DDR走线规则

1．时钟信号

（1）差分布线，差分阻抗100欧姆，差分线误差±5mil。

（2）与其它信号的间距要大于25mil，而且是指edge to edge的间距

（3）CLK等长，误差±10mil。

2．数据信号：

（1）数据信号分为八组，每组单独分开走线，第一组为DDR_DQ[0：7]、DDR_DQSP0、DDR_DQSN0、DDR_DQM0，以此类推，同组信号在同一层走线。

（2）DQ和DQM为点对点布线，

（3）DQS为差分布线。差分线误差±5mil，差分阻抗100欧姆。

（4）组内间距要大于12mil，而且是指edge to edge的间距，同组内DQ与DQM以DQS为基准等长，误差±5mil。

（5）DQS与DDR2_CLKP等长，误差±5mil。

（6）不同组信号间距：大于20mil（edge to edge的间距）

（7）DDR_CKN/P之间的并联100欧姆电阻，需要放置在信号一分二的分叉地方

（8）尽可能减少过孔

（9）叠层设计的时候，最好将每一层阻抗线宽，控制在差不多宽度

（10）信号走线长度，不超过2500mil

3．控制信号和地址信号：

(1) 组内间距要大于12mil，而且是指edge to edge的间距

(2) 所有控制线须等长，误差±10mil。

(3 不同组信号间距：大于20mil（edge to edge的间距）

4．其它信号

DDR_VREF走线宽度20mil以上。

无论是PCB上使用芯片还是采用DIMM条，DDR和DDRx（包括DDR2，DDR4等）相对与传统的同步SDRAM的读写，我认为主要困难有三点：

1，时序。由于DDR采用双沿触发，和一般的时钟单沿触发的同步电路，在时序计算上有很大不同。DDR之所以双沿触发，其实是在芯片内部做了时钟的倍频（因为按照耐奎斯特准则，时钟频率应该至少是信号频率的2倍），对外看起来，数据地址速率和时钟一样。为了保证能够被判决一组信号较小的相差skew，DDR对数据DQ信号

使用分组同步触发DQS信号，所以DDR上要求时序同步的是DQ 和DQS之间，而不是一般数据和时钟之间。另外，一般信号在测试最大和最小飞行时间Tflight时，使用的是信号沿通过测试电平Vmeas与低判决门限Vinl和和高门限vinh之间来计算，为保证足够的setup time和hold time，控制飞行时间，对信号本身沿速度不作考虑。而DDR由于电平低，只取一个中间电平Vref做测试电平，在计算setup time和hold time时，还要考量信号变化沿速率slew rate，在计算setup time和hold time时要加上额外的slew rate的补偿。这个补偿值，在DDR专门的规范或者芯片资料中都有介绍。

2，匹配。DRR采用SSTL电平，这个特殊buffer要求外接电路提供上拉，值为30～50ohm，电平VTT为高电平一半。这个上拉会提供buffer工作的直流电流，所以电流很大。此外，为了抑制反射，还需要传输线阻抗匹配，串连电阻匹配。这样的结果就是，在DDR的数据信号上，两端各有10～22ohm的串连电阻，靠近DDR端一个上拉；地址信号上，发射端一个串连电阻，靠近DDR端一个上拉。

3，电源完整性。DDR由于电平摆幅小（如SSTL2，为2.5V,SSTL1,为1.8V),对参考电压稳定度要求很高，特别是Vref和VTT，提供DDR 时钟的芯片内部也常常使用模拟锁相环，对参考电源要求很高；由于VTT提供大电流，要求电源阻抗足够低，电源引线电感足够小；此外，DDR同步工作的信号多，速度快，同步开关噪声比较严重，合理的电源分配和良好的去耦电路十分必要。

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