美国半导体元件命名规则
半导体命名法
1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP 型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
半导体型号命名方法
半导体器件型号命名方法一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F＜3MHz,Pc＜1W)、G-高频小功率管（f＞3MHz,Pc＜1W)、D-低频大功率管（f＜3MHz,Pc ＞1W)、A-高频大功率管（f＞3MHz,Pc＞1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN 型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
半导体型号命名方法(精)
半导体器件型号命名方法一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F＜3MHz,Pc＜1W)、G-高频小功率管（f＞3MHz,Pc＜1W)、D-低频大功率管（f＜3MHz,Pc ＞1W)、A-高频大功率管（f＞3MHz,Pc＞1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN 型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
美国军用半导体器件型号和标志
美国军用半导体器件型号和标志QML-19500简介1．美国军用半导体器件型号和标志在美国军用标准中，半导体器件包括二极管，三极管，光藕等分立器件。
其军用产品型号和标志，按美军标准MIL-PRF-19500N《半导体器件总规范》（2005年发布）1.3条规定如下：A XN YYYY ZZZJANQQQ 或JANQCW前缀RHA等级器件类型识别号后缀见1.1见1.2见1.3见1.4.见1.51.1 前缀此前缀用于表示军用产品质量等级.对于已密封器件和未密封器件(即芯片)的质量等级及其相应标志规定如下:1.1.1密封器件的质量等级和标志密封器件的质量等级如上述”QQQ”所示, 质量等级从低到高顺序如下:JAN, JANTX JANTXV, JANJ 和JANS.JANS是适用于空间用途的等级,我们常称之为宇航级;JAN, JANTX, JANTXV, JANJ是高可靠军用等级,以前的标准中,曾这样描述:JAN---------标准军用等级JANTX-----特军级JANTXV---超特军级JANJ--------按标准规定,应在JANS生产线制造,质量等级比JANTXV高.1.1.2未密封器件即芯片的质量等级和标志未密封器件的质量等级如上述”QC”所述,质量等级从低到高顺序如下; JANHCJANKC.JANHC---适用于标准军事用途JANKC---适用于空间(宇航)用途上述”QCW”中的”W”表示此类产品—芯片,必须将适用的等级标志符,标志在包装盒的适当位置上.1.1.3 JAN和J标志按MIL—PRF—19500N 3.10.6.1条规定,当器件打印标志的位置较小时,“JAN”标志可以简化为“J”.这二个标志都是向联邦政府注册的,“JAN”的注册号为:504860;“J”的注册号为:1586261.因此,当器件管壳较小时,军用产品质量等级可以标志如下缩写前缀:质量等级 质量等级缩写JAN------------------- JJANTX----------------- JXJANTXV------------- JVJANJ------------------ JJJANS----------------- JS1.2 辐射加固保证(RHA)等级RHA等级采用一个字母表示,其等级从低到高顺序为:M,D,P,L,R,F,G和H.加固剂量如下: (除非另有规定)等级字母总剂量 Rad(si)中子流量 N/cm2M3×1032×1012D1×1042×1012P3×1042×1012L5×1042×1012R1×1052×1012F3×1052×1012G6×1052×1012H1×1062×10121.3 器件类型半导体器件的标志符用“XN”表示，其中“X”用一个数字表示，它比器件有源电极终端（引出端）数目少一，例如，二极管用“1N”表示，三极管用“2N”表示。
电子工程师必备基础知识手册(五)：半导体器件
电子工程师必备基础知识手册(五)：半导体器件.txt珍惜生活——上帝还让你活着，就肯定有他的安排。
雷锋做了好事不留名，但是每一件事情都记到日记里面。
电子工程师必备基础知识手册(五)：半导体器件半导体器件一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N 型锗材料、B-P 型锗材料、C-N 型硅材料、D-P 型硅材料。
