A09T,AO9T场效应管三极管PL4009

6r190e6场效应管参数

6r190e6场效应管参数
场效应管（FET）是一种三端器件，它可以用来放大电信号、作为开关以及其他电路应用。

在选择和使用场效应管时，有几个重要的参数需要考虑。

1. 饱和漏-源电压（VDS(sat)），这是场效应管在导通状态下的漏-源电压。

它可以影响场效应管的导通特性和功耗。

2. 负载线性区漏-源电压（VDS(off)），这是场效应管在负载线性区的漏-源电压。

它可以影响场效应管的放大特性和线性范围。

3. 饱和漏-源电流（ID(sat)），这是场效应管在饱和状态下的漏-源电流。

它可以影响场效应管的开关速度和功率损耗。

4. 转导电导（gm），这是场效应管的跨导值，表示了输入信号变化对输出电流的影响。

它可以影响场效应管的放大特性和频率响应。

5. 输入电阻（Rin），这是场效应管的输入电阻，影响着输入信号的损耗和匹配。

6. 输出电导（rd），这是场效应管的输出电导，影响着输出信号的损耗和匹配。

以上是一些常见的场效应管参数，它们在不同的应用场景中都扮演着重要的角色。

在选择场效应管时，需要根据具体的电路需求和性能指标来综合考虑这些参数。

希望这些信息对你有所帮助。

d407场效应管参数

d407场效应管参数场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，根据其导电方式可分为耗尽型和增强型。

场效应管具有高输入电阻、低噪声、低失真等优点，广泛应用于放大、开关、调制、功率输出等电路。

一、场效应管的基本概念与分类1.耗尽型场效应管（Diffusion-controlled FET）：以电子扩散为主要导电机制，栅极电流几乎不控制漏极电流。

2.增强型场效应管（Gate-controlled FET）：以栅极电流控制漏极电流，栅极电流越大，漏极电流越大。

二、场效应管的主要参数及其意义1.漏极电流（ID）：在一定栅极电压下，漏极电流与栅极电压的关系。

2.阈值电压（Vt）：场效应管从截止区进入线性区的工作电压。

3.跨导（gm）：场效应管在截止区和线性区之间的电流增益。

4.输入电阻（Rin）：栅极输入电阻，影响信号传输失真。

5.输出电阻（Rout）：漏极输出电阻，影响负载驱动能力。

三、常见场效应管型号及应用领域1.MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）：广泛应用于放大、开关、调制等领域。

2.JFET（结型场效应管）：适用于高频、低噪声放大器。

3.IGBT（绝缘栅双极型晶体管）：用于高电压、大电流、高速度的电力电子装置。

四、场效应管的选购与使用注意事项1.根据电路需求选择合适的场效应管类型（耗尽型或增强型）。

2.选择合适的阈值电压、跨导等参数，以满足电路性能要求。

3.考虑场效应管的输入和输出电阻，影响电路的稳定性和驱动能力。

4.注意场效应管的工作温度范围、功耗和封装尺寸等指标。

5.使用时，注意栅极电压和电流的幅值，避免过电压、过电流等损坏现象。

总之，场效应管作为一种重要的半导体器件，在电子电路设计中具有广泛的应用。

f9530n场效应管参数

F9530N场效应管参数1. 简介场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常用的电子器件，它具有高输入阻抗、低噪声、低失真和高增益等特点。

F9530N是一种常见的场效应管型号，本文将对其参数进行详细介绍和解析。

2. 参数说明F9530N是一种N沟道增强型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor），其参数包括静态和动态参数。

下面将分别对这些参数进行详细说明。

2.1 静态参数静态参数是指在直流工作条件下场效应管的性能指标，主要包括： - 雅各布斯损耗（Junction-to-Body Schottky Diode Forward Voltage）：Vf - 阈值电压（Gate Threshold Voltage）：Vgs(th) - 静态漏极电流（Static Drain Current）：Idss - 静态漏源电压（Static Drain-Source Voltage）：Vds - 静态源极电流（Static Source Current）：Iss - 静态源极电压（Static Source-Body Voltage）：Vsb2.2 动态参数动态参数是指在交流工作条件下场效应管的性能指标，主要包括： - 输入电容（Input Capacitance）：Ciss - 输出电容（Output Capacitance）：Coss - 反馈电容（Feedback Capacitance）：Crss - 开关时间（Switching Time）：tf、tr - 负载电容（Load Capacitance）：Cl3. 参数解析3.1 雅各布斯损耗（Vf）雅各布斯损耗是指场效应管的源极与基极之间的二极管的正向电压。

