2015年12月西南大学《电力电子技术 》[1075]大作业标准答案
《电力电子技术》练习题及参考答案
《电力电子技术》练习题一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L________I H。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。
3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM________U BO。
4、电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于________，设U2为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差________。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值________。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有________二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在________的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为______。
16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较______的规化值。
17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用_____标定。
18、晶闸管的导通条件是：晶闸管______和阴极间施加正向电压，并在______和阴极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。
电力电子技术课后答案精简版
《电力电子技术》第五版课后习题答案第二章电力电子器件1.使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：uAK>0且uGK>0。
2.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
3.图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。
图1-43晶闸管导电波形解：a)Id1=π21⎰ππωω4)(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717Im I1=⎰ππωωπ42)()sin (21t d t I m =2m I π2143+≈0.4767Im b)Id2=π1⎰ππωω4)(sin t td I m =πm I (122+)≈0.5434Im I2=⎰ππωωπ42)()sin (1t d t I m =22m I π2143+≈0.6741I m c)Id3=π21⎰20)(πωt d I m =41ImI3=⎰202)(21πωπt d I m =21Im4.上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶闸管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少？这时，相应的电流最大值Im1、Im2、Im3各为多少?解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I =157A，由上题计算结果知a)Im1≈4767.0I≈329.35，Id1≈0.2717Im1≈89.48b)Im2≈6741.0I≈232.90,Id2≈0.5434Im2≈126.56c)Im3=2I =314,Id3=41Im3=78.5第3章整流电路3．单相桥式全控整流电路，U2＝100V，负载中R＝2Ω，L 值极大，当α＝30°时，要求：①作出ud、id、和i2的波形；②求整流输出平均电压Ud、电流Id，变压器二次电流有效值I2；③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
《电力电子技术》(科学出版社_程汉湘编著)习题答案
2-1.一个开关器件的数据表的详细开关时间如下（对应图2.7(a)）所示固定感应开关的线性特性）：t ri =100ns ，t fv =50ns ，t rv =100ns ，t fi =200ns 。
试计算当频率范围为25~100khz 时的开关能量损失，并绘图。
假设图2.7(a)的电路中U d =300V ，I 0=4A 。
解：(1)先求出25s f kHz =时的开关能量损失T P 1)开关损耗：由： 7()150 1.510c on ri fv t t t ns s -=+==⨯7()300310c off rv fi t t t ns s -=+==⨯ 4()() 4.510s on off t tc tc s -=+=⨯得：470113004 2.510 4.5106.7522s d S s P U I f t w-=∙∙∙=⨯⨯⨯⨯⨯⨯=2)导通损耗：000on on on on s sU Vt P U I f t =∴=∙∙∙=3)关断损耗：01 4.52offd s off P U I f t w=∙∙∙=开关的平均能量损耗： 6.75T s o n s P P P P w =+==开关损耗如图2-1(2)同理：当100s f K H z =时： 1)开关损耗：由： 7()150 1.510c on ri fv t t t ns s -=+==⨯7()300310c off rv fi t t t ns s -=+==⨯ 4()() 4.510s on off t tc tc s -=+=⨯570113004110 4.5102722s d S s P U I f t w-=∙∙∙=⨯⨯⨯⨯⨯⨯=2)导通损耗：000on on on on s sU Vt P U I f t =∴=∙∙∙=3)关断损耗：01182offd s off P U I f t w=∙∙∙=开关的平均能量损耗： 27T s on s P P P P w =+== 开关损耗如图2-2图2-1 图2-22-2.在下图的开关电路中，有U d =300V ，f V =100kHz ，R =75Ω。
