模拟电子技术习题集(一)
模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1
习 题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。
若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ，分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。
解：当K 250=T 时，有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ，同理，当K 300=T 时，有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ，当K 350=T 时，有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n ， 当掺入施主杂质后，电子浓度：d N n =，空穴浓度：n n p 2i =，当K 250=T 时，317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p ， 当K 300=T 时，317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p ， 当K 350=T 时，317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。
题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ，316d cm 10=N ，求K 300=T 时PN 结的内建电位差。
解：)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ， 当K 300=T 时，mV 26T =U ，310i cm 1043.1⨯=n ,代入得：76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。
题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ，当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少？由计算结果说明伏安特性的特点。
解：根据PN 结方程，流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ，6S 10−=I A ，26T =U mV ，2.01=U V 时，3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ，36.02=U V 时，03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ，4.03=U V 时，8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ，2.04−=U V 时，04=I ，反向截止， 36.05−=U V 时，05=I ，反向截止， 4.06−=U V 时，06=I ，反向截止，由此可见，PN 结外加正向电压时，斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。
电路与模拟电子技术习题集(模拟电子技术部分)答案1.
洛阳理工学院 模拟电子技术 试卷（总）一、单选题1. 杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（B ）。
A.温度；B.杂质浓度；C.电子空穴对数目；D 其它 2. 稳压二极管稳压时应工作在（C ）状态。
A ．正向导通；B ．反向截止；C ．反向电击穿 ；D ．反向热击穿3. N 型半导体是在本征半导体中掺入（C ）；P 型半导体是在本征半导体中掺入（A ）。
A.三价元素，如硼等； B.四价元素，如锗等；C.五价元素，如磷等4.PN 结加正向电压时，有（A ）形成电流，其耗尽层（D ）；加反向电压时，由（B ）形成电流，其耗尽层（C ）。
A.扩散运动； B.漂移运动； C. 变宽； D.变窄5.当温度升高时，二极管的反向饱和电流（A ）。
A.增大； B.不变； C.减小6.一个平衡PN 结，用导线将P 区和N 区连起来，而导线中（ B ）。
A.有微弱电流B.无电流C.有瞬间微弱电流 7.晶体管在大电流工作时，随Ic 的增加β值将（ B ）。
A.增加； B.下降； C.不变8.某三极管各电极电位如图1.1所示，由此可判断该三极管处于（A ）。
A ．放大状态B ．截止状态C ．饱和状态 9. 双极型三极管用于放大时，应使（B ）。
A ．发射结正偏、集电结反偏；B ．发射结、集电结均正偏；C ．发射结反偏、集电结正偏；D ．发射结、集电结均反偏10. 共射放大电路输出电压出现饱和失真时，是由于（B ）造成的。
A ．静态工作点过低； B.静态工作点过高； C.信号频率过高； D.信号频率过低11．共射、共基、共集三种组态放大电路中，既有电压放大作用，又有电流放大作用的是（A ）组态。
A ．共射； B. 共基； C. 共集； D.三种都是12. 测得NPN 型三极管各电极对地的电位分别为V e =2.1V ，V b =2.8V ，V c =4.4V ，说明此三极管工作在（A ）。
A ．放大区；B ．饱和区；C ．截止区；D ．反向击穿区 13. 下列放大电路输入电阻高、输出电阻低的是（B ）。
《模拟电子技术基础》习题课1-2章-概念
三种组态为：BJT的共射、共基、共集 FET的共源、共栅、共漏
BJT
FET
差放
共射 共射 共集 共基 共源 共漏 共栅 差模 共模 （带反馈Re）
微变等效电路
p74
Ri
Ro
Av
15
模拟电路习题课（一）
共射小信号（微变）等效分析 输入电阻、输出电阻和增益
Ri
vi ii
rbe // Rb
Av
vo vi
(1 1)R'L rbe (1 1)R'L
1
R'o
rbe
1 1
//
rce1
rbe
1 1
Ro R'o // ro2 R'o
共集放大器的Ri比共射大很多
电压放大倍数接近于1（小于1）因此称为射随器
共集放大器的Ro比共射的小很多
17
模拟电路习题课（一）
共基小信号（微变）等效分析
R'i
U
反向击穿 电压VBR
2
二极管的电阻
模拟电路习题课（一）
直流等效电阻 RD：
RD
VD ID
交流（动态）电阻 rd：
rd
(
diD dvD
)Q1
2vd 2id
rd
(
diD dvD
)Q1
VT ID
3
模拟电路习题课（一）
共射（共E）BJT工作原理
以发射极（E极）作为公共端，EB结正偏，CB结反偏。
iC
参见 P12 图1.3.4
7
3. 饱和区
vCE<vBE vCB<0
4
集电结正偏
电子技术基础(模拟部分)习题答案
一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。
2.在下述电路中，能使二极管导通的电路是a。
3.在电路管、Ve=0.6V、Vc=5V，则该三极管处于放大工作状态。
4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β，衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。
5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds＞U GS（OFF）__，它的截止条件为__ u Gs≤U GS（OFF）__。