表示三极管时：A-PNP 型锗材料、B-NPN 型锗材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN 型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN 型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18 表示NPN 型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2 三极或具有两个pn 结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn 结的其他器件、┄┄依此类推。
半导体命名方式
用数字表示器件 用字母表示 的电极数目 半导体器件 符 号 0 1 2 3 意 义 符 号 意 义
用拉丁字母表示 器件的结构和类型 符号 A 意 义
用拉丁字母表示同一种 型号器件的改进型
光电器件 二极管 三极管 有三个 PN 结 的器件 S 半导体 器件
高频 PNP 型三极管 快速开关三极管 低频大功率 PNP 管 高频及快速开关 NPN 三极管 低频大功率 NPN 管 P 控制极可控硅 N 控制极可控硅 N 基极单结管 P 沟道场效应管 N 沟道场效应管 双向可控硅
B C D F G H J K M
例如 2SA53 表示高频 PNP 型三极管，1S92 表示半导体二极管。
表示不加 热即半导 体器件
登记顺 序号
表示器件改进型
例如 1N4148 表示开关二极管，2N3464 表示高频大功率 NPN 型硅管。 2．日本半导体器件命名法 日本半导体器件型号共用五部分组成，其表示方法如 2。 表 2 日本半导体器件命名法 第一部分 第 二 部 分 第 三 部 分 第 四 部 分 用 2～3 位数 字表示器件 登记顺序号 第 五 部 分
半导体三极管的命名方法(中日欧韩美)
半导体三极管的命名方法（中日欧韩美）按国家标准GB/T 249- 89 的规定，三极管的型号命名同二极管一样由五部分组成，其型号组成部分及其含义见表。
一、我国三极管的型号组成部分及其含义常见的三极管型号有3DG130C, 3AX52B等，其含义如下:头，日本产的半导体三极管是以“2S”开头，目前市场上以“2S”开头的日本品比较多。
日本产半导体器件命名方法如下:半导体三极管型号中的第三部分用A表示PNP型高频管，用B表示PNP型低频管，用C表示NPN型高频管，用D表示NPN型低频管;第四部分由数字组成，表示日本电子工业协会注册登记的顺序号，数字越大，表示产品越新;第五部分用字母表示对原型号的改进产品。
二、日本三极管的型号组成部分及其含义（常用）例子：三、欧洲常采用国际联合会制定的标准，对三极管型号的命名方法是:第一部分用A或B开头(A表示锗管，B表示硅管);第二部分用C表示低频小功率管，用F表示高频小功率管，用D表示低频大功率管，L表示高频大功率管，用S和U表示小功率开关管和大功率开关管;第三部分用数字表示登记序号，如BC87表示硅低频小功率管。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。
A、B、C、D、E┄┄表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。
常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀。
其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
半导体器件命名规则
半导体器件命名规则半导体器件命名规则一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN 型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
半导体型号命名规则
一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P 型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN 型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
intersil命名规律
该公司已并入HAS公司。
D 外引线数符号 A：8； B：10； C：12； D：14； E：16； F：22； G：24； H：42； I：28； J：32； K；35； L：40； M：48； N：18； P：20； Q：2； R：3； S：4； T：6； U：7； V：8（引线ห้องสมุดไป่ตู้ 0.2"）； W：10（引线径 0.23"） Y：8（引线径 0.2"，4端与壳接)； z：10（引线径 0.23"， 5端与壳接）。