F9530N的Vf一般为0.8V，该参数影响场效应管的导通特性和功耗。

3.2 阈值电压（Vgs(th)）阈值电压是指场效应管导通的临界电压，当栅极电压超过阈值电压时，场效应管开始导通。

nce3095k场效应管参数

nce3095k场效应管参数摘要：1.场效应管的基本概念与分类2.场效应管的主要参数及其作用3.3095k场效应管的特性与应用4.场效应管的选型与使用注意事项正文：一、场效应管的基本概念与分类场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种根据半导体材料的电荷载流子导电的晶体管。

它主要有两种分类：金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和增强型金属氧化物半导体场效应管（Emitter Coupled Logic，ECL）。

二、场效应管的主要参数及其作用1.阈值电压（Vth）：在场效应管的输入端电压大于阈值电压时，管子进入截止状态；小于阈值电压时，管子进入导通状态。

2.电流放大系数（β）：在场效应管导通状态下，输出电流与输入电流之比。

β值越大，放大效果越好。

3.输入阻抗（Zi）：场效应管的输入阻抗较高，可以减小信号源的内阻干扰。

4.输出阻抗（Zo）：场效应管的输出阻抗较低，可以提高负载驱动能力。

5.功耗（Pd）：在场效应管工作过程中，功耗与电流、电压有关。

合理选择参数可降低功耗。

三、3095k场效应管的特性与应用3095k场效应管是一种常用的MOSFET，具有较低的阈值电压、较高的电流放大系数和较低的功耗。

它广泛应用于放大、开关、振荡、电源管理等电路。

四、场效应管的选型与使用注意事项1.根据电路需求选择合适的场效应管类型，如MOSFET或ECL。

2.选择合适的阈值电压，以满足工作电压要求。

3.考虑电流放大系数，确保放大效果。

4.注意场效应管的功耗和热设计，确保其在高温环境下的稳定性。

5.使用时，注意防止静电击穿，避免损坏场效应管。

6.合理选择电路布局和元件参数，以减小相互干扰，提高电路的稳定性。

总之，场效应管作为一种重要的半导体器件，在电子电路设计中具有广泛的应用。

59n30场效应管参数

59n30场效应管参数摘要：1.场效应管的基本概念与分类2.场效应管的主要参数及其作用3.59n30场效应管的特性与应用4.59n30场效应管的优缺点分析5.如何选择合适的59n30场效应管正文：场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种根据半导体材料的电荷载流子浓度调节电流的半导体器件。

它具有高输入电阻、低噪声、低失真等特点，广泛应用于放大、开关、调制、功率输出等电路。

根据导体通道的材质和结构，场效应管可分为金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、绝缘层场效应管（IGFET）、增强型和耗尽型等不同类型。

