模拟电子技术基础 第三章 习题解答

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模拟电子技术第三章3.6 典型习题

模拟电子技术第三章3.6 典型习题

第三章半导体二极管及其基本电路一、写出图T1所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1解:U O1≈1.3V,U O2=0,U O3≈-1.3V,U O4≈2V,U O5≈1.3V,U O6≈-2V。

二、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Z m i n=5mA。

求图T2所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

图T2解:U O1=6V,U O2=5V。

三、能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?解:不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.5V 时,管子会因电流过大而烧坏。

四、电路如图T3所示,已知u i=10sinωt(v),试画出u i与u O的波形。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

图T3 解图T3 解:u i 和u o 的波形如解图T3所示。

五、 电路如图T4所示,已知u i =5sin ωt (V),二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出u i 与u O 的波形,并标出幅值。

图T4 解图T4 解:波形如解图T4所示。

六、 电路如图T5(a )所示,其输入电压u I 1和u I 2的波形如图(b )所示,二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出输出电压u O 的波形,并标出幅值。

图T5解:uO 的波形如解图T5所示。

解图T5七、 电路如图T6所示,二极管导通电压U D =0.7V ,常温下U T ≈26mV ,电容C 对交流信号可视为短路;u i 为正弦波,有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流有效值为多少?解:二极管的直流电流 I D =(V -U D )/R =2.6mA 其动态电阻 r D ≈U T /I D =10Ω 故动态电流有效值 I d =U i /r D ≈1mA图T6八、现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压为0.7V。

试问:(1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少?(2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。

模拟电子技术基础第三章例题习题

模拟电子技术基础第三章例题习题

rbe
若旁路电容同时使 Re/ =0、 Re =0,则电压放大倍数为
& = A u
Uo Ui
. .
=−
′ β ⋅ RL
rbe
=−
50 × (6 // 6) × 103 1.85 × 103
≈ −81
由此可见 Re 的存在使放大倍数下降很多。 放大电路的输入电阻为 Ri = Rb1 // Rb 2 //[ rbe + (1 + β ) Re ] = 60 // 20 //[1.85 + (1 + 50) × 0.3] ≈ 8 kΩ 若无 Re,放大电路的输入电阻 Ri = Rb1 // Rb 2 // rbe = 1.65 kΩ,故 Re 的存在提 高了放大电路的输入电阻。放大电路的输出电阻为
& & & 0.66 × 103 & = U o = Uo ⋅ Ui = A & ⋅ Ri = −120 × A ≈ −111.5 us u • 3 & • U Rs + Ri ( 0 . 05 + 0 . 66 ) × 10 i Us Us
若 Rs=500 Ω,RL=8.2 kΩ,则该放大器源电压增益为
IC =
U CC U CE 12 U CE − = − 3 3 Rc Rc
iC / mA
4 3 2 1 0
2 4 6 8
100 75
当 UCE=0 时,IC=4mA;当 IC=0 时,UCE=12V,在如例 3-1 图所示的输 出特性上作出这条直线。 再由直流通路得 U − U BE 12 − 0.7 I B = CC = ≈ 51μA Rb 220 × 103 故直流负载线与 IB=51μA 相对应的输出特性 的交点即为静态工作点 Q,由图得 IC=2mA, UCE=6V。 (2) 当 UCE=3V 时, 则由直流通路可得集电极 电流为 U − U CE 12 − 3 = I C = CC = 3 mA Rc 3 × 103 U CC − U BE I C 3 I = = = = 75 μA 于是,基极电流为 B Rb β 40 U − U BE 12 − 0.7 Rb = CC = = 150.1 kΩ 故 IB 75 × 10 − 6 可采用 150 kΩ 标称电阻。 (3)若使 IC=1.5mA,则

模拟电子技术基础(童诗白 华成英)课后答案第3章

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第三章 多级放大电路自 测 题一、判断下列说法是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。

(1)现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。

( )(2)阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立,( )它只能放大交流信号。

( )(3)直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响,( )它只能放大直流信号。

( )(4)只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。

( ) (5)互补输出级应采用共集或共漏接法。

( )解:(1)× (2)√ √ (3)√ × (4)× (5)√二、现有基本放大电路:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。

