模电基础答案
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
(完整版)模拟电子技术基础课后答案谢志远
第二章2.1 U U AB 45.0=。
2.2 （a ）2D 导通，1D 截止。
（b ）2D 导通，1D 截止。
（c ）1D 导通，2D 截止（d ） 2D 导通，1D 截止。
2.4 （a ） 1.3V U =o1。
（b ）0V U =o2。
（c ） 1.3V U =-o3。
（d ）2V U =o4（e ） 1.3V U =o5。
（f ）2V U =-o6。
2.5 （1）DB 0I =；DA R 1mA I I ==；9U =o V 。
（2）DB 0I =；DA R 0.6mA I I ==； 5.4U o =V 。
（3） 4.74U o =V ；0.53mA I ≈R ；10.26mA 2I I I =≈D A D B R =。
2.6 （a ） D 截止。
（b ） D 截止。
（c ）D 导通。
2.8 （1）10V U =I 时3.3V U =O 。
15V U =I 时5V U =O 。
35V U =I 时6V U =O 。
（2）若U I =35V 时负载开路，稳压管D 可能被击穿。
R 35V -6V29mA >25mA 1k I ==Ω稳压管会因所承受的反向电流过大，出现热击穿而被烧毁。
第三章3.1 （1）（a ）电流方向向外，大小为1.01mA ；(b)电流方向向外，大小为5mA 。
(2) （a ）1mA 10010A β==μ;（b ）5mA50100Aβ==μ。
（3）（a ）该管为NPN 型；（b ），该管为PNP 型。
3.2 （a ）为PNP 型；（b ）为NPN 型；（c ）为NPN 型；（d ）为PNP 型；（e ）为PNP 型；（f ）为NPN 型。
3.4 （a ）不能正常放大。
（b ）无交流放大作用。
（c ）能够实现交流放大。
（d ）不能实现交流放大。
（e ）不能实现交流放大。
（f ）电路能够正常放大。
3.5 （1）BEQ 0.7V U =；BQ 50I =μA ；CQ I =2m A ；CEQ 6V U =。
模拟电子技术基础试题及答案
一、在括号内用“√"或“×”表明下列说法是否正确.(1I)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( ）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ )(3）放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的;( )(4）电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( ）（5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;（ )（6）由于放大的对象象是变化量,所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；（ )（7）只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）【解答】 (1）×。
放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。
(2）√。
放大的特征就是功率的放大。
（3)×.应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。
(4）×。
．(5）√。
设置合适的静态工作点.(6）×。
任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。
(7）×。
二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由.设图中所有电对交流信号均可视为短路。
，【解答1 （a)不能。
因为输人信号被VBB所影响.（a）例1—-3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式？能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极？【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道, P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点,而且会造成管子损坏。
‘而对于绝缘栅型效应管,由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能用测晶体管的办法来检测.对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极.自测题分析与解答一、判断下列说法是否正确，用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
模拟电子技术基础-模电课后题答案
(d)
6
解图 Pl.13 1.14 已知场效应管的输出特性曲线如图 Pl.14 所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图 Pl.14
(a) 解图 Pl.14
(b)
解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图 Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及
uGS 值，建立 iD f (uGS ) 坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图 Pl.14 (b)所示。
六、测得某放大电路中三个 MOS 管的三个电极的电位如表 Tl.6 所示，它们的开启电压也在表中。试分析 各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区） ，并填入表内。 表 T1.6 管号 T1 T2 T3 UGS(th)/V 4 -4 -4 US/V -5 3 6 UG/V 1 3 0 UD/V 3 10 5 工作状态 恒流区 截止区 可变电阻区
I CS
VCC U CES 11.3mA ， 所以 T 处于饱和状态。 Rc
5
1.11 电路如图 Pl.11 所示,晶体管的 β=50 , U BE 0.2V ，饱和管压降 U CES 0.1V ；稳压管的稳定电 压 U Z 5V , 正向导通电压 U D 0.5V 。试问：当 uI 0V 时 uO ？；当 uI 5V 时 uO ？ 解：当 uI 0V 时，晶体管截止，稳压管击穿，
7
(a)
(b) 图 P1.16
(c)
(d)
解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。 补充 1.电路如补图 P1(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压 U Z 3V , R 的取值合适， u I 的波形如图(c)所 示。试分别画出 uO1 和 uO 2 的波形。
《模拟电子技术基础》习题答案
( RC // RL ) u i 0.76V rbe (1 ) RE