在众多场效应管中，59n30场效应管是一种常见的功率场效应管，具有较高的电流密度和优异的稳定性。

它的主要参数包括：1.漏极电流（ID）：在一定栅极电压下，漏极电流与栅极电压之间的关系。

59n30场效应管的漏极电流较小，有利于降低功耗。

2.阈值电压（Vth）：场效应管从截止区进入线性区的工作电压。

59n30场效应管的阈值电压较低，有利于实现高精度放大和开关控制。

3.跨导（gm）：表示场效应管在一定栅极电压下，漏极电流与栅极电流之间的比例关系。

59n30场效应管具有较高的跨导，可以实现高速响应和低失真度。

4.输入电阻（Rin）：场效应管输入端的电阻。

59n30场效应管具有较高的输入电阻，可以减小外部干扰对电路性能的影响。

59n30场效应管在实际应用中具有以下优点：1.低噪声：59n30场效应管的噪声较低，有利于提高电路的信号传输质量。

2.高频响应：59n30场效应管具有较高的跨导和较低的阈值电压，可以实现高速响应。

3.线性度好：59n30场效应管的线性度较好，有利于实现高精度放大和控制。

4.稳定性好：59n30场效应管具有较高的电流密度和稳定性，有利于长时间运行。

然而，59n30场效应管也存在一定的局限性，如易受温度、电压等环境因素影响，以及栅极漏极电容较大等。

因此，在选择59n30场效应管时，应充分考虑其适用场景和性能要求。

场效应管二三极管参数

场效应管二三极管参数135********陈先生专业二三级管及MOS管07N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS 55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N135********陈先生专业二三级管及MOS管6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片135********陈先生专业二三级管及MOS管A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道，8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道，N沟道MOS管各一A0D405 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D408 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V，38/27A，N 高压板MOS管贴135********陈先生专业二三级管及MOS管A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1，60V 4。

场效应管的作用、规格及分类

场效应管的作用、规格及分类1.什么叫场效应管？FET是Field-Effect-Transistor的缩写,即为场效应晶体管。

一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。

FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。

然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。

2. 场效应管的工作原理：(a) JFET的概念图(b) JFET的符号图1(b)门极的箭头指向为p指向 n方向，分别表示内向为n沟道JFET，外向为p沟道JFET。

图1（a）表示n沟道JFET的特性例。

以此图为基础看看JFET的电气特性的特点。

首先，门极-源极间电压以0V时考虑（VGS =0）。

在此状态下漏极-源极间电压VDS 从0V增加，漏电流ID几乎与VDS 成比例增加，将此区域称为非饱和区。

VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小，几乎达到一定值。

此时的ID 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用IDSS 表示。

与此IDSS 对应的VDS 称为夹断电压VP ，此区域称为饱和区。

其次在漏极-源极间加一定的电压VDS (例如0.8V)，VGS 值从0开始向负方向增加，ID 的值从IDSS 开始慢慢地减少，对某VGS 值ID =0。

将此时的VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用VGS (off)示。

n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID=0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。

关于JFET为什么表示这样的特性，用图作以下简单的说明。

场效应管工作原理用一句话说，就是"漏极-源极间流经沟道的I，用以门D"。

d9n40场效应管参数

d9n40场效应管参数摘要：I.场效应管简介A.场效应管的基本结构B.场效应管的工作原理II.d9n40 场效应管参数A.导电类型B.漏极电压C.源极电压D.耗尽模式和增强模式E.静态阻尼比F.最大漏极电流G.最大耗散功率III.d9n40 场效应管应用领域A.电源管理B.放大器C.逻辑电路D.射频电路IV.d9n40 场效应管的优缺点A.优点1.高输入阻抗2.低噪声3.低失真B.缺点1.耗散功率较低2.工作温度范围有限正文：场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种根据栅极电压控制漏极电流的半导体器件。

它具有高输入阻抗、低噪声和低失真等优点，广泛应用于电源管理、放大器、逻辑电路和射频电路等领域。

本文将重点介绍d9n40 场效应管的参数及其应用。

d9n40 场效应管是一种双极型晶体管（BJT）的替代产品，具有更高的性能和更小的体积。

它的基本结构包括源极、漏极和栅极三个端口。

通过改变栅极电压，可以控制漏极电流的大小。

d9n40 场效应管有两种导电类型，分别是N-沟道和P-沟道，分别适用于不同的应用场景。

d9n40 场效应管的参数包括导电类型、漏极电压、源极电压、耗尽模式和增强模式等。

其中，导电类型决定了器件的导电性能；漏极电压和源极电压则是器件的工作电压；耗尽模式和增强模式则影响了器件的工作模式。

此外，d9n40 场效应管还具有静态阻尼比、最大漏极电流和最大耗散功率等参数，这些参数决定了器件的性能和应用范围。

在应用领域方面，d9n40 场效应管可以广泛应用于电源管理、放大器、逻辑电路和射频电路等领域。

例如，在电源管理领域，它可以用于开关电源、线性稳压器等；在放大器领域，它可以用于音频放大器、射频放大器等；在逻辑电路领域，它可以用于各种逻辑门、寄存器等；在射频电路领域，它可以用于无线通信、射频识别等。