(1)要求输入电阻为1k Ω至2k Ω,电压放大倍数大于3000,第一级应采用 ,第二级应采用 。

(2)要求输入电阻大于10M Ω,电压放大倍数大于300,第一级应采用 ,第二级应采用 。

(3)要求输入电阻为100k Ω~200k Ω,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用 ,第二级应采用 。

(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10M Ω,输出电阻小于100Ω,第一级应采用 ,第二级应采用 。

(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000io >I U A ui &&&=,输出电阻R o <100,第一级应采用 ,第二级应采用 。

解:(1)A ,A (2)D ,A (3)B ,A (4)D ,B (5)C ,B三、选择合适答案填入空内。

(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。

A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。

A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容(3)选用差分放大电路的原因是 。

模拟电子技术第三章习题与答案

模拟电子技术第三章习题与答案

模拟电子技术第三章习题与答案第三章习题与答案3.1 问答题:1.什么是反馈?答:在电子线路中,把输出量(电压或电流)的全部或者一部分,以某种方式反送回输入回路,与输入量(电压或电流)进行比较的过程。

2.什么是正反馈?什么是负反馈?放大电路中正、负反馈如何判断?答:正反馈:反馈回输人端的信号加强原输入端的信号,多用于振荡电路。

负反馈:反馈回输入端的信号削弱原输入端的信号,使放大倍数下降,主要用于改善放大电路的性能。

反馈极性的判断,通常采用瞬时极性法来判别。

通常假设某一瞬间信号变化为增加量时.我们定义其为正极性,用“+”表示。

假设某一瞬间信号变化为减少量时,我们定义其为负极性,用“-”表示。

首先假定输入信号某一瞬时的极性,一般都假设为正极性.再通过基本放大电路各级输入输出之间的相位变化关系,导出输出信号的瞬时极性;然后通过反馈通路确定反馈信号的瞬时极性;最后由反馈信号的瞬时极性判别净输入是增加还是减少。

凡是增强为正反馈,减弱为负反馈。

3.什么是电压负反馈?什么是电流负反馈?如何判断?答:根据反馈信号的取样方式,分为电压反馈和电流反馈。

凡反馈信号正比于输出电压,称为电压反馈;凡反馈信号正比于输出电流,称为电流反馈。

反馈信号的取样方式的判别方法,通常采用输出端短路法,方法是将放大器的输出端交流短路时,使输出电压等于零,如反馈信号消失,则为电压反馈,如反馈信号仍能存在,则为电流反馈。

这是因为电压反馈信号与输出电压成比例,如输出电压为零,则反馈信号也为零;而电流反馈信号与输出电流成比例,只有当输出电流为零时,反馈信号才为零,因此,在将负载交流短路后,反馈信号不为零。

4.什么是串联负反馈?什么是并联负反馈?如何判断?答:输入信号与反馈信号分别加在两个输入端,是串联反馈;加在同一输入端的是并联反馈。

反馈信号使净输入信号减小的,是负反馈。

判断反馈的极性,要采用瞬时极性法。

3.2 填空题:1.放大电路中,为了稳定静态工作点,可以引入直流负反馈;如果要稳定放大倍数,应引入交流负反馈;希望扩展频带,可以引入交流负反馈;如果增大输入电阻,应引入串联负反馈;如果降低输比电阻,应引入电压负反馈。

模拟电子技术教程第3章习题答案

模拟电子技术教程第3章习题答案

第3章 习题1. 概念题:(1)在放大电路中,三极管或场效应管起的作用就是 将一种形式的电量转换为另一种形式的电量 。

(2)电源的作用是 为能量转换提供能源 ,如果离开电源,放大器可以工作吗?( 不能 )(3)单管放大器的讲解从电容耦合形式开始,这是因为 阻容耦合放大器设计和计算相对来说要简单点 ,如果信号和负载直接接入,其 工作点 的计算将要复杂的多。

(4)在共射放大器的发射极串接一个小电阻,还能认为是共射放大器吗?( 能 )在共集放大器的集电极串接一个小电阻,还能认为是共集放大器吗?( 能 )(5)在模电中下列一些说法是等同的,(A 、C 、F )另一些说法也是等同的。

(B 、D 、E )A. 直流分析B. 交流分析C. 静态分析D. 动态分析E. 小信号分析F. 工作点分析(6)PN 结具有单向导电性,信号电压和电流的方向是随时间变化的,而交流信号却能在放大电路中通过并获得放大,这是因为 放大器输出端获取的交流信号其实就是电流或电压的相对变化量 。

