6.1 电磁场边界积分方程

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电磁场理论课件-6.1 法拉第电磁感应定律

电磁场理论课件-6.1 法拉第电磁感应定律
第六章 时变电磁场
静态场:场的大小不随时间发生改变(静电场、恒定 电场、恒定磁场)
特性:电场和磁场相互独立,互不影响。
时变场:场的大小随时间发生改变。
特性:电场和磁场相互激励,从而形成不可分隔的统 一的整体,称为电磁场。
本章主要内容:
电磁场的基本方程——麦克斯韦方程组
电磁场的边界条件
电磁场的能流和能流定律
d dt
上式对磁场中的任意回路都成立。
1.磁通变化的三种方式:
a)闭合回路与恒定磁场之间存在相对运动,即磁场与时 间无关,磁通量随时间变化,这时回路中的感应电 动势称为动生电动势。
i
t
B dS
S
07:24:37
4
6.1 法拉第电磁感应定律
b) 闭合回路是静止的,但与之交链的磁场是随时间变化
生电场(对电荷有作用力是电场的本质,因此它与静电场
在这一点上无本质差别)。
07电:26:4磁6 感应现象的实质:变化磁场激发电场
5
6.1 法拉第电磁感应定律
三、总电场的方程
设空间还存在静止电荷产生的静电场Ec,则总电场为
E Ein Ec
沿任意闭合路径的积分
(静电场Ec沿任意闭 合路径的积分为零)
的,这时回路中产生的感应电动势称为感生电动势。
i
S
B t
dS
c)既存在时变磁场又存在回路的相对运动,则总的感应
电动势为:
i
t
B dS
S
2.物理机制
动生可以认为电荷受到磁场的洛伦兹力,因此产生电
动势;感生情况回路不动,应该是受到电场力的作用。因
为无外电动势,该电场不是由静止电荷产生,因此称为感
in t

电磁场问题边界条件及求解

电磁场问题边界条件及求解

d
x
π k x E0 ez sin( z ) cos(t k x x) (A/m) 0 d
(2) z = 0 处导体表面的电流密度为 πE0 J S ez H ey sin(t k x x) z 0 0 d
(A/m)
z = d 处导体表面的电流密度为
媒质1 媒质2 分界面上的电流面密度
电磁场与电磁波
第2章
电磁场的基本规律
5
1.2 两种常见的情况
1. 两种理想介质分界 面上的边界条件 在两种理想介质 分界面上,通常没有 电荷和电流分布,即 JS=0、ρS=0,故
媒质1 媒质2
en
媒质1 媒质2
en
、 D B的法向分量连续
E、 的切向分量连续 H
en (D1 D2 ) S

D1n D2n S
en (B1 B2 ) 0 或 B1n B2n
同理 ,由

S
B dS 0
电磁场与电磁波
第2章
电磁场的基本规律
3
(2)电磁场量的切向边界条件 在介质分界面两侧,选取如图所示的小环路,令Δh →0,则

S e n (J1 J 2 ) t
J J en 1 2 0 1 2
1
J1t

2
J 2t

电磁场与电磁波
第2章
电磁场的基本规律
8
例 场强度
在两导体平板(z = 0 和 z = d)之间的空气中,已知电
π E ey E0 sin( z ) cos(t k x x) V/m d 试求:(1)磁场强度 H;(2)导体表面的电流密度 J S 。 H , 有 解 (1)由 E 0 z t H 1 E y t 0 d 1 E y E y O ( e x ez ) 0 z x

边界积分方程方法

边界积分方程方法

边界积分方程方法
边界积分方程(BEM)是一种拟解多物理场和流体动力学领域的复杂偏微分方程计算
的数值分析方法。

它把原本的偏微分方程计算用积分方程来近似计算,克服了结构复杂、
难以解析的缺点,在很多领域获得了广泛的应用,如电磁学、电离层流动和结构动力学及
一些其他领域,尤其在电离层研究领域中,电磁边界积分方程在今日依然是最主要的计算
工具。

边界积分方程基于多重物理场之间的相互作用来反映非常复杂的系统行为,包括对流体、传热、化学改变和其他复杂行为的分析。

它的基本思想是采用积分形式来求解偏微分
方程,该方法将原来的偏微分方程变形为一系列积分方程,在定义区域的边界条件中假定
某种定义的间断解矩阵的解,其核心思想是在一空间区域外选择一组积分公式,以导出相
应的积分公式系统,此时此系统存在了数值解。

经典的边界积分方法把求解问题看作一个由多个区域组成的体系,可以把每个区域看
作一个积分单元,每个区域边界处只要给定边界条件,然后再求解积分公式系统中的解即
可得到整个体系的解。

边界积分可以用来解答多物理场问题,这些问题中不仅有偏微分方程,还有表面积和容量的求解,边界积分方法核心思想是,以某空间区域外为基本,选择
一组积分公式,以导出相应的积分公式系统,此时此系统存在了数值解。

在边界积分方法中,系统方程和边界条件必须要有解,只有当非限定形式的积分系统
有解时,系统的解才有意义,边界积分方法把原本复杂的偏微分方程转换为边界积分求解,使得解的求解更为简单。