6.在基本OCL功放电路中，设电源电压为±15V，负载电阻R L=8Ω，则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W，理想效率为78.5%_。
7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路，在实际电路中，经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。
8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路，其主要目的是抑制0点漂移。
９.为了稳定放大电路的静态工作点，可以引入直流负反馈_，为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。
10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。
要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_，相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。
11.在放大电路的设计中，主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。
此外，利用这种反馈，还可增加增益的恒定性，减少非线性失真，抑制噪声，扩展频带以及控制输入和输出阻抗，所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。
11.Ｎ型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的，多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
12.半导体PN结具有单相导电性特性。
13.在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V，14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。
15.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_；共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。
16.设计一个负反馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入电压负反馈；若要稳定输出电流，应引入电流负反馈；若要增加输入电阻，应引入串联负反馈。
模拟电子技术第一章习题
间必须连接 。
14.若两个输入信号电压的大小 ，极性 ，就称为共模输入信号。
15．为消除乙类功放的交越失真，给BJT发射结加一定的 偏压，使Q点上移，摆脱电压的影响。
这时，电路工作在 状态。
16．互补对称功放采用 类型的两个BJT组成推挽输出器，在输入交流信号作用下，两管 工作，为使输出电压波形对称，要求两管的性能 。
17 . 简单的差分放大器双端输出时，对 信号有较强的抑制能力 , 而对 信号有较强的放大作用。
18. 零点漂移产生的因素很多，其中以 变化所引起的漂移最为严重。
19.OCL甲乙类功放电路的最大效率可达_________。
20.某差动放大期电路两输入端的信号为ui1=12mV，ui2=4mV，差模电压放大倍数为Aud=-75，共模电压放大倍数为Auc=-0.5，则输出电压u0为_________。
二、选择题1.晶体二极管具有___________特性。
A.单向导电B.集电极电压饱和C.双向导电D.集电极电流截止2.二极管两端加上正向电压后有一段"死区电压"。
锗管为______V伏）。
A.0B.0.3C.0.4D.0.73.二极管两端加上正向电压后有一段"死区电压"。
硅管为____V（伏）。
A.0B.0.3C.0.4D.0.74.锗二极管的死区电压为（ ）V。
A.0.5B.0.2C.0.35.PN结外加反向电压时，其内电场（ ）。
A.减弱B.不变 B.增强6.PN结外加正向电压时，其空间电荷区（ ）。
A.不变B.变宽C.变窄7．在检修电子线路时，设管子为NPN型，如果测得U CE=E C V，则说明管子工作在（ ）状态。
A、截止区B、饱和区C、放大区D、过损耗区8．NPN管工作在放大区时，三个极的电位特征是（ ）。
A.VC＞VB＞VEB.VC＜VB＜VEC.VE＜VB＞VCD.VE＞VB＜VC9．PN结在外加正向电压的作用下，扩散电流（ ）漂移电流。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子技术习题答案1
模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2第一章 绪论一、填空题：1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。
10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。
13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。
14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。
二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A10V 50pA 10mV 5001011i o r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
《模拟电子技术基础》习题册
第一章：基本放大电路习题1-1 填空：1．本征半导体是，其载流子是和。
载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，它的两个主要参数是和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性三极管的β将，反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。
11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。
13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。
D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O 1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-21-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。
( )a ( )b( )c图1-31-5 放大电路如图1-5所示，试选择以下三种情形之一填空。
a ：增大、b ：减小、c ：不变（包括基本不变） 1．要使静态工作电流I c 减小，则R b2应 。
2．R b2在适当范围内增大，则电压放大倍数 ，输入电阻 ，输出电阻 。
模拟电子技术第一章 习题与答案
第一章习题与答案1.什么是PN结的偏置？PN结正向偏置与反向偏置时各有什么特点？答：二极管（PN结）阳极接电源正极，阴极接电源负极，这种情况称二极管正向偏置，简称正偏，此时二极管处于导通状态，流过二极管电流称作正向电流。
二极管阳极接电源负极，阴极接正极，二极管处于反向偏置，简称反偏，此时二极管处于截止状态，流过二极管电流称为反向饱和电流。
