电子材料物理第四章
材料物理性能-_磁学性能
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4. 磁感应强度和磁导率(P133) 材料在磁场强度为 H 的外加磁场(直流、交变或脉冲磁 场)作用下,会在材料内部产生一定的磁通量密度,称其为 磁感应强度B,即在强度为H的磁场中被磁化后,物质内磁场 强度的大小。 在真空中,磁感应强度为:
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二、技术磁化(P154)
对未经外磁场磁化的 ( 或处于退磁状态的 ) 铁磁体,它们 在宏观上并不显示磁性,这说明物质内部各部分的自发磁化 强度的取向是杂乱的。因而物质的磁畴决不会是单畴,而是
由许多小磁畴组成的。
技术磁化:在外磁场作用下,铁磁体从完全退磁状态磁化到 饱和的内部变化过程。
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铁磁体在外磁场中的磁化过程主要为畴壁的 移动和磁畴内磁矩的转向。
因而自发磁化强度降低,铁磁性消失。这一温度称为居里 点Tc。在居里点以上,材料表现为顺磁性。
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4. 反铁磁性和亚铁磁性(P132、P144) 如果交换积分 A<0时,则原于磁矩取反向平行排列能量最 低。如果相邻原子磁矩相等,由于原子磁矩反平行排列,原
子磁矩相互抵消,自发磁化强度等于零。这样一种特性称为
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磁学与电学基本物理量的比较 电学物理量 (单位) 磁学物理量 (单位)
J E P 0E
电流强度 I (A)
磁通量 Ф (Wb)
电流密度 J (A/m2)
电场强度 E (V/m)
磁通密度 B (Wb/m2)
磁场强度 H (A/m)
B H M H
r 1
电导率σ (Ω-1· m-1)
B0 0 H
式中μ0为真空磁导率
0 4 107 H / m
《材料物理性能》课后习题答案
《材料物理性能》第一章材料的力学性能1-1一圆杆的直径为2.5 mm 、长度为25cm 并受到4500N 的轴向拉力,若直径拉细至2.4mm ,且拉伸变形后圆杆的体积不变,求在此拉力下的真应力、真应变、名义应力和名义应变,并比较讨论这些计算结果。
解:由计算结果可知:真应力大于名义应力,真应变小于名义应变。
1-5一陶瓷含体积百分比为95%的Al 2O 3 (E = 380 GPa)和5%的玻璃相(E = 84 GPa),试计算其上限和下限弹性模量。
若该陶瓷含有5 %的气孔,再估算其上限和下限弹性模量。
解:令E 1=380GPa,E 2=84GPa,V 1=0.95,V 2=0.05。
则有当该陶瓷含有5%的气孔时,将P=0.05代入经验计算公式E=E 0(1-1.9P+0.9P 2)可得,其上、下限弹性模量分别变为331.3 GPa 和293.1 GPa 。
0816.04.25.2ln ln ln 22001====A A l l T ε真应变)(91710909.4450060MPa A F =⨯==-σ名义应力0851.0100=-=∆=AA l l ε名义应变)(99510524.445006MPa A F T =⨯==-σ真应力)(2.36505.08495.03802211GPa V E V E E H =⨯+⨯=+=上限弹性模量)(1.323)8405.038095.0()(112211GPa E V E V E L =+=+=--下限弹性模量1 / 101-6试分别画出应力松弛和应变蠕变与时间的关系示意图,并算出t = 0,t = ∞ 和t = τ时的纵坐标表达式。
解:Maxwell 模型可以较好地模拟应力松弛过程:V oigt 模型可以较好地模拟应变蠕变过程:以上两种模型所描述的是最简单的情况,事实上由于材料力学性能的复杂性,我们会用到用多个弹簧和多个黏壶通过串并联组合而成的复杂模型。
材料物理
3、如电子占据某一能级的几率是1/4,另一能级被占据的几率为3/4,分别计算两个能级的能量比费米能级高出多少kT ?11()ln[1]()exp[]1()1/4ln 3,()3/4ln 3F F F F f E E E kT E E f E kTf E E E kT f E E E kT =⇒-=--+=-=⋅=-=-⋅解:由将代入得将代入得4、自由电子近似和近自由电子近似有哪些区别?P15答:自由电子近似下的E-K 关系有()222222h E K K m m λ== 为抛物线。
在近自由电子近似下,对应于许多K 值,这种关系仍然成立;但对于另一些K 值,能量E 与这种平方关系相差许多。
特别是在某些K 值,能量E 发生突变,即在K=±n π/a 处能量E=En ±|Un|不再是准连续的,电子占满En-|Un|的能级后只能占据En+|Un|的能级,两个能级之间的能带是禁止的。
5、何谓状态密度?三维晶体中自由电子的状态密度与电子能量是何种关系?答:自由电子的能级密度亦称为状态密度,即单位能量范围内所容纳的自由电子数。
关系:三维晶体能级为E 及其以下的能级状态总数为Z(E)=CE1/2,式中C=4πV(2m)3/2/h3 为常数,即能级密度与E 的平方根成正比。
第二章 材料的晶态结构1、三种典型晶胞,符号,原子数,配位数,致密度。