工程电磁场第6章电磁场边值问题的解析方法

工程电磁场第6章电磁场边值问题的解析方法

h
h
为零, q 和 q 使半球面电位为零。四个电荷共同作
用下,半球面的电位为零。
50
四个电荷共同产生的电场,其电位 在无限大平面和半球面上为零,满足边 界条件。镜象电荷得以确定。
51
52
直流线路产生电场的镜像法
1. 输电线路电场计算模型
实际输电线路的每条相导线(对应于 交流输电线路)或极导线(对应于直流输电 线路)一般采用分裂导线结构,即每条相 导线或极导线一般是指一个导线束。导 线束中的每条导线称为子导线,每条相 导线或极导线中子导线的个数称为此条 相导线或极导线的分裂数,每条相导线 或极导线中相距最近的两条子导线之间 的距离称为此条相导线或极导线的分裂 间距。
得方程组
q q q
1
2
解上述方程组,得
q q q
q 1 2 q ; q 2 2 q
1 2
1 2
44
确定了镜象电荷的位置和电荷量。 由 q 和 q 计算上半空间的电场,由 q 可计算下半空间的 电场。
45
例 6-3-1 计算无限大导体平面上方点电荷 q 在导体平面
当位函数u 在坐标系中只随一个坐标变化时, 问题可以用一维模型表示。 当右端项 f 函数表达式 不复杂时,一维泊松方程一般可以用解析积分方法 求解。根据问题的性质,选择合适的坐标系。
2
直角坐标系
如图6-1-1, 在直角坐标系中, 若u 只与坐标x 有关,不随 y 、z 变化,则一维泊松方 程为
两边积分一次
q 和距离 b 。
31
P

q 4r

q 4r
根据前面要求的条件, P 0 ,有
q q ; 4r 4r

第六章电磁场的边值问题

第六章电磁场的边值问题
B 、 H 、 E 、 D 、 J、
),因此,
方程数少于未知量,是非定解方式,必须加本构方程才为定解形式, 对于简单媒质,本构方程为
D E
B H
J E
(1-6)
3
3、 材 料 性 质 材料是均匀的 材料是非均匀:
co n st , co n st , co n st x, y, z , x, y, z , x, y, z
2
H t E t

H
2
t
2
2
0
E
2

E t
2
0
取洛伦兹规范 A
t
2
,则位函数满足的波动方程 A t t A
2
A

t
2
2
J

2

t
2


11
1、 静 电 场 方 程 静电场的基本方程 泊松方程 D , x x y y z z E 0
三维方程
若ε 是均匀、各向同性介质,上式为
, B 0, E 0, D 0
, D 0
M Q S 场 求 解 时 ,磁 场 可 以 用 稳 态 磁 场 的 方 法 求 解 ,然 后 用 上 述 公 式 求 电 场 ;E Q S 场求解时,电场可以用静电场的方法求解,然后用上述公式求磁场。
9
(1)扩散方程(抛物型方程) 忽略位移电流,MQS场的方程为
1
— 强加边界条件
12
例 1
铁磁体的磁场和电容器的电场(二维)

电磁场数值计算边值问题

电磁场数值计算边值问题

2021/7/27
电磁场数值计算
第二类边值问题表述为
2
n
0
已知求解区域内部的自由电荷分布,给定
求解区域边界 上电位的法向导数与电位之
间的线性关系,计算求解区域中的电位和电场 强度分布,这类问题通常称为第三类边值问 题,又叫做劳平问题。
2021/7/27
电磁场数值计算
相应的边界条件称为第三类边界条件。
设置。
2021/7/27
电磁场数值计算
2.3 恒定磁场的边值问题
1、矢量磁位的基本方程和内部分界面衔接条件 根据恒定磁场基本方程微分形式和辅助方程,得
H
1
B
J
将矢量磁位与磁感应强度的关系 B A代入,得
1
A
1
A
A
1
J
2021/7/27
电磁场数值计算
在均匀磁媒质中, 1 0 ,
1、电位的基本方程和内部分界面衔接条件 电源以外的恒定电场,其电场强度满足环路定
理,即
E 0
由矢量恒等式
0
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电磁场数值计算
可设
E
导电媒质中的恒定电流场满足电流连续性定理。 即
•J 0 将恒定电场的辅助方程 J E 代入上式得 (E) ()
2021/7/27
2 0
相应的边界条件,在已知电压的电极表面上有 第一类边界条件
0
2021/7/27
电磁场数值计算
在已知流出或流入电流分布的电极表面上有第 二类边界条件
n J n0
在导体与绝缘体分界面上有第二类齐次边界条 件
0 n
2021/7/27
电磁场数值计算
根据电流分布的对称性,也可构造对称 面上相应的齐次边界条件。

6.1 电磁场边界积分方程

6.1  电磁场边界积分方程

第六章 边界单元法有限元法属于偏微分方程法。

对于求解有界电磁场域的场分布,尤其是有复杂边界和多种媒质、线性或非线性、静态或时变场的数值计算都是十分成功的,有的文献认为有限元法是应用最广,最重要的数值分析方法。

当然,任何一种数值分析方法都不是万能的,有限元法的不足之处主要表现为: 1. 对于无界求解区域的处理比较困难;2. 所求得的数值解是位函数值,再通过求导,一般比位值的精度低一个数量级,所以计算精度较低;3. 对时变电磁场的求解,计算量太大。

在以上这几点所反映的问题上,边界单元法解决得比较好,有明显优势。

此外,边界单元法还具有能降低所研究问题的维数,离散剖分和数据准备简单等特点,它已成为计算场的重要方法,我们需要进行学习。

6.1 电磁场边界积分方程6.1.1电磁场边界元方程的基本关系设三维线性泊松方程为所求场的控制方程,D 是具有边界面S 的求解区域。

在S 上含有给定的第一和第二类边界条件的边界1S 和2S ,21S S S +=。

对于这类恒定场,定解问题可表示为:式中:u 表示位函数,f 是场源密度函数(如ερ-)。

若已求得近似解u ~,带入边值问题,用R 、1R 和2R 分别表示方程余量及边界余量:f u R -∇=~2u u R S ~-=1S q q R -=2取权函数w ,按加权余量法,令误差分配的加权积分为: 021>=<->∂∂<-><R w R nw R w ,,,即有如下方程()()()⎰⎰⎰-+∂∂-=-∇21d d ~d ~2S SS S Ds w q q s n w u u v w f u由矢量恒等式()uw u w u w 2∇+∇⋅∇=∇⋅∇()u w u w u w ∇⋅∇-∇⋅∇=∇⇒2①()w u w u w u 2∇+∇⋅∇=∇⋅∇()w u w u w u ∇⋅∇-∇⋅∇=∇⇒2②①-②在D 域上做体积分()()⎰⎰∇-∇⋅∇=∇-∇DDV w u u w V w u u w d d 22()⎰⎰⎪⎭⎫ ⎝⎛∂∂-∂∂=∇-∇S Ds n u u nuw v w u u w d d 22称为格林第二恒等式。

