电磁场课件-第四章 动态电磁场I-基本理论与准静态电磁场-2013new
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工程电磁场ppt
& + ω μεϕ & =∇ ϕ &+β ϕ & = −ρ & /ε ∇ϕ
2 2 2 2
β = ω με = ω / v
相位常数(rad/m)
2πf 2π 2π = = β =ω/v = v Tv λ
表示2π范围内波的数目,也称波数。
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第 二 章
恒定电场
方程的特解形式为:
A= ∫
μJ (r′) cosω(t − )
坡印亭定理的物理意义
J
∂W dV − γ ∂t
2
坡印亭定理
体积V内电源提供的功率,减去电阻消耗的热功 率,减去电磁能量的增加率,等于穿出闭合面 S 传 播到外面的电磁功率。
返 回 上 页 下 页
第 二 章
恒定电场
注意 ① 坡印亭定理是电磁场的能量守恒表达式是
宏观电磁现象的一个普遍定理; ② 坡印亭定理适用于时变场也适用于恒定场; 2
& = Ie j ϕ i (t ) = 2 I cos( ω t + ϕ ) → I di ( t ) & = j ω I e jϕ = − 2 I ω sin( ω t ) → jωI dt 正弦电磁场也有三要素:振幅, 频率和相位。
F(x, y, z, t) = 2F(x, y, z) cos( ω t + ϕ)
b
返 回
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第 二 章
恒定电场
结论 ① 当导体和介质无损耗时,电源提供的能量全部
输送到负载,能量是通过坡印亭矢量传递的; ② S在导体之间的介质中传输,说明电磁能量是通 过导体周围的电磁场传播的,导线只起导引电 磁能流走向的作用。
第4章 动态电磁场Ⅰ:基本理论与准静态电磁场
et
E2t E1n
E2
2
[1]
B E dl t dS l S
l1
P
1
E1t
E2n
en
B E1t l1 E2t l1 l1l2 t
e en et
B E1t E2t l2 t
A 2 A 2 J c t
2
非齐次波动方程 达朗贝尔方程
2 2 2 t
1
2
1 A 2 A 2 2 J c t 1 2 2 2 2 t
A E t
A E 0 t
A E t
4.4.2 非齐次波动方程
D H J c t
B A E A J c t B H D E A 2 A ( A) A E t 2 A ( A) 2 A J c ( ) 2 t t
S V
P jQ
复坡印廷矢量
* S EH
媒质吸收的有功功率密度等于电磁功率流面密度矢量 的平均值 T 1 Sav S r , t dt T0
基于场的分析,相应的等值电路参数
P 1 R 2 2 Re S dS I I S
坡印廷定理
动态电磁场的能量守恒和功率平衡关系 W/m2 坡印廷矢量
表征了单位时间内穿过单位面积的电磁能量
电磁功率流面密度矢量
4.3.2 时谐电磁场的坡印廷定理
第4章_动态电磁场Ⅰ:基本理论与准静态电磁场
S
( J J d ) dS 0
(J J d ) 0
上式称为全电流连续性原理。它包括了传导电流、运 流电流及位移电流。 位移电流密度是电通密度的时间变化率,或者说 是电场的时间变化率。
对于静电场,由于 D 0 ,自然不存在位移电流。 对于时变电场,电场变化越快,产生的位移电流 密度也越大。 动画 已知传导电流密度 Jc E,因此 在电导率较低的介质中 J d J c 在良导体中
或
en H J S
理想导体与理想介质分界面上的边界条件
et
1
E1 0
H 2t
K
H2t = - K
E2t= 0
en
H1 0
P
D2n
B2n= 0
D2n =
8. 正弦电磁场
正弦电磁场的场强方向与时间无关,但其大 小随时间的变化规律为正弦函数,即
E (r , t ) Em (r )cos( t ψe (r ))
(4) 损耗角正切 tan 用来表征电介质中损耗的特性
tan
tan << 1 —— 低损耗介质 受潮 损耗 tan tan >> 1 —— 良导体 有损耗 tan 0 无损耗tan = 0
4.1.2 动态电磁场的边界条件
D H J c t B E t B 0 D
J d J c
t
麦克斯韦认为位移电流也可产生磁场,因此前述 安培环路定律变为
l
H dl ( J J d ) dS
S
即
l
H dl ( J
电磁场与电磁波第四章 时变电磁场优秀课件
J
)
t
同样
D
D
E、E
A
t
( A )
t
A
0
t
2 2
t 2
2
A
2 A t 2
J
说明
2
2
t 2
应用洛仑兹条件的特点:① 位函数满足的方程在形式上是对称 的,且比较简单,易求解;② 解的物理意义非常清楚,明确地 反映出电磁场具有有限的传递速度;③ 矢量位只决定于J,标
量位只决定于ρ,这对求解方程特别有利。只需解出A,无需
解出 就可得到待求的电场和磁场。
电磁位函数只是简化时变电磁场分析求解的一种辅助函数,应
用不同的规范条件,矢量位A和标量位 的解也不相同,但最终
得到的电磁场矢量是相同的。
问题 若应用库仑条件,位函数满足什么样的方程? 具有什么特点?