缩写字符：INL 译名：英特希尔公司（美） 器件型号举例说明 ICL 器件系列 D：混合驱动器； G：混合多路FET； ICL：线性电路； ICM：钟表电路； IH：混合/模拟门； IM：存储器； AD：模拟器件； DG：模拟开关； DGM：单片模拟开关； ICH：混合电路； LH：混合IC； LM：线性IC； MM：高压开关； NE：SIC产品； SE： SIC产品。 8038 器件编号 存储器件 命名法 首位数表示： 6：CMOS工艺； 7：MOS工艺； 第二位数表示： 1：处理单元； 3：ROM； 4：接口单元； 5：RAM； 6：PROM； 第三、四位数表 示： 芯片型号。 电 特 性 C 温度范围 （除D、DG、G外） M：（-55~125）℃ I：（-20~85）℃； C：（0~70）℃ 。 D、DG、G的温度 范围： A：（-55~125）℃ B：（-20~85）℃； C：（0~70）℃。 C 封装 A：TO-237； B：塑料扁平封装 C：TO-220； D：陶瓷双列； E：小型TO-8； F：陶瓷扁平封装 H：TO~66；I：16 线（跨距为0.6"X0.7") 密封混合双列； J：陶瓷浸渍双列 （黑瓷）； K：TO-3； L：无引线陶瓷载体； P：塑料双列； S：TO-52； T：TO-5（亦是 TO-78,TO-99 TO-100） U：TO-72（亦是 TO-18,TO-71） V：TO-39； Z：TO-92； /W：大圆片； /D：芯片。 P
issi芯片型号命名规则
issi芯片型号命名规则ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）是一家领先的半导体公司，专注于设计、开发和销售各种集成电路产品。
公司成立于1988年，总部位于美国加利福尼亚州米尔皮塔斯市。
ISSI芯片型号命名规则是一种规范性的体系，用于标识和区分不同型号的芯片产品。
这种规则旨在简化产品标识和分类，方便客户识别和选择合适的芯片。
在ISSI芯片型号中，通常包括一系列字母、数字和特殊字符，每个字符代表了特定的含义和属性。
下面是ISSI芯片型号命名规则的详细解释：1. 类别标识：该部分用于标识芯片所属的主要类别或系列。
常见的类别标识包括DRAM（动态随机存储器）、SRAM（静态随机存储器）、闪存（Flash）、控制器（Controller）等。
不同的类别可以通过不同的字母、数字或特殊字符进行标识。
2. 功能标识：该部分用于标识芯片的主要功能和特性。
常见的功能标识包括速度（Speed）、容量（Capacity）、接口（Interface）等。
速度通常用MHz或ns表示，容量通常用Mb或GB表示，接口通常用SPI、I2C、USB等表示。
3. 封装标识：该部分用于标识芯片的封装形式和尺寸。
常见的封装标识包括TSOP（Thin Small Outline Package）、BGA （Ball Grid Array）、QFN（Quad Flat No-leads）等。
不同的封装形式可以通过不同的字母、数字或特殊字符进行标识。
4. 温度等级标识：该部分用于标识芯片的温度等级和工作范围。
常见的温度等级标识包括商业级（Commercial）、工业级（Industrial）、汽车级（Automotive）等。
不同的温度等级可以通过不同的字母、数字或特殊字符进行标识。
5. 版本标识：该部分用于标识芯片的版本信息。
当芯片需要进行升级或改进时，可以通过版本标识进行区分。
版本标识通常用字母和数字组成，如A、B、C或V1、V2、V3等。
is42s32800d的命名规则
is42s32800d的命名规则
IS42S32800D是一个集成电路（IC）的型号，其中包含了一些特定的命名
规则。
首先，从型号中我们可以看出，这是一个由美国芯成（ISSI）公司生产的芯片。
此外，型号中包含的字母和数字表示该芯片的特性和功能。
其中，'S'可能表示该芯片属于某个系列或类型，例如SRAM（静态随机存
取存储器）。
'32800'可能表示该芯片的存储容量或性能等级，例如32Mb
或b等。
而最后的'D'可能表示该芯片的封装类型，例如双列直插式封装（DIP）。
因此，IS42S32800D的命名规则可能是根据美国芯成公司的命名规范来确
定的，其中包含了芯片的系列、存储容量、性能等级和封装类型等信息。
请注意，这只是对IS42S32800D命名规则的一种可能的解释，具体的命名规则可能因不同的公司或不同的产品而有所不同。
如果您需要更详细的信息，建议您查阅相关的技术规格书或联系美国芯成公司进行咨询。
常用的进口IC型号命名方法介绍
常用的进口IC型号命名方法介绍半导体集成电路(SIC)的型号一般由三部分组成。
第一部分为前缀，主要反映制造厂家的信息。
第二部分用来表示器件功能分类。
第三部分为后缀，主要反映器件的质量和可靠性等级及封装形式(包括是否为裸芯片)。
这里正芯网将厚膜集成电路(HIC)常用的进口IC型号命名方法介绍如下。
一、54系列此系列为军用集成电路(74系列的为商用)。
TI(得克萨斯公司)，Rochester(罗切斯特公司)，Motorola(摩托罗拉公司)，NSC(美国国家半导体公司)，FC(仙童公司)等公司生产。
TI公司规定其54系列产品型号要在54的前面加上SN(如SN54HC00等)，军标产品加SNJ。
54后接不同的英文字母表示不同的电路功能，也有54后直接跟数字的。
(1)54HC54HC表示高速CMOS逻辑集成电路，现在为SN54HC，仅TI 生产(Rochester作其补充)。
(2)54HCT54HCT也表示高速CMOS逻辑集成电路，现在为SN54HCT，仅TI生产(Rochester作其补充)。
(3)54LS54LS表示低功耗肖特基逻辑集成电路，TI生产的为SN54LS；Rochester，Motorola，NSC和FC公司生产的仍为54LS。
