电力电子技术练习题1教材
《电力电子技术》练习题及参考答案
《电力电子技术》练习题一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L________I H。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。
3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM________U BO。
4、电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于________，设U2为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差________。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值________。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有________二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在________的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为______。
16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较______的规化值。
17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用_____标定。
18、晶闸管的导通条件是：晶闸管______和阴极间施加正向电压，并在______和阴极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。
2015-2016学年一学期《电力电子技术》第一二章部分习题(2)
《电力电子技术》第一二章部分练习题一、选择题（含多选题）1、电力电子器件通常工作在（）状态。
A、导通B、截止C、开关D、任意2、下列器件中，电流容量最大的是（）A. GTOB. GTRC. IGBTD.SCR3、一只额定电流为100A的晶闸管所能送出的电流有效值为（）。
A. 100AB. 157AC. 64AD. 128A4、双向晶闸管的额定电流是以（）值定义的。
A. 平均值B. 有效值C.最大值D. 最小值1、下列对晶闸管特性的叙述中，正确的是（）A.晶闸管属于电流驱动双极型器件；B.晶闸管触发导通后，门极就失去了控制作用；C.晶闸管具有单相导电性；D.晶闸管的擎住电流大于维持电流。
2、下列电力电子器件中，存在电导调制效应的是（）A. GTOB. GTRC. Power MOSFETD.IGBT3、下列电力电子器件中，电流容量最大的是（）A. GTOB. GTRC. Power MOSFETD.IGBT4、下列电力电子器件中，开关频率最高的是（）A. GTOB. GTRC. Power MOSFETD.IGBT5、下列电力电子器件中，驱动功率较小的为（）A. SCRB. GTOC. GTRD.IGBT6、晶闸管刚由断态转入通态，并且去掉门极信号，仍能维持其导通所需的最小阳极电流，称为（）A. 维持电流B. 擎住电流C. 浪涌电流D. 额定电流7、由于二次击穿现象对GTR的危害极大，因此规定了GTR的安全工作区，此安全工作区的组成曲线为（）A. 2条B. 3条C. 4条D. 5条8、如下图所示的单相桥式半控整流电路中续流二极管VD的作用有（）A. 减轻晶闸管的负担B. 防止出现失控现象C. 提高整流电压的平均值D. 起电压钳位作用。
9、如上图所示的单相桥式半控整流电路，ωL＞＞R ，触发角为α，负载电流为I d，流过晶闸管的电流有效值为（ ） A. παπ2-I d B. παπ- I d C. παπ2-I d D. παπ-I d 10、单相桥式全控整流电路，阻感性负载，ωL ＞＞R ，设变压器二次侧电压为U 2，则晶闸管承受的最高正、反向电压分别为（ ）A. 22U 2, 22U 2 B. 22U 2,2U 2 C. 2U 2, 22U 2 D. 2U 2,2U 211、单相桥式全控整流电路带电阻性负载与阻感性负载（ωL ＞＞R ）情况下，晶闸管触发角的移相范围分别为（ ）A. 900，900B. 900，1800C. 1800，900D. 1800，180012、单相桥式全控整流电路，阻感性反电动势负载（ωL ＞＞R ），负载电压U d ，反电动势为E ，则负载电流为（ ）A. R U dB.R E U -dC. R E U +dD. RE U -2 13、下列电路中，存在变压器铁芯直流磁化现象的有（ ）A. 单相半波可控整流电路B. 单相桥式全控整流电路C. 单相桥式半控整流电路D. 单相全波可控整流电路14、三相半波可控整流电路与三相桥式全控整流电路，电阻性负载，晶闸管触发角的移相范围分别为（ ）A. 900，1200B. 900，1500C. 1200，1500D. 1500，120015、三相半波可控整流电路中，电阻性负载，晶闸管承受的最高正、反向电压分别为（ ）A. 2U 2，2U 2B. 2U 2，6U 2C. 6U 2，2U 2D. 6U 2，6U 2二、填空题1、晶闸管是一种由______层半导体材料构成的三端器件。
电力电子技术习题(附参考答案)
电力电子技术习题（附参考答案）一、单选题（共20题，每题1分，共20分）1、单相全控桥式整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、150°B、180°C、120°D、90°正确答案：B2、电流型三相桥式逆变电路，120°导通型，则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂( )。
A、共三只B、共四只C、各一只D、各二只正确答案：C3、单相全控桥式整流电路大电感性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、180°B、90°C、120°D、150°正确答案：B4、对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有（）。
A、α无法确定B、0.5<α<1C、0<α<0.5D、以上说法均是错误的正确答案：C5、为了防止逆变失败，最小逆变角限制为（），单位为度。
A、30～35B、20～25C、10～15D、40～45正确答案：A6、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下正确答案：A7、电力电子器件一般工作在（）状态A、开关B、放大C、开关和放大D、其他正确答案：A8、在晶闸管整流电路中，变压器二次侧所供给的有功功率P＝（）A、I2RdB、I2dRdC、UIdD、U2Id正确答案：D9、正弦波脉冲宽度调制英文缩写是（）。
A、PWMB、PAMC、SPWMD、SPAM正确答案：C10、在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是（）A、干扰信号和触发信号B、干扰信号C、触发电流信号D、触发电压信号正确答案：B11、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（）A、关断状态B、饱和状态C、不定D、导通状态正确答案：A12、单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）A、0度-90度B、0度C、90度-180度D、180度-360度正确答案：A13、IGBT属于（）控制型元件。
电力电子技术习题资料整理
电力电子技术习题集 习题一
1. 试说明什么是电导调制效应及其作用。 2. 晶闸管正常导通的条件是什么，导通后流过的电流由什么决定？
晶闸管由导通变为关断的条件是什么，如何实现？ 3. 有时晶闸管触发导通后，触发脉冲结束后它又关断了，是何原因？ 4. 图 1-30 中的阴影部分表示流过晶闸管的电流波形，其最大值均为
Im，试计算各波形的电流平均值、有效值。如不考虑安全裕量，额 定电流 100A 的晶闸管，流过上述电流波形时，允许流过的电流平 均值 Id 各位多少？
图 1-30 习题 1-4 附图 5. 在图 1-31 所示电路中，若使用一次脉冲触发，试问为保证晶闸管
充分导通，触发脉冲宽度至少要多宽？图中，E=50V；L=0.5H；R=0.5 Ω ; IL=50mA（擎住电流）。
要应用领域。
9. 请将 VDMOS（或 IGBT）管栅极电流波形画于图 1-32 中，并说明电
流峰值和栅极电阻有何关系以及栅极电阻的作用。
10. 全控型器件的缓冲吸收电路的主要作用是什么？试分析 RCD
缓冲电路中各元件的作用。
11. 限制功率 MOSFET 应用的主要原因是什么？实际使用时如何提
高 MOSFET 的功率容量？
自然换相点是同一点吗？如果不是，它们在相位上差多少度？试
作出共阳极接法的三相半波可控的整流电路在α＝30°时的 ud、
i u 、 VT1
VT1
的波形。
7. 三相半波可控整流电路带大电感性负载，α＝π/3，R=2Ω，
U2=220V，试计算负载电流 Id，并按裕量系数 2 确定晶闸管的额定 电流和电压。
3．试作出图 2-8 所示的单相桥式半控整流电路带大电感负载，在α ＝30°时的 ud、id、iVT1、iVD4 的波形。并计算此时输出电压和电流 的平均值。
电力电子技术试题及答案一
电力电子技术试题（第一章）一、填空题1、普通晶闸管内部有PN 结,，外部有三个电极，分别是极极和极。
1、两个、阳极A、阴极K、门极G。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。
2、正向、触发。
3、晶闸管的工作状态有正向状态，正向状态和反向状态。
3、阻断、导通、阻断。
4、某半导体器件的型号为KP50 —7 的，其中KP 表示该器件的名称为，50 表示，7 表示。
4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。
5、只有当阳极电流小于电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
5、维持电流。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会。
6、减小。
7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为性负载，性负载和负载三大类。
7、电阻、电感、反电动势。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会，解决的办法就是在负载的两端接一个。
8、减小、并接、续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。
要求管子的额定电流值要些。
9、小、脉冲、小、大。
10、单结晶体管的内部一共有个PN 结，外部一共有3 个电极，它们分别是极、极和极。
10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。
11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通；低于电压时就截止。
11、峰点、谷点。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发，才能得到稳定的直流电压。