4.3 电磁能量守恒定律 讨论内容
t0
t1
t2
t3
t4
t5
0
vt1
vt2
vt3
vt4 vt5 z
不同时刻波形最大值出现的位置
沿z方向传播
t=0,zmax=0; t=t1 >0,zmax= vt1>0;
zmax vt1 vt2 v
t
t1 t2
… … t=t2 >t1,zmax= vt2>vt1>0;图形移动速度,即电磁波速度
相速度,即等相位面的传播速度
H Ε
J
D
t
B
A
t
为任意可微函数
A ( A ) A
即
A t
(
t
)
t
(
A
)
A t
也就是说,对一给定的电磁场可用不同的位函数来描述。
第四章 动态电磁场I-基本理论与准静态电磁场-2013new
4.4 电磁位
重点内容回顾及 静态电磁场中电磁位的定义和作
疑难解答
用
主要知识点 教 学 内 重点和难点 容
电磁位-洛伦兹规范、电磁位的 非齐次波动方程。时谐电磁场非 齐次波动方程及其求解方法。
动态电磁场非齐次波动方程的 建立及求解
思考题与作业 作业4-5
备注
了解非齐次波动方程在动态电磁 波分析中的重要作用。
5. 请同学们自己学习时谐电磁场有损媒质中的复数表示!!
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例:4-2
写出下列与时谐电磁场对应的复矢量或瞬时矢量:
1)H x
jH 0 sin cos(x cos )e jzsin
2)E
ey
E
ym
c
os
(t
x
)
ez Ezm sin(t x )
• 边界条件与媒质无关,类似于电路中的网络拓扑结构 的约束。
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4)在理想导体与介质交界面上的边界条件:
在理想导体(媒质1)与介质(媒质2)交界面上的边界条
件为:
H2t K
E2t 0
B2n 0
D2n
结论:理想导体与介质在不同媒质分界面上:
二 动态电磁场边界条件求取:
1.对比动态电磁场和静态电磁场的基本方程:
D
H
Jc
t
E
B
t
•B 0
•D
H
Jc
E 0
•B 0
•D
可知:仅旋度方程有异,所以仅需推导场量的切向 分量之间的关系。
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电磁场理论基础第4章PPT课件
1 2
C 1
D2
1 2
C1 b
33
第四章 恒定电流的电场和磁场
所以得
1
C1 r
C2
C
1
1 a
1 r
U
0
1 a
1 c
U0 1
2
1 c
1 b
1 r
1 c
2 1
1 a
U0
1 c
1 c
1 b
1 c
1 b
2 12a11cU01cb11rb1
34
第四章 恒定电流的电场和磁场
导体表面上总的场强为
E Et2En2 0.565 V/m
电场强度与导体表面的夹角为
aarctEgt 19.5 En
V/m
27
第四章 恒定电流的电场和磁场
例 4.2 设有一同心金属球, 内外球体之间均匀充满二层电导 率分别为σ1和σ2的导电媒质, σ1、σ2远小于金属球的电导率。 σ1≈σ2, 为常数。导体球及导电媒质的半径如图4-8所示。内外球间 加有直流电压U0, 极性如图。试求两区域中恒定电场的电流、 电 流密度、电场强度及电位的分布。
tg1 tg2
1 2
11007101
017
22
第四章 恒定电流的电场和磁场 3. 第一种媒质为理想介质, 第二种媒质为导体
图 4-6 理想介质与导体交界面的电场强度
23
第四章 恒定电流的电场和磁场
E1 E12n E12t
由上式可知E1不垂直导体表面, 那么导体表面不是等位面, 导体也不是等位体, 这是由于σ2有限, 导体中沿电流方向存在电 场。 而在静电场中, 导体内电场强度为零, 介质中的场强总是垂 直导体表面, 导体是等位体, 其表面是等位面。这一点, 恒定电场 与静电场有根本的区别。然而σ2越大, E2t和E1t越小, θ1也越小, 直 至σ2=∞时, E1就垂直导体表面, 导体表面为等位面。
静态电磁场及.pptx
第12页/共105页
格林定理 泊松方程的积分公式
格林恒等式是矢量分析中的重要恒等式。
由散度定理 Ad A ndS
S
设 A
而 A 2
A n n n
得格林第一恒等式
同理,若设 A
格林第一恒等式表示为
2
d
S
n
dS
2
d
S
dS n
2 2
d
U Alna B 0 Alnb B U Clna D 0 C lnb D
A
U
/
ln
a b
C