(7) β大的三极管输入阻抗 也大 ,小功率三极管的基本输入阻抗可表示为EQTbb'be I U )1(r r β++≈。

(8)画直流通路比画交流通路复杂吗?(不)在画交流通路时直流电压源可认为 短路 ,直流电流源可认为 开路 ,二极管和稳压管只考虑其 动态内阻 即可。

(9)求输出阻抗时负载R L 必须 断开 ,单管放大器输出阻抗最难求的是共 集电极 放大器,其次是共 源 放大器。

(10)对晶体管来说,直流电阻指 晶体管对所加电源呈现的等效电阻 ,交流电阻指 在一定偏置下晶体管对所通过的信号呈现的等效电阻 ,对纯电阻元件有这两种电阻之区分吗?( 无 )(11)在共射级放大器或共源放大器中,电阻R C 或R D 的作用是 把电流I C 或I D 的变化转换为电压的变化 。

(12)放大电路的非线性失真包括 饱和 失真和 截止 失真,引起非线性失真的主要原因是 放大器工作点偏离放大区 。

北京交通大学模拟电子技术习题及解答第三章双极型三极管基本放大电路

北京交通大学模拟电子技术习题及解答第三章双极型三极管基本放大电路

第三章双极型三极管基本放大电路3-1 选择填空1.晶体管工作在放大区时,具有如下特点______________。

a. 发射结正偏,集电结反偏。

b. 发射结反偏,集电结正偏。

c. 发射结正偏,集电结正偏。

d. 发射结反偏,集电结反偏。

2.晶体管工作在饱和区时,具有如下特点______________。

a. 发射结正偏,集电结反偏。

b. 发射结反偏,集电结正偏。

c. 发射结正偏,集电结正偏。

d. 发射结反偏,集电结反偏。

3.在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中,电压放大倍数小于1的是______组态。

a. 共射b. 共集c. 共基d. 不确定4.对于题3-1图所示放大电路中,当用直流电压表测得U CE ≈V CC 时,有可能是因为______,测得U CE ≈0时,有可能是因为________。

题3-1图ccR La.R B 开路b. R C 开路c. R B 短路d. R B 过小5.对于题3-1图所示放大电路中,当V CC =12V ,R C =2k Ω,集电极电流I C 计算值为1mA 。

用直流电压表测时U CE =8V ,这说明______。

a.电路工作正常b. 三极管工作不正常c. 电容C i 短路d. 电容C o 短路 6.对于题3-1图所示放大电路中,若其他电路参数不变,仅当R B 增大时,U CEQ 将______;若仅当R C 减小时,U CEQ 将______;若仅当R L 增大时,U CEQ 将______;若仅更换一个β较小的三极管时,U CEQ 将______;a.增大b. 减小 c . 不变 d. 不确定 7.对于题3-1图所示放大电路中,输入电压u i 为余弦信号,若输入耦合电容C i 短路,则该电路______。

a.正常放大b. 出现饱和失真c. 出现截止失真d. 不确定 8. 对于NPN 组成的基本共射放大电路,若产生饱和失真,则输出电压_______失真;若产生截止失真,则输出电压_______失真。

模拟电子技术基础学习指导与习题解答(谢红主编)第三章思考题与习题解答

模拟电子技术基础学习指导与习题解答(谢红主编)第三章思考题与习题解答

模拟电⼦技术基础学习指导与习题解答(谢红主编)第三章思考题与习题解答第三章思考题与习题解答3-1 选择填空(只填a 、b 、c 、d)(1)直接耦合放⼤电路能放⼤,阻容耦合放⼤电路能放⼤。

(a.直流信号,b.交流信号,c.交、直流信号)(2)阻容耦合与直接耦合的多级放⼤电路之间的主要不同点是。

(a.所放⼤的信号不同,b.交流通路不同,c.直流通路不同)(3)因为阻容耦合电路 (a1.各级Q 点互相独⽴,b1.Q 点互相影响,c1.各级Au 互不影响,d1.Au 互相影响),所以这类电路 (a2.温漂⼩,b2.能放⼤直流信号,c2.放⼤倍数稳定),但是 (a3.温漂⼤,b3.不能放⼤直流信号,c3.放⼤倍数不稳定)。