电力电子技术答案
电力电子技术习题解答习题一1、晶闸管正常导通的条件是什么，导通后流过的电流由什么决定？晶闸管关断的条件是什么，如何实现？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压〔UAK>0〕，并在门极施加触发电流〔UGK>0〕。
要使晶闸管由导通转为关断，可利用外加反向电压或由外电路作用使流过晶闸管的电流降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断2、有时晶闸管触发导通后，触发脉冲结束后它又关断了，是何原因？答：这是由于晶闸管的阳极电流IA没有到达晶闸管的擎住电流〔IL〕就去掉了触发脉冲，这种情况下，晶闸管将自动返回阻断状态。
在具体电路中，由于阳极电流上升到擎住电流需要一定的时间〔主要由外电路结构决定〕，所以门极触发信号需要保证一定的宽度。
3、图1-32中的阴影局部表示流过晶闸管的电流波形，其最大值均为Im，试计算各波形的电流平均值、有效值。
如不考虑平安裕量，额定电流100A的晶闸管，流过上述电流波形时，允许流过的电流平均值Id各为多少？i i2t02t( a)( b)i i04/327/3t027/3t( c)( d)i i029/4t05/429/4t(e)(f)图1-32习题3附图解：〔a〕I da1I m sin(t)d(t)12I mImm202Ia1(Imsinm21(1cos2t)d(t)Imt)2d(t)22002额定电流100A的晶闸管允许流过的电流有效值为157A，那么I m2157314(A)；平均值为：I da Im100A。
〔b〕I db1I m sin(t)d(t)2I mm 0Ib1(I m sint)2d(t)m21(1cos2t)d(t)Im 0022额定电流100A的晶闸管允许流过的电流有效值为 157A，那么I m 2 157 222(A)；平均值为：I dbm141.33(A)。
1Imsin(t) d(t)3〔c〕Idc Imm 321(I m sint)d(m2(1cos2t)d(t)Im13I c t)()I m3338额定电流100A的晶闸管允许流过的电流有效值为157A，那么I m157247.56(A)；平均值为：dc118.21()I mA 。
17秋西南大学[1075]《电力电子技术》作业答案题.doc
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单项选择题1、从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为（）。
1. 控制角▽2. 延迟角3 •滞后角4.重輕角2、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（）1. 导通状态2. 关断状态23. 饱和状态4. 不定3、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为 ______________________________ o1. 700V 92. 750V3. 800V4. 850V4、快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是__________1. 功率晶体管2. IGBT3. 功率MOSFET4. 晶闸管V5*5、三相半波可控整流电路的自然换相点是1. 交流相电压的过零点2. 本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处93. 比三相不控整流电路的自然换相点超前30°4. 比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°6、在一般可逆电路中，最小逆变角B min选在下面那一种范围合理1. 30°-35° 92. 0°-15°3. 0°-10°4. 0°7、可实现有源逆变的电路为_____________________1. 三相半波可控整流电路22. 三相半控桥整流桥电路3. 单相全控桥接续流二极管电路4 .单相半控桥整流电路8、晶闸管触发电路中，若改变_____ 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
1. 同步电压2. 控制电压23. 脉冲变压器变比4. 控制电流时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于9、a 为 _____连续和断续的临界状态。
1. 0度2. 30 度"3. 60 度4. 90 度10、单相全控桥式有源逆变电路，控制角为a,则输出电压的平均值为（）1. Ud=1.17U2cosa2・ Ud=0.9U2COsa :3. Ud=-2.34U2cosa4. Ud=0.45U2cosa11、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（）1. 分流2. 降压3. 过电压保护94. 过电流保护12、在PWM逆变电路的相电压正弦波调制信号中叠加适当的3次谐波，使之成为鞍形波的目的在于（）1. 消除谐波分量2. 包含幅值更大的基波分量93. 减少开关次数4. 削弱直流分量13、下列全控器件中，属于电流控制型的器件是（1. P-MOSFET2. SIT3. GTR 24. IGBT14、若晶闸管电流有效值是157A,则其额定电流为1. 157A2. 100A 93. 80A4. 246.5A15、在PWM斩波方式的开关信号形成电路中，比较器反相输入端加三角波信号,同相端加（）1. 正弦信号2. 方波信号3. 锯齿波信号4. 直流信号916、可在第一和第四象限工作的变流电路是（）1. 