半导体器件参数(精)

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半导体器件参数

半导体器件参数

半导体器件参数1.电流参数:电流参数是半导体器件最重要的参数之一、常见的电流参数包括最大连续电流、最大尖峰电流、门极漏极饱和电流等。

这些参数描述了器件在正常运行或特殊工作条件下能够承受的电流负载。

合理选取电流参数能够保证器件的稳定性和可靠性。

2.电压参数:电压参数也是半导体器件的关键参数之一、常见的电压参数包括最大工作电压、最大反向电压等。

这些参数描述了器件能够承受的最大电压。

在设计电路时,必须合理选取电压参数,以确保器件正常工作并避免损坏。

3.频率参数:频率参数描述了器件可处理的最高工作频率。

这个参数对于高速数字电路和射频(RF)电路非常重要。

频率参数通常是以最大工作频率或截止频率来衡量的。

4.噪声参数:噪声参数描述了器件的噪声特性。

这对于需要高信噪比和低噪声性能的应用非常重要,比如通信系统和音频设备。

常见的噪声参数包括等效输入噪声电压、等效输入噪声电流等。

5.温度参数:温度参数描述了器件的温度特性。

这包括工作温度范围、最大工作温度、温度系数等。

合理选取温度参数能够确保器件在不同温度环境下的性能和可靠性。

6.功率参数:功率参数描述了器件的功率特性。

常见的功率参数包括最大功率耗散、最大功率传输等。

这些参数对于设计高功率电路和功率放大器非常重要。

7.延迟参数:延迟参数描述了器件的传输延迟。

这对于需要高速响应和低延迟的应用非常重要,比如数字电路和通信系统。

常见的延迟参数包括传输延迟、上升时间、下降时间等。

8.容量参数:容量参数描述了器件的电容特性。

这对于高频电路和模拟电路特别重要。

常见的容量参数包括输入电容、输出电容等。

9.可靠性参数:可靠性参数描述了器件的寿命和可靠性。

这对于长期使用和高可靠性要求的应用非常重要。

常见的可靠性参数包括失效率、故障率等。

10.尺寸参数:尺寸参数描述了器件的物理尺寸和封装。

这对于电路布局和设计非常重要。

常见的尺寸参数包括封装尺寸、引脚布局、引脚排列等。

总之,半导体器件的参数涉及到各个方面,包括电流、电压、频率、噪声、温度、功率、延迟、容量、可靠性以及尺寸等。

半导体器件芯片常用型号参数共24页文档

半导体器件芯片常用型号参数共24页文档

半导体器件常用型号参数一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压V F下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。

在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。

在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

半导体物理与器件公式以及全参数

半导体物理与器件公式以及全参数

半导体物理与器件公式以及参数KT =0.0259ev N c =2.8∗1019N v =1.04∗1019SI 材料的禁带宽度为:1.12ev. 硅材料的n i =1.5∗1010Ge 材料的n i =2.4∗1013 GaAs 材料的n i =1.8∗106介电弛豫时间函数:瞬间给半导体某一表面增加某种载流子,最终达到电中性的时间,ρ(t )=ρ(0)e −(t /τd ),其中τd =ϵσ,最终通过证明这个时间与普通载流子的寿命时间相比十分的短暂,由此就可以证明准电中性的条件。

E F 热平衡状态下半导体的费米能级,E Fi 本征半导体的费米能级,重新定义的E Fn 是存在过剩载流子时的准费米能级。

准费米能级:半导体中存在过剩载流子,则半导体就不会处于热平衡状态,费米能级就会发生变化,定义准费米能级。

n 0+∆n =n i exp (E Fn −E Fi kT )p 0+∆p =n i exp [−(E Fp −E Fi )kT] 用这两组公式求解问题。

通过计算可知,电子的准费米能级高于E Fi ,空穴的准费米能级低于E Fi ,对于多子来讲,由于载流子浓度变化不大,所以准费米能级基本靠近热平衡态下的费米能级,但是对于少子来讲,少子浓度发生了很大的变化,所以费米能级有相对比较大的变化,由于注入过剩载流子,所以导致各自的准费米能级都靠近各自的价带。

过剩载流子的寿命:半导体材料:半导体材料多是单晶材料,单晶材料的电学特性不仅和化学组成相关而且还与原子排列有关系。

半导体基本分为两类,元素半导体材料和化合物半导体材料。

GaAs主要用于光学器件或者是高速器件。

固体的类型:无定型(个别原子或分子尺度内有序)、单晶(许多原子或分子的尺度上有序)、多晶(整个范围内都有很好的周期性),单晶的区域成为晶粒,晶界将各个晶粒分开,并且晶界会导致半导体材料的电学特性衰退。

空间晶格:晶格是指晶体中这种原子的周期性排列,晶胞就是可以复制出整个晶体的一小部分晶体,晶胞的结构可能会有很多种。

少子寿命是半导体材料和器件的重要参数(精)

少子寿命是半导体材料和器件的重要参数(精)

少子寿命是半导体材料和器件的重要参数(精)少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。

它直接反映了材料的质量和器件特性。

能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。

少子,即少数载流子,是半导体物理的概念。

它相对于多子而言。

半导体材料中有电子和空穴两种载流子。

如果在半导体材料中某种载流子占少数,导电中起到次要作用,则称它为少子。

如,在N型半导体中,空穴是少数载流子,电子是多数载流子;在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。