总之，d9n40 场效应管具有诸多优点，如高输入阻抗、低噪声和低失真等，使其成为高性能电子设备的理想选择。

nce3095k场效应管参数

nce3095k场效应管参数（实用版）目录1.场效应管的基本概念2.nce3095k 场效应管的主要参数3.nce3095k 场效应管参数的测试方法4.nce3095k 场效应管参数对电路性能的影响5.总结正文一、场效应管的基本概念场效应管（Field Effect Transistor，简称 FET）是一种半导体器件，是基于半导体材料的电子运动方式而设计的。

场效应管是三种主要的晶体管之一，另外两种是双极晶体管和绝缘栅双极晶体管。

场效应管具有高输入电阻、低噪声和低功耗等特点，在电路设计中有着广泛的应用。

二、nce3095k 场效应管的主要参数ce3095k 是一种常见的场效应管型号，其主要参数包括：1.漏极电流（ID）：漏极电流是指在特定电压下通过场效应管的电流。

nce3095k 的漏极电流通常在几毫安到几十毫安之间。

2.源极电流（IS）：源极电流是指在特定电压下从场效应管的源极流入的电流。

nce3095k 的源极电流通常很小，通常在几纳安到几十纳安之间。

3.栅极电流（IG）：栅极电流是指在特定电压下通过场效应管栅极的电流。

nce3095k 的栅极电流通常很小，通常在几纳安到几十纳安之间。

4.跨导（gm）：跨导是指在特定电压下，栅极电流与漏极电流之比。

nce3095k 的跨导通常在几毫欧姆到几十毫欧姆之间。

5.输出电阻（ro）：输出电阻是指场效应管的漏极电流与漏极电压之比。

nce3095k 的输出电阻通常在几十欧姆到几百欧姆之间。

三、nce3095k 场效应管参数的测试方法要测试 nce3095k 场效应管的参数，需要使用一些专业的测试设备，例如数字万用表、示波器和半导体参数测试仪等。

测试步骤如下：1.将场效应管连接到测试电路中。

2.测量漏极电流：在特定的电压下，使用数字万用表或示波器测量漏极电流。

3.测量源极电流：在特定的电压下，使用数字万用表或示波器测量源极电流。

4.测量栅极电流：在特定的电压下，使用数字万用表或示波器测量栅极电流。

场效应管的代替型号

场效应管的代替型号/uploadfile/company/92786/20086121212079 0.pdf液晶 8 脚贴片元器件参数大集合4532 内含 P 沟道、N 沟道 MOS 管各一，高压板用（30V 4.7A；30V 4.5A）4532M 内含 P 沟道、N 沟道 MOS 管各一，高压板用（30V 4.5A；30V 4.5A）9916H 18V 35A 50W 小贴片 9960GM 8 脚贴片，高压板用。

AF4502CS 内含 P 沟道、N 沟道 MOS 管各一，高压板用（30V 8.4A；30V 6.8A）AO4403 30V 6.1A 单 P 沟道 8 脚贴片 AO4404 30V 8.5A 单 N 沟道8 脚贴片AO4405 30V 6A 3W 单 P 沟道 8 脚贴片AO4406 30V，11.5A，单 N 沟道，8 脚贴片AO4407 30V 12A 3W 单 P 沟道，8 脚贴片AO4407 30V 12A 3W 单 P 沟道，8 脚贴片AO4408 30V 12A 单 N 沟道 8 脚贴片AO4409(30V15A-P) 30V 15A P 沟道场效应 8 脚贴片AO4410 30V 18A 单 N 沟道 8 脚贴片AO4411 30V 8A 3W P 沟道场效应，8 脚贴片AO4413 30V 15A 3W 单 P 沟道，8 脚贴片AO4413 30V 15A 3W 单 P 沟道，8 脚贴片AO4414 30V，8.5A，3W 单 N 沟道，8 脚贴片AO4418 30V 11.5A N 沟道 8 脚贴片AO4422 30V 11A N 沟道 8 脚贴片AO4423 30V 15A 3.1W 单 P 沟道，8 脚贴片AO4425 38V 14A P 沟道 8 脚贴片AO4431 30V,8A P 沟道。