三相半波可控变流电路22. 单相半控桥3. 接有续流二极管的三相半控桥4. 接有续流二极管的单相半波可控变流电路17、IGBT是一个复合型的器件，它是（）1. GTR 驱动的MOSFET2. MOSFET 驱动的GTR&"160; P3. MOSFET驱动的晶闸管4. MOSFET 驱动的GTO18、对于电阻负载单相交流调压电路，下列说法错误的是（）1. 输出负载电压与输出负载电流同相2. a的移项范围为0°<a<180°3. 输出负载电压U0的最大值为U14. 以上说法均是错误的919、降压斩波电路中，已知电源电压Ud二16V,负载电压Uo=12V,斩波周期T=4ms,则开通时Ton=1. 1ms2. 2ms3. 3ms4. 4ms20、有源逆变发生的条件为（）1. 要有直流电动势2. 要求晶闸管的控制角大于90度3. 直流电动势极性须和品闸管导通方向一致21、单相全控桥式整流电路电阻性负载中, 控制角的最大移相范围是（4. 以上说法都是对的W1. 90°2. 120° &T603. 150°4. 180° W22、逆变电路是一种（）变换电路:L AC/AC2. DC/AC 23. DC/DC4. AC/DC23、直流斩波电路是一种（）变换电路。
西南大学网络教育《电气工程概论》网上作业及参考答案
1、下列哪种不是燃料电池的主要组成部分？（）1. 燃料电极2. 氧化剂电极3. 氮气、水4. 电解质2、HSST与德国Transrapid的主要不同在于（）1. 电源2. 控制系统3. 驱动电机4. 悬浮控制方法3、任何磁悬浮列车都要解决（）这三个方面的问题。
1. 悬浮、动力、向导2. 悬浮、驱动、导向3. 悬浮、动力、控制4. 悬浮、发动机、电力4、（）是最重要的可再生能源，它也是广泛存在、机会均等、自由索取、最终可依赖的初级能源。
1. 核能2. 水能3. 地热能4. 风能5、影响绝缘材料介电性能的重要因数是（）。
1. 分子极性2. 原子种类3. 原子类型4. 分子极性的强弱和极性组分的含量6、下列哪一项不是高电压试验设备？（）1. 低压变压器2. 高电压分路器3. 高压电压表4. 高压试验变压器7、到目前为止，静电还不能应用于（）。
1. 除尘2. 植绒3. 脱硫4. 发电8、下列哪一项不是绝缘材料的类别（）。
1. 气体绝缘材料：空气、氮气、六氟化硫等2. 液体绝缘材料：矿物绝缘油、合成绝缘油3. 有机固体绝缘材料：绝缘漆、绝缘胶、绝缘纸、绝缘纤维制品4. 金属固体材料9、下列哪一项不是对电容型绝缘在线监测进行的诊断内容？（）1. 介质损耗因数tanδ2. 绝缘电流值的变化△I/I3. 电荷量Q4. 绝缘电容量的变化△C/C10、目前柴油机汽车的标准电压为多大（）。
1. 12V2. 24V3. 36V4. 48V11、以下说法中有误的一项是（）。
1. 意大利科学家福特发明了伏打电池，也译为伏打电堆，从而使化学能可以转化为源源不断输出的电能。
2. 法国的安培发现电流的磁效应，并研究通电导线之间的吸引或排斥现象建立了安培定律。
3. 德国的欧姆建立了欧姆定律。
4. 英国的法拉第发现电磁感应现象并建立电磁感应定律。
12、电流互感器是由闭合的铁心和绕组组成，它是依据（）原理工作的。
1. 电磁感应2. 电磁力3. 库伦定律4. 安培定律13、自激发电机分为三种形式，不包括以下哪种形式（）。
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【最新整理，下载后即可编辑】电力电子技术作业解答教材：《电力电子技术》，尹常永田卫华主编第一章电力电子器件1-1晶闸管导通的条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由哪些因素决定？答：晶闸管的导通条件是：（1）要有适当的正向阳极电压；（2）还有有适当的正向门极电压。
导通后流过晶闸管的电流由阳极所接电源和负载决定。
1-2维持晶闸管导通的条件是什么？怎样使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是：流过晶闸管的电流大于维持电流。
利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到维持电流以下，可使导通的晶闸管关断。
1-5某元件测得^≡=840v, S臥=980U,试确定此元件的额定电压是多少，属于哪个电压等级？答:根据将％M和％W中的较小值按百位取整后作为该晶闸管的额定值，确定此元件的额定电压为8（）（）V,属于8级。
1-11双向晶闸管有哪几种触发方式？常用的是哪几种？答：双向晶闸管有I+、1-、111+和山-四种触发方式。
常用的是:（I+、山-）或（I-、HI-）o1-13 GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能？答：因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：(I)GTO在设计时6较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO 关断；(2)GT()导通时的α>+σ2更接近于1,普通晶闸管E+θ2≥l∙15, 而GTO则为σ>+^≈1°5, GT()的饱和程度不深，接近于临界饱和, 这样为门极控制关断提供了有利条件；(3)多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
第二章电力电子器件的辅助电路2-5说明电力电子器件缓冲电路的作用是什么？比较晶闸管与其它全控型器件缓冲电路的区别，说明原因。
答：缓冲电路的主要作用是：(1)减少开关过程应力，即抑制d i z∕dz, d∕∕dr;(2)改变器件的开关轨迹，使器件工作于安全工作区内，避免过电压、过电流损坏；(3)减少器件的开关损耗。
电力电子技术课后习题全部答案
电力电子技术答案2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。
低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。
