结型场效应管的特性曲线
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g m 2 K uG S U G S ,off = 2 K iD
显然：gm大小与iD有关, iD越大,gm越大。
iD(mA)
练习：计算低频跨导gm 。
i Δ D
g u m
Δ
GS
2 1 .3 3 (m A /V ) 1 .5
Q ∆iD ∆ uGS
uGS(V)
16/73
N 沟
结道 型 场 效 应P 管沟
14/73
低频跨导定义： g m
d iD d uG S
uDS C
Δ iD Δ uGS
uDS C
小结：场效应管是压控元件，栅源电压控制漏极电流！
15/73 gm的计算方法:
① 图解法：gm实际就是转移特性曲线 i D=f(uGS) 的斜率
② 解析法：根据转移特性曲线表达式 iD K uGS U GS ,off 2
道
iD
iD
uGS
iD
iD
uGS
uDS -uDS
制作单位：北京交通大学电子信息工程学院 《模拟电子技术》课程组
13/732. N沟道结型场效应管（JFET)的特性曲线 iD(mA) 可变
电阻
区
iD(mA)
来自百度文库
输出特性曲线
uDS(V) UGS,off
uGS(V)
转移特性曲线
在恒流区:
iD
I DSS
1
uGS U GS ,off
2 = K
uGS U GS ,off
2
其中: IDSS为漏极饱和电流, K为导电因子,UGS,off为夹断电压。
显然：gm大小与iD有关, iD越大,gm越大。
iD(mA)
练习：计算低频跨导gm 。
i Δ D
g u m
Δ
GS
2 1 .3 3 (m A /V ) 1 .5
Q ∆iD ∆ uGS
uGS(V)
16/73
N 沟
结道 型 场 效 应P 管沟
14/73
低频跨导定义： g m
d iD d uG S
uDS C
Δ iD Δ uGS
uDS C
小结：场效应管是压控元件，栅源电压控制漏极电流！
15/73 gm的计算方法:
① 图解法：gm实际就是转移特性曲线 i D=f(uGS) 的斜率
② 解析法：根据转移特性曲线表达式 iD K uGS U GS ,off 2
道
iD
iD
uGS
iD
iD
uGS
uDS -uDS
制作单位：北京交通大学电子信息工程学院 《模拟电子技术》课程组
13/732. N沟道结型场效应管（JFET)的特性曲线 iD(mA) 可变
电阻
区
iD(mA)
来自百度文库
输出特性曲线
uDS(V) UGS,off
uGS(V)
转移特性曲线
在恒流区:
iD
I DSS
1
uGS U GS ,off
2 = K
uGS U GS ,off
2
其中: IDSS为漏极饱和电流, K为导电因子,UGS,off为夹断电压。