磁化曲线和磁畴结构
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第八章 磁化曲线和磁畴结构
8.1 技术磁化的机理
(1) 三种磁化过程.
M M sVi cosi
i
退磁态 M 0 , 在外加磁场下, 磁化强度改变为 M H
M H Байду номын сангаасM s cosiVi M s Vi cosi Vi cosiM s
i
i
i
Vi , 畴壁位移 DWD, cos i , 磁畴转动 DR, MS , 内禀磁化, 饱和磁化强度的增加,
半顶角为30°及60° 的园锥之间的磁化矢 量发生了反转
反磁化机制为不可逆转运时
各种材料饱和磁化，反向退磁到H=-(Hc+ΔH)后, 到达 H=0，M=0状态时样品内磁化矢量的分布。
三种磁化过程示意图
图3.1.1各阶段的磁化曲线
(2) 磁化曲线的各个阶段.
a、初始部分. 主要为可逆畴壁位移和可逆磁畴转动. b、陡峻部分. 不可逆畴壁位移 (多畴) 为主;
不可逆磁畴转动 (单畴) 为主.
c、膝点以上. 主要为可逆磁畴转动 . d、高场, 趋近饱和律.
顺磁化过程 M S .
(3) 与磁化曲线相关的一些因素 磁畴结构的具体类型. 磁场变化的频率
00
Ms 2
对三轴晶体(K1>0的立方晶系材料)
M r 0.8312 M s
对四轴晶体(K1<0的立方晶系材料)
M r 0.866 M s
(单轴晶体)
其他因素对剩磁的影响 图8.2.3 各种磁性材料的Mr/Ms的期待值
8.3一次退磁后, H = 0, M = 0点上磁畴磁化的分布
饱和 剩磁点 反向磁化H=-(Hc+ΔH)
撤去反向场,使H=0,M=0 正向磁化
畴壁位移反磁化情况
设反转部分最大角度为0(畴壁位移机制)
应有
0
Ms
0
cos
sind
Mr 2
Ms 4
可得
sin0
2
/
2
0
4
(单轴晶体)
对立方晶体
0 31.75 (K1 0)
0 27.73 (K1 0)
易磁化方向与外磁场 成45°角的粒子，其 磁化矢量最容易反转
磁后效 材料形状
8.2 剩磁点上磁畴磁化强度的分布
图8.2.1磁化过程中各点磁畴磁化矢量的分布 (单轴晶体)
磁场足够高的时候磁化矢量都排列在差不多平行 于磁场的方向上
磁场减小到H=0时,剩磁点,各个磁化矢量将转回到 与它最靠近的易磁化方向上
M r M s cos
Ms
2
/ 2 2
cos sindd
8.1 技术磁化的机理
(1) 三种磁化过程.
M M sVi cosi
i
退磁态 M 0 , 在外加磁场下, 磁化强度改变为 M H
M H Байду номын сангаасM s cosiVi M s Vi cosi Vi cosiM s
i
i
i
Vi , 畴壁位移 DWD, cos i , 磁畴转动 DR, MS , 内禀磁化, 饱和磁化强度的增加,
半顶角为30°及60° 的园锥之间的磁化矢 量发生了反转
反磁化机制为不可逆转运时
各种材料饱和磁化，反向退磁到H=-(Hc+ΔH)后, 到达 H=0，M=0状态时样品内磁化矢量的分布。
三种磁化过程示意图
图3.1.1各阶段的磁化曲线
(2) 磁化曲线的各个阶段.
a、初始部分. 主要为可逆畴壁位移和可逆磁畴转动. b、陡峻部分. 不可逆畴壁位移 (多畴) 为主;
不可逆磁畴转动 (单畴) 为主.
c、膝点以上. 主要为可逆磁畴转动 . d、高场, 趋近饱和律.
顺磁化过程 M S .
(3) 与磁化曲线相关的一些因素 磁畴结构的具体类型. 磁场变化的频率
00
Ms 2
对三轴晶体(K1>0的立方晶系材料)
M r 0.8312 M s
对四轴晶体(K1<0的立方晶系材料)
M r 0.866 M s
(单轴晶体)
其他因素对剩磁的影响 图8.2.3 各种磁性材料的Mr/Ms的期待值
8.3一次退磁后, H = 0, M = 0点上磁畴磁化的分布
饱和 剩磁点 反向磁化H=-(Hc+ΔH)
撤去反向场,使H=0,M=0 正向磁化
畴壁位移反磁化情况
设反转部分最大角度为0(畴壁位移机制)
应有
0
Ms
0
cos
sind
Mr 2
Ms 4
可得
sin0
2
/
2
0
4
(单轴晶体)
对立方晶体
0 31.75 (K1 0)
0 27.73 (K1 0)
易磁化方向与外磁场 成45°角的粒子，其 磁化矢量最容易反转
磁后效 材料形状
8.2 剩磁点上磁畴磁化强度的分布
图8.2.1磁化过程中各点磁畴磁化矢量的分布 (单轴晶体)
磁场足够高的时候磁化矢量都排列在差不多平行 于磁场的方向上
磁场减小到H=0时,剩磁点,各个磁化矢量将转回到 与它最靠近的易磁化方向上
M r M s cos
Ms
2
/ 2 2
cos sindd