2-2.使晶闸管导通的条件是什么答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：uAK>0且uGK>0。
2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么怎样才能使晶闸管由导通变为关断答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im ，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。
解：a) Id1=I1=b) Id2=I2=c) Id3=I3=2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流I d1、Id2、Id3各为多少这时，相应的电流最大值Im1、Im2、Im3各为多少解：额定电流IT(AV)=100A的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a) Im1A, Im2Id2c) Im3=2I=314 Id3=2-6 GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能答：GTO和普通晶阐管同为PNPN结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益和，由普通晶阐管的分析可得，是器件临界导通的条件。
(1075)《电力电子技术》西南大学2020年12月大作业参考答案
一、填空题(本大题共10小题，每道题3.0分，共30.0分)1.逆变电路是一种变换电路。
DC/AC2.绝缘栅双极型晶体管是以作为栅极，以作为发射极与集电极复合而成。
电力场效应晶体管栅极以电力晶体管集电极和发射极3.当电源电压发生瞬时与直流侧电源顺极性串联，电路中会出现很大的短路电流流过晶闸管与负载，这称为或。
逆变失败或逆变颠覆4.变频电路从变频过程可分为变频和变频两大类。
直交型和交交型5.抑制过电压的方法之一是用吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
储能元件6.在升压斩波器中，已知电源电压Ud=16V，导通比Kt=1/3，则输出电压Uo=______V。
157.考虑变压器漏抗的可控整流电路中，如与不考虑漏抗的相比，则使输出电压平均值。
减小8.升压斩波电路的典型应用有和_ _等。
直流电动机传动和单相功率因数校正9.三相交交变频电路主要有两种接线方式，公共交流母线进线方式和，其中主要用于中等容量的交流调速系统是。
输出星形联结方式公共交流母线进线方式10.考虑变压器漏抗的可控整流电路中，在换相过程期间，两个相邻的晶闸管同时导通，对应的电角度称。
换相重叠角二、判断题(本大题共10小题，每道题3.0分，共30.0分)1.接有续流二极管的单相半控桥式变流电路可运行的工作象限是第三象限.对错2.晶闸管固定脉宽斩波电路，一般采用的换流方式是电网电压换流.对错3.晶闸管的伏安特性是指阳极电压与阳极电流的关系.对错4.单相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，在逆变角β期间，处于换相进行关断的晶闸管承受的电压是正向电压 .对错5.晶闸管电流的波形系数定义为Kf =IdT·IT.10.三相全控桥式有源逆变电路，晶闸管电流的有效值IT为.问答题(本大题共2小题，每道题10.0分，共20.0分)1.对于正弦脉冲宽度调制（SPWM），什么是调制信号？什么是载波信号？何谓调制比？答：在正弦脉冲宽度调制（SPWM ）中，把希望输出的波形称作调制信号；而对它进行调制的三角波或锯齿波称为载波信号；载波频率fc 与调制信号频率fr 之比，N= fc / fr 称为载波比。
《电力电子技术》练习题及参考答案
《电力电子技术》练习题一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L________I H。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。
3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM________U BO。
4、电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于________，设U2为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差________。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值________。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有________二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在________的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为______。
16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较______的规化值。
17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用_____标定。
18、晶闸管的导通条件是：晶闸管______和阴极间施加正向电压，并在______和阴极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。
电力电子习题及答案
升，避免了 GTR 同时承受高电压、大电流。另一方面，缓冲电路也可以使 GTR 的集
电极电压变化率 du 和集电极电流变化率 di 得到有效值抑制，减小开关损耗和防
dt
dt
止高压击穿和硅片局部过热熔通而损坏 GTR。
17 与 GTR 相比功率 MOS 管有何优缺点?