⽬的复习概念。

解 (1)a 、b 、c ,b 。

(2)a 、c 。

(3)a1,a2,b3。

3-2 如图题3-2所⽰两级阻容耦合放⼤电路中,三极管的β均为100,be1 5.3k Ωr =,be26k Ωr =,S 20k ΩR =,b 1.5M ΩR =,e17.5k ΩR =,b2130k ΩR =,b2291k ΩR =,e2 5.1k ΩR =,c212k ΩR =,1310µF C C ==,230µF C =,e 50µF C =,C C V =12 V 。

图题3-2(a)放⼤电路;(b)等效电路(答案)(1)求i r 和o r ;(2)分别求出当L R =∞和L 3.6k ΩR =时的S u A 。

⽬的练习画两级放⼤电路的微变等效电路,并利⽤等效电路求电路的交流参数。

分析第⼀级是共集电路,第⼆级是分压供偏式⼯作点稳定的典型电路,1V 、2V 均为NPN 管。

解 (1)求交流参数之前先画出两级放⼤电路的微变等效电路如图题3-2(b)所⽰。

注意图中各级电流⽅向及电压极性均为实际。

第⼀级中b1I 的⽅向受输⼊信号i U 极性的控制,⽽与1V 的导电类型(NPN 还是PNP)⽆关,i U 上正下负,因此b1I 向⾥流,输出电压o1U 与i U 极性相同;第⼆级中b 2I 的⽅向受o1U 极性的控制,o1U 上正下负,因此b 2I 向⾥流,也与2V 的导电类型⽆关,或者根据c1I 的⽅向(由1c 流向1e )也能确定b 2I 的⽅向是向⾥流。

模拟电子技术第三章习题答案

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11.已知共基放大电路如题3-21图所示。

已知晶体管VT 的h fe =50,r bb’=50Ω,U BEQ =0.7V ,电路中的电容对交流可视为短路。

1.求静态工作点。

2.画出h 参数等效电路;求中频电压增益AU ,输入电阻和输出电阻。

分析:题3-21图电路为CB 组态放大电路。

在进行低频小信号分析时,可以使用CB 组态的h 参数模型,也可以使用比较熟悉的CE 组态的h 参数模型。

解: 方法一:1. 直流电路如题3-21图a 所示。

R L 3k Ω题3-21图V CC +12v题3-21图a2.利用CB 组态的h 参数模型进行交流特性分析。

交流等效电路如题3-21图b 所示。

方法二:1. 静态工作点的计算方法同方法一,略2. 利用CE 组态的h 参数模型进行交流特性分析。

交流等效电路如题3-21图c 所示。

()())V (75.32365.112)mA (03.050)mA (62.1)mA (62.165.151501)mA (65.1k 27.04)V (412301515E C CQ CC CEQ f eBQ EQ f e f e CQ E BE B CC B2B1B2B =+⨯-=+-==≈==⨯=+==-=-==⨯+=+=R R I V U h I I I h h I R U U I V R R R U CQ EQ题3-21图b+u o-+u i-()()()()bb'ie fe EQ ie ib fe fefb fe2626150150853Ω1.6585316.7Ω15111h r h I h h h h h h =++=++⨯====+-==≈-+()()()()E ib o c fb C L fb C L o U i e ib ib //16.7Ω//2k Ω16.5Ω3k Ω////13//38816.7i e r R h r R h i R R h R R u A u i h h =====⨯⨯-⨯==-=-=-=⨯输入电阻输出电阻中频电压增益为输入电阻输出电阻10.共集放大电路如题3-19图所示。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

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第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。

当外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。

3、在N 型半导体中,电子为多数载流子,空穴为少数载流子。

二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。

(×)2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。

(√)3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。

(×)4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。

(×)5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。

(√ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。

(×)7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。

(×)三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e(I I TV Vs D 表示。

式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压;V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K 2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦,则)V (2.11594TV T,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1e TVV,于是TV Vs eI I,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V ,于是s I I,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。

模拟电子技术第三章 习题与答案

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第三章习题与答案3.1 问答题:1.什么是反馈?答:在电子线路中,把输出量(电压或电流)的全部或者一部分,以某种方式反送回输入回路,与输入量(电压或电流)进行比较的过程。

