康光华模电第五
模电课件康华光第五版34页PPT
•
26、我们像鹰一样，生来就是自由的 ，但是 为了生 存，我 们不得 不为自 己编织 一个笼 子，然 后把自 己关在 里面。 ——博 莱索
•
27、法律如果不讲道理，即使延续时 间再长 ，也还 是没有 制约力 的。— —爱·科 克
•
28、好法律是由坏风俗创造出来的。 ——马 克罗维 乌斯
•
29、在一切能够接受法律支配的人类 的状态 中，哪 里没有 法律， 那里就 没有自 由。— —洛克
•
30、风俗可以造就法律，也可以废除 法律。 ——塞·约翰逊
31、只有永远躺在泥坑里的人，才不会再掉进坑里。——黑格尔 32、希望的灯一旦熄灭，生活刹那间变成了一片黑暗。——普列姆昌德 33、希望是人生的乳母。——科策布 34、形成天才的决定因素应该是勤奋。——郭沫若 35、学到很多东西的诀窍，就是一下子不要学很多。——洛克
第一章 绪论(模电康第五版)
回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出
1.4 放大电路模型
1.电压放大电路模型 1.电压放大电路模型
Rs
+ +
Ro
+ +
vs
_
vi
_
Ri
Avovi
_
vo
_
RL
（1）模型：虚线框内是电压放大电路模型，Avo为输 模型：虚线框内是电压放大电路模型， 开路（ 电压增益， 出开路（RL=∞）时的电压增益，开路输出电压 o受 ）时的电压增益 开路输出电压v 输入电压v 的控制。 输入电压 i的控制。
回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出
1.4
放大电路模型
信号的放大是最基本的模拟信号处理电路， 信号的放大是最基本的模拟信号处理电路，放大 电路是构成其他模拟电路的基本单元电路。 电路是构成其他模拟电路的基本单元电路。
一、放大电路的符号及模拟信号放大
ii
+
I1 V +
A
+
io
+
R s
vs
_
vi
1.2 信号的频谱
V 2s V π 1 π 1 π S v(t) = + ω ω cosω0t − 2 + 3cos3 0t − 2 + 5cos5 0t − 2 +L 2 π
v
VS
ϕn
2VS
0
2VS 3π
ω0
3ω0
5ω0
回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出
5. 学习方法
重点掌握基本概念、基本电路、基本方法。 重点掌握基本概念、基本电路、基本方法。
模电康华光(第五版)第一章PPT课件
Ro RL 理想情况 Ro 0
.
15
另一方面，考虑到输入回路对信号源的衰减
有
vi
Ri Rs
Ri
vs
要想减小衰减，则希望…？
Ri Rs
理想情况 Ri
.
16
B. 电流放大模型
A is ——负载短路时的
电流增益
由输出回路得
io
Aisii
Ro Ro RL
则电流增益为
Ai
io ii
Ais
Ro Ro RL
io vi
(S)
14
2. 放大电路模型
A. 电压放大模型
A vo ——负载开路时的
电压增益
R i ——输入电阻
R o ——输出电阻
由输出回路得
vo
Avovi
RL Ro RL
则电压增益为
Av
vo vi
Avo
RL Ro RL
由此可见 RL
Av 即负载的大小会影响增益的大小
要想减小负载的影响，则希望…？ （考虑改变放大电路的参数）
.
11
1.4 放大电路模型
放大电路是最基本的模拟信号处理电路。
信号源
Ii
Io
+ Vs
Rs
+ Vi
+ 放 大 电 路 Vo
RL
–
–
–
负载
直流电源
微弱的电压（一个双口网络。从端口特性来研究放大电 路，可将其等效成具有某种端口特性的等效电路。
信号源
Ii
Io
+ Vs
Rs
.
6
2. 电信号源的电路表达形式
转换
电压源等效电路
康华光《电子技术基础-模拟部分》（第5版）笔记和课后习题（含考研真题）..
目 录第1章 绪 论1.1 复习笔记1.2 课后习题详解1.3 名校考研真题详解第2章 运算放大器2.1 复习笔记2.2 课后习题详解2.3 名校考研真题详解第3章 二极管及其基本电路3.1 复习笔记3.2 课后习题详解3.3 名校考研真题详解第4章 双极结型三极管及放大电路基础4.1 复习笔记4.2 课后习题详解4.3 名校考研真题详解第5章 场效应管放大电路5.1 复习笔记5.2 课后习题详解5.3 名校考研真题详解第6章 模拟集成电路6.1 复习笔记6.2 课后习题详解6.3 名校考研真题详解第7章 反馈放大电路7.1 复习笔记7.2 课后习题详解7.3 名校考研真题详解第8章 功率放大电路8.1 复习笔记8.2 课后习题详解8.3 名校考研真题详解第9章 信号处理与信号产生电路9.1 复习笔记9.2 课后习题详解9.3 名校考研真题详解第10章 直流稳压电源10.1 复习笔记10.2 课后习题详解10.3 名校考研真题详解第11章 电子电路的计算机辅助分析与设计第1章 绪 论1.1 复习笔记一、电子系统与信号电子系统指若干相互连接、相互作用的基本电路组成的具有特定功能的电路整体。
信号是信息的载体，按照时间和幅值的连续性及离散性可把信号分成4类：①时间连续、数值连续信号，即模拟信号；②时间离散、数值连续信号；③时间连续、数值离散信号；④时间离散、数值离散信号，即数字信号。
二、信号的频谱任意满足狄利克雷条件的周期函数都可展开成傅里叶级数(含有直流分量、基波、高次谐波)，从这种周期函数中可以取出所需要的频率信号，过滤掉不需要的频率信号，也可以过滤掉某些频率信号，保留其它频率信号。
幅度频谱：各频率分量的振幅随频率变化的分布。
相位频谱：各频率分量的相位随频率变化的分布。
三、放大电路模型信号放大电路是最基本的模拟信号处理电路，所谓放大作用，其放大的对象是变化量，本质是实现信号的能量控制。
放大电路有以下4种类型：1．电压放大电路电路的电压增益为考虑信号源内阻的电压增益为2．电流放大电路电路的电流增益为考虑信号源内阻的电压增益为3．互阻放大电路电路的互阻增益为4．互导放大电路电路的互导增益为四、放大电路的主要性能指标1输入电阻：输入电压与输入电流的比值，即对输入为电压信号的放大电路，R i越大越好；对输入为电流信号的放大电路，R i越小越好。
模电第五版康华光答案
模电第五版康华光答案【篇一：模电康华光思考题题】2.1 集成电路运算放大器2.1.1答；通常由输入级，中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能。
中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。
输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。
2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即vvo很大，直线几乎成垂直直线。
非线性区由两条水平线组成，此时的vo达到极值，等于v+或者v-。
理想情况下输出电压+vom=v+,-vom=v-。
2.1.3答：集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益avo约为10^6欧姆。
2.2 理想运算放大器2.2.1答：将集成运放的参数理想化的条件是：1.输入电阻很高，接近无穷大。
2.输出电阻很小，接近零。
3.运放的开环电压增益很大。
2.2.2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书p27。
2.3 基本线性运放电路2.3.1答:1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使vn自动的跟从vp，使vp≈vn，或vid=vp-vn≈0的现象称为虚短。
2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间ip=in≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压vi通过r1作用于运放的反相端，r2跨接在运放的输出端和反相端之间，同相端接地。
由虚短的概念可知，vn≈vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。
虚短和虚地概念的不同：虚短是由于负反馈的作用而使vp≈vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地vp,vn接近是零。
2.3.2答：由于净输入电压vid=vi-vf=vp-vm,由于是正相端输入，所以vo为正值，vo等于r1和r2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，vn增大了，vp不变，所以vid变小了，vo变小了，电压增益av=vo/vi变小了。
模电 康华光(第五版)
1.1.2 杂质半导体
杂质半导体有两种
N 型半导体 P 型半导体
一、 N 型半导体
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如 磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型半导
体)。
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些 硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价 电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受 自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。 自由电子浓度远大于空穴的浓度，即 n >> p 。电 子称为多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子 (简称少子)。
稳压管的参数主要有以下几项： 4. 电压温度系数 U 稳压管电流不变时，环境温度每变化 1 ℃ 引起稳定 电压变化的百分比。 (1) UZ > 7 V, U > 0；UZ < 4 V，U < 0； (2) UZ 在 4 ~ 7 V 之间，U 值比较小，性能比较稳
很小的正向电阻，如同开关闭合；加反向电压时截止， 呈现很大的反向电阻，如同开关断开。 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管的电压与 电流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所以二极管 属于非线性器件。
1.2.3 二极管的主要参数
1. 最大整流电流 IF 二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 2. 最高反向工作电压 UR 工作时允许加在二极管两端的反向电压值。通常将 击穿电压 UBR 的一半定义为 UR 。 3. 反向电流 IR
I/mA
+ -
1.2.5 稳压管
一种特殊的面接触型半 导体硅二极管。 稳压管工作于反向击穿
正向
U
O
+
区。
模电(第五版)康华光_第五章
满足 VDS (VGS VT )
假设成立，结果即为所求。
（2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路
VGS VG VS
[ Rg2 Rg1 Rg2 (VDD VSS ) VSS ]
( I D R VSS )
饱和区
I D Kn (VGS VT )2
}
联立求解
VDS (VDD VSS ) I D ( Rd R)
场效应管的分类：
增强型 MOSFET 绝缘栅型 FET 场效应管 耗尽型
N沟道 P沟道 N沟道 P沟道
JFET 结型
N沟道
P沟道
（耗尽型）
5.1 金属-氧化物-半导体 （MOS）场效应管
5.1.1 N沟道增强型MOSFET
5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.1.5 MOSFET的主要参数
二、交流参数
低频跨导gm
低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，这一点与 电子管的控制作用相似。gm可以在转 移特性曲线上求取，单 位是mS(毫西门子)。随管子的工作点不同而改变，是FET小 信号建模的重要参数。 iD gm V 2 vGS DS （增强型）iD Kn ( vGS VT ) gm=2Kn(VGS－VT)
（2）vDS对沟道的控制作用(vGS一定) 当vDS增加到使VGD=VT时， 相当于vDS增加使漏极处沟道缩减 到刚刚开启的情况，称为预夹断， 此时的漏极电流iD基本饱和。 在预夹断处：VGD=VGS-VDS =VT
或 VDS=VGS-VT
（2）vDS对沟道的控制作用(vGS一定) 当vDS增加到VGDVT时， 相当于 VDS>VGS-VT 预夹断区域加长，伸向S 极。沟道电阻增加，vDS增 加的部分基本降落在随之 加长的夹断沟道上， iD基 本趋于不变。
模电第五版康华光复习大纲
40 带宽 20 0 2 20 fL 2 102 2 103 2 104 fH f/Hz
第三章 二极管及其基本电路
1、理解半导体中有两种载流子 电子 空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后， 共价键就留下一个空位，这个空位就称为空穴 2、理解本征半导体和本征激发 本征半导体——化学成分纯净的半导体 •两种载流子参与导电，自由电子 数（n）=空穴数（p） 本征激发的特点—— •外电场作用下产生电流，电流大 小与载流子数目有关 •导电能力随温度显著增加
第五章 场效应管放大电路
双极型三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。 1、能够根据转移特性判别场效应管的类型（P237 表5.5.1） 结型场效应管 N型：VGS＜0 VDS＞0夹断电压VP＜0 P型：VGS＞0 VGS＜0夹断电压VP＞0 N型：VGS＞0 VDS＞0开启电压VT＞0 P型： VGS＜0 VGS＜0开启电压VT＜0
4、熟练掌握PN结 形成——由于浓度差，而出现扩散运动，在中间形成空 间电荷区（耗尽层），又由于空间电荷区的内电场作用，存 在漂移运动，达到动态平衡。 单向导电性 —— 不外加电压，扩散运动=漂移运动，iD=0 加正向电压（耗尽层变窄），扩散运动＞漂移运动形成iD 加反向电压（耗尽层变宽），扩散运动为0，只有很小的 漂 移运动 形成反向电流 特性方程：iD=IS（eVo/VT-1） 特性曲线 ： 正向导通：死区、导通区 反向截止：截止区、击穿区
3、正确理解变压器反馈式，电容三点式，电感三点式LC 正弦波振荡电路的结构和工作原理 4、了解石英晶体正弦振荡电路的工作原理及特点 5、能够利用相位平衡条件判断电路是否振荡。 6、电压比较器及电压传输特性。 习题9.6.1；9.6.2；9.7.1；9.7.2；
康华光模电第五章习题答案
康华光模电第五章习题答案康华光模电第五章习题答案在学习电子技术的过程中，习题是检验自己理解和掌握程度的重要方式。
康华光模电第五章的习题涵盖了多个方面的知识点，通过解答这些习题，可以进一步巩固和应用所学的理论知识。
下面将为大家提供康华光模电第五章习题的答案。
1. 电容器的电容量是多少？答：电容器的电容量是指在单位电压下，储存的电荷量。
它的计量单位是法拉（F）。
2. 请解释电容器的电容量与其尺寸的关系。
答：电容器的电容量与其尺寸有直接的关系。
一般来说，电容器的电容量与其极板的面积成正比，与极板之间的距离成反比。
也就是说，面积越大，距离越小，电容量越大。
3. 请解释电容器的介质对其电容量的影响。
答：电容器的介质对其电容量有很大的影响。
不同的介质具有不同的介电常数，而介电常数是介质在电场中的相对响应能力。
介电常数越大，电容器的电容量越大。
4. 什么是电容器的电压？答：电容器的电压是指电容器两极之间的电势差，也可以理解为电容器所能承受的最大电压。
5. 请解释电容器的充电和放电过程。
答：电容器的充电过程是指在外加电压的作用下，电容器两极之间储存电荷的过程。
放电过程是指当外加电压移除后，电容器两极之间释放电荷的过程。
6. 请解释电容器的串联和并联。
答：电容器的串联是指将多个电容器的正极和负极相连，形成一个串联电路。
串联电容器的总电容量等于各个电容器电容量的倒数之和。
电容器的并联是指将多个电容器的正极和负极分别相连，形成一个并联电路。
并联电容器的总电容量等于各个电容器电容量之和。
7. 什么是电感？答：电感是指导体中由于电流变化而产生的电磁感应现象。
它的计量单位是亨利（H）。
8. 请解释电感对交流电的阻抗的影响。
答：电感对交流电的阻抗有很大的影响。
电感对交流电的阻抗与频率成正比，也就是说，频率越高，电感对交流电的阻抗越大。
9. 请解释电感的自感现象。
答：电感的自感现象是指导体中的电流变化会产生自感电动势，阻碍电流的变化。
电子技术基础第五模拟部分课件康华光
模拟电路通常用于放大、滤波、解调等信号处理 环节，以及控制和调节系统。
模拟电路的特点与分类
模拟电路具有连续性、线性、时变性等特点 ，可以实现对真实系统或自然现象的逼真模 拟。
模拟电路的分类方法有多种，如按频率分、 按放大倍数分、按功能分等。
04
高精度与低功耗
在追求高性能的同时，如何实 现更低的功耗和更高的精度是 模拟电路设计中的一大挑战。
06
模拟电路实验与案例分析
模拟电路实验的设计与实施
实验目的
掌握模拟电路的基本实验技能，培养分析和 解决实际问题的能力。
实验步骤
详细描述实验的操作流程，包括实验准备、 电路搭建、数据测量、结果分析等。
。
优化流程
03
先进行系统级仿真，再进行电路级仿真，最后进行版
图级仿真。
基于仿真的优化设计
电路仿真
通过电路仿真软件，如SPICE，对电路性能进行预测 和评估。
参数扫描
在电路仿真中，对关键参数进行扫描，找出最佳性能 参数值。
灵敏度分析
分析电路性能对各个参数的灵敏度，确定对电路性能 影响最大的参数。
基于遗传算法的优化设计
03
模拟电路还用于医疗设备的电 源管理，如为设备提供稳定的 供电和为电池充电。
04
模拟电路在医疗设备中的性能 直接关系到设备的准确性和安 全性。
04
模拟电路的优化设计
优化设计的基本原则和方法
优化设计目标
01
以电路性能指标为优化目标，如功耗、噪声、增益等
。
优化设计准则
02 根据特定应用需求，选择合适的优化算法和仿真工具
01
模电(第五版)康华光_第六章
主要原因： 温度变化引起，也称温漂。 温漂指标： 温度每升高1℃时，输出漂移电压按电压增益 折算到输入端的等效输入漂移电压值。
零点漂移是怎样形成的
运算放大器均是采用直接耦合方式，而直接耦
合方式放大电路的各级Q点是相互影响的，由于各级
的放大作用，第一级的微弱变化，会使输出级产生 很大的变化。当输入短路时（由于一些原因使输入
I B1 I B2
IC β
Vo = 0
动态 仅输入差模信号， vi1 和 vi2 大小相等，相位相反。 vc1 和 vc2 大小相等， 相位相反。 vo vc1 vc2 0 ，
信号被放大。
仅输入共模信号， vo
vc1 vc2 0
2.
抑制零点漂移原理 温度变化和电源电压波
按功能分为数字集成电路和模拟集成电路。
在模拟集成电路中集成运放是应用极为广泛的一种。
集成运放的基本单元电路：电流源和差分式放大电路。
6.1 模拟集成电路中的 直流偏置技术
6.1.1 BJT电流源电路
1. 镜像电流源 2. 微电流源
*3. 高输出阻抗电流源
*4. 组合电流源
6.1.2 FET电流源
1. MOSFET镜像电流源 2. MOSFET多路电流源
1=2=
VBE1=VBE2= VBE rbe1= rbe2= rbe ICBO1=ICBO2= ICBO Rc1=Rc2= Rc
信号的输入方式：若信号同 时从两个输入端输入，称为 双端输入； 若信号仅从一 个输入端对地加入，称为单 端输入。
信号的输出方式：差分放大电路可以有两个输出端，一
个是集电极C1，另一个是集电极C2。从C1 和C2输出称为 双端输出，仅从集电极 C1或C2 对地输出称为单端输出。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
当
IC
ICEO 时，
IC IB
是共射极直流电流放大系数。同样，它也只
与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无
关。一般 >> 1 。
又 1
结论
α称为共基极直流电流放大系数
β称为共发射极接法直流电流放大系数
不论三极管外电路任何连接，其电流分配关系是固定的。 控制IE或IB，就能控制IC
放大状态下BJT中载流子的传输过程
定义
传输到集电极的电流 传输到基极的电流
即
ICN
IBN
根据 IB=IBN－ ICBO IC= ICN+ ICBO
且令 ICEO= (1+ ) ICBO （穿透电流）
IC IB
I CBO I CBO
IB
IC ( 1
) I CBO
则
IC ICEO
N
P
IEP
N
IC
IEN
IBN
ICN ICBO c
IB
b
电子 空穴
②电子在基区中的扩散和复合
电子流扩散到基区后，出
现少数电子填充空穴的复合运
动（因基区的空穴浓度低，被
复合的机会较少）。又因基区
N
P
N
很薄，在集电结反偏电压的作 IE IEP
IC
用下，大多数电子在基区停留
的时间很短，很快就运动到了 集电结的边上积累起来。在基
掺杂浓度最低。
管芯结构剖面图
4.1.2 放大状态下BJT的工作原理
三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通 过载流子传输体现出来的。
1. 三极管放大条件
内部条件：发射区杂质浓度大，集电区杂质浓度低， 基区窄，杂质浓度低。
外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
2. 内部载流子的传输过程（三极管的放大原理）
4.1 BJT
4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响
半导体三极管有两大类型，
一是双极型半导体三极管(BJT)
二是场效应半导体三极管(FET)
双极型半导体三极管是由两种载流子参与导电的半 导体器件，它由两个 PN 结组合而成，是一种CCCS 器件。
2. 电流分配关系
根据传输过程可知 IE=IB+ IC IC= INC+ ICBO IB= IBN- ICBO
定义
传输到集电极的电流
发射极注入电流
即 INC
IE
通常 IC >> ICBO
则有 IC
IE
为共基极直流电流放大
系数。它只与管子的结构尺寸 和掺杂浓度有关，与外加电压
无关。一般 = 0.90.99 。
e
区被复合的电子形成的电流是
IEN
IBN
ICN ICBO c
IBN。电子空穴复合得越多，到
IB
b
达集电极的电子就越少，故要
减少复合（基区薄，杂质浓度
电子 空穴
低）
③集电极收集扩散过来的 电子
在集电结反偏电压的
作用下，运动到集电结的
N
P
N
边上的电子，进入集电结 的结电场区域，被集电极
IE IEP
IC
场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电， 是一种VCCS器件。
4.1.1 BJT的结构简介
(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
表发示射（极型E，m:半发Ni用tP导t射eNEr体）区型或三；和e 极PN管P的型结。集构电示区表意集示图电（如极C图o，l所le用c示tCo。r或）它c。有两种类
基区 基发极射，结用(BJe或) b表示集（电Ba结se(）Jc)
三极管符号
两种类型的三极管
发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。
集成电路中典型NPN型BJT的截面图
结构特点： 发射极、集电极不能互换。
• 发射区的掺杂浓度最高； • 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； • 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且
在满足放大条件的情况下，由发射区发射的载流子 只有极少部分在基区复合，绝大部分被集电区收集。在 基区复合一个载流子，就有 β个载流子被集电区收集。
IC= β IB+ICEO IB=IBN+ICBO IE = IC+IB
忽 略ICBO、ICEO
IC
IE
IC
IB
3. 三极管的三种组态
双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。 三种接法也称三种组态。
发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子
以 NPN型三极管的放大状态为例，来说明三极管 内部的电流关系，见下图。
1. 内部载流子的传输过程
①发射区向基区注入电子
发射结正偏，从发射区 将有大量的电子向基区扩散， IE 形成的电流为IEN。与PN结 中的情况相同。从基区向发 e 射区也有空穴的扩散运动， 但其数量小，形成的电流为 IEP。与电子流相比，这部 分空穴流可忽略不计。这是 因为发射区的掺杂浓度远大 于基区的掺杂浓度。 IE=IEN+IEP≈IEN
IE= IEN＋ IEP ≈IEN 且有IEN>>IEP
IEN=ICN+ IBN
且有IEN>> IBN ， ICN>>IBN
IC= ICN+ ICBO
IB=IEP+ IBN－ICBO ≈IBN－ICBO IC+IB = ICN+ ICBO +IBN－ICBO= IE
动画
以上看出，三极管内有两种载流子(自由 电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。 或BJT (Bipolar Junction Transistor)。
IE
发射区：发射载流子 e
集电区：收集载流子
基区：传送和控制载流子
N
P
IEP
N
IC= ICN +ICBO
IC ICN= IEN - IBN
IEN
IBN
b
ICN IB
ICBO c
IB= IEP + IBN – ICBO
= IEP + IEN - ICN –ICBO = IE - IC
电子 空穴
于是可得如下电流关系式：
所收集，形成集电极电流
IEN
ICN
ICN。另外，因集电结反偏， e 使集电结区的少子形成漂
IBN
ICBO c
移电流ICBO（值很小，但 受温度影响大）。
IB
b
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
电子 空穴
注意图中画的是载流子的运动方向，空穴流与电流方向 相同；电子流与电流方向相反。为此可确定三个电极的 电流
IE=IEN + IEP
且IEN >> IEP
BJT的三种组态
(a) 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示；
(b) 共电发射路极如接何法，实发现射放极作大为作公用共电？极，用CE表示；
(c) 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。