面心立方:fcc ,4,12,74%。
体心立方:bcc ,2,8,68%。
密排六方:hcp ,6,12,74%。
2、如何从X 射线衍射谱中区分非晶体和晶体?P30答:晶体的X 射线衍射强度在特定角度出现数个尖锐的衍射峰,即在满足布拉格条件2dsin =λ的角度有强衍射峰。
非晶体不会在特定角度产生满足布拉格条件的衍射峰,产生的衍射峰较宽,且其衍射强度比晶体的最强衍射峰弱得多。
从X 射线衍射区别可见晶体是长程有序结构,而非晶体是长程无序、短程有序结构。
3、简述薄膜形核的过程和长大的过程。
第四章热电器件
RLT
M 12 RLW0
(Ri RL )G
(7)
(7)式中, W0为入射辐射能量(W); α为金箔的吸收系数; Ri为热电偶的内阻; M12为热电偶的温差电势率; G为总热导(W/m℃)。
若入射辐射为交流辐射信号
W W0e jt
则产生的交流信号电压为
UL
(Ri
M 12 RLW0 RL )G 1 2T 2
开路电压UOC与入射辐射使金箔产 生的温升ΔT的关系为
UOC=M12ΔT
(6)
式中,M12为塞贝克常数,又称温差 电势率(V/℃)。
辐射热电偶在恒定辐射作用下,用
负 载 电 阻 RL 将 其 构 成 回 路 , 将 有 电 流I流过负载电阻,并产生电压降UL, 则
UL
M 12 (Ri RL )
(8)
式中,ω=2πf,f 为交流辐射的调制频率, τT为热电偶的时间常数,
T
RQCQ
CQ G
其中的RQ、CQ、G分别为热电偶的热阻、 热容和热导。
热导G与材料的性质及周围环境有关,为使 热电导稳定,常将热电偶封装在真空管中,
因此,通常称其为真空热电偶。
二、热电偶的基本特性参数
真空热电偶的基本特性参数为:
GQt
T t W0e CQ
W0e jt
(3)
GQ jCQ GQ jCQ
设 T
CQ GQ
RQCQ
为热敏器件的
热时间常数, R
1 GQ
称为热阻
热敏器件的热时间常数一般为毫
秒至秒的数量级,它与器件的大小、
形状、颜色等参数有关。
当时间 t >>τT时,(3)式中的第一项衰
减到可以忽略的程度,温度的变化
材料物理化学第四章 表面与界面
电动电位或ξ电位影响因素 ①.ζ -电位和双电层厚度有关,双电层越厚, ζ -电位越大。
②.阳离子浓度:阳离子浓度越大,扩散层压 缩,ζ -电位降低;
③阳离价态:电价越高,ζ -电位越小;同价 离子半径越大,ζ -电位越低; ④矿物组成,形状粒度。ζ -电位的大小顺序 为: H+<Al3+<Ba2+<Sr2+<Ca2+<Mg2+<NH4+<K+<Na+<Li+
属于这一类流动的主要有高聚合物的溶液、乳浊液、 淀粉、甲基纤维素等
(5)膨胀流动
这一类型的流动曲线是假 塑性的相反过程。流动曲线通 过原点并凹向剪应力轴如图(b) 所示。这些高浓度的细粒悬浮 液在搅动时好像变得比较粘稠, 而停止搅动后又恢复原来的流 动状态,它的特点是强度随切 变速率增加而增加。 属于这一类流动的一般是非塑性原料,如氧化铝、 石英粉的浆料等。
第四章 表面与界面
目的要求:
• 1. 理解表面功、比表面吉布斯函数、表面 张力的概念。 • 2. 理解润湿现象及弯曲液面的附加压力, 并掌握其计算。 • 3. 掌握分散度与蒸汽压的关系,能解释各 种介稳现象(过冷液体、过热液体、过饱 和蒸汽、过饱和溶液、微小晶体的溶解 度)。
• 4. 弄清毛细现象的成因。明确吸附的概念 及分类。了解主要吸附剂。 • 5.了解固体对气体的吸附量的表示。 理解 兰格缪尔吸附理论的要点,并掌握其吸附 方程式的运用。 • 6. 了解表面活性物质的概念和分类。 • 7. 了解表面活性剂的应用(去污作用、减 水作用、助磨作用、起泡作用)
同号离子相互交换, 离子以等当量交换, 交换和吸附是个可逆过程, 离子交换并不影响粘土本身结构等特点。
第四章材料的光学性能_材料物理
第四章材料的光学性能_材料物理第四章主要介绍材料的光学性能,包括传统光学性能和现代光学性能。
在本章中,我们将探讨材料的折射率、透过率、吸收率、反射率、透射率和散射率等光学性能,并深入了解这些性能对材料的应用和性能起到的影响。
首先,折射率是一个物质对光的折射能力的度量。
它表示光在通过一种介质时,光线的传播速度相对于真空中的传播速度的比值。
折射率越大,光线在介质中的传播速度越慢,同时也会使光线的传播方向发生变化。
折射率在光学器件的设计和制造中起着至关重要的作用,例如在光纤通信和光学透镜等领域。
透过率是指光线从一个介质传播到另一个介质时的透明程度。
透过率越高,介质光学效果越好。
材料的透过率取决于折射率和吸收率等因素。
在光学器件中,透过率是一个重要的性能指标,它决定了器件的光学传输效率和亮度。
吸收率是材料吸收光的能力。
当光线穿过材料时,一部分能量被材料所吸收,而另一部分则被材料所反射或透射。
吸收率对于材料的应用非常重要,特别是在光电子器件和光热器件中。
高吸收率的材料可以有效地将光能转化为电能或热能,以实现各种功能。
反射率是指光线从介质中的表面反射回来的能力。
反射率取决于入射角度和材料的折射率。
反射率高的材料适用于光学镜面和反射镜等应用,可以将光线有效地反射出去,而不是被吸收或透射。
透射率是指光线通过材料时传输的能力。
透射率在光学器件和材料中起着重要作用,尤其是在光纤传输和光学滤波器等应用中。
高透射率的材料可以有效地传输光线,减少能量损失。
散射率是指光线在碰撞或与材料表面相互作用时发生方向改变的能力。
散射率对于材料的外观和质量也有很大影响,尤其是在透明材料和杂质掺杂材料中。