高压板用 MOS，贴片 8 脚AO4600 内含 P 沟道、N 沟道 MOS 管各一，高压板用（30V 6.9A；30V 5A）AO4606 内含 P 沟道、N 沟道 MOS 管各一，高压板用（30V 6.9A；30V 6A）AO4607 内含 P 沟道、N 沟道 MOS 管各一，高压板用AO4828 60V 4.5A 双 N 沟道 8 脚贴片AOD405 30V，18A，P 高压板 MOS 管贴片AOD408 30V，18A，N 高压板 MOS 管贴片AOD409 60V 26/18A P 高压板 MOS 管贴片AOD409 60V 26/18A P 高压板 MOS 管贴片AOD420 30V，10A，N 高压板 MOS 管贴片AOD442 60V，38/27A，N 高压板 MOS 管贴片AOD442 60V，38/27A，N 高压板 MOS 管贴片AOD444 60V，12A，N 高压板 MOS 管贴片AOP600 内含 P、N 沟道各 1，30V 7.5A、30V 4.5A。

A T T场效应管三极管PL

SymbolTyp Max 659085125R θJL 4360Maximum Junction-to-Lead CSteady-State°C/WThermal Characteristics ParameterUnits Maximum Junction-to-AmbientAt ≤ 10s R θJA °C/W Maximum Junction-to-Ambient ASteady-State °C/WSymbolMin TypMaxUnits BV DSS 30V 1T J =55°C5I GSS 100nA V GS(th)0.7 1.11.4V I D(ON)30A 22.828T J =125°C323927.333m Ω43.352m Ωg FS 1015S V SD 0.711V I S2.5A C iss 8231030pF C oss 99pF C rss 77pF R g1.2 3.6ΩQ g 9.712nC Q gs 1.6nC Q gd 3.1nC t D(on) 3.35ns t r 4.87ns t D(off)26.340ns t f 4.16ns t rr 1620ns Q rr8.912nCTHIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.Gate resistanceV GS =0V, V DS =0V, f=1MHzTurn-Off Fall TimeMaximum Body-Diode Continuous CurrentInput Capacitance Output Capacitance Turn-On DelayTime DYNAMIC PARAMETERS I F =5A, dI/dt=100A/µsV GS =0V, V DS =15V, f=1MHz SWITCHING PARAMETERS Total Gate Charge V GS =4.5V, V DS =15V, I D =5.8AGate Source Charge Gate Drain Charge Turn-On Rise Time Turn-Off DelayTime V GS =10V, V DS =15V, R L =2.7Ω, R GEN =3Ωm ΩV GS =4.5V, I D =5A I S =1A,V GS =0V V DS =5V, I D =5AR DS(ON)Static Drain-Source On-ResistanceForward TransconductanceDiode Forward VoltageI DSS µA Gate Threshold Voltage V DS =V GS I D =250µA V DS =24V, V GS =0VV DS =0V, V GS =±12V Zero Gate Voltage Drain Current Gate-Body leakage current Electrical Characteristics (T J =25°C unless otherwise noted)STATIC PARAMETERS ParameterConditions Body Diode Reverse Recovery TimeBody Diode Reverse Recovery Charge I F =5A, dI/dt=100A/µsDrain-Source Breakdown Voltage On state drain currentI D =250µA, V GS =0V V GS =2.5V, I D =4AV GS =4.5V, V DS =5V V GS =10V, I D =5.8AReverse Transfer Capacitance A: The value of R θJA is measured with the device mounted on 1in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C. The value in any given application depends on the user's specific board design. The current rating is based on the t ≤ 10s thermal resistance rating.B: Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.C. The R θJA is the sum of the thermal impedence from junction to lead R θJL and lead to ambient.D. The static characteristics in Figures 1 to 6,12,14 are obtained using 80 µs pulses, duty cycle 0.5% max.E. These tests are performed with the device mounted on 1 in 2FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C. The SOA curve provides a single pulse rating. Rev 4 : June 2005。