电磁场边值关系的简单推导

电磁场边值关系的简单推导
s B dS 0 H dl I 0 0 l
以及
B H (各向同性的磁介质)
选择与计算电场边值条件同样的积分路径和积分面, 设两介质的 磁导率分别为 1, 2 ,在接触面法线和切线方向的分量表达同上。则可 以得到如下的关系:
B2 n B1n 0 H 2t H1t 0
s
D dS 0
不显示在积 D 的切线方向分量与 dS 方向垂直, 分式中,而积分面为无限窄圆柱,所以上式可化为
D1n D2 n 0
即电位移矢量在法线方向上是连续的。结合上俩式为
D2 n D1n 0 E2t E2t 0
下面来说明 E 在法向方向是突变的,而 D 在切线方向是突变的。
由(*)式变形为
j0 dS q ( 0 dV ) 0 0 t t

j2 n j1n 0
而麦克斯韦方程组得到的结果与前两节讨论的结果相同。所以, 可以得到电磁波的边值条件为:
D2 n D1n 0 E E 0 2t 1t B2 n B1n 0 H H 0 1t 2t j2 n j1n 0
tan 1 1 tan 2 2
综上,电场强度和电位移可以形象地用图(3)的(a),(b)图表示。
下面简单分析一下电场强度出现突变的原因, 在两种介质的接触 处,由于电场的作用,导致介质极化,在接触面出现极化电荷,由于 两介质的介电常数不同,则两个表面的电荷密度不同,所以法线方向 激发的电场大小不同,对原电场的影响就不同,而对切线方向没有影 响。所以,电场就会出现法线突变而切线方向连续的事实。 二、稳恒磁场的边值条件 有了电场的计算基础,磁感应强度 B 和磁场强度 H 的边值条件 及大小的比较就很简单了。它们遵循的规律如下:

电磁场公式总结

电磁场公式总结

电荷守恒定律:电荷既不能被创造,也不能被消灭,它们只能从一个物体转移到另一个物体,或从物体的一部分转移到另一部分,在任何物理过程中电荷的代数和总是守恒的.名称电场力 磁场力库伦力 安培力 洛仑兹力 涡旋电场力定义式12021F 4q q r rπε=d d F I l B =⨯(微分式)d L F I l B =⨯⎰(积分式)F qv B =⨯ 洛仑兹力永远不对粒子做功 涡旋电场对导体中电荷的作用力名称 电场强度(场强)电极化强度矢量 磁场感应强度矢量 磁化强度定义单位电荷在空间某处所受电场力的大小,与电荷在该点所受电场力方向一致的一个矢量.即:FE q=.库伦定理:12021F 4q q r r πε=某点处单位体积内因极化而产生的分子电矩之和.即:i V =∆∑i p P单位运动正电荷qv在磁场中受到的最大力m F .即:mF B qv= 毕奥-萨法尔定律:112212L Idl r B 4r μπ⨯=⎰单位体积内所有分子固有磁矩的矢量和m p ∑加上附加磁矩的矢量和.用m p ∆∑表示. 均匀磁化:mmp pM V+∆=∆∑∑不均匀磁化:limmmV P p M V∆→+∆=∆∑∑电偶极距:e P l =q 力矩:P E ⨯L=磁矩:m P ISn = L IS n B =⨯()电力线 磁力线 静电场的等势面定义就是一簇假想的曲线,其曲线上任一点的切线方向都与该点处的E 方向一致. 就是一簇假想的曲线,其曲线上任一点的切线方向与该点B 的方向相同.就是电势相等的点集合而成的曲面. 性质(1) 电力线的方向即电场强度的方向,电力线的疏密程度表示电场的强弱. (2)电力线起始于正电荷,终止于负电荷,有头有尾,所以静电场是有源(散)场; (3) 电力线不闭合,在没有电荷的地方,任意两条电力线永不相交,所以静电场是无旋场. 静电场是保守场,静电场力是保守力. (1)磁力线是无头无尾的闭合曲线,不像电力线那样有头有尾,起于正电荷,终于负电荷,所以稳恒磁场是无源场. (2)磁力线总是与电流互相套合,所以稳恒磁场是有旋场. (3)磁力线的方向即磁感应强度的方向,磁力线的疏密即磁场的强弱. (1)沿等势面移动电荷时静电力不作功; (2)等势面的电势沿电力线的方向降低; (3)等势面与电力线处处正交; (4)等势面密处电场强,等势面疏处电场弱.名称 静电场的环路定理 磁场中的高斯定理 定义 静电场中场强沿任意闭合环路的线积分通过任意闭合曲面S 的磁通量恒等于0.人生在搏,不索何获渭南师院08级物理学班刘占利 2009-9-221(称作环量)恒等于零.即:d 0LE l ⋅=⎰. 即:SB dS 0⋅=⎰⎰说明的问题电场的无旋性磁场的无源性电位差(电压):单位正电荷的电位能差.即:B AB ABABA W A U Edl q q===⎰.磁介质:在磁场中影响原磁场的物质称为磁介质.名称 电通量 磁通量定义 电通量就是垂直通过某一面积的电力线的条数,用 e Φ表示.即:SSe E dS EdScos θΦ==⎰⎰⎰⎰垂直通过某曲面磁力线的条数叫磁通量,用m Φ表示.即:SSm B dS BdScos θΦ==⎰⎰⎰⎰名称 静电感应 磁化定义 电场对电场中的物质的作用 磁场对磁场中的物质的作用在介质中求电(磁)场感应强度:方法 利用电介质时电场的高斯定理求电场感应强度利用磁介质中的安培环路定理求磁场感应强度 原理通过电介质中任一闭合曲面的电位移通量等于该面包围的自由电荷的代数和.0d SS q ⋅=∑⎰D S 内0ε=+D E PP n δ=⋅e 0P E χε=(各向同性介质)e 1r εχ=+0r εεε==D E E磁场强度沿任意闭合路径的线积分(环量)等于穿过以该路径为边界的面的所有传导电流的代数和,而与磁化电流无关.d H l I ⋅=∑⎰BH M μ=-M j n =⋅m M H χ=(各向同性介质)1r m μχ=+0H r B H μμμ==解题步骤(1)分析自由电荷分布的对称性,选择适当的高斯面,求出电位移矢量D .(2)根据电位移矢量D 与电场E 的关系,求出电场E . (3)根据电极化强度P 与电场E 的关系,求出(1)分析传导电流分布的对称性,选择适当的环路,求出磁场强度H .(2)根据磁场强度H 与磁场感应强度矢量B 的关系,求出磁场感应强度矢量B .(3)根据磁化强度M 与磁场感应强度矢量B 的2电极化强度P . (4)根据束缚电荷e δ与电极化强度P 关系,求出束缚电荷e δ.关系,求出磁场强度M .(4)根据磁化电流0I 与磁化强度M 关系,求出磁化电流0I .电(磁)场能量: 电场 磁场 电磁波能量密度 e 1D E 2ω=⋅ m 1B H 2ω=⋅ 22221()2e m w w w E H E H εμεμ=+=+==能量 2e 11W D EdV=CU 22=⋅⎰⎰⎰ 2m 11W B HdV=LI 22=⋅⎰⎰⎰ m W D EdV=B HdV =⋅⋅⎰⎰⎰⎰⎰⎰位移电流与传导电流比较静电场 涡旋电场 传导电流 位移电流不同点电荷 变化的磁场 自由电荷运动 变化的电场电力线不闭和 电力线闭和 产生焦耳热 不产生焦耳热相同点 对电荷都有力的作用 产生等效的磁效应四种电动势的比较: 电动势 产生原因 计算公式 动生 洛仑兹力:q F v B =⨯d i Lv B l ε=⨯⋅⎰感生涡旋电场力:F qE =涡i d d d d L SB E l S t ε=⋅=-⋅⎰⎰⎰自感自身电流变化:m N LI Φ= i d d ILt ε=- 互感 相互电流变化:211MI φ= 122MI φ= 121d d I M t ε=- 212d d IM tε=- 关系:12L L M k = 楞次定律:闭合回路中感应电流的方向,总是使得它所激发的磁场来阻止引起感应电流的磁通量的变化。