12、同步、时刻。
13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压和电压。
13、正弦波、锯齿波。
14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用与一个或几个的叠加，利用改变的大小，来实现移相控制。
14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。
15、在晶闸管两端并联的RC 回路是用来防止阳”接法。
（×）损坏晶闸管的。
9、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。
《电力电子技术》练习题及参考答案
《电力电子技术》练习题一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L________I H。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。
3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM________U BO。
4、电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于________，设U2为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差________。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值________。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有________二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在________的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为______。
16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较______的规化值。
17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用_____标定。
18、晶闸管的导通条件是：晶闸管______和阴极间施加正向电压，并在______和阴极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。
大工23春《电力电子技术》在线作业1-答案
大工23春《电力电子技术》在线作业1-00001
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 6 道试题,共 30 分)
1.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（）V。
[A.]0-5
[B.]5-10
[C.]10-15
[D.]15-20
正确答案:C
2.如果某电力二极管的正向平均电流为100A，那么它允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值为（）A。
[A.]50
[B.]100
[C.]70.7
[D.]173.2
正确答案:B
3.使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取（）V。
[A.]（-5）-（-15）
[B.]10-15
[C.]15-20
[D.]20-25
正确答案:C
4.下列哪项不属于典型全控型器件？（）
[A.]电力二极管
[B.]门极可关断晶闸管
[C.]电力晶体管
[D.]电力场效应晶体管
正确答案:A
5.静电感应晶体管的英文缩写是（）。
[A.]PIC
[B.]IGCT
[C.]SITH
[D.]SIT
正确答案:D
6.控制极信号能控制器件的导通，但不能控制其关断，器件的关断完全由其承受的电压和电流决定，这样的电力电子器件称为（）。
[A.]半控型器件
[B.]全控型器件
[C.]不可控器件。
电力电子技术练习题及参考答案
《电力电子技术》练习题一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L________I H。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。
3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM________U BO。
4、电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于________，设U2为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差________。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值________。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有________二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在________的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为______。
16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较______的规化值。