40n100场效应管参数

40n100场效应管参数摘要：1.场效应管的基本概念2.40n100场效应管的参数解析3.场效应管在电子设备中的应用4.选购场效应管时需要注意的要点5.场效应管的维护与故障处理正文：场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，根据沟道长度和宽度的不同，可分为金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等。

场效应管具有高输入电阻、低噪声、低失真等优点，广泛应用于放大、开关、调制、功率控制等电子设备中。

40n100场效应管是一种N型金属氧化物半导体场效应管，其中“40”表示沟道长度为40纳米，“100”表示沟道宽度为100纳米。

这种场效应管具有较低的导通电阻和较高的电流容量，适用于高频率、高电压的电子设备。

在选购场效应管时，需要关注以下几个参数：1.栅极电压（Vgs）：栅极电压是控制场效应管导通的关键参数。

在不同栅极电压下，场效应管的导通电阻和电流容量会有所不同。

一般来说，栅极电压越高，导通电阻越小，但电流容量也越小。

2.漏极电压（Vds）：漏极电压是场效应管能承受的电压上限。

在实际应用中，漏极电压应大于电路的工作电压，以保证场效应管的安全运行。

3.电流容量（Id）：场效应管的电流容量决定了其在电路中的承载能力。

根据电路需求选择合适的电流容量，可以保证场效应管的稳定运行。

4.导通电阻（Rdson）：导通电阻是场效应管在导通状态下的电阻，它直接影响到电路的能耗。

较低的导通电阻可以降低电路的功耗。

5.开关速度（ts）：场效应管的开关速度决定了其在高速电路中的性能。

高速场效应管的开关速度较快，能够满足高频率电路的需求。

在实际应用中，场效应管的维护与故障处理十分重要。

以下是一些建议：1.避免场效应管长时间处于高温、高压等恶劣环境，以免影响其性能和寿命。

2.定期检查场效应管的连接线路，确保接触良好，防止线路老化、短路等现象。

3.若发现场效应管发热过多、噪音过大等异常现象，应立即停用，以免造成损坏。

AO4409(DT4409)场效应管MOS原厂DCY品牌推荐

Ciss Coss Crss
VDS =15 V , VGS = 0V f = 1.0 MHz
600 760 910
100 140
180
pF
60
95 135
Source-Drain Diode 源漏二极管参数
Max. Diode Forward Current 最大正向电流
IS
-3.5
A
Diode Forward Voltage 正向电压
-1
-1.3
-3
V
Zero Gate Voltage Drain Current 0 栅压漏极电流 Gate Body Leakage 漏极短路时截止栅电流 Forward Transconductance 正向跨导 Dynamic3) 动态参数
IDSS IGSS gfs
VDS = -30V, VGS = 0V VGS = ± 20V, VDS = 0V VGS = 0V, VDS = 0V, f=1MHz
Qg
VDS = 10V, ID = 13 A
11 13.6
16
Qgs VGS = 15V
2
2.5
3
nC
Qgd
1.9
3.2
4.5
td(on) tr
td(off)
VDD = 10V, RL=1.8 Ω RG = 3 Ω
8 6
ns 17
tf
5
Input Capacitance 输入电容 Output Capacitance 输出电容 Reverse Transfer Capacitance 反向传输电容
Parameter 极限参数
Symbol 符号
Limit 范围