计算电磁学中的积分方程法

计算电磁学中的积分方程法

计算电磁学中积分方程方法胡 俊电子科技大学得宜于电子计算机与数值算法的快速发展,以计算机数值求解电磁问题的科学—计算电磁学已成为十分热门的研究方向,现已广泛应用于先进作战武器设计、雷达目标自动识别、地球物理探测、微波遥感与成象、微波集成电路设计、高速电路信号完整性分析等众多领域。

其编制的数值程序极强的通用性、普适性与可靠性,使该学科成为了除实验测量以外的重要电磁分析手段。

第一章 矩量法概论随着计算机技术的发展,我们可以进行的计算量越来越大,精度越来越高。

在绝大多数情况下,数值算法的精度都可以达到要求,并且,应用数值算法还可以解决用解析法不能解决的问题。

因此,数值方法的应用越来越广泛,而以数值计算为基础的计算电磁学在过去的几十年里也得到了长足的发展。

本章所谈到的矩量法就是计算电磁学中的一种常用计算方法。

矩量法既可用于求解微分方程,也可用于求解积分方程。

但目前已经有了求解微分方程的有效方法――差分法、有限元法,所以矩量法大多用来求解积分方程。

目前,矩量法的应用已相当广泛。

例如,求天线的辐射场时,首先用矩量法求解天线上的电流分布,即求解电流分布的积分方程;求某个目标的散射场或透射场时,也要先用矩量法来求解目标上的电流分布,得出电流分布后再由积分求得总场。

本章简要介绍了矩量法的基本理论和求解过程,对于它的详细介绍及更多应用,请参考有关文献[2][3]。

1.1 矩量法的数学基础矩量法的基本思想是将一个泛函方程化为一个矩阵方程,然后用人们熟知的方法求解该矩阵方程。

这要用到线性空间和算子的概念,因此,在介绍矩量法之前,我们要先介绍一些这方面的基础知识。

考虑两个非空空间A 和B ,其元素分别为321,,a a a …和321,,b b b …,我们定义映射M 为这样一个规则,即A 的每个元素a 对应一个B 的元素b ,这个映射运算符号表示为)(a M b =一些有意义的特定映射是:函数——表示为)(x f y =,把具有元素x 的标量空间X 映射到具有元素y 的标量空间Y 。

电磁场边值关系

电磁场边值关系

S



t (E2 E1) 0

E1//


E2
n21

t
E2 //
2
1
或者

t (E2// E1// ) 0
E1
17
由于 t 是分界面上的任意一个
单位矢量,因此
E2 // E1//
——在界面处电场的切向分 量是连续的;
E1//
上式也可以写成

n21
D2 D1
f
n
由高斯定理可得,交界面上自由 电荷量的面密度为
f D2n D1n
(注:由于此处 n 法向矢量定 义成是从介质1指向介质2的)
2 E2n 1E1n
28
14
2010-9-9
f 2 E2n 1E1n
又根据欧姆定律:
n21
D2
2

1
D1
7
假设:交界面上的有自由电荷面分布

D S
dS

Qf
Qf f S


Q f D2 n21S D1 n21S
D dS S侧

根据 D dS 0 ,得到 S侧
D2
n21

D1
n21


f
——(5.5)
④ 电场法向和磁感应强度的切 向在边界上一般会有跃变。
25
H

Jf

D t

H
L
dl

If

d dt
D dS
S

《电磁学》第6章 第6.4 边界条件和磁路定理 (2学时)