2.什么是正反馈?什么是负反馈?放大电路中正、负反馈如何判断?答:正反馈:反馈回输人端的信号加强原输入端的信号,多用于振荡电路。

负反馈:反馈回输入端的信号削弱原输入端的信号,使放大倍数下降,主要用于改善放大电路的性能。

反馈极性的判断,通常采用瞬时极性法来判别。

通常假设某一瞬间信号变化为增加量时.我们定义其为正极性,用“+”表示。

假设某一瞬间信号变化为减少量时,我们定义其为负极性,用“-”表示。

首先假定输入信号某一瞬时的极性,一般都假设为正极性.再通过基本放大电路各级输入输出之间的相位变化关系,导出输出信号的瞬时极性;然后通过反馈通路确定反馈信号的瞬时极性;最后由反馈信号的瞬时极性判别净输入是增加还是减少。

凡是增强为正反馈,减弱为负反馈。

3.什么是电压负反馈?什么是电流负反馈?如何判断?答:根据反馈信号的取样方式,分为电压反馈和电流反馈。

凡反馈信号正比于输出电压,称为电压反馈;凡反馈信号正比于输出电流,称为电流反馈。

反馈信号的取样方式的判别方法,通常采用输出端短路法,方法是将放大器的输出端交流短路时,使输出电压等于零,如反馈信号消失,则为电压反馈,如反馈信号仍能存在,则为电流反馈。

这是因为电压反馈信号与输出电压成比例,如输出电压为零,则反馈信号也为零;而电流反馈信号与输出电流成比例,只有当输出电流为零时,反馈信号才为零,因此,在将负载交流短路后,反馈信号不为零。

4.什么是串联负反馈?什么是并联负反馈?如何判断?答:输入信号与反馈信号分别加在两个输入端,是串联反馈;加在同一输入端的是并联反馈。

反馈信号使净输入信号减小的,是负反馈。

判断反馈的极性,要采用瞬时极性法。

3.2 填空题:1.放大电路中,为了稳定静态工作点,可以引入直流负反馈;如果要稳定放大倍数,应引入交流负反馈;希望扩展频带,可以引入交流负反馈;如果增大输入电阻,应引入串联负反馈;如果降低输比电阻,应引入电压负反馈。

模拟电子技术基础 胡宴如 耿苏燕 高等教育出版社 第三章 课后答案

模拟电子技术基础 胡宴如 耿苏燕 高等教育出版社 第三章 课后答案

Ri = R B1 // R B 2 // rbe = (62 // 16 // 1.3)kΩ = 1.2kΩ uo Ri 1.2 × (−144) = Au = = −96 u s Rs + Ri 0.6 + 1.2
− 60 × ( 4.3 // 5.1 ) = −140 1 Ri = ( 62 // 16 // 1 )kΩ = 0.93kΩ Ro = RC = 4.3kΩ Au =
.c
图 P3.3
om
(2)画 H 参数等效电路,求 Au、Ri、Ro
U BQ =
RB 2 16 × 24V VCC = = 4.92V RB1 + RB 2 62 + 16 U BQ − U BEQ 4.92 − 0.7 I CQ = = mA = 1.92 mA RE 2 .2 U CEQ = VCC − I CQ ( RC + RE ) = 24V − 1.92 × ( 4.3 + 2.2 )V = 11.5V
rbe = 200Ω + 81×
由图(c)可得
Au =
u o − β ( R B 2 // RC // R L ) − 80 × (100 // 3.9 // 10)kΩ = = = −157 ui rbe 1.4kΩ
w w
所以
w
求 Au、Ri、Ro。
3.6 放大电路如图 P3.6 所示,已知三极管的β=50,rbb’=200Ω,UBEQ=0.7V,各电容
.c
om
求静态工作点 ICQ、UCEQ; (2)画出 H 参数小信号等效电路,求 Au、Ri、Ro; (3)求源电压增 益 Aus。 解: (1)求静态工作点
U BQ = I CQ ≈

模拟电子技术基础A 第3章习题的答案-PPT课件

模拟电子技术基础A 第3章习题的答案-PPT课件

U GS 2 ID ID S( 1 ) S U GS (o f) f
2. 两种基本接法电路的分析:CS、CD
2)动态性能指标的计算:微变等效电路
2 gm ID ID O Q U G S (th )
2 g ID ID m S S Q U G S (o ff)
3-3已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=- 5V。下表给出 四种状态下的UGS和UDS 的值,判断各状态下的管子工作在什 么区。( a.恒流区 b.可变电阻区 c.截止区 )
2. 两种基本接法电路的分析:CS、CD 1)静态工作点的分析计算。 • 利用场效应管栅极电流为0,得到栅源电压与 漏极电流之间关系式。 • 列出场效应管在恒流区的电流方程。 联立上述两方程,求解UGSQ和IDQ,并推算 UDSQ。 • 注意解算后应使得管子工作在恒流区。
5
U 2 GS ID IDO ( 1 ) U GS (th )