(4)54S54S表示肖特基逻辑集成电路，现在为SN54S，仅TI生产(Rochester作其补充)。
(5)54×××以54121(多谐振荡器)为例。
Rochester公司的为54121，TI公司的为SN54121，Lansdale公司的为54121和SL54121。
上述器件均为军品等级。
二、78／79生产厂家为ST Micro(以前为SGS—Thorn．son)。
原78××，79××电压基准器，现在型号为L78L××，L78L×，如L79L09等。
三、AD为Analog Devices公司产品，主要有ADC(模数转换)，DAC(数模转换)，放大器，电压基准器，湿度传感器等。
半导体型号命名方法
半导体型号命名方法一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P 型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个p n结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NP N型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
原来国内外常用电子元器件型号命名规则是这样的，涨知识了！
原来国内外常用电子元器件型号命名规则是这样的，涨知识了！1.电阻器举例：RJ76表示精密金属膜电阻器R——电阻器（第一部分）J——金属膜（第二部分）7——精密（第三部分）6——序号（第四部分）2.电容器国外电容器命名规则不一，国外部分知名厂家命名规则如下：•(1)日本村田(muRata)•(2)日本TDK•(3)日本京瓷(Kyocera)•(4)日本罗姆(ROHM)•(5)日本松下旗下三洋电机(Panasonic)(6)韩国三星(SAMSUNG)•(7)美国基美(KEMET)•(8)英国Syfer•(9)中国台湾国巨(YAGEO)•(10)中国台湾华新科技(WALSIN)3.电感器4.变压器5.二极管6.三极管7.发光二极管8.扬声器9.电声器件10晶闸管11.继电器国外：1.国际电子联合会半导体器件命名法国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：•1)这种命名法被欧洲许多国家采用。
因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
•2)第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP型）。
•3)第二个字母表示器件的类别和主要特点。
如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。
若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。
例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。
•4)第三部分表示登记顺序号。
三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。
例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN型。
•5)第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFE或NF）进行分档。
•6)型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。
极性的确定需查阅手册或测量。
2.美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。
半导体型号命名
半导体型号命名方法一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
半导体分立器件封装命名规则_解释说明以及概述
半导体分立器件封装命名规则解释说明以及概述1. 引言1.1 概述半导体分立器件封装是指对单个的半导体器件进行封装，以便在电路中使用。
而半导体分立器件封装命名规则则是用于标识和描述这些封装形式的一种规范。
随着电子行业的发展和技术的进步，半导体分立器件封装命名规则成为了确保产品质量、标准化生产和交流合作的重要工具。
1.2 文章结构本文将详细解释和说明半导体分立器件封装命名规则，旨在帮助读者更好地理解和掌握这一方面的知识。
文章首先会介绍什么是半导体分立器件封装命名规则，并阐述其目的和重要性。
接着，我们将列举常见的半导体分立器件封装命名规则示例，从实际案例中深入探讨这些规则的应用。
然后，本文还将概述国际标准与行业标准的区别，并提供国内外常用的半导体分立器件封装命名规则总览。
最后，我们将讨论这一领域的发展趋势和未来发展方向。
1.3 目的本文的目的是全面介绍半导体分立器件封装命名规则，解释其含义和重要性，并为读者提供一个清晰的概述。
通过深入研究和讨论，我们希望能够加深人们对半导体分立器件封装命名规则的理解，同时引起相关行业和领域内人士对这一问题的关注。