答：GTR 是电流型器件，功率 MOS 是电压型器件，与 GTR 相比，功率 MOS
所选导线截面积为
S
≥
I
J
=
13.3 6
≈
2.22mm 2
负载电阻上最大功率
PR = I 2 R = 8.9kW
答：IGBT的开关速度快，其开关时间是同容量GTR的 1/10，IGBT电流容量大，
是同容量MOS的 10 倍；与VDMOS、GTR相比，IGBT的耐压可以做得很高，最大允许电
压UCEM可达 4500V，IGBT的最高允许结温TJM为 150℃，而且IGBT的通态压降在室温和
最高结温之间变化很小，具有良好的温度特性；通态压降是同一耐压规格VDMOS的
各图的电流平均值．电流有效值和波形系数。
解：图(a)：
∫ 1
IT(AV)= 2π
π 0
I
m
sin
ωtd
(ωt
)
=
Im π
∫ IT=
1 2π
π 0
(I
m
sin
ωt
)
2
d
(ωt)
=
Im 2
Kf=
IT IT ( AV )
=1.57
1
图(b)： 图(c)： 图(d)：
图题 1．9
∫1
IT(AV)= π
π
电力电子技术试题参考答案及评分标准
电力电子技术复习 1（见教材后习题）1.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？2.图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。
3.上题中如果不考虑安全裕量，问100A的晶闸管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少？这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少？4.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？5.如何防止电力MOSFET因静电感应引起的损坏？6.全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析RCD缓冲电路中各元件的作用。
7.试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
8.单相半波可控整流电路对电感负载供电，L=20mH，U2=100V，求当α=0°和60°时的负载电流I d，并画出u d与i d波形。
9.单相桥式全控整流电路，U2=100V，负载中R=2Ω，L值极大，当α=30°时，要求：①作出u d、i d和i2的波形；②求整流输出平均电压U d、电流I d，变压器二次电流有效值I2；③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
10.单相桥式全控整流电路，U2=100V，负载中R=2Ω，L值极大，反电动势E=60V，当α=30°时，要求：①作出u d、i d和i2的波形；②求整流输出平均电压U d、电流I d，变压器二次电流有效值I2；③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
11.晶闸管串联的单相半控桥（桥中VT1、VT2为晶闸管），电路如图，U2=100V，电阻电感负载，R=2Ω，L值很大，当α=60°时求流过器件电流的有效值，并作出u d、i d、i VT、i VD的流形。
12.三相半波可控整流电路，U2=100V，带电阻电感负载，R=5Ω，L值极大，当α=60°时，要求：①画出u d、i d和i VT的波形；②计算U d、I d、I dVT和I VT。
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3、分析题
1.
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2.
西南大学网络与继续教育学院课程考试答题卷
学号：姓名：层次：
类别：网教专业：电气工程及其自动化2015年11月课程名称【编号】：电力电子技术【1075】A卷
题号
一
二
三
四
五
总分
评卷人
得分
（横线以下为答题区）
1.解：∵wL=2πfL=62.8≥10R=10
∴此为大电感负载，负载端电流波形平直。
Ud=2.34U2cosα=117V
（2）使导通了的晶闸管关断的条件是：使流过晶闸管的电流减小至某个小的数值－维持电流ＩＨ以下。其方法有二：
a、减小正向阳极电压至某一最小值以下，或加反向阳极电压；
b、增加负载回路中的电阻。
3.答：在三相交交变频电路中采用梯形波控制的好处是可以改善输入功率因数。
因为梯形波的主要谐波成分是三次谐波，在线电压中，三次谐波相互抵消，结果线电压仍为正弦波。在这种控制方式中，因为桥式电路能够较长时间工作在高输出电压区域（对应梯形波的平顶区），角较小，因此输入功率因数可提高15%左右。
Uo=80伏Io= 4安
2、简答题
1.答：（1）由于变压器漏感和线路电感等因素的影响，晶闸管的换流（换相）不能瞬时完成，均需一定的时间即换相重叠角γ所对应的时间。
（2）如果逆变角β<γ，将使换相不能完成，造成逆变失败。
2.答：（1）晶闸管导通的条件是：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流ＩＬ以上。导通后的晶闸管管压降很小。
4.答：换流方式有4种：
器件换流：利用全控器件的自关断能力进行换流。全控型器件采用此换流方式。
电换流：由电网提供换流电压，只要把负的电网电压加在欲换流的器件上即可。
负载换流：由负载提供换流电压，当负载为电容性负载即负载电流超前于负载电压时，可实现负载换流。
强迫换流：设置附加换流电路，给欲关断的晶闸管强迫施加反向电压换流称为强迫换流。通常是利用附加电容上的能量实现，也称电容换流。
Id=Ud/R=117A
I2= ＝175.5A。
2.
3.解：假设L和C值很大。V处于通态时，电源E向电感L充电，电流恒定I1，电容C向负载R供电，输出电压Uo恒定。V处于断态时，电源E和电感L同时向电容C充电，并向负载提供能量。设V通态的时间为ton，此阶段L上积蓄的能量为，设V断态的时间为toff，则此期间电感L释放能量为，稳态时，一个周期T中L积蓄能量与释放能量相等，