(1 )( RE // RL ) ui 0.994V rbe (1 ) RE
u o 2 Auo 2 u i
2. 6 如图题 2.6 所示的偏置电路中，热敏电阻 Rt 具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用？
第 1 章习题及答案 1.1．在图题 1.1 所示的各电路图中 E＝5V，ui 10 sin t V，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电 压 u o 的波形。
+
R
+ D E + -
+
Байду номын сангаас
D
+ R E + -
ui
(a) + R
uo
-
ui
(b)
uo
-
+ D E + -
+
ui
(c)
uo
-
D
+ R E + -
I B IC /
U CB U CC I C RC U CC Rb 2 U CC ( Rb1 Rb 2 )
Rb 2 RC Rb 2 U CC U CC ( Rb1 Rb 2 ) Re ( Rb1 Rb 2 )
7
第 3 章习题及答案 3.1 电路如图题 3.1 所示。 T1 和 T2 参数一致且 足够大。 （1） T1 、 T2 和电阻 R1 组成什么电路，起什么作用？ （2） 写出 I c 2 的表达式。
Re
uo
-
(a)
(b)
图解 2.7 2. 8 如图题 2.8 所示 RS、Re、Rb1、Rb2、Rc、RL、UCC 均已知；求静态工作点 IC、IB、UCB。
模拟电子技术基础课后答案(黄丽亚著)(机械工业出版社)
题图 2.6
解： （1）Q1 点： β ≈ 50, Q2点：β ≈ 0。 （2） U ( BR )CEO ≈ 40V , PCM ≈ 330mW。
2.7 硅晶体管电路如题图 2.7 所示。设晶体管的 U BE ( on ) 作状态。 15V RB 470k Ω 1V D 0.3V （a） RC 2k Ω T RE 1k Ω RB 100k Ω RC 2k Ω T RE 1k Ω 15V
RB 500 C1 + ui RE 1k Ω kΩ
Q'
④ 4 6
Q
10 12
U CC − U BE ( on ) 12 = = 20 （ μ A ） ，直流负载线 RB + ( 1 + β )RE 500 + 100 U CE = U CC − I C ( RC + RE ) = 12 − 3 I C ，取两点 (U CE = 0 , IC = 4mA ; IC = 0 ,U CE = 12V ) ，可得直流负载线如图 2.18（b）中①线，工作 1 1 = − ，可得图 2.18（b）中 点 Q( U CEQ = 6 V， I CQ = 2 mA)，交流负载线的斜率为 − RC 2
= 0.7 V， β = 100 。判别电路的工
9V
（b） 题图 2.7
（c）
解： 在题图(a )中，由于 U BE < 0 ,因而管子处于截止状态 。U C = U CC = 12V。
题图（b） ：
2
I BQ =
15 − 0.7 = 25 μA RB + ( 1 + β )RE
I CQ = β I BQ = 2.5mA U CEQ = 15 − 2.5 × 3 = 7.5( V )
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。
电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。
《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 信号的运算和处理题解
精品行业资料，仅供参考，需要可下载并修改后使用！第七章信号的运算和处理自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果。
（1）运算电路中一般均引入负反馈。
（）（2）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（）（3）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）（4）各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。
（）解：（1）√（2）×（3）√（4）×二、现有电路：A. 反相比例运算电路B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路D. 微分运算电路E. 加法运算电路F. 乘方运算电路选择一个合适的答案填入空内。
（1）欲将正弦波电压移相＋90O，应选用。
（2）欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用。
（3）欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用。
（4）欲实现A u＝－100的放大电路，应选用。
（5）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用。
（6）欲将方波电压转换成尖顶波波电压，应选用。
解：（1）C （2）F （3）E （4）A （5）C （6）D三、填空：（1）为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
（2）已知输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
（4）为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。
解：（1）带阻（2）带通（3）低通（4）有源四、已知图T7.4所示各电路中的集成运放均为理想运放，模拟乘法器的乘积系数k 大于零。
试分别求解各电路的运算关系。
图T7.4解：图（a ）所示电路为求和运算电路，图（b ）所示电路为开方运算电路。
它们的运算表达式分别为I3142O 2O43'O 43I 12O2O1O I343421f 2I21I1f O1 )b (d 1)1()( )a (u R kR R R u ku R R u R R u R R u t u RCu u R R R R R R R u R u R u ⋅=⋅-=-=-=-=⋅+⋅+++-=⎰∥习题本章习题中的集成运放均为理想运放。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础习题答案
；
②U I 为 15V， IDZ
IR IRL
UI
UZ R
UZ RL
3mA
IZ min 5mA ，最大稳定电流 IZ max 25mA。
小于 5mA, 所以稳压管不工作在稳压状态，起普通二极管的作用。
UI
15V
时， U O
R
RL RL
U
I
5V
；
③U I 为 35V， IDZ
IR IRL
解：(1) IC
VCC U CE Rc
2mA ， I B
IC / 20A ,
∴ Rb
VCC U BE IB
565k 。
(2)由
Au
Uo Ui
(Rc // rbe
RL )
100 ,
可得: RL 2.625k 。
2.11 电路如图 P2.11 所示，晶体管 β=100， rbb =100Ω。 (1)求电路的 Q 点、 Au 、 Ri 和 Ro ；
态电压 uo ?