17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用_____标定。
18、晶闸管的导通条件是：晶闸管______和阴极间施加正向电压，并在______和阴极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。
电力电子技术习题及答案 第1章
8、试说明 IGBT 、GTR、GTO 和电力 MOSFET 各自的优缺点。 解：对 IGBT 、GTR 、GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如下表： 器件 IGBT 优 点 缺 点 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流 开 关 速 度 低 于 电 力 冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高， MOSFET ，电压，电流容 为电压驱动，驱动功率小 量不及 GTO 开关速度低，为电流驱动， 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强 ， 所需驱动功率大，驱动电 饱和压降低 路复杂，存在二次击穿问 题 电流关断增益很小，关断 时门及负脉冲电流大，开 关速度 低， 驱动 功率 大， 驱动电路复杂，开关频率 低 电流容量小，耐压低，一 般中 适 用 于 功 率 不 超 过 10kw 的电力电子装置
过流
二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。 （ √ ） 2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为 500V ，反向重复峰值电压为 700V ，则该晶闸管的 额定电压是 700V 。 （ × ） 3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。 （ × ） 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。 （ √ ） 5、 在晶闸管的电流上升至其维护电流后， 去掉门极触发信号， 晶闸管级能维护导通。 （×
） ）
1、图中阴影部分晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为 Im，试计算各 波形的电流平均值 Id1、Id2、Id3 与电流有效值 I1、I2、I3 。
解：a ） I d1
1 2
m 4
I sin td (t )
1m 2 ( 1) 0.2717I m 2 2
2 220 311.13V ；取晶闸管的安全裕量为 2 ，则晶闸管额定电压不低于 2× 311.13 ≈
电力电子技术_习题集(含答案)
《电力电子技术》课程习题集一、单选题1.晶闸管内部有（）PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个2.电力二极管内部有（）个PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个3.双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个4.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR5.下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、SR6.比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT7.下列半导体器件中属于电压型控制器件的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR8.压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护9.晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护10.普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、最小值11.晶闸管在电路中的门极正向偏压（）愈好。
A、愈大B、愈小C、不变D、为零12.快速熔断器在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护13.当晶闸管的额定电压小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相( )。
A、串联B、并联C、串并联14.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )。
A、导通状态B、关断状态C、饱和状态D、不定15.当晶闸管的额定电流小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相 ( )。
A、串联B、并联C、串并联16.晶闸管整流电路中直流电动机应该属于（）负载。
A、电阻性B、电感性C、反电动势D、不定17.晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（）。
A、不变B、增大C、减小D、不定18.三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（）。
电力电子技术试题（一）
电⼒电⼦技术试题（⼀）电⼒电⼦技术试题（⼀）第1章绪论习题第1部分:填空题1. 电⼒电⼦技术是使⽤________器件对电能进⾏________的技术。