多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子,当它顶替晶格中的四价硅原子时,每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合,而余下的一个就不受共价键束缚,它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。

出于该电子不是共价键中的价电子,因而不会同时产生空穴。

而对于每个五价元素原子,尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子,但它束缚在晶格中,不能象载流子那样起导电作用。

这样,与本征激发浓度相比,N型半导体中自由电子浓度大大增加了,而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大,其浓度反而更小了。

少子浓度主要由本征激发决定,所以受温度影响较大。

香港永先单晶少子寿命测试仪>> 单晶少子寿命测试仪编辑本段产品名称LT-2单晶少子寿命测试仪编辑本段产品简介少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体材料的一项重要参数,它对半导体器件的性能、太阳能电池的效率都有重要的影响.我们采用微波反射光电导衰减法研制了一台半导体材料少子寿命测试仪,本文将对测试仪的实验装置、测试原理及程序计算进行了较详细的介绍,并与国外同类产品的测试进行比较,结果表明本测试仪测试结果准确、重复性高,适合少子寿命的实验室研究和工业在线测试. 技术参数:测试单晶电阻率范围>2Ω.cm 少子寿命测试范围10μS~5000μS 配备光源类型波长:1.09μm;余辉<1 μS;闪光频率为:20~30次/秒;闪光频率为:20~30次/秒;高频振荡源用石英谐振器,振荡频率:30MHz 前置放大器放大倍数约25,频宽2 Hz-1 MHz 仪器测量重复误差<±20%测量方式采用对标准曲线读数方式仪器消耗功率<25W 仪器工作条件温度:10-35℃、湿度< 80%、使用电源:AC 220V,50Hz 可测单晶尺寸断面竖测:φ25mm—150mm;L 2mm—500mm;纵向卧测:φ25mm—150mm;L 50mm—800mm;配用示波器频宽0—20MHz;电压灵敏:10mV/cm;LT-2型单晶少子寿命测试仪是参考美国A.S.T.M 标准而设计的,用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。

各种MOSFET参数大全

各种MOSFET参数大全

各种MOSFET参数大全MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常见的半导体器件,具有广泛的应用领域。

下面是MOSFET的各种重要参数的详细解释。

1. Drain-Source电压(VDS):这是MOSFET管脚之间的电压差。

当VDS超过MOSFET的额定电压,会导致器件损坏。

2. Gate-Source电压(VGS):这是MOSFET的控制电压。

改变VGS可以控制MOSFET的导通和截止。

3. 阈值电压(Vth):这是MOSFET的开启电压。

当VGS超过阈值电压时,MOSFET开始导通。

4.静态漏极电流(IDSS):这是在VGS=0时,MOSFET的漏极电流。

它是关闭时的最大漏极电流。

5. on状态电阻(RDS(on)):这是MOSFET导通时的电阻。

较低的RDS(on)意味着更好的导通特性。

6.峰值漏极电流(IDP):这是MOSFET能够承受的最大漏极电流。

如果超过此电流,MOSFET可能会损坏。

7. 雅各比增益(gfs):这是MOSFET的小信号增益。

它决定了MOSFET的放大能力。

8. 输入电容(Ciss):这是MOSFET输入端的总电容。

较高的Ciss将导致较高的输入电容负载。

9. 输出电容(Coss):这是MOSFET输出端的总电容。

较高的Coss将导致较高的输出电容负载。

10.反向传导(GDS):这是MOSFET导通时的反向电导。

它表示了在反向电压下电荷从漏极到源极的流动。

11. 速度参数(gm):这是MOSFET的跨导。

它表示在VDS控制下的电流变化率。

12.破坏电压(BV):这是MOSFET能够承受的最大电压。

超过该电压可能会导致器件击穿和损坏。

13.空载损耗(Pd):这是MOSFET在导通状态下消耗的功率。

它取决于MOSFET的导通电阻和电流。

14.电压转移特性(VTC):这是描述MOSFET开启和关闭之间的关系的曲线。

它显示了在不同VGS情况下MOSFET的导通特性。

半导体器件芯片通用型号参数

半导体器件芯片通用型号参数

半导体器件常用型号参数一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。

在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。

在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

gaasfet的参数

gaasfet的参数

gaasfet的参数摘要:1.GAASFET简介2.GAASFET的主要参数3.GAASFET的应用领域4.如何选择合适的GAASFET5.总结正文:GAASFET(GaAs金属半导体场效应晶体管)是一种半导体器件,广泛应用于无线通信、光通信和各类电子设备中。