A09T,AO9T场效应管三极管PL4009

SymbolTyp Max 659085125R θJL 4360Maximum Junction-to-Lead CSteady-State°C/WThermal Characteristics ParameterUnits Maximum Junction-to-AmbientAt ≤ 10s R θJA °C/W Maximum Junction-to-Ambient ASteady-State °C/WSymbolMin TypMaxUnits BV DSS 30V 1T J =55°C5I GSS 100nA V GS(th)0.7 1.11.4V I D(ON)30A 22.828T J =125°C323927.333m Ω43.352m Ωg FS 1015S V SD 0.711V I S2.5A C iss 8231030pF C oss 99pF C rss 77pF R g1.2 3.6ΩQ g 9.712nC Q gs 1.6nC Q gd 3.1nC t D(on) 3.35ns t r 4.87ns t D(off)26.340ns t f 4.16ns t rr 1620ns Q rr8.912nCTHIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.Gate resistanceV GS =0V, V DS =0V, f=1MHzTurn-Off Fall TimeMaximum Body-Diode Continuous CurrentInput Capacitance Output Capacitance Turn-On DelayTime DYNAMIC PARAMETERS I F =5A, dI/dt=100A/µsV GS =0V, V DS =15V, f=1MHz SWITCHING PARAMETERS Total Gate Charge V GS =4.5V, V DS =15V, I D =5.8AGate Source Charge Gate Drain Charge Turn-On Rise Time Turn-Off DelayTime V GS =10V, V DS =15V, R L =2.7Ω, R GEN =3Ωm ΩV GS =4.5V, I D =5A I S =1A,V GS =0V V DS =5V, I D =5AR DS(ON)Static Drain-Source On-ResistanceForward TransconductanceDiode Forward VoltageI DSS µA Gate Threshold Voltage V DS =V GS I D =250µA V DS =24V, V GS =0VV DS =0V, V GS =±12V Zero Gate Voltage Drain Current Gate-Body leakage current Electrical Characteristics (T J =25°C unless otherwise noted)STATIC PARAMETERS ParameterConditions Body Diode Reverse Recovery TimeBody Diode Reverse Recovery Charge I F =5A, dI/dt=100A/µsDrain-Source Breakdown Voltage On state drain currentI D =250µA, V GS =0V V GS =2.5V, I D =4AV GS =4.5V, V DS =5V V GS =10V, I D =5.8AReverse Transfer Capacitance A: The value of R θJA is measured with the device mounted on 1in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C. The value in any given application depends on the user's specific board design. The current rating is based on the t ≤ 10s thermal resistance rating.B: Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.C. The R θJA is the sum of the thermal impedence from junction to lead R θJL and lead to ambient.D. The static characteristics in Figures 1 to 6,12,14 are obtained using 80 µs pulses, duty cycle 0.5% max.E. These tests are performed with the device mounted on 1 in 2FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C. The SOA curve provides a single pulse rating. Rev 4 : June 2005。

mos管7509原理

mos管7509原理
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常见的场效应晶体管，也称为MOS管。