2. 电能变换的含义是在输⼊与输出之间，将________、________、________、________、________中的⼀项以上加以改变。
3. 电⼒变换的四⼤类型是:________、________、________、________。
4. 在功率变换电路中，为了尽量提⾼电能变换的效率，所以器件只能⼯作在________状态，这样才能降低________。
5. 电⼒电⼦器件按照其控制通断的能⼒可分为三类，即: ________、________、________。
6. 电⼒电⼦技术的研究内容包括两⼤分⽀:________________ 技术和________技术。
7.半导体变流技术包括⽤电⼒电⼦器件构成_____________电路和对其进⾏控制的技术，以及构成________装置和________系统的技术。
8.电⼒电⼦技术是应⽤在________领域的电⼦技术。
9.电⼒电⼦技术是⼀门由________、________、________三个学科交叉形成的新的边缘技术学科。
第2部分:简答题1. 什么是电⼒电⼦技术,2. 电能变换电路的有什么特点,机械式开关为什么不适于做电能变换电路中的开关,3. 电⼒变换电路包括哪⼏⼤类,第2章电⼒电⼦器件概述习题第1部分:填空题1. 电⼒电⼦器件是直接⽤于电路中，实现电能的变换或控制的电⼦器件。
2. 主电路是在电⽓设备或电⼒系统中，直接承担的电路。
3.处理信息的电⼦器件⼀般⼯作于放⼤状态，⽽电⼒电⼦器件⼀般⼯作在状态。
4. 电⼒电⼦器件组成的系统，⼀般由、、、四部分组成。
5. 按照器件能够被控制的程度，电⼒电⼦器件可分为以下三类: 、和。
6(按照驱动电路信号的性质，电⼒电⼦器件可分为以下分为两类:和。
电力电子技术试题及答案一
电力电子技术试题(第一章)一、填空题1、普通晶闸管内部有PN结,,外部有三个电极,分别就是极极与极。
1、两个、阳极A、阴极K、门极G。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时,门极上加上电压,晶闸管就导通。
2、正向、触发。
3、、晶闸管的工作状态有正向状态,正向状态与反向状态。
3、阻断、导通、阻断。
4、某半导体器件的型号为KP50—7的,其中KP表示该器件的名称为,50表示,7表示。
4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。
5、只有当阳极电流小于电流时,晶闸管才会由导通转为截止。
5、维持电流。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角α,负载上得到的直流电压平均值会。
6、减小。
7、按负载的性质不同,晶闸管可控整流电路的负载分为性负载, 性负载与负载三大类。
7、电阻、电感、反电动势。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时,负载两端的直流电压平均值会,解决的办法就就是在负载的两端接一个。
8、减小、并接、续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。
要求管子的额定电流值要些。
9、小、脉冲、小、大。
10、单结晶体管的内部一共有个PN结,外部一共有3个电极,它们分别就是极、极与极。
10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。
11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通;低于电压时就截止。
11、峰点、谷点。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压,保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发,才能得到稳定的直流电压。
12、同步、时刻。
13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压与电压。
13、正弦波、锯齿波。
14、正弦波触发电路的同步移相一般都就是采用与一个或几个的叠加,利用改变的大小,来实现移相控制。
14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。
15、在晶闸管两端并联的RC回路就是用来防止损坏晶闸管的。
15、关断过电压。
16、为了防止雷电对晶闸管的损坏,可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。
电力电子技术试题及答案 (1)
电力电子技术试题1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波波，输出电流波形为方波波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、、正反向漏电流会下降、；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采用控制角α= β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波，电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是180º度；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波，电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是120º度。
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。
(完整版)电力电子技术练习题(答案)