最后，我们也将提出进一步研究和应用推广建议，以促进半导体分立器件封装命名规则标准化、统一化发展。
2. 半导体分立器件封装命名规则解释说明2.1 什么是半导体分立器件封装命名规则半导体分立器件封装命名规则指的是定义半导体器件外部封装形式和结构的规则和标准。
由于不同类型的半导体器件在表面封装形式上有所差异，因此需要一套统一的命名规则来对这些器件进行分类和标识。
2.2 命名规则的目的和重要性半导体分立器件封装命名规则的主要目的在于方便工程师、制造商和用户理解各种类型的半导体器件，并选择适合自己需求的器件。
通过使用统一的命名规则，可以确保行业内人员能够准确地对不同型号和尺寸的器件进行描述、比较和选择。
此外，命名规则还有助于提高工作效率，降低误操作风险。
当有大量不同型号或者品牌的半导体器件需要被组装或替换时，使用统一的命名规则可以使得相关工作更加简便明了。
nexperia型号命名规则 -回复
nexperia型号命名规则-回复nexperia型号命名规则是一种用于标识和区分不同半导体器件型号的系统。
nexperia作为一家领先的半导体公司，专注于设计、制造和销售各种电子器件，其产品涵盖了广泛的市场需求。
为了提高产品的可辨识性和易用性，nexperia采用了一套规范的型号命名规则。
下面将逐步解释这些命名规则，并介绍它们的作用和优势。
一、字母前缀nexperia的型号命名系统以一个字母前缀开头。
这个字母用于指示器件的类型或应用领域。
例如，"B"表示双极型晶体管（Bipolar Transistor），"D"表示二极管（Diode），"T"表示三极管（Transistor），"F"表示场效应晶体管（Field Effect Transistor），等等。
通过字母前缀，使用者可以快速确定器件的基本类型。
二、数字序列在字母前缀之后，nexperia的型号命名系统使用一系列数字来表示器件的特定属性。
这些数字代表着具体的规格和特性，如工作电压、最大电流、频率响应等。
使用者可以根据这些数字来选择合适的器件。
对于经常使用的属性，nexperia通常采用简洁的表示方法，以提高效率。
例如，使用"4"表示4号工作电压（4V），使用"10"表示10号工作电流（10mA）。
三、字母后缀字母后缀用于进一步细化和区分型号。
它可以表示器件的封装形式、温度范围、性能级别等。
例如，"A"可能表示SOT23封装，"C"表示SSOP封装，"L"表示低温封装，"P"表示高性能级别等。
字母后缀为使用者提供了更多的选择和信息，使得选型过程更加灵活和精确。
四、附加码在字母后缀之后，nexperia的型号命名系统还可以包含一些附加码。
这些附加码通常是一些额外的标识或关键字，用于特定的型号或市场需求。
半导体器件的型号命名方法(精)
美国半导体器件的型号命名方法美国半导体器件型号命名由四部分组成。
各部分的含义见下表。
第一部分用数字表示器件的类别。
第二部分用字母“N”表示该器件已在EIA注册登记。
第三部分用数字表示该器件的注册登记号。
第四部分用字母表示器件的规格号。
美国半导体器件型号命名及含义第一部分：类别第二部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志第三部分：美国电子工业协会（EIA）登记号第四部分：器件规格号数字含义字母含义用多位数字表示该器件在美国电子工业协会（EIA）的登记号用字母A、B、C、D……表示同一型号器件的不同档次1二极管N该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记2晶体管3三个PN 结器件（如双栅场效应管晶体管）n n个PN 结器件例如：lN 40072N 2907 A l——二极管2——晶体管N——ElA注册标N——ElA注册标志志4007——ElA登记号2907——ElA登记号A——规格号欧共体半导体器件的型号命名方法欧式电子管的型号命名由三部分组成，见下表第一部分：灯丝电压或灯丝电流第二部分：类型第三部分：管外形与序号字母含义字母含义数字含义A4V（AC）A二极管1～9边接触式管座B双二极管B0.18V C三极管（功率管除外）11～19钢质管座C0.2A D功率三极管E四极管（功率管除外）21～26自锁式管座D 1.2～1.4V(DC F五极管（功率管除外）E 6.3V(AC H六极管或七极管31～34普通八脚管座K八极管F12.6V L功率五极管或束射四极管40～49紧锁式管座M调谐指示管G5V N充气三极管或四极管61～65超小型管座H0.15A P二次放射管K2V(DC Q九极管71～79自锁式管座T多种复合管M 1.5V,2.4～2.8V W充气半波整流管80～89指形小九脚管座X充气全波整流管P0.3A Y高真空半波整流管90～99指形小七脚管座U0.1A Z高真空全波整流管ABC 高频二极管、双二极三极管100～169特种管V0.05A AF二极—五极管X0.6A BC二极三极管CH二极—六极管Y0.45A BF双二极—五极管Z冷阴极CC双三极管CF、三极—五极管CL第一部分用字母表示灯丝电压或灯丝电流。
美国半导体元件命名规则
标准制造信息（第一行）元件标记的第一行提供如下所示的制造信息。
小组件制造信息（第一行）在较小的封装（例如 SOIC、8 引脚 MDIP 和 20 引脚 PLCC）中，编码的信息可能稍有不同，以容纳下图中所示的较小可用区域。
