《电子技术》课程,这次的课程设计主要综合了解与运用所学的知识,通过这次课程设计来检查这一学期的学习状况。

通过制作三极管β值测量电路,了解译码器、编码器、放大器,镜像电路的作用。

现代电子技术中半导体器件被广泛应用,半导体三极管经常被用在各种放大电路中,因此半导体三极管β值测量仪有很大的实用价值。

本次的课程设计就是基于此目的进行的。

纵观整体,本设计集所学电子技术大部分知识,其中前半部分的镜像电流源、采样电路、电压比较电路均属于模电部分,而后半部分的编码、译码及显示部分则属于数电部分。

通过综合运用各部分知识,使用Multisim 13.0软件,对设计出的电路进行仿真,并调试电路。

在仿真过程中要学会熟练应用Multisim 13.0各种功能,及各种仿真仪器。

1.2设计背景Multisim13是一款知名的EDA仿真软件,由加拿大IIT、公司于2007年推出最新版本。

在Windows环境下,Multisim13软件有一个完整的集成化设计环境,它将原理图的创建、电路的测试分析、结的图表显示等全部集成到同一个电路窗口中。

在搭建实际电路之前,采用Multisim13仿真软件进行虚拟测试,可使实验方法和实验手段现代化,扩展实验容量,使实验内容更完备,提高了实验效率,节省大量的实验资源。

晶体三极管特性曲线测试仪设计

晶体三极管特性曲线测试仪设计

晶体三极管特性曲线测试仪设计摘要晶体管特性曲线测试仪广泛用于科研,实验教学和工业中,论文选题具有实际意义。

本文在学习和查阅相关文件的基础上,介绍了实现一个简易晶体管伏安特性曲线测试仪基本原理和实现方案。

在系统硬件设计中,以MCS-51单片机最小系统为核心,扩展了人机对话接口、A/D转换接口;采用555振荡器实现了方波和三角波的输出信号,利用计数器74161和DAC0832产生梯形波,通过比较器LM311构成识别晶体管类型的判断。

系统的软件设计是在Keil51的平台上,使用C语言与汇编语言混合编程编写了系统应用软件;包括主程序模块、显示模块、数据采集模块和数据处理模块。

关键词:晶体管图示仪;伏安特性;单片机Crystal three transistor characteristic cure tester ABSTRACT:Transistor curve tracers used in research, teaching and industrial experiments, the practical significance of topics. In this paper, learning and access to relevant documents, based on the realization of a simple transistor introduced voltammetric curve tracers basic theory and programs.In the system hardware design to MCS-51 microcomputer as the core, extending the man-machine dialogue interfaces, A / D conversion interface; Achieved by 555 square wave oscillator and triangle wave output signal, generated using counters 74161 and DAC0832 trapezoidal wave, Constitute recognition by the comparator LM311 transistor type judgments.The software design is the platform Keil51 using C language and assembly language programming prepared hybrid system application software; Including the main program module, display module, data acquisition module and data processing module KEY WORDS: Transistor Tracer , V olt-ampere characteristics, Single slice of machine目录第1章前言 (1)1.1 设计的背景及意义 (1)1.2 晶体管及晶体管特性曲线测试仪历史及研究现状 (1)第2章晶体管特性曲线测试仪的系统设计 (3)2.1 晶体三极管原理及工作状态分析 (3)2.2 系统整体框图设计 (4)2.3 各模块方案设计与选择 (5)2.3.1 555振荡器方波和阶梯波发生模块 (5)2.3.2 晶体管放大倍数的显示模块 (5)2.3.3 电源供电模块 (6)第3章系统的硬件设计 (7)3.1 MCS-51单片机最小系统 (7)3.2 电源电路的设计 (8)3.3 AD采样电路设计 (9)3.3.1 ADC0809的内部逻辑结构 (9)3.3.2 ADC0809引脚结构 (9)3.3.3 ADC0809应用说明 (10)3.3.4 A/D电路的设计原理 (11)3.4 波形电路的设计 (11)3.4.1阶梯波与三角波产生电路 (11)3.4.2 555振荡器的管脚功能 (12)3.5 显示电路设计 (13)第4章系统的软件设计 (17)4.1 系统的软件结构图 (17)4.2数据采集电路的软件设计 (17)4.3显示电路的软件设计 (19)第5章系统的调试与测试 (21)5.1调试和测试仪器 (21)5.2 系统的调试 (21)5.3测试结果与分析 (23)结论 (27)致谢 (28)参考文献 (28)附录 (29)第1章前言1.1 设计的背景及意义晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。