控制散射率可以改善材料的光学性能,使其更适用于各种应用。
总之,材料的光学性能对于很多应用至关重要。
通过理解和控制材料的折射率、透过率、吸收率、反射率、透射率和散射率等光学性能,我们可以设计和制造出更好的光学器件和材料,满足不同领域的需求。
材料物理化学 第四章 晶体的点缺陷与线缺陷 习题
此非化学计量化合物的组成为: Fe 已知:Fe3+/Fe2+=0.1 则: ∴ α = 0.044 ∴x=2α+(1-3α)=1-α=0.956 又:∵[V
3+
Fe
O
]=α = 0.044
正常格点数 N=1+x=1+0.956=1.956
∴空位浓度为
9、非化学计量氧化物 TiO2-x 的制备强烈依赖于氧分压和温度:(a)试列出其 缺陷反应式。(b)求其缺陷浓度表达式。 解:非化学计量氧化物 TiO2-x,其晶格缺陷属于负离子缺位而使金属离子 过剩的类型。 (a)缺陷反应式为:2Ti Ti?/FONT> O2↑→2 OO→ + +3OO
由题意 △G=6ev=6× 1.602× 10-19=9.612× 10-19J K=1.38× 10-23 J/K T1=25+273=298K T2=1600+273=1873K 298K: exp =1.92× 10-51
1873K:
exp
=8× 10-9
(b)在 MgO 中加入百万分之一的 Al2O3 杂质,缺陷反应方程为:
CaCl2 中 Ca2+进入到 KCl 间隙中而形成点缺陷的反应式为: CaCl2 +2 +2ClCl
3、在缺陷反应方程式中,所谓位置平衡、电中性、质量平衡是指什么? 解: 位置平衡是指在化合物 MaXb 中, M 格点数与 X 格点数保持正确的比例 关系,即 M:X=a:b。电中性是指在方程式两边应具有相同的有效电荷。质量 平衡是指方程式两边应保持物质质量的守恒。
其中 R=8.314J/mol· K =6.4× 10-3
当 T1=1000K 时,
自编教材第四章_材料的导电性能
第四章 材料的导电性能材料的导电性能是材料物理性能的重要组成部分,导体材料在电子及电力工业中得到广泛的应用,同时,表征材料导电性的电阻率是一种对组织结构敏感的参量,所以,可通过电阻分析来研究材料的相变。
本章主要讨论材料的导电机理,影响材料导电因素以及导电性能参数的测量和应用。
还对材料的超导电性能、热电性能以及半导体性能等作简要介绍。
第一节 材料的导电性一、 电阻与导电的基本概念当在材料的两端施加电压V 时,材料中有电流I 流过,这种现象称为导电,电流I 值可用欧姆定律表示,即I = RV (4-1) 式中:R 为材料电阻,其值不仅与材料的性质有关,而且还与其长度L 及截面积S 有关,因此R = ρSL (4-2) 式中:ρ称为电阻率,它在数值上等于单位长度和单位面积上导电体的电阻值,可写为 ρ = R L S(4-3)由于电阻率只与材料本性有关,而与导体的几何尺寸无关,因此评定材料导电性的基本参数是ρ而不是R 。
电阻率的单位为Ω· m (欧·米)。
在研究材料的导电性能时,还常用电导率σ,电导率σ为电阻率的倒数,即σ =1 (4-4) 电导率的单位为Ω-1· m -1。
式(4-3)和式(4-4)表明,ρ 愈小,σ 愈大,材料导电性能就越好。
根据导电性能的好坏,常把材料分为导体、半导体和绝缘体。
导体的ρ 值小于10-2 Ω· m ;绝缘体的ρ值大于1010Ω· m ;半导体的ρ值介于10-2 ~ 1010Ω· m 之间。
虽然物质都是由原子所构成的,但其导电能力相差很大,这种现象与是物质的结构与导电本质有关。
二、导电的物理特性1、载流子电流是电荷在空间的定向运动。
任何一种物质,只要有电流就意味着有带电粒子的定向运动,这些带电粒子称为载流子。
金属导体中的载流子是自由电子,无机材料中的载流子可以是电子(负电子、空穴)、离子(正、负离子,空位)。
载流子为离子或离子空穴的电导称为离子式电导,载流子为电子或电子空穴的电导称为电子式电导。
电子材料物理第四章
稳定,离子牢固的束缚在结点上-强联系离子。它们在电场作用下只能
产生弹性位移极化,也就是说极化质点仍束缚在原子平衡位置附近。
弱联系离子的极化可以从一个平衡位置到另一个平衡位置,去掉外电
场时,离子不能回到原来平衡位置,所以是一种不可逆的迁移。
离子电导:离子作远程迁移
离子松弛极化:离子只做有限距离的迁移,
dq p cosds 2r 2 p cos sin d dE dq 1 2 cos p cos sin d ( p方向投影) 2 4 0 r 2 0
1
E2
0
1 p 2 P cos sin d 2 0 3 0
E3的求解(对球体中有立 方对称的参数设置 E3 0) Eloc EOUT p p E1 E (洛仑兹关系) 3 0 3 0
电子松弛极化中,电子处于弱束缚状态,轨道变形比电子位移极化厉害的多,所以极化 作用也比电子位移极化强烈的多
(2)电子松弛极化与电导的区别
弱束缚电子与自由电子是不同的,不能自由运动只能做近程迁移 (3) 电子松弛极化主要是折射率大、结构紧密、内电场和电子电导大的电介
质的特性
(4)电子松弛极化的建立时间是10-2~10-9s
4 4 u 0 R 3 Eloc, e 0 R 3 3 3
量子理论:由量子力学 的二级微扰论可得:
e 2
j
p
2 0j
w j 0
e w2 j0 m j
2
fj
式中p0 j (0 e xi j ); w jo w j wo ( w为能量) ,
4.1.6 转向极化
电子材料物理部分参考答案.
(2)少量TiO2溶入ZnFe2O4, 高价的Ti4+取代Fe3+, 生成金 属不足置换固溶体。
(3)向ZnO晶体中固溶少量Al2O3 ,写出可能存在的缺陷 准化学反应方程式。
实际存在的可能性不大
低掺杂量
高掺杂量
第三章 作业题
1. 什么是霍尔效应?为什么可以利用霍尔效应检验材料是否 存在电子电导?并分析制作霍尔元件的材料为什么常采用N 型半导体? 2. ZrO2用做汽车氧传感器时,通常用来测量发动机空燃比。 请你查阅资料,阐述其工作原理并弄清目前发动机空燃比 达到多少时效果最佳。 3. TiO2在缺氧的气氛中易形成阴离子缺位,利用缺陷化学原 理,分析TiO2电导率与氧分压的关系。 P108 3.1 3.3 3.9 3.10
n
N 4 4 22 3 3 4 10 cm 8 3 V a 4.62 10
22 19 2
4 10 2 1.6 10 5 1012 nq 7 1 1 D 8.37 10 cm kT 1.38 1023 1500 273
AlZn VO
Cui
Mg Zr
答:Al3+占据Zn2+的位置,带有一个单位正电荷; 氧空位,带两个单位正电荷; Cu2+填隙,带两个单位正电荷; Mg2+占据Zr4+的位置,带两个单位负电荷。
3.写出下列过程中的缺陷反应方程式: (1)在纯ZrO2中分别固溶CaO、Y2O3,请写出该固溶过程 中产生VO••的缺陷反应方程式;
2.什么是Leabharlann 体的宏观对称性?它包括哪些宏观对称操作及相应的对称 元素?独立的对称操作元素有那些?
答:晶体通过旋转、反映、反演及旋转-反演等操作而使等同部分重合,相应 的对称性称为晶体的宏观对称性。 旋转:晶体绕某一固定轴(旋转轴)旋转角度θ=2π/n之后自身重合, 则此旋转 轴 为n次旋转对称轴。对称元素为对称轴。 反映:对称面的对称操作。对称元素:反映面 反演:对称中心的对称操作。对称元素:对称中心 旋转-反演:晶体绕某一固定轴(旋转轴)旋转角度θ=2π/n之后,再经过中心 反演,晶体能自身重合, 则此旋转轴为n度旋转-反演轴。对称元素:反轴
材料物理性能(第四章材料的光学性能)
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材料物理性能(第四章材料的光学性能)
汇报人:AIPPT 汇报时间:202X.XX
目录
光学性能概述
折射率的影响因素
光学性能的应用
01
光学性能概述
光学性能的定义和重要性
光学性能的定义
光学性能是指材料在光学方面的表现和特性。 它包括折射率、透过率、反射率、发光性能等指标。
光学性能的重要 性
光学性能直接影响材料在光学器件中的应用效果。 各种光学性能指标的优化可以提高光学器件的性能和效率。
折射率的调控可以实现透镜和棱镜的光学性能优化。 合适的折射率分布可以消除光学器件的像差。
02
光纤和光波导的应用
折射率的调控可以实现光纤和光波导的传输性能优化。 通过改变折射率分布可以实现光信号的传输和调控。
光学涂层和薄膜的设计
反射镜和透射镜的设计
反射镜和透射镜的光学性能与材料的折射率相关。 通过合适的折射率调控可以实现涂层的光学性能优化。
光学滤波器和频率选择器的应用
光学滤波器和频率选择器的设计依赖于材料的折射率。 材料的折射率调控可以实现滤波器和选择器的工作波长。
光学材料的发光性能优化
发光材料的选择和设计
不同发光材料具有不同的能带结构和发光性能。 通过选择合适的发光材料可以实现发光器件的效率和亮度优化。
光电子器件的应用
光电子器件的光学性能与材料的发 光性能相关。
杂质和掺杂物的影响
杂质和掺杂物的引入会改变材料的折射率。 杂质和掺杂物的能带结构和晶体结构对折射 率有影响。
材料物理化学-第四章晶体的点缺陷与线缺陷
材料物理化学-第四章晶体的点缺陷与线缺陷第四章晶体结构缺陷晶体缺陷的产⽣与晶体的⽣长条件,晶体中原⼦的热运动以及对晶体的加⼯⼯艺等有关。
事实上,任何晶体即使在绝对零度都含有缺陷,⾃然界中理想晶体是不存在的。
既然存在着对称性的缺陷,平移操作不能复制全部格点,那么空间点阵的概念似乎不能⽤到含有缺陷的晶体中,亦即晶体理论的基⽯不再牢固。
但缺陷的存在只是晶体中局部的破坏。
作为⼀种统计,⼀种近似,⼀种⼏何模型,缺陷存在的⽐例毕竟只是⼀个很⼩的量(这指的是通常的情况),从占有原⼦百分数来说,晶体中的缺陷在数量上是微不⾜道的。
因此,整体上看,可以认为⼀般晶体是近乎完整的。
因⽽对于实际晶体中存在的缺陷可以⽤确切的⼏何图形来描述,这⼀点⾮常重要。
它是我们今后讨论缺陷形态的基本出发点。
事实上,把晶体看成近乎完整的并不是⼀种凭空的假设,⼤量的实验事实(X射线及电⼦衍射实验提供了⾜够的实验证据)都⽀持这种近乎理想的对称性。
当然不能否认,当缺陷⽐例过⾼以致于这种“完整性”⽆论从实验或从理论上都不复存在时,此时的固体便不能⽤空间点阵来描述,也不能被称之为晶体。
这便是材料中的另⼀⼤类别:⾮晶态固体。
对⾮晶固体和晶体,⽆论在原⼦结构理论上或是材料学家对它们完美性追求的哲学思想上都存在着很⼤差异,有兴趣的同学可以对此作进⼀步的理解。
缺陷是晶体理论中最重要的内容之⼀。
晶体的⽣长、性能以及加⼯等⽆⼀不与缺陷紧密相关。
因为正是这千分之⼀、万分之⼀的缺陷,对晶体的性能产⽣了不容⼩视的作⽤。
这种影响⽆论在微观或宏观上都具有相当的重要性。
4.1热⼒学平衡态点缺陷4.1.1 热缺陷的基本类型点缺陷形成的热⼒学平衡当晶体的温度⾼于绝对零度时,晶格内原⼦吸收能量,在其平衡位置附近温度越⾼,热振动幅度加⼤,原⼦的平均动能随之增加。
热振动的原⼦在某⼀瞬间可以获得较⼤的能量,挣脱周围质点的作⽤,离开平衡位置,进⼊到晶格内的其它位置,⽽在原来的平衡格点位置上留下空位。
材料物理导论(熊兆贤着)课后习题答案第四章习题参考解答
第四章 材料的磁学1. 垂直于板面方向磁化,则为垂直于磁场方向J =μ0M = 1Wb/m 2退磁场Hd = - NM大薄片材料,退磁因子Na = Nb = 0, Nc = 1所以Hd = - M = -0μJ=mH m Wb /104/172-⨯π=7.96×105A/m 2.试证明拉莫进动频率W L =002H m e eμ 证明:由于逆磁体中自旋磁矩相互抵消,只须考虑在磁场H 中电子轨道运动的变化,按照动量矩定理,电子轨道动量l 的变化等于作用在磁矩μl 的力矩,即:dtdl= μl ()00B H l ⨯=⨯μμ,式中B 0 = μ0H 为磁场在真空中的磁感应强度. 而 μl = - l me2上式改写成: l B m e dt dl ⨯=02,又因为L V dtdlϖ==线所以,在磁场B 0电子的轨道角动量l 和轨道磁矩均绕磁场旋转,这种旋转运动称为拉莫运动,拉莫运动的频率为00022H mem eB W l μ==3.答: 退磁因子,无量纲,与磁体的几何形状有关.对于旋转椭圆体的三个主轴方向退磁因子之和,存在下面简单的关系:Na + Nb +Nc = 1 (a,b,c 分别是旋转椭圆体的三个半主轴,它们分别与坐标轴x,y,z 方向一致)根据上式,很容易求得其三种极限情况下的退磁因子: 1) 球形体:因为其三个等轴, Na = Nb = Nc 31=∴N 2) 细长圆柱体: 其为a,b 等轴,而c>>a,b Nb Na =∴ 而0=Nc211==∴=++Nb Na Nc Nb Na 3) 薄圆板体: b=a>>c 0=∴Na 0=Nb11=∴=++Nc Nc Nb Na4.何谓轨道角动量猝灭现象?由于晶体场导致简并能级分裂,可能出现最低轨道能级单态.当单态是最低能级轨道时,总轨道角动量的绝对值L 2虽然保持不变,但轨道角动量的分量L z 不再是常量. 当L z 的平均值为0,即0=⎰*τϕϕd L z 时,称其为轨道角动量猝灭.5.推导居里-外斯定律cT T C-=χ,说明磁化率与温度的关系0证明: 铁磁体中作用于本征磁矩的有效磁感应场M B B eff λ+=0其中M 为磁化强度,则M λ为内场,顺磁体磁化强度表达式:⎪⎪⎭⎫⎝⎛=T k JB g JB Ng M B B J B 0μμ 把B 0用B eff 代替,则得到铁磁体磁化强度:()⎥⎦⎤⎢⎣⎡+=T k M B J g JB Ng M B BJ B B )(00λμμ……………….(1) 当T>T c 时,自发磁化强度消失,只有在外磁场B 0作用下产生磁化强度 当T>>T c 时,可令1)(0<<+Tk M B J g B B λμ,则(1)式变为:)(3)1(022M B Tk J J Ng M B B λμ++= (2)又B B k J J Ng Tc 3/)1(22λμ+= 代入(2)式有 TM B T M c λλ)(0+=解得λ)(0c c T T B T M -=令λc TC ='则得cc cc T T CT T C H H T T C T T B C M -=-=∴=-=-='''000μχχμ当T c T ≤时,0<χ为铁磁性 当T > T c 时,0>χ为顺磁性6.自发磁化的物理本质是什么?材料具有铁磁性的充要条件是什么? 答: 铁磁体自发磁化的本质是电子间的静电交换相互作用材料具有铁磁性的充要条件为:1) 必要条件:材料原子中具有未充满的电子壳层,即原子磁矩 2) 充分条件:交换积分A > 0 7.超交换作用有哪些类型? 为什么A-B 型的作用最强? 答: 具有三种超交换类型: A-A, B-B 和A-B因为金属分布在A 位和B 位,且A 位和B 位上的离子磁矩取向是反平行排列的. 超交换作用的强弱取决于两个主要的因素: 1)两离子之间的距离以及金属离子之间通过氧离子所组成的键角ψi 2) 金属离子3d 电子数目及轨道组态.A-B 型ψ1=125°9’ ; ψ2=150°34’ A-A 型ψ3=79°38’B-B 型ψ4=90°; ψ5=125°2’因为ψi 越大,超交换作用就越强,所以A-B 型的交换作用最强.8.论述各类磁性χ-T 的相互关系 1) 抗磁性.d χ 与温度无关, d χ<02) 顺磁性: cT T C-=χ,T c 为临界温度,成为顺磁居里温度,T>T c 时显顺磁性3) 反铁磁性:当温度达到某个临界值T N 以上,服从居里-外斯定律4) 铁磁性: χf >0, T< T c ,否则将转变为顺磁性,并服从居里-外斯定律5) 亚铁磁性: 是未抵消的反铁磁性结构的铁磁性9.比较铁磁体中五种能量的下列关系:答:铁磁材料的五种相互作用能分别为: 交换能F ex ,磁晶各向异性能F x ,磁弹性能F σ,退磁场能F d 和外磁场能F H1) 相邻原子电子自旋的单位体积内的交换能[]2322212)()()(αααε∇+∇+∇==aAS V E F ex exA>0时,电子自旋不平行,则会引起系统交换能的增加, F ex >0,只有当不考虑自旋轨道耦合时,交换能F ex 是各向同性的.2) 磁晶各向异性能F x ,是饱和磁化强度矢量在铁磁材料中取不同方向时随时间而改变的能量,仅与磁化强度矢量在晶体中的相对晶轴的取向有关[][]⎪⎭⎫ ⎝⎛-=⎰⎰ss M M x HdM HdM V F 111010001磁晶各向异性来源于电子自旋与轨道的相互耦合作用以及晶体电场效应.