解：电路的共模输入电压 uIC 、差模输入电压 uId 、差模放大倍数 Ad 和动态电压 uO 分别为：
u IC
uI1 uI2 2
15mV
；
uId uI1 uI2 10mV
Ad
Rc 2rbe
175
；
uO AduId 1.75V
5.3 已知某共射放大电路的波特图如图 P5.3 所示，试写出 Au 的表达式。
6.5 电路如图 P6.5 所示，要求同题 6.4。
+— —
++
—
—
(a)
—
(b)
+—
—
—
—
— —
模电基础试题及答案
模电基础试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，这种材料被称为：A. 导体B. 绝缘体C. 半导体D. 超导体答案：C2. 在PN结中，正向偏置时，电流主要由哪种载流子通过？A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 离子答案：C3. 下列哪个元件不是基本的模拟电路元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 逻辑门答案：D4. 运算放大器的理想工作条件是：A. 单电源供电B. 双电源供电C. 无电源供电D. 任意电源供电答案：B5. 共发射极放大电路中，输出信号与输入信号的相位关系是：A. 同相B. 反相C. 无关系D. 相位差90度答案：B6. 晶体三极管的放大作用是通过控制哪个极的电流来实现的？A. 发射极B. 基极C. 集电极D. 任何极答案：B7. 在模拟电路中，通常使用哪种类型的反馈来提高电路的稳定性？A. 正反馈B. 负反馈C. 无反馈D. 混合反馈答案：B8. 场效应管（FET）的主要优点之一是：A. 高输入阻抗B. 低输入阻抗C. 高输出阻抗D. 低输出阻抗答案：A9. 理想运算放大器的输入阻抗是：A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C10. 串联负反馈可以导致放大电路的：A. 增益增加B. 增益减少C. 带宽增加D. 带宽减少答案：B二、填空题（每空1分，共10分）1. 半导体二极管的主要特性是______，即正向导通，反向截止。
答案：单向导电性2. 在共基极放大电路中，输入信号与输出信号的相位关系是______。
答案：同相3. 运算放大器的开环增益通常在______以上。
答案：100000（或10^5）4. 场效应管的控制方式是______控制，而双极型晶体管的控制方式是______控制。
答案：电压；电流5. 理想运算放大器的输出电压与输入电压之间的关系是______。
答案：输出电压远大于输入电压三、简答题（每题5分，共10分）1. 简述晶体三极管的三种基本放大电路及其特点。
模拟电子技术基础-自测题答案
第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，假设掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；假设掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。
1．2 单项选择题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。
A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作(D )。
、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
(√)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
(×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
(×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
(×)第2章半导体三极管及其基本应用2．1 填空题1．晶体管从结构上可以分成PNP 和NPN两种类型，它工作时有2种载流子参与导电。
2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。
4．当温度升高时，晶体管的参数β增大，I CBO增大，导通电压U BE 减小。
《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 放大电路的频率响应题解
精品行业资料，仅供参考，需要可下载并修改后使用！第五章 放大电路的频率响应自 测 题一、选择正确答案填入空内。
（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 。
A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适（3）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍 即增益下降 。
A.3dBB.4dBC.5dB（4）对于单管共射放大电路，当f ＝ f L 时，o U 与iU 相位关系是 。
A.＋45˚B.－90˚C.－135˚当f ＝ f H 时，o U 与iU 的相位关系是 。
A.－45˚ B.－135˚ C.－225˚ 解：（1）A （2）B ，A （3）B A （4）C C二、电路如图T5.2所示。
已知：V C C ＝12V ；晶体管的C μ＝4pF ，f T = 50MHz ，'bb r ＝100Ω, β0＝80。
试求解：（1）中频电压放大倍数smu A ； （2）'πC ；（3）f H 和f L ；（4）画出波特图。