《电磁学》第6章 第6.4 边界条件和磁路定理 (2学时)
S
若介质为非理想导体界面,一般情况下JS=0,则有 则在边界面两侧磁场强度的切线分量是连续的。
en × ( H1 − H 2 ) = 0
H1t − H 2 t = 0
《电磁学》第六章 §6.4 边界条件和磁路定理 6.4.1 磁介质的边界条件 en × ( H1 − H 2 ) = 0 H1t − H 2 t = 0
6.4.1 磁介质的边界条件
第5页
磁场强度 H 的边界条件(第二个边界条件)
A ⋅ ( B × C ) =B ⋅ (C × A) =C ⋅ ( A × B ) 又因为: l = let ⇒ ( H1 − H 2 ) ⋅ let =( H1 − H 2 ) ⋅ l ( e p × en ) =le p ⋅ [en × ( H1 − H 2 )] =le p ⋅ J S
ΦB =
NI 0 µ0 S ΦB ( 气隙中的B) B ⇒ 磁铁中的 = = 909.0 NI 0 µ0 = −3 1.1 × 10 S
0.5 1 −4 NI = Φ = Φ 10 将气隙闭合: B ∑ B 0 S 5000 µ µ0 S i 0
NI 0 µ0 S ΦB 4 10 B NI 0 µ0 >> 909 NI 0 µ0 Φ = ⇒ 磁铁中的 = = B −4 10 S
a b
bc = da = ∆h → 0
∂D =0 ∫s J S ⋅ dS + ∫s ∂t ⋅ dS c d ∂D ⇒ H1 ⋅ l − H 2 ⋅ l = J S ⋅ e p ⋅ l + lim ⋅ e p ⋅ l ⋅ ∆h h →0 ∂t
《电磁学》第六章 §6.4 边界条件和磁路定理

麦克斯韦电磁理论详解

麦克斯韦电磁理论详解
•在气体动理论方面,他还提出气 体分子按速率分布的统计规律。
一、位移电流 全电流安培环路定理
1.静电场稳恒磁场的基本方程
D dS q0
S
E dl 0
L
B dS 0
S
H dl I0
L
2.法拉第电磁感应定律
L
E
dl
S
B t
dS
推广至非稳恒场
D dS q0 成立
真空的传播速度为
c 1
0 0
严格而言,以上结论只是适用于在自由空间传播的 平面电磁波,对于局限在空间有限范围内或导电介 质中的电磁波,例如在波导管中传播的电磁波,不 一定成立。
3、电磁场的能流密度与动量
1 电磁场的能流密度矢量
定义:单位时间内通过垂直于传播方向的单 位面积的电磁能量、也叫辐射强度。
0H 2
1
00
0 E 0 H
S 1 EH HE EH
2
能 方量向传播方向是沿着电磁波传播方向的E,即 k 的
写成矢量形式 S EH
H
S
w
对于平面电磁波,能流密度方向一般是沿着电磁波 传播方向,而一般情况下电磁波的电、磁矢量都是 迅变的,在实际中重要的是S在一个周期内的平均 值。即平均能流密度。
D
终止在极板上,但是 t 延续了传导电流的作用
j
D
t
是连续的
-
+
dD/dt
I
D
B
A
麦克斯韦位jd 移 电ddDt流假设 位移电流密度
Id
d dt
d dt
S
D
dS
4、全电流定律
位移电流
定义全电流
I I I

电磁场的边界条件

电磁场的边界条件

H 2 x 1 E2 y = t 2 z
,
H1' x 1 E1' y = t 1' z
对绝大多数物质, 对绝大多数物质, 1 ≈ 2
所以得到方程: 所以得到方程:
E1 y z + E1' y z = E2 y z
z =0

代入边界条件,可得: 代入边界条件,可得:
k1 cos θ1 A1s k1' cos θ1' A1' s = k2 cos θ 2 A2 s
+ω1' A1' s e

z =0
= ω2 A2 s e
比较① 我们发现两边同时成立的条件为: 比较① 、②,我们发现两边同时成立的条件为:
ω1 = ω1' = ω2

ω1 = ω1' = ω2
代入① 化简,可得: 代入①,化简,可得:
A1s e
i ( k1 sin θ1 x )
+ A1' s e
∴ E1t = E2t 同理可得 H1t =H 2t
针对麦克斯韦 方程组积分形 式的第三个与 第四个方程, 第四个方程, 建立如左图模 型,积分可得
B ds ∵ ∫∫ × E ds = ∫ E dl = ∫∫ v l s t =∫
AB + BC + CD + DA
E dl = E1t AB + ( E1n BE + E2 n EC )
电磁场的边界条件
麦克斯韦方程组的积分形式
B = 0
D = ρ
D × H = J + t
B × E = t
针对麦克斯韦 方程组积分形 式的第一个与 第二个方程, 第二个方程, 建立如左图模 型,积分可得

电磁场的边值关系

电磁场的边值关系

dS
d dt
dV n
V
J2 J1
t
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边值关系一般表达式

(D2
D1 )

(B2
B1 )
0
nˆ nˆ
E2 H2
E1 H1
0
理想介质边值关系表达式

( D2
D1 )
0

(
B2
B1 )
0
nˆ nˆ
E2 E1 0 H2 H1 0
f 0, p 0 总不连续
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对均匀各项同性线性介质 D E
2E2n 1E1n f
n
D2 D1
f
f 0
1E1n 2E2n
p 0 E2n E1n
n
E2 E1
f p 0
p P1n P2n
P
n
(P2
P1)
2、B 、H 的法向分量边值关系
2、在不同介质分界面处,由于可能存在电荷电 流分布等情况,使电磁场量产生突变。微分方程 不能适用,但可用积分方程。从积分方程出发, 可以得到在分界面上场量间关系,这称为边值关 系。它是方程积分形式在界面上的具体化。只有 知道了边值关系,才能求解多介质情况下场方程 的解。
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sB ds 0
n B2 B1 0, B1n B2n
对于均匀各项同向介质 1H1n 2H2n , 不连续
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二、切向分量边值关系
1、H
的 边值关系D
L H dl s(J t ) dS
H2
H1
t