在实际应用中,了解GAASFET的参数至关重要,下面我们将详细介绍GAASFET的主要参数及其应用领域。

1.GAASFET简介GAASFET是一种基于GaAs(砷化镓)材料的场效应晶体管,具有高速、高频、低噪声等优点。

由于GaAs材料具有较高的电子迁移率,使得GAASFET 在高速切换和高压应用场景具有优越性能。

2.GAASFET的主要参数(1)导通电阻:导通电阻是GAASFET的重要参数之一,影响着器件的电流消耗和信号传输质量。

较低的导通电阻意味着更好的能量转换效率和较低的功耗。

(2)阈值电压:阈值电压是GAASFET开启所需的电压,不同应用场景对阈值电压的要求各异。

低阈值电压有利于提高器件的灵敏度,但可能导致噪声增加。

(3)电流密度:电流密度是GAASFET在单位面积上承载的电流。

高电流密度意味着器件具有较高的承载能力,但同时也可能引发热失控等问题。

(4)截止电压:截止电压是GAASFET关闭时的电压。

较高的截止电压有助于降低漏极电流,从而提高器件的抗干扰能力。

3.GAASFET的应用领域GAASFET在以下领域具有广泛应用:(1)无线通信:GAASFET作为射频开关、放大器等关键器件,在手机、基站等无线通信系统中具有重要地位。

(2)光通信:GAASFET可应用于光探测器、光调制器等光通信器件,助力高速、长距离光通信。

(3)各类电子设备:GAASFET凭借其优异的性能,广泛应用于卫星通信、导航、雷达等高性能电子设备。

4.如何选择合适的GAASFET在选择GAASFET时,需根据实际应用场景和性能要求,综合考虑以下因素:(1)导通电阻:根据电流大小和功耗要求选择合适的导通电阻。

半导体器件芯片常用型号参数

半导体器件芯片常用型号参数

半导体器件常用型号参数一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。

在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

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在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。

在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

半导体器件芯片常用型号参数

半导体器件芯片常用型号参数

半导体器件常用型号参数一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。

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Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。

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半导体分立器件 主要参数

半导体分立器件 主要参数

半导体分立器件主要参数
半导体分立器件是一种在电路中独立使用的电子器件,主要包括二极管、晶体管、场效应管(FET)、双极性晶体管(BJT)、光电二极管等。

这些器件有许多主要参数,下面我将从多个角度来详细介绍这些参数。

1. 电压参数,包括正向导通压降、反向击穿电压等。

正向导通压降是指在正向工作状态下,器件导通时的电压降,反向击穿电压则是指在反向工作状态下,器件发生击穿时的电压值。

2. 电流参数,包括最大正向电流、最大反向电流等。

最大正向电流是指器件在正向工作状态下能够承受的最大电流值,最大反向电流是指在反向工作状态下器件能够承受的最大电流值。

3. 频率参数,包括最高工作频率等。

最高工作频率是指器件能够正常工作的最高频率,这对于高频电路设计非常重要。

4. 功率参数,包括最大耗散功率、最大耐压等。

最大耗散功率是指器件能够承受的最大功率,最大耐压是指器件能够承受的最大电压。

5. 噪声参数,包括噪声系数、噪声指数等。

噪声参数对于一些对信号质量要求较高的应用非常重要。

6. 温度参数,包括工作温度范围、温度特性等。

工作温度范围是指器件能够正常工作的温度范围,温度特性则是指器件在不同温度下的性能变化情况。

以上是半导体分立器件的一些主要参数,这些参数对于选择合适的器件、设计电路以及保证电路稳定可靠都非常重要。

希望以上回答能够满足你的要求。

半导体器件参数(精)

半导体器件参数(精)

《党政领导干部选拔任用工作条例》知识测试题(二)姓名:单位:职务:得分:一、填空题(每题1分,共20分):1、《党政领导干部选拔任用工作条例》于年月发布。

2、《党政领导干部选拔任用工作条例》是我们党规范选拔任用干部工作的一个重要法规,内容极为丰富,共有章条。

3、干部的四化是指革命化、知识化、年轻化、专业化。

4、,按照干部管理权限履行选拔任用党政领导干部的职责,负责《条例》的组织实施。

5、党政领导班子成员一般应当从后备干部中选拔。

6、民主推荐部门领导,本部门人数较少的,可以由全体人员参加。

7、党政机关部分专业性较强的领导职务实行聘任制△I称微分电阻RBB---8、政协领导成员候选人的推荐和协商提名,按照RE---政协章程和有关规定办理。

Rs(rs----串联电阻Rth----热阻结到环境的热阻动态电阻本机关单位或本系统rδ---衰减电阻r(th---Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间、对决定任用的干部,由党委(党组)指定专人同本人tg---电路换向关断时间12Tj---和不同领导职务的职责要求,全面考察其德能勤绩廉toff---。

tr---上升时间13、民主推荐包括反向恢复时间ts---存储时间和温度补偿二极管的贮成温度p---发光峰值波长△λη---15、考察中了解到的考察对象的表现情况,一般由考察组向VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降(正向峰值电压)、正向压降(正向直流电压)△政府、断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---17、人民代表大会的临时党组织、人大常委会党组和人大常委会组成人员及人大代表中的党员,应当认真贯彻党委推荐意见VGRM---门极反向峰值电压,带头(AV履行职责交流输入电压最大输出平均电压C 和国家有关法律、法规制定的。