把二极管正向偏置导通、反向偏置截止的这种特性称之为单向导电性。
2.锗二极管与硅二极管的死区电压、正向压降、反向饱和电流各为多少？答：锗管死区电压约为0.1V，硅管死区电压约为0.5V。
硅二极管的正向压降约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3V。
硅管的反向电流比锗管小，硅管约为1uA，锗管可达几百uA。
3.为什么二极管可以当作一个开关来使用？答：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。
4.普通二极管与稳压管有何异同？普通二极管有稳压性能吗？答：普通二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是加反向电压击穿后，其两端的电压基本保持不变。
而普通二极管反向击穿后就损坏了。
这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。
因此，普通二极管在未击穿的条件下具有稳压性能。
5.选用二极管时主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？答：正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。
正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。
最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。
反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。
正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值。
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V =10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V，试求： ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
模拟电子技术基础部分练习题含答案
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
新版模拟电子技术 部分参考答案(一)
习 题 11.1． 当负载开路（R L =∞）时测得放大电路的输出电压o u'=2V ；当输出端接入R L =5.1kΩ的负载时，输出电压下降为u o =1. 2V ，求放大电路的输出电阻R o 。
解：'L o o L o R u u R R =•+，'o o(1) 3.4k o L u R R u =-=Ω 1.2 当在放大电路的输入端接入电压 u s =15mV ，内阻 R s =1k Ω的信号源时，测得电路的输入端的电压为 u i =10mV ，求放大电路的输入电阻 R i 。
解：ii s i s R u u R R =•+， ∴()2k i i s s iu R R u u ==Ω-1.3 当在电压放大电路的输入端接入电压 u s =15mV ，内阻 R s = 1k Ω的信号源时，测得电路的输入端的电压为 u i =10mV ；放大电路输出端接 R L = 3k Ω的负载，测得输出电压为u o =1.5V ，试计算该放大电路的电压增益 A u 和电流增益 A i ，并分别用 d B （分贝）表示。
解：oi150u u A u ==，dB A dB A u u 5.43lg 20)(== 100()o o Li i s i sI u R A I u u R ===-，dB A dB A i i 40lg 20)(== 1.4 某放大电路的幅频响应特性曲线如图1.1所示，试求电路的中频增益A um 、下限截止频率f L 、上限截止频率f H 和通频带f BW 。
解：dB dB A um 40)(= ∴100=umAHz f H 510= Hz f L 20= ∴Hz f f f f H L H BW 510=≈-=图1.1 习题1.4电路图 图1.2 习题1.5电路图1.5 电路如图1.2所示，已知：当输入电压为0.4V 时，要求输出电压为4V 。
试求解R 1和R 2的阻值。
《模拟电子技术》练习题
《模拟电子技术》练习题一一、选择题1、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率2、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。
A U-=U+B I-=I+=0C Uo=UiD Au=13、如果希望提高某放大器的输入电阻和增强其带负载能力，则应当选用( )。
A 电流并联负反馈B 电流串联负反馈C 电压并联负反馈D电压串联负反馈4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真，下半周失真时为（）失真。
A、饱和B、截止C、交越D、频率5、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。
A、压串负B、流串负C、压并负6、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。
A、电压B、电流C、串联7、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。
A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号8、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C( )u B( )u E。
A >B <C =D ≤9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的( )。
A 大B 小C 相等10、二极管两端电压大于( )电压时，二极管才导通。
A 击穿电压B 死区C 饱和11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流( )。
A增大 B减小 C不变 D无法判定12、如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。
A放大状态 B 截止状态 C饱和状态 D 不能确定。
13、晶体三极管是( )控制型器件。
A 电流控制电流源B电流控制电压源C电压控制电流源D电压控制电压源14、晶体二极管用于放大时，使其发射结、集电结处于( )。
A 发射结正偏、集电结正偏B发射结正偏、集电结反偏C 发射结反偏、集电结正偏D发射结反偏、集电结反偏15、要提高放大器的输入电阻及减小输出电阻，应采用( )负反馈放大电路。
A．电流并联B电压并联C电流串联 D电压串联16、空穴为少子的半导体称为( )。
大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(一)
大学《模拟电子技术》复习题及答案一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况B R L 开路C C 开路D 一个二极管和C 开路E 一个二极管开路F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子技术习题集
第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
（）（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。
A. ISeUB.C.（3）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。
图T1.3解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，UO6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。
求图T1.4所示电路xxUO1和UO2各为多少伏。
图T1.4解：UO1＝6V，UO2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。
图T1.5解图T1.5解：根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将各点xx曲线，即为临界过损耗线，如解图T1.5所示。
《模拟电子技术》练习题
《模拟电子技术》练习题一一、选择题1、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率2、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。
A U-=U+B I-=I+=0C Uo=UiD Au=13、如果希望提高某放大器的输入电阻和增强其带负载能力，则应当选用( )。
A 电流并联负反馈B 电流串联负反馈C 电压并联负反馈D电压串联负反馈4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真，下半周失真时为（）失真。
A、饱和B、截止C、交越D、频率5、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。
A、压串负B、流串负C、压并负6、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。
A、电压B、电流C、串联7、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。
A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号8、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C( )u B( )u E。
A >B <C =D ≤9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的( )。
A 大B 小C 相等10、二极管两端电压大于( )电压时，二极管才导通。
A 击穿电压B 死区C 饱和11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流( )。
A增大 B减小 C不变 D无法判定12、如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。
A放大状态 B 截止状态 C饱和状态 D 不能确定。
13、晶体三极管是( )控制型器件。
A 电流控制电流源B电流控制电压源C电压控制电流源D电压控制电压源14、晶体二极管用于放大时，使其发射结、集电结处于( )。
A 发射结正偏、集电结正偏B发射结正偏、集电结反偏C 发射结反偏、集电结正偏D发射结反偏、集电结反偏15、要提高放大器的输入电阻及减小输出电阻，应采用( )负反馈放大电路。
A．电流并联 B电压并联 C电流串联 D电压串联16、空穴为少子的半导体称为( )。
模拟电子技术习题答案
模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2第一章 绪论一、填空题：1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。
10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。
13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。
14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。
二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A10V50pA 10mV 5001011i o r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
模拟电子技术课程习题 第一章 常用半导体器件
第一章 常用半导体器件1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是[ ]A.NPN 型硅管B.PNP 型硅管 C.NPN 型锗管 图D. PNP 型锗管 1.3V b1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[ ]A. 饱和B. 放大C. 截止 图1.2D. 已损坏1.3 在如图1.3所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。
若把电源电压调整到V=10V ，则电流的大小将是 [ ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定图1.31.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V 不变。
当温度为20O C 时测得二极管的电压U D =0.7V 。
当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是[ ]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC. 小于0.7VD.不能确定图1.41.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 [ ]A.I CBOB.I CESC.I CERD.I CEO1.7二极管的主要特性是 [ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.9 下列选项中，不属三极管的参数是[ ]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM1.10 温度升高时，三极管的β值将A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.11 在N型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大1.13 在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ]A. 0.1 mAB. 2.5mAC. 5mAD. 15 mA图 1.131.14 在P型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是[ ]A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；C 场效应管工作时多子、少子均参与导电；D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。
模拟电子技术习题集
第一部分电子技术第一章数字电路一、判断题（√）1、逻辑运算中,能把所有可能条件组合及其结果—-对应列出的表格称为真值表。
（√)2、带有放大环节的稳压电源其放大环节的放大倍数越大，输出电压越稳定。
（√)3、逻辑电路中的与门和或门是相对的，即正与门就是负或门，正或门就是负与门。
（√）4、单稳态电路输出脉冲宽度取决于充电电容的大小.（√)5、与非门的多余端不允许接地。
（×）6、用偶数个与非门首尾相接可组成环形多谐振荡器.(√)7、凡具有两个稳定状态的器件都可构成二进制计数器.(×）8、TTL与非门输入端同时悬空时，相当于输入端不加电平,故输出为高电平。
(√）9、使用TTL数字集成电路时,电源电压极性不能接反,其额定值为5V。
（×）10、若一个异或门的两个输入端的电平相同，即同为高电平或同为低电平，则输出为高电平。
（√）11、异步计数器各个触发器之间的翻转是不同步的，与CP脉冲也是不同步的. (√)12、要将变化缓慢的电压信号整形成脉冲信号,应采用施密特触发器.（×）13、将尖顶波变换成与它对应的等宽的脉冲，应采用单稳态触发器。
（×）14、TTL数字集成电路中，或门不使用的输入端接高电平。
(√)15、环形计数器实际上是一个自循环的移位寄存器。
（√)16、一个触发器可以存储一位二进制代码，用N个触发器就可以存储N位二进制代码。
(√）17、用二进制代码表示具有某种含义的信息称为编码。
在数字电路中，能实现编码功能的电路称编码器。
（×)18、主一从J－K触发器的输出状态中有土个是不确定的状态。
（×)19、寄存器存放数码的串行方式是数码各位从各对应位输入端同时输入到寄存器中。
二、单项选择题l、具有记忆功能的电路是( D ）。
A：与非门B：异或门C：加法器D：触发器2、组合电路是由( B )组成的.A:存储电路B：门电路C:逻辑电路D：数字电路3、下列逻辑电路错误的是( B ）。
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模拟电子技术习题集（一）
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第一章常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在n型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为p
型半导体。
（）
（2）因为n型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）（3）pn结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rgs大的特点。
（）
（6）若耗尽型n沟道mos管的ugs大于零，则其输入电阻会明显变小。
（）
解：（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×
二、选择正确答案填入空内。
（1）pn结加正向电压时，空间电荷区将。
A.变窄b.基本不变c.变宽（2）设二极管的端电压为u，则二极管的电流方程是。
A.Iseub.IseuuTc.Is(euuT－1)
（3）稳压管的稳压区是其工作在。
A.正向导通b.反向截止c.反向击穿
（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A.前者反偏、后者也反偏b.前者正偏、后者反偏c.前者正偏、后者也正偏
（5）ugs＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A.结型管b.增强型mos管c.耗尽型mos管解：（1）A（2）c（3）c（4）b（5）Ac
第一章题解－1
三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压uD＝0.7V。
图T1.3
解：uo1≈1.3V，uo2＝0，uo3≈－1.3V，uo4≈2V，uo5≈1.3V，uo6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值uZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。
求图T1.4所示电路中uo1和uo2各为多少伏。
图T1.4
解：uo1＝6V，uo2＝5V。
第一章题解－2
五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率pcm＝200mw，试画出它的过损耗区。
图T1.5解图T1.5
解：根据pcm＝200mw可得：uce＝40V时Ic＝5mA，uce＝30V 时Ic≈6.67mA，uce＝20V时Ic＝10mA，uce＝10V时Ic＝20mA，将各
点连接成曲线，即为临界过损耗线，如解图T1.5所示。
临界过损耗线的左边为过损耗区。
六、电路如图T1.6所示，Vcc＝15V，β＝100，ube＝0.7V。
试问：（1）Rb＝50kΩ时，uo＝？（2）若T临界饱和，则Rb≈？解：（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为Ib?
Vbb?ube?26μARbIc??Ib?2.6mAuce?Vcc?IcRc?2V
所以输出电压uo＝uce＝2V。
图T1.6（2）设临界饱和时uces＝ube＝0.7V，所以
Ic?Ib?Vcc?uces?2.86mARcIc??28.6?A
Rb?Vbb?ube?45.4k?Ib第一章题解－3
七．测得某放大电路中三个mos管的三个电极的电位如表T1.7所示，它们的开启电压也在表中。
试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。
表T1.7
管号T1T2T3
解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型mos管。
根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表T1.7所示。
解表T1.7
管号T1T2T3
ugs（th）/V4－4－4us/V－536ug/V130uD/V3105工作状态恒流区
截止区可变电阻区ugs（th）/V4－4－4us/V－536ug/V130uD/V3105工作状态习题
1.1选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成n型半导体，加入元素可形成p型半导体。
A.五价b.四价c.三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A.增大b.不变c.减小
（3）工作在放大区的某三极管，如果当Ib从12μA增大到22μA 时，Ic从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A.83b.91c.100
（4）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将。
A.增大b.不变c.减小解：（1）A，c（2）A（3）c（4）A
第一章题解－4
1.2能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。
1.3电路如图p1.3所示，已知ui＝10sinωt(v)，试画出ui与uo的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图p1.3
解图p1.3
解：ui和uo的波形如解图p1.3所示。
1.4电路如图p1.4所示，已知ui＝5sinωt(V)，二极管导通电压uD ＝0.7V。
试画出ui与uo的波形，并标出幅值。
图p1.4
解图p1.4
解：波形如解图p1.4所示。
第一章题解－5
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