电磁场边值关系

电磁场边值关系
第五节
电磁场边值关系
★ 要解决电磁场问题,还需要边界条件;
第五节
电磁场边值关系
★ 要解决电磁场问题,还需要边界条件; ★ 在外场作用下,介质界面会出现面束缚电荷和电流分布;
第五节
电磁场边值关系
★ 要解决电磁场问题,还需要边界条件; ★ 在外场作用下,介质界面会出现面束缚电荷和电流分布; ★ 束缚电荷、电流的存在使得界面两侧场量发生跃变;
问 密

§
5.2
法向分量的跃变
D · dS = Qf =
S V
ρf dV
D2 · dS2 + D1 · dS1 + (D1 · δS1 ) + (D2 · δS2 ) = ρf δh ∆S ★ 由于D有限 ,且δS1 ∝ δh → 0故此: 有 (D1 · δS1 ) + (D2 · δS2 ) → 0 (D2 − D1 ) · n ∆S = ρf δh ∆S = σf ∆S ★ 由S选取的任意性可知: n · (D2 − D1 ) = σf
★ 由于dl为平行于边界面的任一二维向量,故此f n,即: n × f = n × [(H2 − H1 ) − αf × n] = 0 n × (H2 − H1 ) = n × (αf × n) = αf − (αf · n) n = αf
★ 由于dl为平行于边界面的任一二维向量,故此f n,即: n × f = n × [(H2 − H1 ) − αf × n] = 0 n × (H2 − H1 ) = n × (αf × n) = αf − (αf · n) n = αf ★ 故此 n × (H2 − H1 ) = αf
§
5.3
切向分量的跃变
d dt

第3讲 电磁场的边界条件

第3讲 电磁场的边界条件
E1 e 5 e 3 为了使区域3中的电场 E3 与x轴平行,则透镜电介
质相对介电常数应为多少?
【解】由边界条件,若 E3平行于x轴,则 E2也必平行于x轴。 在左侧圆柱面分界面上,由电场边界条件:
E1t E2t E1 E2 E2 3
D1n D2n 1E1 2E2 E2
要使合成波E2 平行于x轴,则必有
E1z
z0
D1z
1
z0
3 0 5 0
3 5
最后得到
3
E1 ( x,
y,0)
ex 2 y
ey
5x
ez
5
D1(x, y,0) ex100 y ey x ez 30
第三讲 电磁场的边界条件
【例4】在两导体平板(z = 0 和 z = d)之间的空气中,已知电
场强度
E
ey E0
sin( π
媒质1
en 1
E1
1
媒质2 E2
2
2
en (E1 E2 ) 0
• 导体与电介质分界面
en (D1 D2 ) 0
• 场矢量的折射关系
tan1 E1t / E1n 1 / D1n 1 tan2 E2t / E2n 2 / D2n 2
en E1 0
en D1 S
第三讲 电磁场的边界条件
理想导体表面上的电荷密度等于D的法向分量 磁感应强度平行于导体表面 电场强度垂直于理想导体表面 理想导体表面上的电流密度等于H的切向分量
第三讲 电磁场的边界条件
三、几种常见边界条件
1、静电场的边界条件
• 一般形式
en (E1 E2 ) 0
en (D1 D2 ) S
• 两种电介质分界面

电磁场的边界条件

电磁场的边界条件

电磁场的边界条件姓名:桑薇薇学号:***********专业:通信工程班级:电工1401 提交日期:2016.5.28成绩:电磁场的边界条件1.引言2.边界条件分类3.边界条件的作用4.结束语5.参考文献1. 引言在两种不同媒质的分界面上,场矢量E,D,B,H 各自满足的关系,称为电磁场的边界条件。

在实际的电磁场问题中,总会遇到两种不同媒质的分界面(例如:空气与玻璃的分界面、导体与空气的分界面等),边界条件在处理电磁场问题中占据十分重要的地位。

2. 边界条件分类1、电场法向分量的边界条件如图3.9所示的两种媒质的分界面,第一种媒质的介电常数、磁导率和电导率分别为1ε,1μ和1σ,第二种媒质的介电常数、磁导率和电导率分别为2ε,2μ和2σ。

在这两种媒质分界面上取一个小的柱形闭合面,如图3.9所示,其高h ∆为无限小量,上下底面与分界面平行,并分别在分界面两侧,且底面积S ∆非常小,可以认为在S ∆上的电位移矢量D 和面电荷密度S ρ是均匀的。

1n ,2n 分别为上下底面的外法线单位矢量,在柱形闭合面上应用电场的高斯定律1122d S SD S n D S n D S Sρ=∆+∆=∆⎰故图3.9 电场法向分量的边界条件1122S n D n D ρ+=(3.48a)若规定n 为从媒质Ⅱ指向媒质Ⅰ为正方向,则1n n = ,2n n =- ,式(3.48a)可写为12()S n D D ρ-=(3.48b)或12n n S D D ρ-= (3.48c)式(3.48)称为电场法向分量的边界条件。

因为D E ε= ,所以式(3.48)可以用E的法向分量表示111222S n E n E εερ+=(3.49a)或1122n n S E E εερ-=(3.49b)若两种媒质均为理想介质时,除非特意放置,一般在分界面上不存在自由面电荷,即0S ρ=,所以电场法向分量的边界条件变为12n n D D =(3.50a)或1122n n E E εε=(3.50b)若媒质Ⅰ为理想介质,媒质Ⅱ为理想导体时,导体内部电场为零,即20E =,20D =,在导体表面存在自由面电荷密度,则式(3.48)变为111n S n D D ρ==(3.51a)或11n s E ερ=(3.51b)2 、电场切向分量的边界条件在两种媒质分界面上取一小的矩形闭合回路abcd ,如图3.10所示,该回路短边h ∆为无限小量,其两个长边为l ∆,且平行于分界面,并分别在分界面两侧。