中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压(反向直流电压)反向峰值电压(最高测试电压)V2、参照执行《党政领导干部选拔任用工作条例》有关规定的单位有击穿电压CD Vth---阀电压(门限电压)反向重复峰值电压(反向浪涌电压)VRWM---反向工作峰值电压社团组织V v---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量3、在年度考核、干部考察中,民主测评不称职票超过(A)二、双极型晶体管参数符号及其意义Cc---集电极电容Ccb---集电极与基极间电容发射极接地输出电容Ci---输入电容共基极输入电容Cie--- B考察材料 C证明材料共发射极开路输入电容Cn---中和电容(外电路参数)输出电容Cob---共基极输出电容。

半导体器件芯片常用型号参数

半导体器件芯片常用型号参数

半导体器件常用型号参数一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。

在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

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在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。

在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

少子寿命是半导体材料和器件的重要参数(精)

少子寿命是半导体材料和器件的重要参数(精)

少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。

它直接反映了材料的质量和器件特性。

能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。

少子,即少数载流子,是半导体物理的概念。

它相对于多子而言。

半导体材料中有电子和空穴两种载流子。

如果在半导体材料中某种载流子占少数,导电中起到次要作用,则称它为少子。

如,在N型半导体中,空穴是少数载流子,电子是多数载流子;在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。

多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子,当它顶替晶格中的四价硅原子时,每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合,而余下的一个就不受共价键束缚,它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。

出于该电子不是共价键中的价电子,因而不会同时产生空穴。

而对于每个五价元素原子,尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子,但它束缚在晶格中,不能象载流子那样起导电作用。

这样,与本征激发浓度相比,N型半导体中自由电子浓度大大增加了,而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大,其浓度反而更小了。

少子浓度主要由本征激发决定,所以受温度影响较大。

香港永先单晶少子寿命测试仪>> 单晶少子寿命测试仪编辑本段产品名称LT-2单晶少子寿命测试仪编辑本段产品简介少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体材料的一项重要参数,它对半导体器件的性能、太阳能电池的效率都有重要的影响.我们采用微波反射光电导衰减法研制了一台半导体材料少子寿命测试仪,本文将对测试仪的实验装置、测试原理及程序计算进行了较详细的介绍,并与国外同类产品的测试进行比较,结果表明本测试仪测试结果准确、重复性高,适合少子寿命的实验室研究和工业在线测试. 技术参数:测试单晶电阻率范围>2Ω.cm 少子寿命测试范围10μS~5000μS 配备光源类型波长:1.09μm;余辉<1 μS;闪光频率为:20~30次/秒;闪光频率为:20~30次/秒;高频振荡源用石英谐振器,振荡频率:30MHz 前置放大器放大倍数约25,频宽2 Hz-1 MHz 仪器测量重复误差<±20%测量方式采用对标准曲线读数方式仪器消耗功率<25W 仪器工作条件温度:10-35℃、湿度< 80%、使用电源:AC 220V,50Hz 可测单晶尺寸断面竖测:φ25mm—150mm;L 2mm—500mm;纵向卧测:φ25mm—150mm;L 50mm—800mm;配用示波器频宽0—20MHz;电压灵敏:10mV/cm;LT-2型单晶少子寿命测试仪是参考美国A.S.T.M 标准而设计的,用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。

半导体物理与器件公式以及参数

半导体物理与器件公式以及参数

半导体物理与器件公式以及参数KT=0.0259ev N c=2.8∗1019N v=1.04∗1019 SI材料的禁带宽度为:1.12ev. 硅材料的n i=1.5∗1010Ge材料的n i=2.4∗1013 GaAs材料的n i=1.8∗106介电弛豫时间函数:瞬间给半导体某一表面增加某种载流子,最终达,最终通过证到电中性的时间,ρ(t)=ρ(0)e−(t/τd),其中τd=ϵσ明这个时间与普通载流子的寿命时间相比十分的短暂,由此就可以证明准电中性的条件。

E F热平衡状态下半导体的费米能级,E Fi本征半导体的费米能级,重新定义的E Fn是存在过剩载流子时的准费米能级。

准费米能级:半导体中存在过剩载流子,则半导体就不会处于热平衡状态,费米能级就会发生变化,定义准费米能级。

n0+∆n=n i exp(E Fn−E Fi) p0+∆p=kT]n i exp[−(E Fp−E Fi)kT用这两组公式求解问题。

通过计算可知,电子的准费米能级高于E Fi,空穴的准费米能级低于E Fi,对于多子来讲,由于载流子浓度变化不大,所以准费米能级基本靠近热平衡态下的费米能级,但是对于少子来讲,少子浓度发生了很大的变化,所以费米能级有相对比较大的变化,由于注入过剩载流子,所以导致各自的准费米能级都靠近各自的价带。

过剩载流子的寿命:半导体材料:半导体材料多是单晶材料,单晶材料的电学特性不仅和化学组成相关而且还与原子排列有关系。

半导体基本分为两类,元素半导体材料和化合物半导体材料。

GaAs主要用于光学器件或者是高速器件。

固体的类型:无定型(个别原子或分子尺度内有序)、单晶(许多原子或分子的尺度上有序)、多晶(整个范围内都有很好的周期性),单晶的区域成为晶粒,晶界将各个晶粒分开,并且晶界会导致半导体材料的电学特性衰退。

空间晶格:晶格是指晶体中这种原子的周期性排列,晶胞就是可以复制出整个晶体的一小部分晶体,晶胞的结构可能会有很多种。

半导体物理与器件公式以及全参数

半导体物理与器件公式以及全参数

半导体物理与器件公式以及参数SI材料的禁带宽度为:1.12ev. 硅材料的Ge材料的 GaAs材料的介电弛豫时间函数:瞬间给半导体某一表面增加某种载流子,最终达,最终通过证到电中性的时间,ρρτ,其中τσ明这个时间与普通载流子的寿命时间相比十分的短暂,由此就可以证明准电中性的条件。

热平衡状态下半导体的费米能级,本征半导体的费米能级,重新定义的是存在过剩载流子时的准费米能级。

准费米能级:半导体中存在过剩载流子,则半导体就不会处于热平衡状态,费米能级就会发生变化,定义准费米能级。

用这两组公式求解问题。

通过计算可知,电子的准费米能级高于,空穴的准费米能级低于,对于多子来讲,由于载流子浓度变化不大,所以准费米能级基本靠近热平衡态下的费米能级,但是对于少子来讲,少子浓度发生了很大的变化,所以费米能级有相对比较大的变化,由于注入过剩载流子,所以导致各自的准费米能级都靠近各自的价带。

过剩载流子的寿命: 半导体材料:半导体材料多是单晶材料,单晶材料的电学特性不仅和化学组成相关而且还与原子排列有关系。

半导体基本分为两类,元素半导体材料和化合物半导体材料。

GaAs 主要用于光学器件或者是高速器件。

固体的类型:无定型(个别原子或分子尺度内有序)、单晶(许多原子或分子的尺度上有序)、多晶(整个范围内都有很好的周期性),单晶的区域成为晶粒,晶界将各个晶粒分开,并且晶界会导致半导体材料的电学特性衰退。

空间晶格:晶格是指晶体中这种原子的周期性排列,晶胞就是可以复制出整个晶体的一小部分晶体,晶胞的结构可能会有很多种。

原胞就是可以通过重复排列形成晶体的最小晶胞。

三维晶体中每一个等效的格点都可以采用矢量表示为 ,其中矢量 ,, 称为晶格常数。

晶体中三种结构,简立方、体心立方、面心立方。

原子体密度 每晶胞的原子数每晶胞的体积米勒指数,对所在平面的截距取倒数在进行通分,所有平行平面的米勒指数相等,平面集的计算方式。

原子面密度每个晶面的原子数每个晶面的面积晶向表示的是某条射线的方向,在简立方体重相同数值的米勒指数的晶向和晶面是相互垂直的。

TEG大功率半导体器件主要参数介绍

TEG大功率半导体器件主要参数介绍

邮编:412001TEL : ( 0733) 8498396 URL : TEG 大功率半导体器件主要参数介绍正向平均电流I F(AV)( 整流管) 通态平均电流I T(AV)( 晶闸管)是指在规定的管壳温度 T C 时,流过正弦半波电流的平均值。

如无其它说明,TEG 提供的是整流管T C = 100oC 、晶闸管T C = 70 o C 时的平均电流值。

TEG 备有各种器件平均电流与壳温关系的活页资料,欢迎索取。

图2-1表示晶闸管、整流管的工作区。

正向方均根电流I F (RMS )( 整流管) 通态方均根电流I T (RMS )( 晶闸管)是指在规定的管壳温度 T C 时,流过电流的有效值。

这是考虑到器件内部可能出现的电气和机械应力时规定的有效电流最大值,即使安装最有效的散热器,亦不应使I F(RMS)/I T(RMS)超过规定值。

浪涌电流I FSM (整流管)和I TSM (晶闸管)样本中给出正弦半波10ms 不重复浪涌电流值。

在确定极限值时,要将许多器件测试到损坏,然后选出一个浪涌电流值,使器件在承受该浪涌试验时还有足够的裕度。

试验时采用样本规定的最高允许结温为初始温度,在正向浪涌电流后,紧接着在后半周施加80% V RRM 。

如果保护措施能确保浪涌电流后无反压,则允许浪涌电流超过15%图2-2是表示浪涌电流、过载电流和重复峰值电流关系的示意图。

图2-1伏安特性V RI RI (Bo) I HI F I DV DV (BO) 反向断态通态图2-2 浪涌电流、过载电流 和重复峰值电流关系的示意图I TI TSM /I FSMI RI FRM /I TRMI T(OV)/I F(OV)0 t邮编:412001TEL : ( 0733) 8498396 URL : 熔断器配合I 2t样本中给出熔断时间为10ms 时的I 2t 数据。

TEG 与国内许多熔断器制造厂家保持有密切的联系,能推荐用于保护半导体器件所需的熔断器或熔断器组件。

半导体器件参数(精)

半导体器件参数(精)

半导体器件参数(精)半导体器件是现代电子技术中不可缺少的组成部分,而其参数则是评价半导体器件性能好坏的重要标准之一。

本文将针对半导体器件的常用参数进行详细阐述。

1. 直流参数1.1 正向漏电流 IF正向漏电流IF是指一个二极管或PN结管在正偏电压下的漏电流,其大小与元器件结构、材料、工艺等因素有关。

对于二极管来说,IF表明二极管的正向导通能力;对于PN结管而言,IF是影响器件工作稳定性和温度特性的原因之一。

1.2 反向漏电流 IR反向漏电流IR也称反向饱和电流,是指二极管或PN结管在反向电压下的漏电流,其大小与器件结构和工艺制程等因素有关。

反向漏电流IR越小,电路噪声和器件本身的损耗越小,器件的性能越好。

1.3 正向电压降 VF正向电压降VF是指一个二极管或PN结管在正向导通状态下的电压降,也叫动态电阻。

正向电压降VF低,说明器件正向导通能力强;反之,则说明器件正向导通能力弱。

1.4 反向电容 Cj反向电容Cj是指PN结管或MOSFET在反向电压下的电容。

它对于高频应用而言,是一个非常重要的参数。

反向电容Cj越小,说明器件交流响应能力更好,适合于高频应用。

1.5 反向击穿电压 VR反向击穿电压VR是指二极管或PN结管在反向施加电压下,电子流大幅增加而发生冲击电离现象时的电压值。

反向击穿电压VR高,说明器件耐压能力强。

2. 交流参数2.1 最大使用频率 fmax最大使用频率fmax是指半导体器件可靠工作的最高频率。

这个参数取决于器件工艺和封装方式等诸多因素,一般来说,当操作频率高于最大使用频率时,器件的工作可能会出现异常,如失真等。

2.2 开启时间 ton开启时间ton是指当半导体器件处于关状态转换至开状态所需的时间。

这个参数对于开关型半导体器件而言非常重要,因为它决定了器件的开关速度,也反映了器件逆变特性。

2.3 关闭时间 toff与开启时间ton对应的,则是关闭时间toff,即当半导体器件处于开状态转换至关状态所需的时间。

半导体器件主要参数

半导体器件主要参数
浪涌电流与周波数的关系 不同周波数n 所对应的浪涌电流数 是不一样的,在 器件使用过程中必须根据一定的应 用条件来确定器件所 能承受的浪涌电流数和周波数。
浪涌电流与脉冲时间的关系 不同脉冲时间t 所对应的浪涌
电流也是不一样的,浪涌脉冲越宽, 器件所能承受的浪涌电流越小上式 中ITSM(t)为脉冲时间t所对应的浪 涌电流值, ITSM(10)为10ms 的波浪涌电流值, t为脉冲时间。
I2t 曲线 不同时间t所对应的I2t也可通
过下式计算得出: I2t(t) = I2t(10)×t/10 上式式中I2t(10)为10ms 正弦半 波I2t 值,t 为正弦宽度。
由于浪涌电流与周波数的关 系、浪涌电流与脉冲时 间的关系、I2t 曲线等都有很清楚的函数关系,因此,有时我们不一定提供这三条曲 线。
订购时没有提出特别的匹配要求,则订购作串联运行的器件将在样本规定的试验条件 下允差200 mC 范围内提供。
串并联运行 串并联运行时的选配是既重要又
繁琐的工作,我们将与每一位用户商定 切实可行的选配方案。
特性曲线 为了将硅机组设计得更加合理、更
为经济,建议设计工程师能充分利用本 所提供的特性曲线。这些特性曲线已成活页资料,欢迎选用。
图2-2 是表示浪涌电流、过载电流和重复峰值 电流关系的示意图。
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电力电子事业部
熔断器配合I2t 样本中给出熔断时间为10ms 时的I2t 数据。
TEG与国内许多熔断器制造厂家保持有密切的联 系,能推荐用于保护半导体器件所需的熔断器或 熔断器组件。
反向重复峰值电压VRRM 断态重复峰值电压VDRM(晶闸管)
下面以KPA 1400-28晶闸管为例介绍一组特性曲线。
正向伏-安曲线(整流管) 通态伏-安曲线(晶闸管)

MOS管各项参数介绍

MOS管各项参数介绍

MOS管各项参数介绍MOS管,即金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一种重要的半导体器件,常用于集成电路中。

下面简要介绍一些MOS管的各项参数。

1. 阈值电压(Threshold voltage):阈值电压是指在MOS管的栅极-漏极电压(VGS)不大于零时,漏极电流(ID)在较低水平的临界点。

这是控制MOS管导通与截止转换的重要参数。

2. 分布电容(Distributed Capacitance):MOS管的栅极与漏极之间以及栅极与源极之间会存在电容,称为分布电容。

它会影响MOS管的高频特性。

3. 导通电阻(On-resistance):导通电阻是指MOS管导通时的沟道电阻。

低导通电阻意味着MOS管能够承受更大的电流,具有更好的导电性能。

4. 漏极电流(Drain Current):漏极电流是指MOS管从漏极处流出的电流。

它与栅极-源极电压、栅极-漏极电压等参数有关。

5. 饱和区漏极电流(Saturation Drain Current):当MOS管的栅极-源极电压(VGS)大于阈值电压时,漏极电流会进入饱和区。

饱和区漏极电流是MOS管在这种情况下的最大漏极电流。

6. 漏极饱和电压(Saturation Drain Voltage):漏极饱和电压是指MOS管在饱和区时的栅极-漏极电压。

当栅极-漏极电压超过漏极饱和电压时,MOS管会进入饱和区。

7. 负温度系数(Negative Temperature Coefficient):MOS管具有负温度系数,即漏极电流与温度呈负相关。

当温度升高时,MOS管的漏极电流会下降。

8. 压降(Voltage drop):在MOS管中,电流从源极到漏极经过一个沟道,会产生一定的电压降。

这个电压降可以通过改变栅极电压来调控。

9. ESD保护(Electrostatic Discharge Protection):为了保护MOS管免受静电放电(ESD)的损坏,常常需要在输入端加入ESD保护电路。

半导体器件芯片常用型号参数特性解析大全(精)

半导体器件芯片常用型号参数特性解析大全(精)

半导体器件常用型号参数解析一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。

在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。

在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

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《党政领导干部选拔任用工作条例》知识测试题(二)姓名:单位:职务:得分:一、填空题(每题1分,共20分):1、《党政领导干部选拔任用工作条例》于年月发布。

2、《党政领导干部选拔任用工作条例》是我们党规范选拔任用干部工作的一个重要法规,内容极为丰富,共有章条。

3、干部的四化是指革命化、知识化、年轻化、专业化。

4、,按照干部管理权限履行选拔任用党政领导干部的职责,负责《条例》的组织实施。

5、党政领导班子成员一般应当从后备干部中选拔。

6、民主推荐部门领导,本部门人数较少的,可以由全体人员参加。

7、党政机关部分专业性较强的领导职务实行聘任制△I称微分电阻RBB---8、政协领导成员候选人的推荐和协商提名,按照RE---政协章程和有关规定办理。

Rs(rs----串联电阻Rth----热阻结到环境的热阻动态电阻本机关单位或本系统rδ---衰减电阻r(th---Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间、对决定任用的干部,由党委(党组)指定专人同本人tg---电路换向关断时间12Tj---和不同领导职务的职责要求,全面考察其德能勤绩廉toff---。

tr---上升时间13、民主推荐包括反向恢复时间ts---存储时间和温度补偿二极管的贮成温度p---发光峰值波长△λη---15、考察中了解到的考察对象的表现情况,一般由考察组向VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降(正向峰值电压)、正向压降(正向直流电压)△政府、断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---17、人民代表大会的临时党组织、人大常委会党组和人大常委会组成人员及人大代表中的党员,应当认真贯彻党委推荐意见VGRM---门极反向峰值电压,带头(AV履行职责交流输入电压最大输出平均电压C 和国家有关法律、法规制定的。

中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压(反向直流电压)反向峰值电压(最高测试电压)V2、参照执行《党政领导干部选拔任用工作条例》有关规定的单位有击穿电压CD Vth---阀电压(门限电压)反向重复峰值电压(反向浪涌电压)VRWM---反向工作峰值电压社团组织V v---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量3、在年度考核、干部考察中,民主测评不称职票超过(A)二、双极型晶体管参数符号及其意义Cc---集电极电容Ccb---集电极与基极间电容发射极接地输出电容Ci---输入电容共基极输入电容Cie--- B考察材料 C证明材料共发射极开路输入电容Cn---中和电容(外电路参数)输出电容Cob---共基极输出电容。

在基极电路中,集电极与基极间输出电容Coe---共发射极输出电容Coeo---共发射极开路输出电容Cre---共发射极反馈电容Cic---集电结势垒电容CL---负载电容(外电路参数)Cp---并联电容(外电路参数)BVcbo---发射极开路,集电极与基极间击穿电压BVceo---基极开路,CE结击穿电压BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压BV cer---基极与发射极串接一电阻,CE结击穿电压D---占空比fT---特征频率fmax---最高振荡频率。

当三极管功率增益等于1时的工作频率hFE---多于hIE---共发射极静态输入阻抗hOE---共发射极静态输出电导h RE---7、党政领导干部交流的重点是 AB 的领导成员,hre---共发射极小信号开路电压反馈系数A地方党委共发射极小信号开路输出导纳IB---基极直流电流或交流电流的平均值Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值IE---发射极直流电流或交流电流的平均值Icbo---基极接地,发射极对地开路,在规定的 VCB 反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo--- 发射极接地,基极对地开路,在规定的反向电压 VCE 条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流Iebo---基极接地,集电极对地开路,在规定的反向电压VEB条件下,发射极与基极之间的反向截止电流Icer---基极与发射极间串联电阻R,集电极与发射极间的电压VCE为规定值时,集电极与发射极之间的反向截止电流A一年以上 BIcex---发射极接地,基极与发射极间加指定偏压,在规定的反向偏压VCE下,集电极与发射极之间的反向截止电流ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。

IBM---ICMP--- ISB---IAGC---正向自动控制电流Pc---集电极耗散功率PCM---集电极最大允许耗散功率Pi---输入功率Po---输出功率Posc---振荡功率Pn---噪声功率Ptot---ESB---二次击穿能量rbb'---基区扩展电阻(基区本征电阻)rbb'Cc---基极-集电极时间常数,即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积rie---发射极接地,交流输出短路时的输入电阻roe---发射极接地,在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻RE---外接发射极电阻(外电路参数)RB---外接基极电阻(外电路参数)12、因工作能力较弱或者其他原因不适宜担任现职的,应当Rc ---外接集电极电阻(外电路参数)RBE---外接基极-A同级交流 B降职使用 C责令辞职热阻Ta---环境温度Tc---管壳温度Ts---结温Tjm---最大允许结温Tstg---贮存温度td----延迟时间tr---上升时间ts---存贮时间tf---。

toff---A党管干部的原则 B公开选拔的原则 C民主集中制的原则 D发射极(直流)电压VBE---基极发射极(直流)电压VCBO---基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压VEBO---基极接地,集电极对地开路,发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压党政主要领导的意见 BVCER---发射极接地,基极与发射极间串接电阻R,集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压DVCES---发射极接地,基极对地短路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压16、党政领导干部任职回避的亲属关系为 ABCD。