34、将50Hz的工频交流电直接变换成其他频率的 交流电，—般输出频率均小于工频频率，这种直 接变频的方式称为 交—交变频 。
35、将50Hz的交流电先经整流变换为直流电，再 由直流电变换为所需频率的交流电这种变频的方 式称为 交—直—交变频。
36、如图为电流型并联谐振式变频电路，其输出电 流的波形为 矩形波 ， 其输出电压的波形基本 为 正弦波 。
5、有源逆变的条件（ A ） A （1）有直流电动势源EM，其极性和晶闸管
的导通方向一致且EM>Ud （2）、逆变角β<90º （α>90º ）。
B （1）有直流电动势源EM，其极性须和晶闸 管的导通方向一致且EM>Ud
37、如图为电压型并联谐振式变频电路，其输出电 流的波形为 正弦波 ， 其输出电压的波形基本 为 矩形波 。
38、电压型变频电路的特点是： (1) 直流侧接有 大电容 ，相当于电压源，直流电
压基本无脉动。 (2) 交流侧电压波形为 矩形波 ，交 流侧电流的波形由 负载性质 决定。
39、电流型变频电路的特点不： (1)直流侧接有 大电感 ，相当于电流源，直流电流基 本无脉动。(2)交流侧电流为 矩形波 ，交流侧电压的
斩波式 和通断式。
31、双向晶闸管的主要参数中，额定电流指的 是：在规定条件下，晶闸管所允许流过的最大工频 。 电流的有效值
32、对于电阻性负载的单相交流调压电路，输入电压
为Ui，控制角α的可调范围为
，输出电压的可
调范围为
。
0~
0 ~ Ui
33、对于电感性负载的单相交流调压电路，若负载 的阻抗角为φ，则晶闸管的控制角α的可调范围
电力电子技术练习题
一、填空题
1、电子技术包括信息电子技和术 电力两电大子分技支术。
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电力电子技术习题一、可控整流部分1、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。
A、700VB、750VC、800VD、850V2、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )A、0º-90°B、0º-120°C、0º-150°D、0º-180°3、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0º时，输出的负载电压平均值为（）。
A、0.45U2B、0.9U2C、1.17U2D、2.34U24、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉冲间距相隔角度符合要求。
请选择。
5、单相半波可控整流电路，晶闸管两端承受的最大电压为（）。
A、U2B、2U2C、22UD、6U26、单相桥式整流电路的同一桥臂两只晶闸管的触发脉冲应相差度。
A、60°B、180°C、360°D、120°7、在三相半波可控整流电路中，当负载为电感性时，负载电感量越大，则（）A. 输出电压越高B.输出电压越低C.导通角越小D. 导通角越大8、在三相半波可控整流电路中，每只晶闸管的最大导通角为（D）A. 30°B. 60°C. 90°D. 120°9、三相半波可控整流电路由(A)只晶闸管组成。
A、3B、5C、4D、210、三相半波可控整流电路电阻负载的控制角α移相范围是(A)。
A、0～90°B、0～100°C、0～120°D、0～150°11、三相半波可控整流电路大电感负载无续流管，每个晶闸管电流平均值是输出电流平均值的(D)。
A、1/3B、1/2C、1/6D、1/412、三相半控桥式整流电路由(A)晶闸管和三只功率二极管组成。
A、四只B、一只C、二只D、三只13、三相半控桥式整流电路电阻性负载时，控制角α的移相范围是(D)。
A、0～180°B、0～150°C、0～120°D、0～90°15、三相全控桥式整流电路是由一组共阴极的与另一组共阳极的三相半波可控整流电路相(A)构成的。
A、串联B、并联C、混联D、复联15、三相可控整流触发电路调试时，首先要检查三相同步电压波形，再检查三相锯齿波波形，最后检查(D)。
A、同步变压器的输出波形B、整流变压器的输出波形C、晶闸管两端的电压波形D、输出双脉冲的波形16、单相桥式可控整流电路电阻性负载的输出电压波形中一个周期内会出现(D)个波峰。
A、2B、1C、4D、317、锯齿波触发电路由锯齿波产生与相位控制、脉冲形成与放大、（C）、双窄脉冲产生等四个环节组成。
A、矩形波产生与移相B、尖脉冲产生与移相C、强触发与输出D、三角波产生与移相18、锯齿波触发电路中调节恒流源对电容器的充电电流，可以调节（B）。
A、锯齿波的周期B、锯齿波的斜率C、锯齿波的幅值D、锯齿波的相位19、三相半波可控整流电路中的三只晶闸管在电路上（C）。
A、绝缘B、混联C、并联D、串联20、三相半波可控整流电路电阻负载，保证电流连续的最大控制角ａ是（B）。
A、20°B、30°C、60°D、90°21、三相半波可控整流电路大电感负载无续流管的控制角ａ移相范围是（C）。
A、0~120°B、0~150°C、0~90°D、0~60°22、三相半控式整流电路由三只晶闸管和（C）功率二极管组成。
A、一只B、二只C、三只D、四只23、三相半控式整流电路电阻性负载时，每个晶闸管的最大导通角ａ是（B）。
A、150°B、120°C、90°D、60°24、三相半控式整流电路电感性负载晶闸管承受的最高电压U2的（C）倍。
A、根号 2B、根号3C、根号 6D、根号1225、三相全控桥式整流电路由三只共阴极（C）与三只共阳极晶闸管组成。
A、场效应管B、二极管C、晶闸管D、晶体管26、三相可控整流触发电路调试时，要使三相锯齿波的波形高度一致，斜率相同，相位互差（B ）。
A、60°B、120°C、90°D、180°27、单相半波可控整流电路电阻性负载一个周期内输出电压波形的最大导通角是（C）。