时变电磁场的边界条件

时变电磁场的边界条件

例5 设z=0平面为空气与理想导体的分界面,z<0为理想 导体,分界面处 H ( x, y, 0, t ) ex H0 sin ax cos(t ay) 求:理想导体表面上的电流分布、电荷分布以及分界面 处的电场强度
解:根据边界条件,求得理想导体表面上电流分布为
JS n H ey H0 sinax cos(t ay) 由分界面上电流连续性方程(5-40)有
n E1 E2 0
n B1 B2 0
件 非

n D1 D2 S


t

JS

(J1n

J2n
)


S
t
分界面上电流连续性方程
t
在上式中表示对与分界面平行的坐标量求二维散度
二、特殊情况
• 两种理想介质的边界 理想介质是指导电率为零的媒质 0 理想介质内介质,有D2n=E2t=B2n=H2t=0,则
n

H1 H2
Js
n E1 E2 0

n B1 B2 0

n D1 D2 S

n n n
H1 J E1 0 B1 0
l
ab
cd
bc
da
由于h0
H dl H dl H dl
l
ab
cd
又⊿l很小,所以⊿l上磁场强度可看成常数 电流密度动态演示:

H dl l
H2 l0l
l0 b n
H1 l0l

JS
bl
b n (H2 H1) JS b
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第六章 边界单元法有限元法属于偏微分方程法。

对于求解有界电磁场域的场分布,尤其是有复杂边界和多种媒质、线性或非线性、静态或时变场的数值计算都是十分成功的,有的文献认为有限元法是应用最广,最重要的数值分析方法。

当然,任何一种数值分析方法都不是万能的,有限元法的不足之处主要表现为: 1. 对于无界求解区域的处理比较困难;2. 所求得的数值解是位函数值,再通过求导,一般比位值的精度低一个数量级,所以计算精度较低;3. 对时变电磁场的求解,计算量太大。

在以上这几点所反映的问题上,边界单元法解决得比较好,有明显优势。

此外,边界单元法还具有能降低所研究问题的维数,离散剖分和数据准备简单等特点,它已成为计算场的重要方法,我们需要进行学习。

6.1 电磁场边界积分方程6.1.1电磁场边界元方程的基本关系设三维线性泊松方程为所求场的控制方程,D 是具有边界面S 的求解区域。

在S 上含有给定的第一和第二类边界条件的边界1S 和2S ,21S S S +=。

对于这类恒定场,定解问题可表示为:式中:u 表示位函数,f 是场源密度函数(如ερ-)。

若已求得近似解u ~,带入边值问题,用R 、1R 和2R 分别表示方程余量及边界余量:f u R -∇=~2u u R S ~-=1S q q R -=2取权函数w ,按加权余量法,令误差分配的加权积分为: 021>=<->∂∂<-><R w R nw R w ,,,即有如下方程()()()⎰⎰⎰-+∂∂-=-∇21d d ~d ~2S SS S Ds w q q s n w u u v w f u由矢量恒等式()uw u w u w 2∇+∇⋅∇=∇⋅∇()u w u w u w ∇⋅∇-∇⋅∇=∇⇒2①()w u w u w u 2∇+∇⋅∇=∇⋅∇()w u w u w u ∇⋅∇-∇⋅∇=∇⇒2②①-②在D 域上做体积分()()⎰⎰∇-∇⋅∇=∇-∇DDV w u u w V w u u w d d 22()⎰⎰⎪⎭⎫ ⎝⎛∂∂-∂∂=∇-∇S Ds n u u nuw v w u u w d d 22称为格林第二恒等式。

有⎰⎰⎰⎪⎭⎫⎝⎛∂∂-∂∂+∇=∇DD S s n w unuw v w u v u w d d d 22代入上面的加权积分式中:()⎰⎰⎪⎭⎫⎝⎛∂∂-∂∂+-∇S Ds n w u nu w V fw w u d ~~d ~2()()⎰⎰-+∂∂-=21d d ~S sS ss w q q s nw uu等式左右两端面积分中的同类项合并:(1)上式就是电磁场边界元方程的基本关系式。

可看出权函数在D 中应有二阶连续编导数,而位函数u 只须在D 中连续,若取w 为基本解可以推导出边界积分方程。

6.1.2电磁场的直接边界积分方程如果用F 表示Laplace 方程的基本解,则:i F δ=∇-2()()r r '-=i i δδ在三维场中的基本解应为球对称形:最简单的源是点源,它在一定边界条件和(或)初始条件下场的表达式称为格林函数。

所谓“基本解”就是指在无界空间的格林函数,它是相应微分方程的基本解。

当i 点位于D 域内时,积分d()i i DDi Du v u v u v F u -='--=-=∇⎰⎰⎰d d d 2r r δδ这实际反映δ函数积分的抽样性。

若“i ”点在D 域之外,则积分为零。

以F 为权函数,若“i ”点在D 域之内,将F 代入基本关系式中,有: ⎰⎰⎰⎰⎰++∂∂-∂∂-=+1212d d d d d S S s S SS Di s qF s F q s nF u s nF uv fF u可以简写为:(2)称此式为电磁场直接边界积分方程。

代入rF π41=得分析上式:当u 及nu ∂∂在边界上的值以及f 在D 域内的值均为已知时,就可用上式通过面积分和体积分来确定D 域内任意一点的位值。

其中面积分可以视为Laplace 方程的通解,加上体积分计算之和可视为泊松方程的特解。

6.1.3电磁场的间接边界积分方程若令D '表示S 面以外区域,u '是D '域中Laplace 方程的解:D u '∈='∇02于是在D '域中,上面推导的直接边界积分方程 (2) 式应为⎰=⎪⎭⎫ ⎝⎛∂∂'-∂'∂S dS n F u n u F0 此时“i ”点在D '外,⎰=∇D Fdv u 02,0=f 。