A夫妻关系近姻亲关系VEE---发射极(直流)电源电压(外电路参数)VCE(sat---发射极接地,规定17、辞职包括-发射极间饱和压降VBE(sat---发射极接地,规定Ic、IB条件下,基极-发射极饱和压降(前向压降)VAGC---正向自动增益控制电压Vn(p-p---18、提拔担任县(处)级以上党政领导职务的,应当具备的资格其中有 Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容C大学专科以上文化程度 Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容A不准泄露酝酿、讨论干部任免的情况 CTC---电容温度系数C标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压21、选拔任用党政领导干部,必须坚持的六条原则中,除了任人唯贤、德才兼备原则;群众公认、注重实绩原则;公开、平等、竞争、择优原则;民主集中制原则;依法办事原则等以外,还有一条是( B 。

A、效率优先原则 B、党管干部原则IM)22、考察党政领导职务拟任人选,必须依据干部选拔任用条件和不同领导职务的职责要求,全面考察其( C 。

A、政治立场和工作表现 C、德、能、勤、绩、廉,注重考察工作实绩IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov---IL---B、地方党委、政府工作部门的领导成员或者其人选,党政机关内设机构的领导成员或者其人选,以及其他适于公开选拔、竞争上岗的领导职务暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流A、大学专科IR(AV)---反向平均电流IR(In)---1、提任县(处)级以上领导职务的,由下级正职提任上级副职,一般要在下级正职岗位上工作两年以上。

( ×)IRR---2、考察组由三名以上成员组成,考察组成员对考察材料负责。

( ×)3、同一地方(部门)的党政正职一般可以同时易地交流。

(Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。

测试反向电参数时,给定的反向电流)4、责令辞职,是指党委(党组)及组织(人事)部门,根据党政领导干部在任职期间的表现,认定其已不再适合担任现职的,通过一定程序责令其辞去现任领导职务,拒不辞职的,应免去现职。

(IOM---最大正向(整流)电流。

在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---5IZM--- iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---√7、选拔任用党政领导干部,必须坚持六条原则;党政领导干部应当具备六项基本条件;提拔担任党政领导职务的应当具备七项任职资格。

(√ f---频率8、由党委推荐、人民代表大会选举的领导干部人选落选后,根据工作需要和本人条件,可以推荐为其他职务人选,但不能再次推荐为同一职务人选。

( ×)δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率10PB---承受脉冲烧毁功率PFT(AV四、简答题(每题分,共20分):正向峰值耗散功率、公开选拔、竞争上岗应当经过的程序有哪些?正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PM---额定功率。

硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率。

在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率RF(r)---正向微分电阻。

在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。

在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rs(rs----串联电阻Rth----热阻R(thja----结到环境的热阻Rz(ru---动态电阻R(thjc---结到壳的热阻r δ---衰减电阻r(th---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---最高结温ton---开通时间toff---关断时间tr---上升时间trr---反向恢复时间ts---存储时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度a---温度系数λp---发光峰值波长△λ---光谱半宽度η---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降(正向峰值电压)VF---正向压降(正向直流电压)△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VF(AV)---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压(反向直流电压)VRM---反向峰值电压(最高测试电压)V(BR)---击穿电压Vth---阀电压(门限电压)VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压)VRWM---反向工作峰值电压V v---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数Vk---膝点电压(稳流二极管)VL ---极限电压Vk---膝点电压(稳流二极管)VL ---极限电压三、场效应管参数符号意义Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流上升率(外电路参数)dv/dt---电压上升率(外电路参数)ID---漏极电流(直流)IDM---漏极脉冲电流ID(on---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流(射频功率管)IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时,漏极电流IDS(sat---沟道饱和电流(漏源饱和电流)IG---栅极电流(直流)IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时,截止栅电流IGSO---漏极开路时,截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数)gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感(外电路参数)LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on---漏源通态电阻rDS(of---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻(外电路参数)RL---负载电阻(外电路参数)R(thjc---结壳热阻R(thja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值(外电路参数)to(on---开通延迟时间td(off---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压(直流)VGS---栅源电压(直流)VGSF--正向栅源电压(直流)VGSR---反向栅源电压(直流)VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数)VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数)Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数)VGS(th---开启电压或阀电压V(BR)DSS---漏源击穿电压V(BR)GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on---漏源通态电压VDS(sat---漏源饱和电压VGD---栅漏电压(直流)Vsu---源衬底电压(直流)VDu---漏衬底电压(直流)VGu---栅衬底电压(直流)Zo---驱动源内阻η---漏极效率(射频功率管)Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数。

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