MOS管7509是一种特定型号的MOSFET，其原理和工作方式与一般的MOSFET相似。

MOSFET的工作原理基于半导体材料中的电荷携带和电场控制。

MOSFET包括一个绝缘层、一个金属门极和一个半导体衬底。

当门极上施加电压时，形成的电场控制着沟道中的载流子（电子或空穴）的流动。

MOSFET的工作可以分为三个主要区域，截止区、饱和区和放大区。

在截止区，门极电压低于阈值电压，MOSFET处于关闭状态，几乎没有漏电流。

在饱和区，门极电压高于阈值电压，MOSFET处于开启状态，可以通过大量的漏电流。

在放大区，MOSFET可以被用作放大器，通过调节门极电压来控制漏极电流，实现信号放大功能。

对于MOS管7509这一特定型号，具体的工作原理和特性可能会根据厂家的设计和规格有所不同。

一般来说，厂家会提供详细的规格书和数据手册，其中包含了该型号MOSFET的具体参数、特性曲线
以及工作原理的详细说明。

如果需要深入了解MOS管7509的原理，
建议查阅相关的厂家资料或者技术文献，以便获取更为详尽的信息。

ru6199s场效应管参数

ru6199s场效应管参数
RU6199S是一种场效应管（FET），它具有一些重要的参数和特性。

首先，让我们从静态参数开始。

RU6199S的静态参数包括漏极-源极饱和电压（Vds(sat)），这是在漏极和源极之间的最小电压，使得场效应管处于饱和状态。

另一个重要的静态参数是门极-源极截止电压（Vgs(off)），这是在没有门极电压时，漏极和源极之间的电压。

此外，静态参数还包括漏极电流（Id）和漏极-源极电阻（Rds(on)）等。

接下来，让我们谈一下动态参数。

RU6199S的动态参数包括输入电容（Ciss）、反向传输电容（Crss）和输出电容（Coss）。

这些参数对于分析场效应管的高频特性和交流响应非常重要。

此外，RU6199S的参数还包括最大漏极-源极电压（Vds(max)）和最大漏极电流（Id(max)），这些参数决定了场效应管的最大工作范围。

除了上述参数之外，还有一些其他的参数可能也很重要，具体取决于应用领域和具体的电路设计。

比如，温度特性、电压漂移、频率响应等等。

总的来说，RU6199S场效应管的参数涵盖了静态和动态特性，这些参数对于电路设计和性能分析都至关重要。

在实际应用中，工程师需要全面了解这些参数，并结合具体的电路设计和要求进行合理的选择和应用。

d409场效应管参数替换

d409场效应管参数替换摘要：I.场效应管简介A.场效应管的基本结构B.场效应管的工作原理II.d409 场效应管参数A.d409 场效应管的类型B.d409 场效应管的主要参数1.栅极电压2.漏极电流3.源极电流4.跨导5.输入电容6.输出电容III.场效应管参数替换方法A.栅极电压的替换B.漏极电流的替换C.源极电流的替换D.跨导的替换E.输入电容的替换F.输出电容的替换IV.场效应管参数替换的实际应用A.电源管理电路B.放大器电路C.振荡器电路D.逻辑门电路正文：场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，基于栅极和源极、漏极之间的电场效应来控制电流。

它具有高输入电阻、低噪声和低功耗等特点，广泛应用于各种电子设备中。

在众多场效应管中，d409 场效应管由于其特殊的性能参数，被广泛应用于各种电子电路。

d409 场效应管的主要参数包括：类型、栅极电压、漏极电流、源极电流、跨导、输入电容和输出电容。

其中，栅极电压是控制器件导通或截止的关键参数；漏极电流和源极电流则是器件的输出电流；跨导是器件的电流放大能力；输入电容和输出电容则影响器件的响应速度和稳定性。

在实际应用中，由于电路设计需求，可能需要对d409 场效应管的参数进行替换。

为了实现这一目标，可以采用以下方法：1.栅极电压的替换：根据实际电路需求，选择合适的栅极电压值。

需要注意的是，过高的栅极电压可能导致器件击穿，过低的栅极电压可能导致器件无法导通。

2.漏极电流的替换：根据电路中的负载电阻和电源电压，计算出所需的漏极电流值，然后选择合适的d409 场效应管。

3.源极电流的替换：与漏极电流类似，根据电路中的负载电阻和电源电压，计算出所需的源极电流值，然后选择合适的d409 场效应管。

4.跨导的替换：根据电路中的电压放大倍数需求，选择具有合适跨导的d409 场效应管。

5.输入电容的替换：根据电路中的滤波需求，选择具有合适输入电容的d409 场效应管。

4809ng场效应管参数

4809ng场效应管参数4809ng场效应管的参数包括：
1. 型号：4809ng
2. 类型：N沟道场效应管
3. 电压：30V
4. 电流：58A
5. 封装：TO-252
7. 极性：N-Channel
8. 输入电容：3.7nF
9. 输出电容：160pF
10. 通道类型：Enhancement
11. 制作工艺：MOS
12. 工作温度范围：-55°C to +150°C
13. 封装类型：TO-252
14. 最大漏源电压：30V
15. 连续漏极电流：58A
16. 脉冲最大漏极电流：174A
17. 耗散功率：150W
18. 最大栅源电压：±20V
19. 最大源极电压：30V
20. 最大栅极电阻：500Ω
场效应管4809ng的主要优点包括高输入阻抗、低噪声、高效能等。

它广泛应用于各种电子设备中，如电源、放大器、开关等。

在使用时，需要注意其电压、电流和功率等参数是否符合设计要求，以确保电路的正常运行。

同时，还需要注意场效应管的驱动电路设计，以确保其正常工作并充分发挥其优点。