U
/
ln
a b
, B U ln b / ln a b
, D U lnb / ln a b
于是
1
2
U
/
ln
b a
ln
b r
由此可知
E1
E2
1
2
er
U
/
ln
b a
1 r
内导体表面单位长度的电荷 l 1a1 2a2 1
n
方程左边
S
D1n
D1
1
h
2
D2
D2n
将电场基本方程 D 用dS于所Q 作的圆
柱形表面。
s
D dS D1 nS D2 n S D S '
s
D1n D2n S
方程右边 Q S
电位移矢量D 的边界条件
D1n D2n
用矢量表示
nD1 D2
小 量 , 该 面 积 趋 于
2
1 r2
d dr
r2
d dr
直接积分
第9页/共105页
C2 0 C1 aU
电磁场与电磁波理论PPT第4章
4-29
《电磁场与电磁波理论》
第3章静电场及其边值问题的解法
例4.1.1 设在电导率为
的无限大均匀导电媒质中存在着 。若在此媒质中放入一
均匀恒定电流,其体电流密度为
个半径为
线与
,电导率为
的无限长直的导体柱,柱体的轴
的方向垂直。试求该导体柱内的电流密度 。
解:采用静电比拟法来求解这一恒定电场问题。 ◘ 相对应的静电场问题——在介电常数为 介质中放入一个半径为 、介电常数为 的无限大的理想 的无限长直的介
4-26
《电磁场与电磁波理论》
第4章恒定电场与恒定磁场
4.2.3
恒定电场的静电比拟法
♥ 导体内(源区除外)恒定电场基本方程以及边界条件与理 想介质内(源区除外)静电场的基本方程和边界条件 源外的恒定电场 场方程 结构方程 位函数方程 无源区的静电场
边界条件
4-27
《电磁场与电磁波理论》
第4章恒定电场与恒定磁场
第4章恒定电场与恒定磁场
4.3.1
恒定磁场的基本方程
♥ 恒定磁场与静电场的比较
◘ 方程 描述了恒定磁场的旋度特性。它表明,在空 间的任一点上,磁场强度的旋度等于该点的恒定电流密度, 即恒定磁场是一个有旋场。在静电场中,电场强度的旋度 处处为零,是一个无旋场。
◘ 方程 描述了恒定磁场的散度特性。它表明,在空间 的任一点上,磁感应强度的散度都等于零,即恒定磁场是 一个无源场。在静电场中,电位移的散度等于该点的体电 荷密度,是一个有源场。 ◘ 也就是说,在静电场中,电力线起于正电荷止于负电荷, 是一些有头有尾的曲线。在恒定磁场中,不存在作为“源” 的磁荷,磁力线是一些无头无尾的闭合曲线。
(4.1.3)
——媒质的电导率
《电磁场与电磁波理论》
第3章静电场及其边值问题的解法
例4.1.1 设在电导率为
的无限大均匀导电媒质中存在着 。若在此媒质中放入一
均匀恒定电流,其体电流密度为
个半径为
线与
,电导率为
的无限长直的导体柱,柱体的轴
的方向垂直。试求该导体柱内的电流密度 。
解:采用静电比拟法来求解这一恒定电场问题。 ◘ 相对应的静电场问题——在介电常数为 介质中放入一个半径为 、介电常数为 的无限大的理想 的无限长直的介
4-26
《电磁场与电磁波理论》
第4章恒定电场与恒定磁场
4.2.3
恒定电场的静电比拟法
♥ 导体内(源区除外)恒定电场基本方程以及边界条件与理 想介质内(源区除外)静电场的基本方程和边界条件 源外的恒定电场 场方程 结构方程 位函数方程 无源区的静电场
边界条件
4-27
《电磁场与电磁波理论》
第4章恒定电场与恒定磁场
第4章恒定电场与恒定磁场
4.3.1
恒定磁场的基本方程
♥ 恒定磁场与静电场的比较
◘ 方程 描述了恒定磁场的旋度特性。它表明,在空 间的任一点上,磁场强度的旋度等于该点的恒定电流密度, 即恒定磁场是一个有旋场。在静电场中,电场强度的旋度 处处为零,是一个无旋场。
◘ 方程 描述了恒定磁场的散度特性。它表明,在空间 的任一点上,磁感应强度的散度都等于零,即恒定磁场是 一个无源场。在静电场中,电位移的散度等于该点的体电 荷密度,是一个有源场。 ◘ 也就是说,在静电场中,电力线起于正电荷止于负电荷, 是一些有头有尾的曲线。在恒定磁场中,不存在作为“源” 的磁荷,磁力线是一些无头无尾的闭合曲线。
(4.1.3)
——媒质的电导率
电磁场第4章ppt课件
取不同的n值对应的φn并叠加,即
n b n x n x U C sh sin B sin 0 n n a a a n n 1 1
X ( x ) b e b e
jx k x 1
jx k x 2
当α2>0 时,令α=kx,则
X ( x) c1shk x x c2chk xx
或
X ( x) d1e
kx x
d2e
kx x