图T5.2解：（1）静态及动态的分析估算：∥178)(mA/V2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV26)1(V 3mA 8.1)1(Aμ 6.22c m bee b'i s ismTEQ m b be i e b'bb'be EQe b'c CQ CC CEQ BQ EQ bBEQCC BQ -≈-⋅+=≈=Ω≈=Ω≈+=Ω≈+=≈-=≈+=≈-=R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u ββ（2）估算'πC ：pF1602)1(pF214π2)(π2μc m 'μTe b'0μπe b'0T ≈++=≈-≈+≈C R g C C C f r C C C r f πππββ（3）求解上限、下限截止频率：Hz14)π(21kHz 175π21567)()(i s L 'πH s b b'e b'b s b b'e b'≈+=≈=Ω≈+≈+=CR R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥（4）在中频段的增益为dB 45lg 20sm ≈u A频率特性曲线如解图T5.2所示。
模拟电子技术基础自测题及答案
自测题一一、判断题 1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电;2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体;1．半导体中的少数载流子产生的原因是 ;A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将 ;A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将 ;A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映 能力的参数;A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=,V U 4.52=,V U 123=,则对应该管的管脚排列依次是 ;A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 ;A ．非饱和区B ．饱和区C ．截止区D ．击穿区1．在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ;3．PN 结正偏导通,反偏截止,称为PN 结的 性能;6．三极管最重要的特性是 ;8．场效应晶体管属于 控制器件;自测题一一、判断题1.错2.对3.错二、单选题三、填空题1.掺杂浓度2.漂移3.单向导电性4.变窄5.削弱6.电流放大作用7.增大8.电压9.输入电阻高 10.增强型MOS管沟道增强型沟道增强型自测题二一、判断题1．晶体管的输入电阻r是一个动态电阻,故它与静态工作点无关;be2．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;5．直接耦合放大电路只能放大直流信号,不能放大交流信号;二、单选题1．在基本共射放大电路中,负载电阻减小时,输出电阻将 ;A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定2．在基本共射放大电路中,信号源内阻减小时,输入电阻将 ;A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定6．晶体管能够放大的外部条件是 ;A．发射结正偏,集电结正偏 B．发射结正偏,集电结反偏C．发射结反偏,集电结正偏 D．发射结反偏,集电结反偏7．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 ;A．电压放大倍数高 B．输出电流小C．输出电阻增大 D．带负载能力强三、填空题1．要使三极管放大电路不失真,必须设置合理的 ;2．在三极管放大电路中,静态工作点过高会产生失真;3．若放大电路静态工作点选的过低,信号容易产生 失真;4．基本共射放大电路,当温度升高时,Q 点将向 移;5．若三极管发射结正偏,集电结也正偏则三极管处于 状态;L 则其电压放大倍数 ;自测题二一、判断题1.错2.对3.错4.错5.错二、单选题三、填空题1.静态工作点2.饱和3.截止4.上5.饱和6.相同7.强8.越大 10.2H L ωωπ- 自测题三一、判断题1．测得两共射放大电路空载电压放大倍数均为－100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000;3．阻容耦合放大电路只能放大交流信号,不能放大直流信号;二、单选题1．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 ;A ．电阻阻值有误差B ．晶体管参数的分散性C ．晶体管参数受温度影响D ．受输入信号变化的影响2．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 ;A ．电压放大倍数高B ．输出电流小C ．输出电阻增大D ．带负载能力强3．多级放大电路与单级放大电路相比,电压增益和通频带 ;A ．电压增益减小,通频带变宽B ．电压增益减小,通频带变窄C ．电压增益提高,通频带变宽D ．电压增益提高,通频带变窄4．有两个放大器,空载时的输出电压均为3V,当它们接入相同的负载时,甲放大器的输出电压为2V,乙放大器的输出电压为1V,则说明甲比乙的 ;A ．输入电阻大B ．输入电阻小C ．输出电阻大D ．输出电阻小三、填空题1．在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的 ;2．在多级放大电路中,前级的输出电阻可视为后级的 ;3．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用 耦合方式;5．多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要 ;6．放大器级间耦合方式有三种： 耦合； 耦合；耦合；在集成电路中通常采用 耦合;自测题三一、判断题1.错2.错3.对4.错二、单选题三、填空题1.负载2.信号源内阻3.直接4.好5.窄6.直接,阻容,变压器,直接自测题四一、判断题1．运放的共模抑制比c d CMR A A K 3．互补输出级应采用共集或共漏接法;4．对于长尾式差动放大电路,不论是单端输入还是双端输入,在差模交流通路中,射极电阻E R 一概可视为短路;二、单选题1．放大电路产生零点漂移的主要原因是 ;A ．放大倍数太大B ．采用了直接耦合方式C ．晶体管的噪声太大D ．环境温度变化引起参数变化2．为更好的抑制零漂,集成运放的输入级大多采用 ;A ．直接耦合电路B ．阻容耦合电路C ．差动放大电路D ．反馈放大电路3．差动放大电路的主要特点是 ;A ．有效放大差模信号,有力抑制共模信号B ．既放大差模信号,又放大共模信号C ．有效放大共模信号,有力抑制差模信号D ．既抑制差模信号,又抑制共模信号4．差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 ,而提高共模抑制比;A ．抑制共模信号B ．抑制差模信号C ．放大共模信号D ．既抑制共模信号又抑制差模信号5．差动放大电路用恒流源代替E R 是为了 ;A ．提高差模电压放大倍数B ．提高共模电压放大倍数C ．提高共模抑制比D ．提高差模输出电阻6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 ;A ．可获得较高增益B ．可使温漂变小C ．在集成工艺中难于制造大电容D ．可以增大输入电阻三、填空题1．选用差分放大电路的原因是 ;2．差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 ;3．共模信号是两个输入端信号的 ;4．互补输出级采用共集形式是为了使 ;8．差动放大电路两个输入端的信号mV u i 801=,mV u i 602=,则一对差模输入信号=-=21i i u u mV ;9．集成运放的输入级采用差动放大电路的主要作用是 ;10．集成运放的输出级多采用 电路;13．差分放大器的基本特点是放大 、抑制 ;自测题四一、判断题1.对2.对3.对4.对二、单选题三、填空题1.克服温漂2.差3.平均值4.带负载能力强5.好6.零点漂移7.无穷大 9.克服零漂 10.射极跟随器11.共模 11.输入级中间级输出级偏置电路 13.差模信号共模信号自测题五三、填空题1．理想运算放大器同相输入端接地时,则称反相输入端为端;2．理想运放工作在线性区,流进集成运放的信号电流为零,称此为 ;3．理想运算放大器的两条重要法则是 ;自测题五三、填空题1.虚地2.虚断3.净输入电压等于零和净输入电流等于零自测题六一、判断题2．既然电流负反馈稳定输出电流,那么必然稳定输出电压;二、单选题2．要得到一个由电压控制的电流源应选用 ;A．电压串联负反馈 B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈 D．电流并联负反馈3．放大电路引入交流负反馈后将 ;A．提高输入电阻 B．减小输出电阻C．提高放大倍数 D．提高放大倍数的稳定性4．放大电路引入直流负反馈后将 ;A．改变输入、输出电阻 B．展宽频带C．减小放大倍数 D．稳定静态工作点5．引入电压并联负反馈后,基本放大器的输入、输出电阻的变化是 ;A．输入电阻增大,输出电阻增大 B．输出电阻增大,输入电阻减小C．输入电阻减小,输出电阻减小 D．输入电阻减小,输出电阻增大7．为使放大电路的输出电压稳定、输入电阻增大,需引入的交流负反馈是 ;A．电压串联 B．电压并联 C．电流串联 D．电流并联三、填空题1．在放大电路中,若要稳定放大倍数,应引入 ;2．在放大电路中,希望展宽频带,应引入 ;3．在放大电路中,如要减少输入电阻,应引入 ;6．引入电压负反馈可以稳定放大电路的 ;自测题六一、判断题1.对2.错3.错4.错5.错6.错二、单选题三、填空题1.交流负反馈2.交流负反馈3.并联负反馈4.电流负反馈5.增大6.输出电压自测题八一、判断题2．功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号;3．由于功率放大管处于大信号工作状态,所以微变等效电路方法已不再适用;4．在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功率损耗也最大;二、单选题1．与甲类功率放大方式比较,乙类推挽方式的主要优点是 ;A．不用输出变压器 B．不用输出端大电容 C．无交越失真 D．效率高2．乙类放大电路是指放大管的导通角等于 ;A．360度 B．180度 C．90度 D．小于90度4．功率放大三极管工作在A．高电压、小电流状态 B．低电压、小电流状态C．低电压、大电流状态 D．高电压、大电流状态三、填空题1．输出功率为20W的乙类推挽功率放大器,则应选至少为瓦的功率管两个;,类推挽放大器;一、判断题2.对3.对4.错二、单选题三、填空题2.互补对称3.交越失真甲乙。
模拟电子技术基础试题含答案
1、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。
【】A. 83B. 91C. 1002、已知图所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。
选择一个合适的答案填入空内。
（1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom≈；【】A.2VB.3VC.6VU ＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW，（2）当i则输出电压的幅值将；【】A.减小B.不变C.增大U ＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增（3）在i大输入电压，则输出电压波形将；【】A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将。
【】A.RW减小B.Rc减小C.VCC减小3、互补输出级采用共集形式是为了使。
【】A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强4、选用差分放大电路的原因是。
【】A.克服温漂B. 提高输入电阻C.稳定放入倍数5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频【】A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降。
【】A.3dBB.4dBC.5dB6、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。
【】A．输入电阻增大B．输出量增大C．净输入量增大D．净输入量减小7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。
【】A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。
【】A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差9、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。
【】A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的【】A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大11、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。
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模电基础答案《模拟电子技术》模拟试题一填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开；4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。
A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（NPN）E、（PNP）3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。
A、U0高B、P0大C、功率大D、Ri大E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。
A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5、差分放大电路是为了（）而设置的。
A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。
A、压串负B、流串负C、压并负7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（）倍。
A、1B、2C、38、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。
A、电压B、电流C、串联9、分析运放的两个依据是（）、（）。
A、U-≈U+B、I-≈I+≈0C、U0=UiD、Au=1三、分析计算题1、已知电力如下图示：为理想二极管，试分析：①二极管导通还是截止？②UA0=？（4分）解：2、已知电力如图示：Vcc=12V，RB=300KΩ，RE=RL=2KΩ，Rs=500Ω，UBEQ≈0，C1=C2=30uF，rbe=1.5K，β=100，Us=10sinwt mV求：①ICQ ②UCEQ ③Au（取小数点后2位）④Ri⑤R0（10分）解：3、具有电流源的差分电路如图所示，已知UBEQ=0.7V，β=100，rbb=200Ω，试求：（1）V1、V2静态工作点ICQ、UCQ；（2）差模电压放大倍数Aud；（3）差模输入电阻Rid和输出电阻RO；（6分）4、电路如图所示，设UCES=0试回答下列问题：（6分）（1）ui=0时，流过RL的电流有多大？（2）若V3、V4中有一个接反，会出现什么后果？（3）为保证输出波形不失真，输入信号ui的最大幅度为多少？管耗为多少？5、根据自激振荡的相位条件，判断下图能否产生振荡？如果能振荡，求出F0；（4分）试题一答案一、填空（每空1分共40分）1、导通截止单向2、反向少数温度无关3、零无穷大4、电流电压5、正偏反偏6、增加减小7、共射极共集电极共基极8、直流电流9、A/1+AF 1/F10、1+AF fH –fL 1+AF11、共模差模12、交越甲乙13、双单14、小于近似等于1 大小15、零点温度集成16、调幅载波信号17、KUxUy二、选择题（每空2分共30分）1、B C F2、C D3、B C E4、B E5、C6、A7、B8、A9、A B三、分析与计算题（共30分）4分1、1）二极管V截止2）UA0=-4V10分2、1）ICQ=2.4mA UCEQ=7.2V 2）AU=0.99 3）Ri=122k 4) Ro=20Ω6分3、1）ICQ1=0.5mA UCEQ1=6V6分4、1）ui=0时，RL电流为零2）V3、V4有一个反接电路不能工作3）Uim=12V 4)Pcl=[Vcc2(4-3.14)]/(4*3.14RL)=0.099W4 分5、1）能振荡2）fo=280KHZ《模拟电子技术》模拟试题二一、填空题（每空1分共32分）1、P型半导体中空穴为（）载流子，自由电子为（）载流子。
2、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
3、反向电流是由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。
5、当温度升高时，三极管的等电极电流I（），发射结压降UBE（）。
6、晶体三极管具有放大作用时，发射结（），集电结（）。
7、三极管放大电路共有三种组态（）、（）、（）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（）负反馈，为了减小输出电阻采用（）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数Af=（），对于深度负反馈Af=（）。
10、共模信号是大小（），极性（）的两个信号。