A、90°B、120°C、180°D、240°28、单相桥式可控整流电路大电感负载无续流管的输出电流波形（B ）。
A、始终在横坐标的下方B、始终在横坐标的上方C、会出现负电流部分D、正电流部分大于负电流部分29、三相半波可控整流电路电感性负载无续流管的输出电流波形在控制角（C ）时出现负电压部分A、a>60°B、a>45°C、a>30°D、a>90°30、三相半波可控整流电路电阻性负载的输出电流波形在控制角a<（B ）时连续。
A、60°B、30°C、45°D、90°31、三相桥式可控整流电路电阻负载的输出电压波形，在控制角a=（C ）时，有电压输出部分等于无电压输出部分。
A、30°B、60°C、90°D、120°32、三相桥式可控整流电路电感性负载，控制角a减小时，输出电流波形（B ）A、降低B、升高C、变宽D、变窄33、在三相半波可控整流电路中，每只晶闸管承受的最高正反向电压为变压器二次相电压的。
（ C ）A. 根号2倍B. 根号6倍C. 根号3倍D.2 倍34、在三相桥式半控整流电路中，对于共阴极组晶闸管来说，只有（ A ）一相的晶闸管且只有出发脉冲时才能导通（A）阳极电压最高（B）阳极电压最低（C）阴极电压最高（D）阴极电压最低35、正向触发脉冲只允许在t1以后加入，并要求触发脉冲有一定的(A)。
A、宽度B、电压C、电流D、功率36、双窄脉冲的脉宽在(D)左右，在触发某一晶闸管的同时，再给前一晶闸管补发一个脉冲，作用与宽脉冲一样。
A、120°B、90°C、60°D、18°36、单相桥式可控整流电路大电感负载无续流管的输出电流波形()。
A、只有正弦波的正半周部分B、正电流部分大于负电流部分C、会出现负电流部分D、是一条近似水平线37、三相半波可控整流电路电阻性负载的输出电压波形在控制角(D)的范围内连续。
A、0<α<30°B、0<α<45°C、0<α<60°D、0<α<90°38、三相桥式可控整流电路电阻性负载的输出电压波形在控制角α<(A)时连续。
A、60°B、70°C、80°D、90°39、三相桥式可控整流电路电感性负载，控制角α增大时，输出电流波形(D)。
A、降低B、升高C、变宽D、变窄40、晶闸管触发电路发出触发脉冲的时刻是由(B)来定位的，由偏置电压来调整初始相位，由控制电压来实现移相。
A、脉冲电压B、触发电压C、异步电压D、同步电压41、晶闸管触发电路所产生的触发脉冲信号必须要（B）。
A、有一定的电抗B、有一定的移相范围C、有一定的电位D、有一定的频率42、触发脉冲信号应有一定的宽度，脉冲前沿要陡。
电感性负载一般是(C)ms，相当于50Hz正弦波的18°。
A、0.1 B、0.5C、1D、1.543、对触发脉冲要求有(B)。
A、一定的宽度，且达到一定的电流B、一定的宽度，且达到一定的功率C、一定的功率，且达到一定的电流D、一定的功率，且达到一定的电压44、在三相半控桥式整流电路带电阻性负载的情况下，能使输出电压刚好维持连续的控制角α等于（C ）。
（A）300（B）450（C）600（D）90045. 串联谐振逆变器输入是恒定的电压，输出电流波形接近于(D)，属于电压型逆变器。
A、锯齿波B、三角波C、方波D、正弦波46. 电流型逆变器中间环节采用电抗器滤波，(B)。
A、电源阻抗很小，类似电压源B、电源呈高阻，类似于电流源C、电源呈高阻，类似于电压源D、电源呈低阻，类似于电流源47、在三相半控桥式整流电路带电感性负载时，∝的移相范围为60°。
48、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
（）49、KP10—5表示的是额定电压1000V，额定电流500A的普通型晶闸管。
（）50、在三相半控桥式整流电路带电感性负载时，α的移相范围为60°。
51、在三相全控桥式整流电路中，每隔就有晶闸管要换流。
二、全控型电力电子部分1、电力场效应管MOSFET是( )器件。
(A) 双极型(B) 多数载流子(C) 少数载流子(D) 无载流子2、电力晶体管有何特点？①电力晶体管有两个PN结，基本结构有PNP 型和NPN型两种。
(1分)②电力晶体管具有线性放大特性，一般作为电流放大元件用，但在电力电子装置中，GTR工作在开关状态。
(1分)③是一种典型自关断元件，可通过基极信号方便地进行导通与关断控制。
(1分)④不必具备专门的强迫换流电路，因此可使整个装置小型轻量化，高效率化。
(1分)⑤缺点是耐冲击浪涌电流能力差，易受二次击穿而损坏。
(1分)3、下列电力电子器件中，D 的驱动功率小，驱动电路简单。
A. 普通晶闸管B. 可关断晶闸管C. 电力晶体管D. 功率场控晶体管4、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（D ）。
（A）晶闸管（B）电力晶体管（C）可关断晶闸管（D）电力场效应管5、在电力电子装置中，电力晶体管一般工作在（ D）状态（A）饱和（B）放大（C）截止（D）开关6、电力晶体管的开关频率（B）电力场效应。
（A）稍高于（B）低于（C）远高于（D）等于7、绝缘栅双击晶体管内部为（D）层结构（A）1 （B）2 （C）3 （D）48、斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在（A）状态。
（A）开关（B）截止（C）饱和（D）放大9、电力场效应管MOSFET（ B ）现象。
（A）有二次击穿（B）无二次击穿（C）静电击穿（D）无静电击穿10、电力场效应管MOSFET在使用和存放时，要防止（ C ）。
（Ａ）时间久而失效（Ｂ）二次击穿（Ｃ）静电击穿（Ｄ）饱和11、电力晶体管ＧＴＲ内部电流是由（C ）形成的。
（Ａ）电子（Ｂ）空穴（Ｃ）电子和空穴（Ｄ）有电子但无空穴12、以电力晶体管组成的斩波器适于（C ）容量的场合。
（Ａ）特大（Ｂ）大（Ｃ）中（Ｄ）小13、要使绝缘栅双极晶体管导通，应（A）。