这种原子或离子的自旋与轨道的耦合作用,会导致铁磁体的长度和体积的大小发生变化,出现所谓的磁致伸缩3) 铁磁体在受到应力作用时会发生相应的应变,从而引起磁弹性能F σ,包括由于自发形变而引起的磁应力能,包括外加应力和内应力4) 铁磁体在外磁场中具有位能成为外磁场能F H ,外磁场能是铁磁体磁化的动力θμμcos 00H M HM F s s H -=-=5) 有限尺寸的铁磁体材料,受到外加磁场H 的变化,会在两端面上分别出现正负磁荷,从而产生减弱外磁场的磁场H d ,均匀磁化材料的退磁场能F d 为: 20000021NM NMdM dM H F MMd d μμμ==-=⎰⎰10. 用能量的观点说明铁磁体内形成磁畴的原因答:根据热力学定律,稳定的磁状态一定是对应于铁磁材料内总自由能极小值的状态.磁畴的形成和稳定的结构状态,也是对应于满足总的自由能为极小值的条件.对于铁材料来说,分成磁畴后比分成磁畴前能量缩小,故铁磁材料自发磁化后必然分成小区域的磁畴,使总自由能为最低,从而满足能量最低原理.可见,退磁场能是形成磁畴的原因11. 解:单位面积的畴壁能量231/1098.32m J aAk S-⨯==πγ S 为自旋量子数=1 磁畴宽度m LM D s 641095.80.1710-⨯==γ L=10-2m12 解:此题通过内应力分布为lxπσσ2sin0=,可见为90°畴壁位移,其为位移磁方程为σλμs s H M 230=,当外磁场变化H ∆,畴壁位移x ∆ 平衡时 HxMx x xH M s s s s ∆∂∂=∆∴∆∂∂=∇σλμσλμ232300 此时沿外磁场方向上磁矩将增加⊥∆=∆⊥S x S M s H (μ为单位体积90°畴壁的面积))1........(. (2)32090⊥-∂∂=S xM ss i σλμχ)2(....................2)(2cos 22sin0000)(l x x ll x lx x x πσσππσσπσσ=∂∂=∂∂∴== 设磁畴宽度2lD =,在单位体积内将有2/D 个畴和畴壁数目,因而单位体积内畴壁面积应为)3....(.. (4)42)11(lS lD =∴=⨯⨯⊥将(2)(3)代入(1),可得:0209034σλμπχs si M =- 0022000209090334/13411σπλσλπμμμμμσλμπχμμχs s s s si r r i M M +=∴=+=+=∴-=∴--13. 证明: 用单弛豫来描述,磁场为交变磁场强度ti m e H H ω=作用下 磁感应强度为)(c t i m e B B δω-=20000)(1)1(1)1()(1ωτωτμμωτμμμμμμττωωτωωω+-=+====+∴=-=∴ti m i t i m i ti m i i m m m e H i i e H B e H H B B B i B i B B dt dB由ti m e H i H B ωμμμμμ)'''(00-==0 '')(1''')(1)()(1''1)(1'22222222>+=+∴+=+=⎪⎪⎭⎫⎝⎛+=+=∴μωωμμμωωωωμωτμμωωμωτμμrirriirii所以为半圆形14. 静态磁化与动态磁化特点比较15.讨论动态磁化过程中,磁损耗与频率的关系。
华中科技大学电子材料物理复习
陶聪一世神来之笔一、名词解释二、判断6143第二章:结构缺陷相变(1or2)点群:在有限对称图形中由宏观对称元素组合成的对称元素群。
空间群:由晶体结构的对称操作(点对称操作、平移操作)所组合的对称群。
晶胞:能同时反映晶体周期性和对称性的最小平行六面体重复单元。
对称性:物体由两个或以上的等同部分组成,经过一定空间操作,各部分调换位置后整个物体保持不变的性质。
对称元素:在对称操作中保持不变的点、线、面等几何元素。
(可以是晶体中实际存在,也可以是假想的)晶体场:晶体结构配位多面体中配位负离子对中心正离子所产生的静电势场。
缺陷:通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。
点缺陷:引起几个原子范围(三维方向尺寸都很小)的点阵结构不完整。
弗伦克尔缺陷:在满足化学计量比晶体中,金属离子脱离格点位置,形成金属填隙,同时产生金属空位。
肖特基缺陷:在满足化学计量比的晶体中,在晶格中同时出现金属空位和氧空位。
相:体系内物理化学性质相同且完全均匀的部分。
可以是纯物质也可以是混合物。
物种数:平衡体系中所含的化学物质数S。
组分数:能够确定平衡体系中所有各相组成的最少物种数n。
自由度:平衡体系中,在一定范围内可以任意独立改变而不致引起体系中旧项消失或新相产生的独立变数。
第三章:电导(2or1)迁移率:载流子在单位电场中的迁移速度。
霍尔效应:金属或半导体薄片置于沿z方向的磁场中,当在x方向有电流流过时,在y方向将产生电动势,这种现象称为霍尔效应。
电解效应:在直流电场作用下,离子发生迁移并在电极附近发生电子得失,产生新的物质。
压敏效应:对电压变化敏感的非线性电阻效应。
PTC效应:施主掺杂的BaTiO3在居里温度附近,电阻率随温度的升高急剧增大的现象。
第四章:介电(1)极化:在电场作用下,介质中正、负电荷发生相对位移,正负电荷中心不重合,从而产生感应电荷。
极化率:单位电场强度下,质点电偶极矩的大小。
极化强度:单位体积内,电偶极矩的矢量和。
材料物理性能-复习资料
材料物理性能-复习资料第⼆章材料的热学性能热容:热容是分⼦或原⼦热运动的能量随温度⽽变化的物理量,其定义是物体温度升⾼1K所需要增加的能量。
不同温度下,物体的热容不⼀定相同,所以在温度T时物体的热容为:物理意义:吸收的热量⽤来使点阵振动能量升⾼,改变点阵运动状态,或者还有可能产⽣对外做功;或加剧电⼦运动。
晶态固体热容的经验定律:⼀是元素的热容定律—杜隆-珀替定律:恒压下元素的原⼦热容为25J/(K?mol);⼆是化合物的热容定律—奈曼-柯普定律:化合物分⼦热容等于构成此化合物各元素原⼦热容之和。
不同材料的热容:1.⾦属材料的热容:由点阵振动和⾃由电⼦运动两部分组成,即式中和分别代表点阵振动和⾃由电⼦运动的热容;α和γ分别为点阵振动和⾃由电⼦运动的热容系数。
合⾦的摩尔热容等于组成的各元素原⼦热容与其质量百分⽐的乘积之和,符合奈曼-柯普定律:式中,n i和c i分别为合⾦相中元素i的原⼦数、摩尔热容。
2.⽆机材料的热容:(1)对于绝⼤多数氧化物、碳化物,热容都是从低温时的⼀个低的数值增加到1273K左右的近似于25J/(K·mol)的数值。
温度进⼀步增加,热容基本⽆变化。
(也即它们符合热容定律)(2)对材料的结构不敏感,但单位体积的热容却与⽓孔率有关。
⽓孔率越⾼,热容越⼩。
相变可分为⼀级相变和⼆级相变。
⼀级相变:体积发⽣突变,有相变潜热,例如,铁的a-r转变、珠光体相变、马⽒体转变等;⼆级相变:⽆体积发⽣突变、⽆相变潜热,它在⼀定温度范围逐步完成。
例如,铁磁顺磁转变、有序-⽆序转变等,它们的焓⽆突变,仅在靠近转变点的狭窄温度区间内有明显增⼤,导致热容的急剧增⼤,达转变点时,焓达最⼤值。
3.⾼分⼦材料热容:⾼聚物多为部分结晶或⽆定形结构,热容不⼀定符合理论式。
⼀般,⾼聚物的⽐热容⽐⾦属和⽆机材料⼤,⾼分⼦材料的⽐热容由化学结构决定,它存在链段、链节、侧基等,当温度升⾼时,链段振动加剧,⽽⾼聚物是长链,使之改变运动状态较困难,因⽽,需提供更多的能量。
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n1+n2=n0/3 n2-n1=2∆n
U ΔU KT U ΔU KT
n1=n0/6-∆n n2=n0/6+∆n
达到稳态后:n1→2=n2→1且P=∆nqδ
U ΔU U ΔU n0 n n1ν exp n2 ν exp ( Δn)ν exp KT ( 0 Δn)ν exp KT 6 6 n0 qEδ qEδ 当ΔU KT且U Δn 2 12 KT
所以,在光频范围,电介质的相对介电常数εr=n2
18
(2)离子位移极化
离子在电场作用下偏移平衡 位置的移动,相当于形成一 个感生偶极矩
---由正负离子发生相对位移而形成的极化
E
qr i Eloc
受到电场力及弹性恢复力的 作用,在新的平衡位置时
qEloc kr q2 i k
a为正负离子核间距
一维时 三维简立方结构中
A为马德隆常数,n为电子层斥力指数(7-11)
20
说明:
• 离子位移极化存在于离子晶体中 • 离子位移极化率与正负离子的核间距有关 • 建立时间为约10-12~10-13秒,快极化,不消耗能 量; • 与温度有关 T升高,正负离子核间距增大,极化率增大,但 增加的程度不大。
(4)转向极化
--主要发生在极性分子介质中
电 介 质
非极性分子:分子正负电荷中心重合; 极性分子:分子正负电荷中心不重合。 甲烷分子 CH 4 + + 水分子 H 2O
H
+
正负电荷 中心重合 +
H C H
O H +
负电荷 中心
0 ——分子电偶极矩
+H
+
H
27
正电荷中心
转向极化(Polar orientation polarization)
第四章 材料的介电性能
1
电介质和介电性能
电介质:在电场的作用下具有极化能力并能在其中 长期存在电场的一种物质。 Q1=Q0 电介质的极化:电介质在电场 作用下产生感应电荷(束缚电 荷)的现象。 极化的本质: Q2=Q0+Q’
介质内质点(原子、分子、 离子)正负电荷重心分离而转 变成偶极子。
2
Δr=Δr-+Δr+
19
离子的极化率i
孤立离子对间相互作用能U=库仑引力能U1+排斥能U2 q2 b U1 U2 4 0 r 4 0 r n 平衡位置时,势能U最小,求出b,再利用弹性谐振子模型, 可以求出:
4 0 a 3 i n 1 3a 3 i 4 0 An 1
具有介电常数
部分介质具有特殊功能(压电性、铁电性、热释电性)
3
主要内容
4.1 4.2 4.3 4.4 介质极化 介电损耗 介电强度 铁电压电性
4
4.1 介质的极化 1.极化现象及其物理量
(1)介电常数:
A d A C r C0 d C0 0
εr为电介质的相对电容率(相对介电常数)
热运动--质点分布混乱, 电场--质点按电场规律分布 最后在一定的温度下发生极化 (具有统计性质)
22
离子松弛极化
离子松弛极化是介质中存在的某些弱联系的离子在电场的作用 下发生沿电场方向的短程跃迁运动引起,故只在由离子组成的
或含有离子杂质的介质中出现。
弱联系离子的形成:玻璃态物质、结构松散的离子晶体及晶体
子的数目多,所以介质整体出现宏观偶极矩。
转向极化一般需要较长时间,约为10-2~10-10秒
转向极化率
or
2 0
3kT
0 固有偶极矩
29
(5)空间电荷极化(Space charge polarization)
---非均匀介质所表现出的主要极化形式之一 空间电荷极化定义 在电场作用下,不均匀介质内部的正负间隙离 子分别向负、正极移动,引起体系内各点离子 密度变化,即出现电偶极矩
r 1 1 r 2 3 0
n
k k
k
获得高的介电常数的途径: 1)大,2)单位体积质点的数目,即密度大
13
3、介质的极化类型
电子位移极化
离子位移极化
离子(电子)松弛极化 偶极子转向极化
空间电荷极化
自发极化 极 化 形 式
位移极化 是一种弹性的、瞬时完成的极化,不消耗能量 (10-15s) 松弛极化 与热运动有关, 完成这种极化需要一定的时间 并且是非弹性的,因而消耗一定的能量
r 0 0 8.85 10 12 F / m 电介质的电容率(介电常数)
电容器的电容量受到电容器的几何形状和材料性质的影响。 ε是反映电介质极化行为的宏观物理量;极化能力越强,介电 常数越大。 用介质电容器可以作为储能元件,储能密度大小可以表示为 5 ω=1/2ε0εrE2
2)电子位移极化建立的时间较短,约10-14~10-15秒,瞬时 完成,不消耗能量; 3)电子位移极化率与温度无关 4)在光频范围,只有电子位移极化能跟上电场的变化,此时 的介电常数几乎完全由电子位移极化率贡献。又因为在光频 范围光的折射率n
n m
m为磁导率,对于非磁性 物质, m 1
21
(3)松弛极化(Relaxation Polarization)
驰豫(松弛):一个宏观系统由于周围环境的变化或它经 受了一个外界的作用而变成非热平衡状态,这个系统经过 一定时间由非热平衡状态过渡到新的热平衡状态的过程。
极化与电场有关,还与质点的热运动有关。
当材料中存在着弱联系电子、离子和偶极子等时,
即
1 1 Eloc E PE 0 ( r 1) E 3 0 3 0
Eloc
r 2
3
E
P 0 ( r 1) E
P n Eloc
r 1 n r 2 3 0
12
克劳修斯-莫索蒂方程 r 1 n r 2 3 0 建立了宏观量r与微观量之间的关系。 适用于分子间作用弱的气体、非极性液体和具 有立方结构的离子晶体(E3=0) 对于两种以上极化质点的介质:
(2)电偶极矩 偶极子的产生: 在电场的作用下,正负电荷重心的分离 电偶极矩的定义 l
q l
方向为从负电荷指向正电荷
-q
+q E
介质中的极性分子可看作偶极子(在电场的作用下极性 分子发生转向)
6
(3)极化率(): 单位电场强度下,质点的电偶极矩的大小。
Eloc
其中:Eloc为作用在微观质点上的局部电场。 (它与宏观外电场并不一定相同) 极化率表征材料极化能力的微观物理量,只与材 料的性质有关,其单位为F· m2(法拉· 米 2)
P n Eloc 0 E
E外 + + + + _ _ E2 + + E3 + + + _ _ _ _ _
(2)原子位置上的
_ _ E1 P __ +
局部电场Eloc
+ +
Eloc E外 E1 E2 E3
E2称为洛伦兹场。
可以证明,立方对称结构中E3=0。
25
松弛极化特点 松弛极化类型
与热运动有关, 完成极化需一定时间 非弹性的,需消耗能量
离子松弛极化:松弛时间长达10-2~10-5秒。 电子松弛极化:松弛时间约为10-2~10-9秒 (离子、电子)松弛极化在M(G)Hz的无线电频率下,其 松弛极化来不及建立;频率升高,无松弛极化;只存在(电 子、离子)位移极化,故介电常数随频率的升高而降低。 温度越高,松弛过程加快,极化建立的更充分,有利于ε 的提高,但温度升高,αT下降,因此,介电常数随温度的升 高会出现极大值。 26
+ + + + + + + + +
+ +
+
+ + + +
+
+
+
f
+
无外电场时 电矩取向不同
M e E外
加上外场
e
f
E外
+
+ + + + + +
E外 e转向外电场
28
转向极化
E=0时,极性分子随机取向,因此就介质整体来看,偶极矩
等于零 E≠0时,偶极子发生转向,趋于和外加电场方向一致。热 运动抵抗这种趋势,所以体系最后建立一个新的统计平衡。 在这种状态下,沿外场方向取向的偶极子比和它反向的偶极
8
对于各向同性的材料而言
真空中
D 0E
各向同性介质中
D E 0 E P
P 0 r 1 E 0 E
χ—电极化系数,E为宏观平均电场
9
2、电介质中的电场
(1)介质中的宏观电场E
E = E外 + E1
极化电荷的场 介质中的场 (退极化场) (宏观电场) 自由电荷的场
14
(1)电子位移极化
• 电子位移极化的定义
在外电场作用下,原子外围的电子云相对于原子核
发生位移形成的极化
e
Eloc E0 eit
f
e
l
E
f
无外电场时 e 0
加上外电场后 e
0
15
电子位移极化的性质
具有一个弹性束缚电荷在强迫振动中所表现出来的特性 设想一个质量为m,带电为-e的粒子,为一带正电 +e的中心所束缚,弹性恢复力为-kx。这里k是弹性回 复系数,x表示粒子的位移。我们考虑它在交变电场下运 动,电场用复数表示: it