11、乙类互补功放存在（）失真，可以利用（）类互补功放来克服。
12、用低频信号去改变高频信号的频率称为（），低频信号称为（）信号，高频信号称高频（）。
13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路（），fa=（）fβ。
14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（）网络。
15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、三端集成稳压器CW7812的输出电压是（）。
A、12VB、5VC、9V2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。
A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（PNP）E、（NPN）3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真，下半周失真时为（）失真。
A、饱和B、截止C、交越D、频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移5、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。
A、放大差模抑制共模B、输入电阻高C、输出电阻低6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）之间变化。
A、0~20B、20~200C、200~10007、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（）UzA、0.45B、0.9C、1.28、当集成运放线性工作时，有两条分析依据（）（）。
A、U-≈U+B、I-≈I+≈0C、U0=UiD、Au=19、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。
A、U0高，B、P0大C、效率高D、Ri大E、波形不失真10、振荡器的输出信号最初由（）而来的。
A、基本放大器B、选频网络C、干扰或噪声信号三、分析计算题1、（6分）由理想运放构成的小信号交流放大电路如图示：求：①频带内电压放大倍数Auf（取整数）；②截止频率fL；2、（8分）已知：电路如图：t=0时，Uc（0-）=0，Ui=0.1V。
求：①U01②t=10s时的U0？3、（10分）已知：电路如图示：Vcc=12V，RB1=40K，RB2=20K，Rc=RL=2K，RE=1.65K，UBEQ=0.7V，C1=C2=20uf，rbe=1.5K，β=100，CE=10uf求：①ICQ ②UCEQ ③Au ④Ri ⑤R0（取小数点后1位）4、（9分）已知：RC振荡电路如下图，R=7.9KΩ，C=0.02uF，RF=10K，求：①fo ②R1冷态电阻值；③指明R1的温度特性；5、（7分）已知：电路如图示：IQ=5mA，R1=500Ω，R2=1KΩ；求：输出电压U0；试题二答案一、填空（每空1分共32分）1、多数少数2、导通截止单向3、少数温度无关4、电流电压5、增加减小6、正偏反偏7、共射极共集电极共基极8、直流电压9、A/1+AF 1/F10、相等相同11、交越甲乙12、调频调制高频载波13、好1+β14、正反馈15、√2U2二、选择题（每空2分共30分）1、A2、C E3、B A4、C5、A6、B7、C8、A B9、B C E 10、C三、分析与计算题（共38分）1、1）-100 2）160Hz2、1）1.1V 2）1.1V3、1）2mA 2 ) 4.7V 3)-66.7 4）1.4KΩ5）2KΩ4、1）1KHz 2）5Ω3）正温度导数5、UO=20V《模拟电子技术》模拟试题三一、填空题（每空1分，共32分）1、空穴为（）载流子。
自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（）反之称为（）3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成，其大小决定于（），而与外电场（）。
4、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。
5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（）控制元件。
6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（) 。
7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（）负反馈。
为稳定交流输出电压，采用（）负反馈，为了提高输入电阻采用（）负反馈.。
8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（）通频带（）失真。
9、反馈导数F=（）。
反馈深度是（）。
10、差分放大电路能够抑制（）信号，放大（）信号。
11、OCL电路是（）电源互补功放，OTL是（）电源互补功放。
12、用低频信号改变高频信号的相位称为（）。
低频信号称为（）、高频信号称为（）。
13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（）。
共基极电路比共射极电路高频特性（）。
14、振荡电路的平衡条件是（），（）反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。
15在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。
二、选择题（每空2分，共34分）1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（）A 5vB 9vC 12v2、测某电路中三极管各极电位分别是0V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。