典型元件描述（第二行）标记的第二行描述封装中的特定电路。
下面的图显示典型元件以及编程元件的信息。
车用产品拥有独特的识别码(NSID)，在标准商用产品的NSID 标记中会加入“Q”字母作识别，而在该行代码中所包含的信息包括：顶端其他信息, 第三行和第四行根据元件、封装大小和客户的不同，第三行和第四行可能显示的信息包括：•元件标识的延续部分（如果该标识太长，第二行无法容纳）•特定客户请求和规格可能要求“加盖”编号•与版权（c）或商标（TM, R）有关的注意事项其它标记由于美国国家半导体生产多种产品，有时需要添加其它标记以表示一种不同的性能级别或标识特定功能。
例如，出现在封装代码或裸片批次代码之后的某些标记可能包含下列信息：•特殊可靠性工艺处理 (/A+)•处理MIL-STD-883C (/883)•指示可调整的输出元件 (-ADJ)•指示输出电压级别 (-5.0)•指示工作频率 (-33)•产品推出状态代码 (ES)•上面各项以外的其它信息制造日期代码单位日期代码：单位日期代码标记为 4 位、3 位、2 位或个位数字形式。
4 位日期代码通常用于军事/航空元件。
3 位日期代码用于标准的商用元件，这些元件的封装标记表面足够大，可以容纳所有必要的标记信息。
2 位和 1 位日期代码用于标表面有限的小型封装。
商用元件：定制商用元件日期代码以周为单位，此类日期代码根据日历周而每周变化。
标准商用元件以及所有小型封装日期代码以6周为一单位，每 6 周更换一次。
尽管日期代码每 6 周进行更新, 从NSID，日期代码和裸片批次代码, 使用美国国家半导体的在线系统可以追溯产品的准确生产日期。
6 周日期代码如下所示。
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标准制造信息（第一行）
元件标记的第一行提供如下所示的制造信息。
小组件制造信息（第一行）
在较小的封装（例如 SOIC、8 引脚 MDIP 和 20 引脚 PLCC）中，编码的信息可能稍有不同，以容纳下图中所示的较小可用区域。
典型元件描述（第二行）
标记的第二行描述封装中的特定电路。
下面的图显示典型元件以及编程元件的信息。
车用产品拥有独特的识别码(NSID)，在标准商用产品的NSID 标记中会加入“Q”字母作识别，而在该行代码中所包含的信息包括：
顶端
其他信息, 第三行和第四行
根据元件、封装大小和客户的不同，第三行和第四行可能显示的信息包括：
•元件标识的延续部分（如果该标识太长，第二行无法容纳）
•特定客户请求和规格可能要求“加盖”编号
•与版权（c）或商标（TM, R）有关的注意事项
其它标记
由于美国国家半导体生产多种产品，有时需要添加其它标记以表示一种不同的性能级别或标识特定功能。
例如，出现在封装代码或裸片批次代码之后的某些标记可能包含下列信息：
•特殊可靠性工艺处理 (/A+)
•处理MIL-STD-883C (/883)
•指示可调整的输出元件 (-ADJ)
•指示输出电压级别 (-5.0)
•指示工作频率 (-33)
•产品推出状态代码 (ES)
•上面各项以外的其它信息
制造日期代码
单位日期代码：
单位日期代码标记为 4 位、3 位、2 位或个位数字形式。
4 位日期代码通常用于军事/航空元件。
3 位日期代码用于标准的商用元件，这些元件的封装标记表面足够大，可以容纳所有必要的标记信息。
2 位和 1 位日期代码用于标表面有限的小型封装。
商用元件：
定制商用元件日期代码以周为单位，此类日期代码根据日历周而每周变化。
标准商用元件以及所有小型封装日期代码以6周为一单位，每 6 周更换一次。
尽管日期代码每 6 周进行更新, 从NSID，日期代码和裸片批次代码, 使用美国国家半导体的在线系统可以追溯产品的准确生产日期。
6 周日期代码如下所示。
2007200620052004
XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X
0706 706 71 S0606 606 61 J0506 506 51 A0406 406 41 S
0712 712 72 T0612 612 62 K0512 512 52 B0412 412 42 T
0718 718 73 U0618 618 63 L0518 518 53 C0418 418 43 U
0724 724 74 V0624 624 64 M0524 524 54 D0424 424 44 V
0730 730 75 W0630 630 65 N0530 530 55 E0430 430 45 W
0736 736 76 X0636 636 66 60536 536 56 F0436 436 46 X
0742 742 77 Y0642 642 67 P0542 542 57 G0442 442 47 Y
0748 748 78 Z0648 648 68 80548 548 58 H0448 448 48 Z
0752 752 79 =0652 652 69 R0552 552 59 90452 452 49 =
2003200220012000
XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X
0306 306 31 J0206 206 21 A0106 106 11 S0006 006 01 J
0312 312 32 K0212 212 22 B0112 112 12 T0012 012 02 K
0318 318 33 L0218 218 23 C0118 118 13 U0018 018 03 L
0324 324 34 M0224 224 24 D0124 124 14 V0024 024 04 M
0330 330 35 N0230 230 25 E0130 130 15 W0030 030 05 N
0336 336 36 O0236 236 26 F0136 136 16 X0036 036 06 O 0342 342 37 P0242 242 27 G0142 142 17 Y0042 042 07 P 0348 348 38 Q0248 248 28 H0148 148 18 Z0048 048 08 Q 0352 352 39 R0252 252 29 I0152 152 19 =0052 052 09 R 1999199819971996 XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X 9906 906 91 A9806 806 81 S9706 706 71 J9606 606 61 A 9912 912 92 B9812 812 82 T9712 712 72 K9612 612 62 B 9918 918 93 C9818 818 83 U9718 718 73 L9618 618 63 C 9924 924 94 D9824 824 84 V9724 724 74 M9624 624 64 D 9930 930 95 E9830 830 85 W9730 730 75 N9630 630 65 E 9936 936 96 F9836 836 86 X9736 736 76 O9636 636 66 F 9942 942 97 G9842 842 87 Y9742 742 77 P9642 642 67 G 9948 948 98 H9848 848 88 Z9748 748 78 Q9648 648 68 H 9952 952 99 I9852 852 89 =9752 752 79 R9652 652 69 I 2008200920102011 XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X 0806 806 81 A0906 906 91 J1006 006 01 S0106 106 11 A 0812 812 82 B0912 912 92 K1012 012 02 T0112 112 12 B 0818 818 83 C0918 918 93 L1018 018 03 U0118 118 13 C 0824 824 84 D0924 924 94 M1024 024 04 V0124 124 14 D 0830 830 85 E0930 930 95 N1030 030 05 W0130 130 15 E 0836 836 86 F0936 936 96 61036 036 06 X0136 136 16 F 0842 842 87 G0942 942 97 P1042 042 07 Y0142 142 17 G 0848 848 88 H0948 948 98 81048 048 08 Z0148 148 18 H 0952 852 89 90952 952 99 R1052 052 09 =0152 152 19 9
裸片批次代码
裸片批次代码是由两个字母组成，由内部制造系统自动分配给每批裸片。
当元件出现任何问题时，可以根据此代码追溯到有关的工艺流程，来制订补救和修正措施。
这些措施最终可减少或完全消除对客户的负面影响。
元件系列，产品线和元件类型
基本元件标识通常在元件标记的第二行中提供。
如上所述，标识的常规格式是产品线加上特定元件的数字描述。
下表列出了元件系列代码的一个样本。
元件的完整列表（按元件系列前缀排列）可在总產品匯集中找到。
电气等级信息
个别产品有可能再细分, 这可视作产品的不同“等级”。
这些“等级”的标志会出现在元件标识字符与封装代码之间。
它们可能代表：
•更高的精度
•改进的裸片修订
•更宽或更窄的规格范围
•不同温度下的精度
温度范围代码
元件工作的指定温度范围可能因元件的不同版本而所有不同。
在这些情况下，一个温度范围代码表示指定的范围。
尽管下表列出了最常见的一些范围，但是客户应尽可能通过总产品汇集中的产品链接数据表，确认这些数据。
•0°C 至+70°C (代码C)
•-40°C 至+85°C (代码I)
•-55°C 至+125°C (无代码)
封装代码
为了满足客户的需求，美国国家半导体为其产品提供了多个封装选项。
每个元件类型的各个封装选项可在定价与供货中查看。
从该网页中，可以通过链接获得关于每个封装类型的详细信息（例如机械和温度规格）。
其中在元件说明标记中找到的封装代码的少量样件，于下表中列出：。