3-7:如图所表示的电路图。已知 UGS=-2V,场 效应管子的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V。
• 1.计算ID和Rs1的值。
解:
I I ( 1 ) 0 . 5 m A D Q D S S U G S ( o f f)
2
U G S Q
U GSQ U GQ U SQ 2V RS1 U GSQ ID 2V 4 k 0 . 5 mA
3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ,并说明原因。
• 绝缘栅型N沟道耗尽型ห้องสมุดไป่ตู้场效应管。 • 因为没有漏极电阻, 使交流输出信号到地 短路uo无法取出。 • 不能。
3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ,并说明原因。
• 满足正常放大条件。 如在输入端增加大电 阻RG,可有效提高输入 电阻。 • 能。

《模拟电子技术基础》课后习题答案(童诗白,华成英版,高教版)3章 多级放大电路题解

《模拟电子技术基础》课后习题答案(童诗白,华成英版,高教版)3章 多级放大电路题解

基础课程教学资料第三章多级放大电路自测题一、判断下列说法是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。

(1)现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。

( )(2)阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,( )它只能放大交流信号。

( )(3)直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响,( )它只能放大直流信号。

( )(4)只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。

( )(5)互补输出级应采用共集或共漏接法。

( )解:(1)×(2)√√(3)√×(4)×(5)√二、现有基本放大电路:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。

(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000,第一级应采用,第二级应采用。

(2)要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用,第二级应采用。

(3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用,第二级应采用。

(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用,第二级应采用。

(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000io >I U A ui ,输出电阻R o <100,第一级应采用 ,第二级应采用 。

解:(1)A ,A (2)D ,A (3)B ,A (4)D ,B (5)C ,B三、选择合适答案填入空内。

(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。

A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。

A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容(3)选用差分放大电路的原因是 。

(完整)《模拟电子技术基础教程》华成英——第三章习题解答

(完整)《模拟电子技术基础教程》华成英——第三章习题解答

PTER半导伸二嘏管及其基市应用电路3. 1判断下列说法的正、误,在相应的括号内蔺表示正确・画“X”衣示错谋.(1)本征半导体是指没冇博杂的纯净晶体半导体.( )(2)本征半异体温度升高后两种栽流子浓度仍然相等.( )(3)P®半导体帯正电( ),N®半导体带负电( ).(4)空间电荷区内的潦移电流址少数戏流子在内电场作用下形成的.Z )(5)二极管所加正向电压增大时,其动态电限增大.( )(6)只耍在稳圧管两端加反向电压就能起稳压作用.( )解(2) 7 (3) X.X (4> V (5)X (6) X3.2选择正确的答案填空.(1) N凤半导体是空本征半导体中捧人 ____________ » P51半导体是在本征半导体中掺人 _______ ・A.三价元索,如硼導B.四价元索,如错铮C.五价元素•如磷等(2) PN结加正向电压时.由__________ 形成电流,其耗尽层__________ I加反向电压时, 由 _______ 形成电流,其耗斥煨__________ ・A.扩散运动B.漂移运动C.变龙D.变牢(3) 当温度升高时•二极管的反向饱和电流___________ ・A.增大.B.不变C.减小(4) 硅二极管的正向导通电压比诸二极管的_____________ ,反向饱和电流比緒二极管的 _______ ・A.大B.小C.相等(5) 稳压暂工作在槍压区时,其丁•作状态为_________ .A.正向导通B.反向截止C.反向击穿解 (1) Cl A (2) Al D» B ; C (3) A (4) A» B (5> C 3.3填空(1) PN 结的导电特性定 __________ ・(2) 徃外加直流电压时,理想二极管正向导通阻抗为 _________________ ,反向截止阻抗为 ________ 。

(3) PN 结的结电容包插 __________ 电容和 _________ 电容。

电路与模拟电子技术基础(第2版)习题解答第3章习题解答

电路与模拟电子技术基础(第2版)习题解答第3章习题解答

第3章正弦稳态电路的分析习题解答3.1 已知正弦电压()V314sin 10q -=t u ,当0=t 时,V 5=u 。

求出有效值、频率、周期和初相,并画波形图。

周期和初相,并画波形图。

解 有效值为有效值为有效值为 V 07.7210==UHz 502314==pf ;s 02.01==fT将 0=t , V 5=u 代入,有代入,有 )sin(105q -=,求得初相°-=30q 。

波形图如下。

波形图如下3.2 正弦电流i 的波形如图3.1所示,写出瞬时值表达式。

所示,写出瞬时值表达式。

图3.1 习题3.2波形图波形图解 从波形见,电流i 的最大值是A 20,设i 的瞬时值表达式为的瞬时值表达式为A π2sin 20÷øöçèæ+=q t T i当 0=t 时,A =10i ,所以,所以 q sin 2010=,求得,求得 °=30q 或 6π=q 。

当 s 2=t 时,A =20i ,所以,所以 ÷øöçèæ+´=6π2π2sin 2020T ,求得,求得 s 12=T 。

所以所以 A÷øöçèæ°+=306πsin 20t i。

3.3正弦电流()A 120 3cos 51°-=t i ,A )45 3sin(2°+=t i 。

求相位差,说明超前滞后关系。

关系。

解 若令参考正弦量初相位为零,则1i 的初相位°-=°-°=30120901q ,而2i 初相位°=452q ,其相位差其相位差 °-=°-°-=-=75453021q q j , 所以1i 滞后于2i °75 角,或2i 超前1i °75 角。

模拟电子技能技术总结基础第四版(童诗白)课后答案第三章

模拟电子技能技术总结基础第四版(童诗白)课后答案第三章

精心整理第3章多级放大电路自测题一、现有基本放大电路:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。

(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000,第一级应采用(A),第二级应采用(A)。

(2)要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用(D),第二级应采用(A)。

(3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用(B),第二级应采用(A)。

(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用(D),第二级应采用(B)。

(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000oui iU A I =>,输出电阻R o <100,第一级应采用采用(C),第二级应(B)。

二、选择合适答案填入空内。

(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是(C 、D)。

A .电阻阻值有误差B .晶体管参数的分散性C .晶体管参数受温度影响D .电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是(C)。

A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容(3)选用差动放大电路的原因是(A)。

A .克服温漂B .提高输入电阻C .稳定放大倍数(4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的(A),共模信号是两个输入端信号的(C)。

A.差B.和C.平均值(5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻,将使单端电路的(B)。

A .差模放大倍数数值增大B .抑制共模信号能力增强C .差模输入电阻增大(6)互补输出级采用共集形式是为了使(C)。

A.放大倍数的数值大B.最大不失真输出电压大C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示,所有晶体管均为硅管,β均为200,'200bb r =Ω,静态时0.7BEQ U V ≈。

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1.3 电路如图P1.3所示,已知ui=10sinωt(v),试画 出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不 计。
成 都 信 息 工 程 学 院 实 验 中 心
1
1.4 电路如图P1.4所示,已知ui=5sinωt (V),二极管 导通电压UD=0.7V。试画出ui与uO的波形,并标出 幅值。
uO VCC ICQ RC 11V<UBE 饱和,Uce=Uces=0.7V
5
1.11 电路如图P1.18所示,晶体管的β=50,|UBE|=0.2V,饱和 管压降|UCES|=0.1V;稳压管的稳定电压UZ=5V,正向导通电 压UD=0.5V。试问:当uI=0V时uO=?当uI=-5V时uO=?
成 解:在空载和带负载情况下,

信 电路的静态电流、rbe均相
息 工
等,它们分别为:



实 验 中
I BQ
VCC
U BEQ Rb
U BEQ R
22μ
A
心 I CQ I BQ 1.76mA
rbe
rbb' EQ
1.3k
9




工 空载时,静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出
RL Rc RL
I CQ (Rc ∥ RL ) 2.3V
中 心
A u
RL'
rbe
115
Ri Rb ∥rbe rbe 1.3k
A us
rbe Rs rbe
Au
47
Ro Rc 5k
11
2.9 已知图P2.10所示电路中晶体管的 =100,rbe=1kΩ。 (1)现已测得静态管压降UCEQ=6V,估算Rb约为多少千欧; (2)若测得ui和uo的有效值分别为1mV和100mV,则负载电
实 验
定电压则假设不成立,稳压管工作在稳压状
中 态,否则假设成立。