用 (2) 式减上式可得:(3)亦为求解D 域内电磁场的间接边界积分方程。

若将 (3) 式转换为等效源表示的公式,就得到了电磁场的间接边界积分方程。

1. 在静电场中 ερ-=f :电荷体密度函数。

εσ=∂'∂-∂∂nu nu :表示边界面两侧电场强度法向分量的突变量,σ相当于面电荷分布的单层源ετ=-'u u :表示边界面两侧位函数值的突变量,τ等效于偶极子分布的双层源。

将基本解代入(3)式得:式中:右端体积分项表示D 域内自由电荷对域内点的电位值的贡献,而两项面积分则表示D 域外部的电荷在D 域内各点产生电位的贡献,称它的静电场的间接边界积分方程。

2. 在恒定磁场中对标量磁位而言(分析同静电场):m f ρ=,mnu nu σ=∂'∂-∂∂, m m u u τ=-'考虑到基本解rF π41=,则恒定磁场的间接边界积分方程为6.2 边界积分方程中边界点上的奇异性6.2.1 边界点上的奇性及其处理方法前面讨论所得到的边界积分方程,点“i ”均在域D 内,若 “i ”点在边界面上,在进行面积分时就会出现0=R 的情况,即在积分中出现了奇点。

我们来分析已导出的边界积分方程 (2) 式: ⎰⎰⎰⎰⎰++∂∂-∂∂--=1212S S s S sS D i qFds Fds q ds nF u ds nF ufFdv u1. 设三维区域的边界s 是光滑的,在边界面上以“i ”点为球心,很小的o r 为半径作半球面,取o r 趋于零时的极限,以考察小半球心i 点处的位函数值。

在2S 有边界点i ,取上式右端第二项⎰⎰⎰∂∂+∂∂=∂∂-022F r r S S S S ds nF uds nF uds nu又在ro S 面上:24141or r r r r r r nF ooππ-=⎪⎭⎫ ⎝⎛∂∂=∂∂==代入上式右端第二项中:⎰⎰-=∂∂roroS oS s ru s nF ud 4d 2π2241lim d 4lim 22020i o o r S o r u u r r s r uo roo -=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⋅-=⎥⎦⎤⎢⎣⎡-→→⎰πππ 可见上式围绕奇点的积分,给出了2i u -,当0→o r 时,22S S S ro ⇒-∴2. 如果是二维区域的光滑边界,二维Poisson 方程的基本解r F ln 21π=,n S l nr r r n Fππ21ln 21-=⎪⎭⎫ ⎝⎛-∂∂=∂∂ 此时的l r0是绕i 点的半圆,则前面式中右端第二项⎰⎰-=∂∂rorol ol l r u l nF ud 2d π当0→o r 取极限:lim22lim 2lim 00i o o r l o r u r r u dl r uo roo -=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛⋅-=⎪⎪⎭⎫⎝⎛-→→⎰πππ 与三维的情况一样,绕奇点积分,仍给出2i u -。

3. 对于式中的右端第四项,绕奇点的面积分三维情况下:⎰⎰⎰⎰⎰++∂∂-∂∂--=1212d d d d d S S s S sS Di s qF s F q s nF u s nF uv fF u042lim4d lim d lim 2000==⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=⎪⎭⎫ ⎝⎛→→→⎰⎰s o o r S osr S s r q r r r s q s F q o ro o roo πππ二维情况下lim 21ln lim2ln 21lim d ln 2lim d lim 0000==-=⎪⎭⎫⎝⎛⋅-=⎪⎭⎫⎝⎛-=⎪⎭⎫⎝⎛→→→→⎰⎰o r s oo s o o s r l o sr lr s r r q r r q r r q l r q s F q o o roo oo πππ可见并不存在奇性,即奇点是可去奇点。

综上分析,光滑边界上“i ”点的位值i u将此式与D 域内点位i u 的计算式合并,可表为:(4)其中:上式称为电磁场边界元法的通用积分方程。

应当注意到当i 点确定时,它只可能在1s 上或者2s 上。

在1s 上则只涉及两个积分项;在2s 上也只涉及两个积分项,且一项为可去奇点积分,仅处理其中1项。

在分析思路上,将i 点视为在D 域内而无限接近s 面。

这也说明:对边界上点“i ”奇性的分析,为什么只考虑面积分项?为什么只推导两项。

6.2.2 只存在一种等效源情况对于间接边界积分方程 ⎰⎰⎰∂∂'--⎪⎭⎫ ⎝⎛∂'∂-∂∂+-=ss D i ds nFu u ds n u nu F fFdv u )(在静电场情况进行分析:1. 如果u u '=,即边界上没有位的突变,则上式变为只有单层源的积分式⎰⎰⎰⎰-=-⎪⎭⎫⎝⎛∂'∂-∂∂=DsDs i fFdv ds F fFdv ds n u nu F u σε1只从σ角度来讲,此式属于第一类Fredholm 积分方程。

如果i u 为已知,由上式可求得σ的分布。

要求“i ”点的位函数的法向导数,即要求出上式中的导数:⎰⎰∂∂-∂∂=⎪⎭⎫⎝⎛∂∂=Dsi v nF fs nF n u q d d 1σε根据边界上点的奇性讨论,可推导得知在光滑边界上对于σ而言,此式属于第二类Fredholm 积分方程。

2. 如果nu nu ∂'∂-=∂∂,即边界上没有场强值的突变,计算式变为只有双层源的积分式:⎰⎰-∂∂=sDi fFdv ds nF u τε1在光滑边界上,涉及奇点的存在⎰⎰-∂∂+-=sDi fFdv ds nF u τεετ12上面两式,对于τ而言上两式分别属于第一类和第二类Fredhem 积分方程。

关于只存在一种等效源情况分析,对于用标量磁位描述的恒定磁场也同样适用。

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