半导体三极管β值范围测量仪设计

半导体三极管β值范围测量仪设计

半导体三极管β值范围测量仪设计一、设计题目与主要技术指标1、设计题目半导体三极管β值范围测量仪2、主要技术指标(1)对被测NPN型三极管β值分五档;(2)β值的范围分别为小于50、50~80、80~120、120~180、180以上,对对应分档编号分别是0、1、2、3、4;(3)用数码管显示β值档位;二、系统组成框图设计制作一个测量三极管直流放大系数β值范围的测量仪装置。

β值的测量分档电路可以由β-V转换电路、编码电路、三极管译码电路、显示电路组成。

经过查阅书籍和相关资料,还有设计要求上的提示方案,对设计有如下简单分析:设计电路测量三极管的β值,将三极管β值转换为其他可用仪器测量的物理量来进行测量(如电压,根据三极管电流I C=βI B的关系,当I B为固定值时,I C反映了β的变化,电阻R C上的电压V RC又反映了I C的变化)。

因为题目要求分五档显示三极管的β值(即 值的范围分别为小于50、50~80、80~120及120~180、大于180,对应的分档编号分别是0、1、2、3、4),所以对转换后的物理量进行采样,将取样信号同时加到具有不同基准电压的比较电路输入端进行比较,相应的一个比较电路输出高电平,其余比较器输出为低电平,实现AD转换。

比较后再进行分档显示。

要实现分档显示,则必须对比较器输出的高电平进行二进制编码和显示译码器译码,驱动数码管显示出相应的β值档次代号。

从而实现该档次代号的显示。

系统框图如下图(1)所示:三、单元电路设计与分析1、转换电路:用于把不能直接用仪器测量的NPN型三极管β值转换成可以直接被测量的集电极电压,再把电压采样放大,为下一级电压比较电路提供采样电压,其中包括提供恒定电流的微电流源电路和起放大隔离的差动放大电路。

将变化的三极管β值转化为与之成正比变化的电压量,再取样进行比较、分档。

上述转换过程可由以下方案实现:根据三极管电流IC=βIB的关系,当IB为固定值时,IC反映了β的变化,电阻RC上的电压VRC 又反映了IC的变化,对VRC取样加入后级进行分档比较。

半导体三极管参数测量仪设计报告

半导体三极管参数测量仪设计报告

电子设计报告半导体三极管参数测量仪设计小组成员院系名称专业名称班级二○一四年 7 月 30 日半导体三极管参数测量仪设计内容提要:本次设计的是一个基于TMS320F28335(DSP核心处理芯片)的半导体三极管参数测量仪。

系统以TMS320F28335为核心控制芯片,该系统拥有三极管管脚插错,损坏指示报警的功能,同时能够较准确的测量小功率晶体管的交流和直流放大倍数,可以在液晶上描出半导体三极管在共射极接法时的输入和输出特性曲线。

在系统的设计中,共设计了控制电路、测试电路以及显示电路三大模块。

通过DSP控制DAC0832进行DA转换,再通过后续电路实现数控直流电压源和电流源的设计以对晶体管的集电极和基极提供适当的控制电压和控制电流;然后分别通过DSP控制A/D转换器分别对基极电压、基极电流、集电极电压、集电极电流进行采样处理,再将采样得到的数据通过DSP中的程序处理后通过液晶显示三极管的各项参数和描出输入输出特性曲线,具有较大的实际意义。

关键词:TMS320F28335 三极管控制电路特性曲线 A/D转换目录1 引言 (2)2 系统设计方案及工作原理 (2)2.1总体方案设计与论证 (2)2.2系统工作原理 (2)2.2.1系统总体框图 (2)2.2.2晶体管类型判断原理 (3)2.2.3输入输出特性曲线 (3)2.2.4放大倍数的计算 (4)3 硬件电路设计 (4)3.1取样电路设计 (4)3.1.1集电极取样电路设计 (5)3.1.2基极取样电路 (6)3.2控制电路设计 (7)3.2.1恒流源设计 (7)3.2.2数控直流电压源设计 (8)3.3切换电路设计 (8)3.4基准电压源电路设计 (8)3.5D/A转换电路设计 (9)4软件设计 (9)5 系统调试及数据分析 (10)5.1测试仪器 (10)5.2系统调试 (10)5.2.1控制电路调试 (10)5.2.2测试电路调试 (10)5.3误差分析 (11)6参考文献 (11)1 引言在现代的电子线路的设计中,三极管的应用十分广泛,在三极管的应用中,我们又经常需要了解三极管的各项特性参数。

【毕业设计】半导体三极管β值测量仪

【毕业设计】半导体三极管β值测量仪

【毕业设计】半导体三极管β值测量仪【毕业设计】半导体三极管β值测量仪2012课程设计论文题目:半导体三极管β值测量仪年级专业:学号:姓名:________________ ____________ ____________摘要本设计以集成运放LM324为核心器件并加以555定时器、编码、译码等器件搭接而成。

在基本部分,首先自制微电流源产生恒定电流,作为待测三极管的基极电流,根据三极管电流IC=βIB的关系,当IB为固定值时,IC反映了β的变化,集电极电阻上的电压又反映了IC,用差分电路从待测三极管的集电极采集电压,即将变化的β值转化为与之成正比变化的电压量,再进行电压比较、分档,将连续变化的模拟量转化成高低电平0和1,再用CD4532编码、CD4511译码,显示部分采用共阴七段数码显示管。

在发挥部分,设计压控振荡器将采集的电压量转化成与之成正比变化的频率,合理设定参数使在一定时间内通过的脉冲个数即为被测三极管的β值;计数时间控制信号是基于555定时器设计而成的多谐振荡器产生;74LS90构成十进制计加法计数器,用于计数脉冲的个数,计数时间结束时将计数值送74LS194锁存,并在计数时间信号的控制下将锁存数值送至CD4511译码,最后由共阴七段数码显示管显示计数值。

纵观整体,本设计集所学电子技术大部分知识,其中前半部分的微电流源、采样电路、电压比较电路以及压控振荡电路均属于模拟部分,而后半部分的编码、译码、定时及显示部分则属于数电部分。

设计完成后首先在计算机上用multisim仿真优化设计方案,仿真正确后在面包板身上安装、调试。

关键词:三极管β值、微电流源、压控振荡器目录- 1 -一、设计任务----------------------------------------------------------------------------------------------- -3-二、设计要求----------------------------------------------------------------------------------------------- -3-三、电路设计----------------------------------------------------------------------------------------------- -3-3.1 设计思路----------------------------------------------------------------------------------------- -3-3.1.1 基础部分--------------------------------------------------------------------------------- -3-3.1.2 发挥部分--------------------------------------------------------------------------------- -6-3.2 参数计算及部分元器件说明------------------------------------------------------------------- -9-3.1.1 基础部分--------------------------------------------------------------------------------- -9-3.1.2 发挥部分------------------------------------------------------------------------------- -14-四、完整电路图------------------------------------------------------------------------------------------ -17-五、组装调试----------------------------------------------------------------------------------------------- -18-5.1 使用的主要仪器和仪表----------------------------------------------------------------------- -18-5.2 调试电路的方法和技巧----------------------------------------------------------------------- -18-5.3 测试的数据和波形并与计算结果比较分析----------------------------------------------- -18-5.4 调试中出现的故障、原因及排除方法------------------------------------------------------ -18-六、总结----------------------------------------------------------------------------------------------------- -19-七、系统元器件列表-------------------------------------------------------------------------------------- -19-八、收获、体会-------------------------------------------------------------------------------------------- -19-九、参考文献----------------------------------------------------------------------------------------------- -20-- 2 -一、设计任务设计制作一个可自动测量NPN型硅三极管β值的显示测量仪。

晶体管参数测试仪的设计

晶体管参数测试仪的设计

晶体管参数测试仪的设计张明英【摘要】以LM3S1138芯片作为控制核心,设计了一个晶体管参数测试系统。

该系统主要功能模块包括:恒流源阶梯信号、电压扫描信号、升压电路、保护电路等。

利用8位D/A转换器产生稳定的控制电压,通过集成在LM3S1138芯片中的10位A/D模块完成电压的测量。

通过RS232接口将测量数据传送到PC机,利用Matlab软件实现对测量数据的处理和显示。

测试结果表明:该晶体管参数测试仪工作良好,测量结果都在数据手册给的参数范围之内。

%A transistor parameters test system was designed using LM3S1138 single chip as its control core. The main function modules including: constant current source ladder, scanning signals, the voltage signal booster circuit, the protection circuit, etc. Using 8bit D/A converter generates a stable control voltage, 10bit A/D module integrated in LM3S1138 complete voltage measurement. The measurement data were transferred to PC by RS232 interface, using of Matlab software realization of measurement data processing and display. Test results show that the transistor parameter tester works well and the measurement results is within the range of data given in the data sheet.【期刊名称】《电子设计工程》【年(卷),期】2012(020)018【总页数】3页(P73-74,77)【关键词】晶体管参数测试;LM3S1138;恒流源;保护电路;串口通信【作者】张明英【作者单位】西安外事学院,陕西西安710077【正文语种】中文【中图分类】TN307晶体管测试仪应用广泛,功能因测量参数不同而不同,有的可以测量晶体管的放大系数、反向击穿电压、反向饱和电流、晶体管的输入输出特性曲线、延迟时间、晶体管开启时间、存贮时间等多种参数,有的只是测试晶体管的好坏,也有的数字万用表可以测晶体管的直流放大系数。

半导体三极管β值测量仪设计

半导体三极管β值测量仪设计
时间___2010-6-21至2010-6-27__________
景德镇陶瓷学院
电工电子技术课程设计任务书
姓名XX班级08机设1班指导老师江老师
设计课题:半导体三极管β值测量仪设计
设计任务与要求
查找一个感兴趣的电工电子技术应用电路,要求电子元件超过30~50个或以上,根据应用电路的功能,确定封面上的题目,然后完成以下任务:
其中:A、B、C、D为数据输入端, 、 、LE为控制端。a~g为输出端,其输出电平可直接驱动共阴数码管进行0~9的显示。
CD4511真值表:
根据CD4511的真值表,要使译码电路正常工作,LE接低电平, 、 接高电平,D端悬空,C、B、A、分别接编码器的三个输出端Q2、Q1、Q0。而八个输出端则接共阴数码管的输入端。
1、分析电路由几个部分组成,并用方框图对它进行整体描述;
2、对电路的每个部分分别进行单独说明,画出对应的单元电路,分析电路原理、元件参数、所起的作用、以及与其他部分电路的关系等等;
3、用简单的电路图绘图软件绘出整体电路图,在电路图中加上自己的班级名称、学号、姓名等信息;
4、对整体电路原理进行完整功能描述;
3、电压比较电路
其中的运算放大器采用集成电路LM324。它是由四个相同的运算放大器构成的,其封装及内部结构如下所示:
基准电压:由于题目要求将 值的档次分为50~80、80~120及120~180,对应的分档编号分别是1、2、3,则需要多个不同的基准电压,基准电压是采用一个串联的电阻网络对一个固定的电压进行分压得到的。
5、列出标准的元件清单;
设计步骤
1、查阅相关资料,开始撰写设计说明书;
2、先给出总体方案并对工作原理进行大致的说明;
3、依次对各部分分别给出单元电路,并进行相应的原理、参数分析计算、功能以及与其他部分电路的关系等等说明;

电子设计作品-全资料-半导体三极管测量设计

电子设计作品-全资料-半导体三极管测量设计

半导体三极管B值范围测量仪设计、设计任务设计要求:1、对被测NPN型三极管B值分三档;2、0值的范W分别为50~80、80~120、120^180,对应的分档编号分别是1、2、3;3、用数码管显示B值的档次;二.设计方案1、方框图IIII/V转换电路1T 电压比较电跖f I编码电路I f I译码驱动电路]f I显示电路2、半导体三极管P值范测量电路是由I/V转换电路、电压比较电路、编码电路、译码驱动电路、显示电路和电源电路六部分组成。

此电路的功能是利用萨那机关的电流分配特性,将半导体三极管卩值范W的测量转化为对三极管电流范W的测量,同时实现用数码管显示出被测三极管P值的档次。

电路设计与分析Is I/V转换电路此电路电路图如下:当接入NPN型三极管时,电路中电流电压表达式为:Ib=(Vcc-Vbel)/Rl=(5-0.7)/300K=14MaVc=VCC-ICR2=VCC- B IbR2=5-14X0. 000001 B r2=5-0. 014 B通过三极管电流分配关系将Ic转换为Pib,则电压Vc将随卩变化而变化,这就把P转换为电压量,便于后面电路的测量。

图中规定基极电阻Rb=300K,集电极电阻RC=1KQ2s电压比较电路和编码电路电压比较电路采用四个反向输入单门限电压比较器,编码电路采用优先编码器74LS14& 具体电路图如下:反相输入单门限电压比较器传输特性如下图所示:当 Vi>Vref 时,Vo=Vol :当 Vi<Vref 时,Vo=Voh741sl48的功能表如下所示:从74LS148的功能表可以看出,输入,输出,输出均为低电平有效,且输入中17 非的优先权最高,Io 非的优先权最低。

输出低电平有效也称反码输出。

当编码器工作时, 若17非二0,不论其他输入端是否为有效低电平,只对17非进行编码,编码输出Y2非Y1 非Y0非为000,若17非二1, 16非二0,则只对16非进行编码,编码输出的Y2非Y1非Y0 非为001,其他编码过程依次类推。

简易半导体三极管参数测试仪的设计

简易半导体三极管参数测试仪的设计

简易半导体三极管参数测试仪的设计[摘要] 本测试电路能为小功率晶体管提供特定测试条件:V CE=10V,I B=10μA,并将此条件下的集电极电流I C经取样电阻转换为电压,辅以必要的运算电路将输出电压放大,以提高测量精度,该电压通过A/D转换芯片TLC549转换成数字量送入单片机进行数据处理,最后用LED数码管直接显示出晶体管的共射直流电流放大倍数β和交流电流放大倍数β。

此外,通过方波发生电路、分频电路、比例求和电路产生阶梯波,提供基极电流I B=0,10μA,20μA,30μA,通过积分电路产生0~10V的三角波用来给集电极提供扫描电压,最后用示波器显示出晶体管输出特性曲线。

[关键词] 晶体管;参数;测试仪;单片机;模数转换;The Design of Parameters Testing Circuit of theSemiconductor Transistor[Abstracts]:The design can provide particular condition for the transistor: V CE = 10V ,I B = 10μA ,and change I C which is in this condition into voltage by resistor. Amplifiering the voltage by the operational circuit in order to improve the accuracy of data processing. Output voltage can be changed from analog into digital data through the analog-digital conversion chip TLC549, and put the voltage into MCU to deal with. Finally and β will be displayed by LEDs.Step wave is generated by square wave generator , frequency dividing circuit, scaling circuit and summing circuit, in order to providing I B= 0,10μA, 20μA, 30μA..Triangular wave which range from 0~10V is generated by the integration circuit to provide the scanning voltage to the collector, finally the characteristic curve for output of transistor can be displayed by oscilloscope in X-Y mode.[Keywords]:Transistor; Parameter; Testing circuit; MCU; Analog-to-digital conversion目录1引言_________________________________________________________ 5 2 任务分析及方案确定_________________________________________ 5 2.1设计要求 ______________________________________________________________________ 5 2.2设计方案 ______________________________________________________________________ 52.2.1 测试电路方案论证_______________________________________ 52.2.2 采样电路方案论证_______________________________________ 62.2.3 显示部分方案论证_______________________________________ 62.3系统整体框图________________________________________________________________ 63 理论分析与参数计算_________________________________________ 7 3.1共发射极直流电流放大系数___β_____________________________________________ 7 3.2共发射极交流电流放大系数β_____________________________________________ 8 3.3采样电路 ______________________________________________________________________ 8 3.4A/D转换_______________________________________________________________________ 9 3.5数据处理部分________________________________________________________________ 9 3.6放大电路 ______________________________________________________________________ 8 3.7显示部分 ______________________________________________________________________ 84 系统各模块电路的设计 _______________________________________ 8 4.1系统电路图 ___________________________________________________________________ 9 4.2恒流源电路 ___________________________________________________________________ 9 4.3采样放大电路______________________________________________________________ 10 4.4数据处理及显示电路 _______________________________________________________ 11 4.5系统软件流程图____________________________________________________________ 125 电路调试 ___________________________________________________ 12 5.1单片机的调试_______________________________________________________________ 12 5.2A/D芯片的调试 _____________________________________________________________ 13 5.3模拟部分的调试____________________________________________________________ 16 5.4数字部分的调试____________________________________________________________ 16 5.5电源部分 _____________________________________________________________________ 17 5.6仿真电路图 __________________________________________________________________ 15 5.7实际硬件结果_______________________________________________________________ 156 所用芯片的数据指标________________________________________ 15 6.1AT89C51部分________________________________________________________________ 156.1.1 主要性能______________________________________________ 166.1.2 功能特性描述__________________________________________ 166.1.3 引脚结构及说明________________________________________ 166.1.4 内部结构框图__________________________________________ 18 6.2A/D转换______________________________________________________________________ 186.2.1 A/D转换芯片TLC549 ___________________________________ 196.2.2 TLC549主要功能说明 ___________________________________ 276.2.3 TLC549的功能: _______________________________________ 286.2.4 TLC549工作程序: _____________________________________ 286.2.5 TLC549的参数: ________________________________________ 286.2.6 使用注意事项__________________________________________ 28 6.3集成运放 _____________________________________________________________________ 286.3.1 集成运放的电路结构特点 ________________________________ 296.3.2 集成运放芯片LM324主要性能 ___________________________ 296.3.3 集成运放芯片LM324功能描述 ___________________________ 296.3.4 封装形式及表示符号 ____________________________________ 296.3.5 运放的内部结构________________________________________ 307 结论 _______________________________________________________ 23 致谢: _______________________________________________________ 24 参考文献 _____________________________________________________ 25 附录A:英文科技文献原文及其翻译稿__________________________ 36 附录B:电路总图_____________________________________________ 46 附录C:元器件清单表________________________________________ 48 附录D:硬件电路测试结果 ____________________________________ 391引言晶体管测试仪应用广泛,功能因测试参数不同而不同,有的可以测试晶体管的放大系数、反向击穿电压、反向饱和电流、晶体管的输入输出特性曲线、延迟时间、晶体管开启时间、存贮时间等多种参数,有的只是测试晶体管的好坏,也有的数字万用表可以测晶体管的直流放大系数。

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电子与信息学院
报告评分 批改老师
《模拟电子线路基础》 课程设计报告
半导体三极管β值测量仪设计
专 业 集成电路设计 班 级 集成电路 学生姓名 指导教师 电话号码 × ×××××× 提交日期 2009年 3月 10日
一、设计任务
1.1设计题目及要求
1.2 备选方案设计与比较 1.2.1 方案一 1.2.2 方案二 1.2.3 各方案分析比较
微电流源电路: 有些情况下,要求得到极其微小的输出电流(如三极管基极电流比 较小),这时可令比例电流源中的Re1=0,便成了微电流源电路 其电路图如下:
图(5)微电流源电路图 根据电路原理分析得:
由此可知:只要确定IO和Re2就能确定IR,由此可以确定电阻R的 值。
差动放大电路: 根据三极管电流IC=βIB的关系,被测物理量β转换成集电极电流IC 而集电极电阻不变,利用差动放大电路对被测三极管集电极上的电压 进行采样,。差动放大电路原理如下:
( LM 331)
输入电压信号,输出有脉冲,可以以一定的关系实现电压与频率的转 换。供电电压为+5V。
3.3 功能模块三(控制计时电路)
3.3.1 工作原理和功能说明
把NE555接成单稳态电路,利用触发后产生的持续高电平来控制 计数器计时,根据设计的思路,脚(G)接数码显示管的10脚。
3.5.2 器件说明
共阴数码管的管脚图如下所示,a~g端可直接与CD4511的Qa~Qg 端相连。
图(13)共阴数码管管脚图 LED数码显示管有两种形式: 第一种是8个发光二极管的阳极连在一起的,为共阳极LED显示器, 另一种是8个发光二极管的阴极连在一起的,为共阴极LED显示器, 其示意图如下:
四、元件清单
五、安装调试与性能测量
5.1 电路安装
5.2 电路调试 5.2.1 调试步骤及测量数据 5.2.2 故障分析及处理
5.3 整机性能指标测量
课程设计总结
一、设计任务
1.1设计题目及要求
半导体三极管β值测量仪(b) 设计任务和要求
设计一个可测量NPN型硅三极管的β值的显示测量 电路(β<200),要求: 1、用三个数码管显示β的大小,分别显示个位、十位和百位。显示范 围为0-199。 2、响应时间不超过2秒,显示器显示读数清晰,注意避免出现“叠加现 象”。 3、电源采用5V或±5V供电。 注:以上为选做提高部分,选做此题的分值系数为1.2。
三、电路设计与器件选择 3.1 功能模块一(转换电路)
3.1.1 模块电路及参数计算
以上电路包含了一个微电流源与一个差分放大电路。
(微电流源)
依题意有: T1与T2性能匹配,为PNP三极管 IB的选择应在30μA~40 μA之间为宜 因为: (1)β 值与Ic有关; (2)小功率管的β值在Ic =2~3mA时较大,而在截止与饱和区较 小,测量不准确。 因此,取输出电流Io=30uA 因为参考电流约为1mA左右,则,由
·2.3基本工作原理
2.3.1 差分转换电路
通过一恒流源,加在被测三极管的基极,再在基极和集电极上分别 加一采样电阻,在集电极电阻上加一差动放大电路求出该采样电阻两端
的电压,输出为V1,这样使三极管的放大倍数转化为电压V1,关系为 V1=IB R4,这样实现了-V转换。
2.3.2 伏频转化电路
V1通过压控振荡器LM331,使电压信号转变为频率信号,记输出 信号为V0。选择适当的参数可以使使该频率与三极管放大倍数与发出 的频率f相等。该频率为f=K*V1=KIB R4,令=f,则可以算出KIB R4=1。 其中,K与Rs、RL、CT、RT有关。设置适当的标称值就可以实现要 求。接下来是控制计数电路。
3.4.3 器件说明
CD4518功能表与封装图如下:
(功能表)
(封装图)
3.5 功能模块五(译码与显示电路)
CD4511封装图如下:
图(12)CD4511封装图 其中:A、B、C、D为数据输入端,、、LE为控制端。a~g为输出 端,其输出电平可直接驱动共阴数码管进行0~9的显示。 CD4511真值表:
图(6)差动放大电路图 根据理想运放线性工作状态的特性,利用叠加原理可求得
取电路参数:R1=R2=R3=Rf, vo=vi2-vi1
可见,输出电压值等于两输入电压值相减之差,实现相减功能。 其中运算放大器采用集成电路LM311。 综合上述得出转换电路的电路图如下: 电路说明:T1、T2、R1、R3构成微电流源电路提供恒定电流,R2是 被测管T3的基极电流取样电阻,用于检测基极电流的大小,R4是集电极 电流取样电阻,用于检测集电极电流的大小同时检测出被测三极管β值 的大小,由运放构成的差动放大电路,实现电压取样及隔离放大作用, 为电压比较电路提供采样电压。
3.3 功能模块三(控制计时电路) 3.3.1 工作原理和功能说明 3.3.2 器件说明 3.3.3 参数计算
3.4 功能模块四(计数电路) 3.4.1模块电路及参数计算 3.4.2 工作原理和功能说明 3.4.3 器件说明
3.5 功能模块五(译码与显示电路) 3.5.1模块电路及参数计算 3.5.2 工作原理和功能说明 3.5.3 器件说明
1.2.2 方案二
图(2)方案二设计电路图 如图(2),T1是被测三极管,其基极电流可由R1、RW限定 ,运算放大 器的输出:
VR2=βIB R2
1.2.3 各方案分析比较
两个方案得原理都是要将变化得β值转化为与之成正比变化的电压 或电流量,再取样进行比较、分档。方案一和方案二都是按这个思路设 计的,比较和分档的电路一样。两个方案的区别在于,方案一用电流源 电路为被测三极管提供Ib,这样能比较精确地把Ib控制在想要的值附 近,其缺点是电路较方案二复杂;方案二是利用电阻分压把Vbe控制在 想要的值附近,从而获得一个较稳定的Ib值,电路较简单,但Ib的控制 不如方案一精确。
已知 VBE1=0.7V 得: R1=4.3K,取R1=3.3K 为了使差动放大电路起到隔离放大的作用, R5—R8应尽量取大 一点,这里取R5=R6=R7=R8=30K。 综合上述 R1=3.3K R2=20K R3=3.3K R4=220 R5=R6=R7=R8=30K
3.1.2 工作原理和功能说明
3.5.1 工作原理和功能说明
显示用共阴数码管 由于LED显示器有共阳极和共阴极两种结构,故所对应的显示译码 器也不同,使用共阳数码管时,公共阳极接电源电压,七个阴极a~g由 相应的BCD-七段译码器的输出来驱动。对共阴极数码管来说,则为共 阴极接地,相应的BCD-七段译码器的输出驱动a~g各阳极。若数码管为 共阴,则选用输出为高电平有效的显示译码器。若数码管为共阳,则选 用输出为低电平有效的显示译码器。 因此,八段LED显示管与BCD—八段LED数码显示管的连接方式如 下: CD4511的13脚(A)接数码显示管的7脚; CD4511的12脚(B)接数码显示管的6脚; CD4511的11脚(C)接数码显示管的4脚; CD4511的10脚(D)接数码显示管的2脚; CD4511的 9 脚(E)接数码显示管的1脚; CD4511的15脚(F)接数码显示管的9脚;
1.2 设计方案
1.2.1 方案一
图(1)方案一设计电路图 如图(1),T1、T2、R1、R3构成微电流源电路,R2是被测管T3的 基极电流取样电阻,R4是集电极电流取样电阻。由运放构成的差动放大 电路,实现电压取样及隔离放大作用。根据三极管电流IC=βIB的关系, 当IB为固定值时,IC随着β的变化而变化,电阻RC上的电压VRC正好反映 了IC的变化,所以,我们对VRC取样加入后级,进行分档比较。从而实 现目的。该电路用微电流源为基极取样电阻提供稳恒的电流,这样便于 测量β值。
又反映了IC的变化,对VRC进行伏频转换,转换后的频率f就反映 了β值的大小,然后再用计数器对f的信号进行一定时间的计数,
最后通过计数器的保持输出经译码电路就可以显示β值。
·2.2 模块结构与方框图 被测三极管 Β-V转换电路 压控振荡器
计数时间产生电路 计数器
译码电路
&
显示
图(3)模块结构与方块图
NE555,其封装图如下:
所接正电源为5V。
·3.3.3 参数计算:
NE555引脚排列图
要实现计数1S即tw=1.1R9C1=1S,故可凑得R9=90K,
C1=10uF。
3.4 功能模块四(计数模块)
3.4.1模块电路及参数计算
说明:每个时钟周期计数器,计数一次。由于是计数一秒,故根据 前面的关系,计数器最终的数值就是所要测的β值。
3.4.2 工作原理和功能说明
V2加在第一片计数器CD4518的CP1A ’ 端上, V0加在CP0A上,故 当1S的高电平V2来临时,实现的是计数器在BCD模式下十进制计数, 当1S的低电平V2变为高电平时,此时为保持模式,用于显示。由于 CD4518是双的BCD码假发计数器,故可将其中一个计数器的最高位不 妨假定为1Q4接在另一个计数器的脉冲输入端CP0B端,CP1B ’接CP1A ’这样一片CD4518就可以实现一个BCD码的百位计数器!2Q4可以接在 另一片CD4518上,实现百位计数。控制端与第一片相同
其中包括 微电流源(提供恒定电流)和 差动放大电路(电压取样及 隔离放大作用)。将变化的三极管β值转化为与之成正比变化的电压 量,再取样进行比较、分档。上述转换过程可由以下方案实现:
根据三极管电流IC=βIB的关系,当IB为固定值时,IC反映了β的变 化,电阻RC上的电压VRC又反映了IC的变化,对VRC取样加入后级进行分 档比较。为了取得固定IB,采用微电流源电路提供恒定电流
记下所有脉冲数。通过计算拼凑可以得
出:Rs=4.7K,RT=Rv=10K, RL=150K,CT=0.01uF, CL=1uF, C2=0.01uF。
3.2.2 工作原理和功能说明
采用LM331芯片实现电压与频率的转换,使电压转换为可以用计 数器计数的脉冲信号。
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