例 4-5 横截面如图所示的导体长槽,上方有一块与 槽相互绝缘的导体盖板,截面尺寸为a×b,槽体的电位
求电位及等位面方程。
4.3 分 离 变 量 法
思想:把偏微分方程化为常微分方程来求解。 一般分三步: 第一步:根据静态场问题的边界形状,选择适当的 坐标系,并写出在该坐标系下的Laplace方 程的展开式; 第二步:应用分离变量法求得Laplace方程的通解; 第三步:根据问题所给定的边界条件,确定通解中 的待定系数,从而求得电位函数的特解。 注 意:当给定问题是长方体区域时,应选择直角 坐标系。
4.4.1 直角坐标系中的分离变量法
在直角坐标系中, 拉普拉斯方程为
2 2 2 2 2 0 2 x y z
设φ可以表示为三个函数的乘积, 即
( x , y , z ) X ( x ) Y ( y ) Z ( z )
dX d Y d Z YZ2 XZ XY 0 2 2 dx dy dz
然后用XYZ除上式
2
2
2
X " Y " Z " 0 X Y Z X " a 2 X
Y " Y Z " Z
电磁场课件第四章
Er anr Hr
E2an2- H-2
Et
Ht
ant
Ei
E+2
y
z
Hi
ani H+2 an2+
η1
- + η2
- + η3
-d
0
第四章 平面电磁波
Z(z)
= η2
η3 η2
+ +
jη2tg jη3tg
(β2d (β2d
) )
= η1
η3 cos ( β2d ) = η1 cos ( β2d ) η22 sin ( β2d ) = η1η3 sin ( β2d )
x Er
媒质1中的入射波
anr
Hr
媒质1中的反射波
Ei
y
z
Hi
ani
(ε1, μ1,σ = 0)
(ε2, μ2,σ → ∞)
Z=0
媒质1中的合成波 边界条件
合成波性质
媒质1中的合成波
第四章 平面电磁波
E1 = −ax 2 jEi0 sin β1z
H1
=
ay 2
Ei 0
η1
cos
β1z
E1(z, t) = ax 2Ei0 sin β1z sin ωt
/physics/2000/microwaves/hotspots.html
分析思路
媒质1中的入射波
第四章 平面电磁波
媒质1中的反射波
媒质1中的合成波
边界条件
合成波性质讨论
第四章 平面电磁波
七、均匀平面波在导电平面边界上的斜入射
1、垂直极化
x
anr
Hr
z空间电磁波不再是行波,而是驻波
《电磁场与电磁波》课件
研究磁场的能量密度和能量传递,探 索电流元间的相互作用。
第三章 电磁感应
法拉第电磁感应定律
深入研究法拉第电磁感应定律,了解磁场变化 对电场和电流的影响。
感生电动势的应用
探索感生电动势在变压器和发电机等装置中的 应用。
变化磁场中的安培环路定理
自感和互感
理解变化磁场对闭合回路的感应电流产生的作用。 学习自感和互感的概念和特性,探索它们在电 路中的应用。
1 电磁场在物理学、化学、生物学等中的应用
探索电磁场在不同学科领域中的重要应用,如粒子加速器和磁共振成像。
2 电磁波在通信、雷达、医疗等中的应用
了解电磁波在现代通信、雷达和医疗技术中的关键作用。
3 总结与展望
回顾本课程的重点内容,并展望电磁场和电磁波在未来的应用前景。
第四章 电磁波
电磁波的基 本性质
介绍电磁波中的传播规 律,理解折射和反 射现象。
电磁波谱
探索不同频率的电 磁波,了解它们在 光谱中的位置和应 用。
天线和电磁 波的辐射
研究天线的原理和 电磁波的发射、接 收及调制技术。
第五章 电磁场与电磁波的应用
《电磁场与电磁波》PPT 课件
欢迎来到《电磁场与电磁波》的课程PPT!在本课程中,我们将深入探讨电 磁场和电磁波的概念和应用,帮助您理解这一重要的物理学领域。
第一章 电场
电荷与电场
电磁场的基础,探索电荷对周围空间产生的 影响。
电势与电势差
学习电势的概念和计算方法,探索电势差对 电荷运动的影响。
静电场基本定律
深入研究库仑定律和电场强度,理解静电场 的本质。
静电场的能量
了解静电场的能量密度和能量传递,探索电 荷间的相互作用。
第二章 磁场
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二 动态电磁场边界条件求取:
1.对比动态电磁场和静态电磁场的基本方程:
D H Jc t B E t B 0 D
H Jc E 0 B 0 D
可知:仅旋度方程有异,所以仅需推导场量的切向 分量之间的关系。
结论:频率形式的麦克斯韦方程组不含场量对时间的偏导, 分析更加简单。 5. 请同学们自己学习时谐电磁场有损媒质中的复数表示!!
