第一章核磁共振氢谱解析
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3 介质和氢键的影响 溶剂影响官能团的化学位移数值之外,还影响峰型,必 须考虑溶剂的因素. 形成氢键后1H核屏蔽作用减少,氢键属于去屏蔽效应。
H H3CH2C O H O CH2CH3 CCl 4 5.72ppm 3.7ppm O H O H H O O CH3 CCl 4 7.45ppm 4.37ppm
从图 1.1 可知氢谱的
横坐标为化学位移,
峰组的下面标注有准 确的化学位移数值, 纵坐标为谱峰的强度, 峰组的上面际注有峰
组面积的积分数值.
图1.1 为化合物C1-1 的氢谱.
1. 1 化学位移
1.1.1 化学位移的概念 化学位移( ):指的是出峰位置相对于基准物质的出峰位
置会产生一定的移动,即化学位移表征官能团出峰的位置 . 基准物质:四甲基硅烷(TMS,单峰),其位置定为零. 化学位移数值的大小反映了所讨论的氢原子核外电子云密度 的大小。由于氢原于核外只有s 电子,s 电子的电子云密度 越大,化学位移的数值越小,相应的峰越位于核磁共振氧谱 谱图的右方,反之亦然 . 任何使氢谱的峰往右移动 ( 化学位 移数值减小 ) 的作用称为屏蔽效应;反之,任何使氢谱的峰 往左移动(化学位移数值增大)的作用称为去屏蔽效应.
第一章 核磁共振氢谱的解析
核磁共振氢谱的主要参数有 3个:化学位移、峰的裂分和偶合 常数J、峰面积. 核磁共振氢谱的横坐标是化学位移,也就是说化学位移是官 能团出峰位置的表征;核磁共振氢谱的纵坐标是谱峰的强度, 由于氢谱中的谱峰都有一定的宽度,因此以谱峰的面职的积 分数值来量度峰的大小. 从各峰组的积分数值比可以找到各峰组所对应的氢原子数目 比.如果测试的样品是混合物,用这种定量关系则可确定各组 分的定量比.
第三类取代基:含不饱和杂原子的基团 . 它们与苯环形成大 的共轭体系,但由于杂原子的电负性。苯环剩余氢原子的电 子密度下降,即它们的氢谱谱峰都往低场移动.其中邻位氢的 峰往低场的移动最远 . 属于第三类取代基的有 -CHO,-COR, -COOR,-COOH, -CONHR,-NO2,-N=NR 等.
• 常见官能团的化学位移 值(变化范围〉如表1. 1 所示.
1.1.2 影响化学位移的因素
核磁共振氢谱中影响化学位移的因素可以从官能团本身的性 质、取代基的影响和介质的影响等几个方面来进行讨论. 1 化学位移数值首先决定于官能团本身的性质 不饱和基团的值较大(苯环的值更大些) . 影响因素有: 1)官能团所含碳原子的s- p 电子杂化情况 与氢原子相连的碳原子如果从 sp3杂化到Sp2 杂化,键电 子更靠近碳原子,对于相连的氢原子有去屏蔽作用,即该氢
δ 1.10 HCδ
2.40
δ HbHa
4.68
δபைடு நூலகம்
OH
0.88
HC
δ
3.55
HbHO
δ
3.92
Ha
(A)
(B)
H =4.68ppm H =2.40ppm H =1.10ppm
a b c
H =3.92ppm H =3.55ppm H =0.88ppm
a b c
3) 环状共轭体系的环电流效应 以苯环为例,在外加磁场的作用下,环状共轭体系的离 域π电子将产生环电流。其磁力线在苯环的上、下方与外加 磁力线的方向相反,但是在侧面与外加磁力线的方向相同, 因而对于苯环的氢〈在苯环的侧面〉有去屏蔽作用. 由于这 个原因,苯环氢的化学位移数值比烯氢大.
原子的化学位移数值增大.
例如:烯烃双键碳上的质子位于π键环流电子产生的感生磁 场与外加磁场方向一致的区域(称为去屏蔽区),去屏蔽效 应的结果,使烯烃双键碳上的质子的共振信号移向稍低的磁 场区,其 δ = 4.5~5.7。
2) 空间因素的影响: 当氢核和邻近的原子间距小于范德华 半径之和时,氢的核外电子被排斥,电子云密度下降,化学 位移数值增加.
碳碳三键是直线构型,π电子云围绕碳碳σ键呈筒型分布,形
成环电流,它所产生的感应磁场与外加磁场方向相反,故三 键上的H质子处于屏蔽区,屏蔽效应较强,使三键上H质子的
共振信号移向较高的磁场区,其δ= 2~3。
2 取代基的影响
( 1 )对脂肪氢来说,电负 性基团将使其 a- 氢的化学 位移值增 加 , β-H 的 化学 位移值也稍有增加 . 诱导 效应导致:电负性基团吸 引电子导致氢原子的电子 密度将下降 . 从而会增加其 化学位移数值.
(2) 对芳香氢来说,取代基的作用和上面所讨论的不一样.
此时需要同时考虑诱导效应和共轭效应. 取代基分为三类
第一类取代基:烃基和卤素(电负性不强)对苯环的电子密度 改变不大,因而对苯环化学位移数无大的影响。第 - 类取代 基有 -CH3 , -CH2- , -CH- , -CH=CH- , -C 三 CR , -Cl , -Br 等。 第二类取代基:含饱和杂原子的基团 . 由于饱合杂原子和苯 环有 p-π 共轭作用,苯环的电子密度增加,氢原子的峰往高 场位移. 对于邻、对位氢比较明显,尤其对于邻位氢。属于 第二类取代基的有-OH,-OR,-NH2,-NHR,-NR2等.
1. 2 耦合常数J
1. 2. 1 耦合作用和耦合常数 磁性核之间才会有耦合作用 .磁性核是它们的自旋量子数不 为零的原子核. 如果不是磁性核, 就不能对其他原子核产生藕 合作用, 本身也不能用核磁共振方法来测定. 由于磁性核在磁场中有不同的取向,与它 ( 们 ) 相邻的核 ( 在 氢谱中指的是氢核〉的谱峰即会呈现被裂分(分裂)的多重峰. 采用归纳的方法,可以得到2nI+1的规律,其中 I为产生耦 合裂分的磁性核的自旋量子数,n为该磁性核的数目. 如果产生耦合裂分的磁性核的自旋量子数为1/2, 2nI + 1 的 规律就简化为n+ 1 的规律. 在解析氧谱的耦合裂分时,经常遇见的是自旋量子数为1/2 的磁性核的耦合作用,因此一般情况是用n+ 1 规律分析.
芳环随着共轭体系的增大,
环电流增强,即环平面上、 下的屏蔽效应增强,环平面 上的去屏效应增强。
4) 化学键的各向异性屏蔽作用 化学键都具有各向异性的屏蔽作用 . 但对于不同方向的 屏蔽作用不同:某方向是屏蔽作用,某方向是去屏蔽作用. 六元环如不能快速翻转, 直立氢的化学位移数值大约 比平伏氢小0.5ppm. 这就是单键各向异性屏蔽作用的结果. 碳碳三键中由于 电子只能绕键轴转动,沿键轴方向屏 蔽作用很强, 因此炔氢在这个区域受到很强的屏蔽作用, 所以炔氢相对于烯氢远在高场方向出峰.