(2) I DZ (U I U Z ) R 29mA>IZM=25mA,稳压管将因功
耗过大而损坏。
4
1.10 电路如图P1.16所示,晶体管导通时UBE=0.7V,β=50。 试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出 电压uO的值。

都 信
解:当uI=0时,晶体管截止,稳压管击
息 穿,uO=-UZ=-5V。
工 程
当uI=-5V时,晶体管饱和,uO=0.1V。

院 实 验
IB
uI U BE Rb
480 μA
中 临界饱和时基极电流

I BS
VCC UCES
RC
238μA IB
说明晶体管饱和,故Uo=-0.1V。
6
2.2 分别改正图P2.2所示各电路中的错误,使它们有可能放 大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。

工 程
U BQ
Rb1 Rb1 Rb2
VCC
2V
学 院 实
I EQ
U BQ U BEQ Rf Re
1mA
验 中
I BQ
IEQ
1
10 μA
心 U CEQ VCC IEQ (Rc Rf Re ) 5.7V
(2)若改用=200 的晶体管,则IEQ、UCEQ基本不变,但是IBQ明显变小。
成 阻RL为多少千欧?
都 信
(1)求解Rb
息 工
I CQ
VCC
U CEQ Rc
2mA
程 学
I BQ
I CQ
20μA

实 验
Rb
VCC U BEQ I BQ
565k
中 心
(2)求解RL:
A u
Uo Ui
100
A u
RL'
rbe
RL' 1k
1 1 1 Rc RL
RL 1.5k
12
解:
成 都
(1)当VBB=0时,T截止,uO=12V。
信 息
(2)当VBB=1V时,假设工作于放大状态
工 程 学
I BQ
VBB
U BEQ Rb
60A
院 实
I CQ I BQ 3mA

uO VCC I CQ RC 9V Uce>Ube故假设成立,uo=9V


(3)I当CQVBB= 3IVBQ时,8假mA设工作于放大状态故假IB设Q 不 V成BB立R,Ub BTE工Q 作1于60 A
程 学
电阻分别为:

U CEQ VCC I CQ Rc 6.2V

验 中
A u
Rc
rbe
308

Ri Rb ∥ rbe rbe 1.3k
A us
rbe Rs rbe
A u
93
Ro Rc 5k
10




工 程
RL=5kΩ时,静态管压降、电压放大倍数分别为

院 实 验
U CEQ
(1)分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值; (2)若UI=35V时负载开路,则会出现什么现象?为什么?
成 都
解:方法1:假设稳压管工作于稳压状态,
信 息 工
求解流过稳压管的电流是否大于IZmin,如
果大于则假设成立,否则不成立。

学 方法2:假设稳压管工作于截止状态,求
院 解稳压管端电压,如果电压大于稳压管的稳
I BQ
I EQ
1
5 μA
13
ii
ib
ic
+
rbe
ib
ui RB1 RB2
RC
+ RL uo

Rf



工 程 学
rbe
rbb'
(1
)
26mV I EQ
2.73k
院 实 验
A u
(Rc ∥ RL ) rbe (1 )Rf
7.7
成 都 信 息 工 程 学 院 实 验 中 心
7
2.3 画出图P2.3所示各电路的直流通路和交流通路。设所有 电容对交流信号均可视为短路。
成 都 信 息 工 程 学 院 实 验 中 心
8
2.7 电路如图所示,晶体管的=80, rbb=100Ω。分别计算
RL=∞和RL=3kΩ时的Q点、 Au、Ri 和Ro
成 都 信 息 工 程 学 院 实 验 中 心
2
1.5 电路如图P1.5(a)所示,其输入电压uI1和uI2的波形如图 (b)所示,二极管导通电压UD=0.7V。试画出输出电压uO 的波形,并标出幅值。

解:uO的波形如解图P1.5所示。











3
1.6 已知图P1.9所示电路中稳压管的稳定电压UZ=6V,最小稳定电流 IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA。
2.11 电路如图P2.13所示,晶体管的=100, rbb=100Ω。
(1)求电路的Q点、Au 、Ri和Ro;
(2)若改用=200 的晶体管,则Q点如何变化?
(3)若电容Ce开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?

都 解:(1)静态分析:因为
信 (1+ )(Rf+Re) 》(Rb1//Rb2)
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