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例:4-2
写出下列与时谐电磁场对应的复矢量或瞬时矢量:
jz sin 1) H x jH0 sin cos(x cos )e
图2-14 E的旋度方程 对应的边界条件
S
D dS 0
0 D1n D2 n D1n D2 n
图2-15 D的散度方程 HARBIN ENGINEERING UNIVERSITY 对应的边界条件
2.分界面上磁场强度的边界条件: 1)磁感应强度的散度方程:
• 磁力线沿理想导体表面分布。 • 实际上理想导体不存在,但当场源激励频率很高时,对于 高导电率的良导体,由于集肤效应,时变电磁场分布趋于表 面,工程上可将该导体近似看做理想导体。
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4.2 时谐电磁场
重点内容回顾及 疑难解答 主要知识点 电路中正弦量的三要素 时谐电磁场的麦克斯韦方 程组和媒质特性的复数构成 方程
2)E e E t x ) y ym cos( ez Ezm sin(t x )
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4.3 电磁场能量-坡印廷定理
重点内容回顾及 疑难解答 主要知识点 教 学 内 重点和难点 容 静态电磁场中电磁能量 坡印廷矢量的物理意义、 时谐电磁场中复坡印廷矢量 的表示方法以及坡印廷矢量 的应用。 时谐电磁场中坡印廷矢量的 表示方法。
——角频率;
Exm , E ym , Ezm ——电场强度三个分量的振幅(最大值);
x , y ,—— z 电场强度在直角坐标系下三个分量的初相位;
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3. 电场强度的相量表示方法:
Em (r ) jx jy jz ex Exm (r )e ey E ym (r )e ez Ezm (r )e ex Exm (r ) ey E ym (r ) ez Ezm (r )
B dS 0 B1n B2n
S
2)磁场强度的旋度方程:
H dl J dS
l S K 0 H1t H 2t K H1t H 2t
图3-30 H的旋度方程 对应的边界条件
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电磁幅射( 应用 )
图
时变场知识结构框图
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4.1.2 动态电磁场的边界条件
一 回顾静态电磁场边界条件:
1.分界面上电场强度的边界条件: 1)电场强度的旋度方程:
E dl 0 E1t E2t
l
2)电位移矢量的散度方程:
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3. 时谐电磁场的复坡印廷矢量
~ * S EH
结论: 1)复坡印廷矢量的实部(媒质吸收的有功功率密度) 等于电磁功率流面密度矢量的平均值:
T 1 *] S av S (r , t )dt Re [ E H T0
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2. 电场强度在直角坐标系下的表示方法:
E (r , t ) ex Ex ey E y ez Ez ex Exm (r ) cos[t x (r )] ey E ym (r ) cos[t y (r )] ez Ezm (r ) cos[t z (r )]
电场强度的瞬时矢量和复矢量的关系:
j t j t E (r , t ) Re [ Em (r )e ] Re [ 2 E (r )e ]
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4. 时谐电磁场麦克斯韦方程组的复数表示:
H J c jD E jB B 0 D
2)磁场强度的旋度方程:
结论:只要在分界面上 D ( ) t 是有限量,两种介质 分界面上的磁场强度 的切向分量依然是连 续的。
H1t H 2t K
图3-30 H的旋度方程 对应的边界条件
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3)动态电磁场分界面上的边界条件: 动态电磁场的边界条件为:
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2.静电场中,静电能量的分布密度为: 静电能量:
1 We ( DE )dV 2 V
静电能量分布密度为:
1 we D E 2
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3.恒定电流引起的磁场中,磁场能量的分布密度为: 磁场能量:
思考题与作业 例题4-1;作业4-1、4-2 备注
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4.1.1 动态电磁场的基本方程
电磁感应定律 Maxwell方程组 全电流定律
分界面上边界条件 非齐次波动方程 (达朗贝尔方程)
动态电磁位A ,
正弦电磁场 (亥姆霍兹方程)
坡印亭定理与坡印 亭矢量
2. 时谐电磁场的坡印廷定理 微分形式
* * * E H ) E J c j ( B H E D * )
* * * ( E H ) dS [ E J c j ( B H E D )]dV
第四章
动态电磁场1-基本理论与 准静态电磁场
4.1 动态电磁场的基本方程与边界条件 4.2 时谐电磁场 4.3 电磁场能量-坡印廷定理 4.4 电磁位
4.5 准静态电磁场
HARBIN ENGINEERING UNIVERSITY
4.1动态电磁场的基本方程与边界条件
重点内容回顾及 疑难解答 主要知识点 教 学 内 容 重点和难点 麦克斯韦方程组 动态电磁场的麦克斯韦方程组 和媒质特性的构成方程. 动态电磁场中不同媒质分界面 上的边界条件。 动态电磁场中不同媒质分界面 上的边界条件
思考题与作业 例题4-3,作业4-3 备注
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4.3 电磁场能量-坡印廷定理
一 静态电磁场中电磁能量:
1.在恒定电流场中,电功率体密度为:
Jc dP 2 p EJ c E dV
一般形式为:
2
p E Jc
上面两式被称为焦耳-楞次定律的微分形式。 在恒定电场中,导电媒质吸收的电功率以焦耳热形式体现。
S EH
表征:单位时间内穿过单位面积的电磁能量,还描述了该电 磁功率流的空间流动方向,可以对动态电磁场的功率和能量 传播进行计算和分析。
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三 时谐电磁场的电磁能量:
1. 时谐电磁场中,导电媒质吸收的复功率体密度:
* *) * * E J c E ( H jD) E ( H jD
H 1t H 2t K E1t E 2t B1n B2 n D1n D2 n
结论:在不同媒质分界面上:
• E切向分量和B法向分量总是连续的;
• H切向分量和D法向分量只有在媒质分界面上不存在传 导电流和自由电荷时才是连续的; • 边界条件与媒质无关,类似于电路中的网络拓扑结构 的约束。
2)时谐电磁场能量、功率分析:可以建立与正弦交流 电路功率平衡之间的对应关系,可用于场的分析等。
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例:4-3 用坡印亭矢量分析直流电源U0沿同轴电缆向负载R 传送能量的过程。设电缆为理想导体,内导体半 径为a,外导体的内外半径分别为b和c。
S V
积分形式
在有损媒质中的坡印廷定理积分形式:
( E H ) dS [(E 2 E 2 H 2 ) j ( H 2 E 2 )]dV
S V
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( E H ) dS
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4)在理想导体与介质交界面上的边界条件: 在理想导体(媒质1)与介质(媒质2)交界面上的边界条 件为:
H 2t K E 2t 0 B2 n 0 D界面上:
• 电力线垂直于理想导体表面
S
[( E 2 E 2 H 2 ) j ( H 2 E 2 )]dV
V
结论:
上式右端实部表明:体积V内有损媒质吸收的 有功功率不仅包含传导电流产生的欧姆损耗,也 包含媒质的极化和磁化损耗。 上式右端虚部表明:体积V内有损媒质吸收的 无功功率不仅包含磁场(感性)无功功率,也包 含电场(容性)无功功率。
1 Wm ( H B)dV 2 V
磁场能量分布密度为: