模拟电子技术复习题(填空选择)
大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(四)
大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1.PN 结反向偏置时,PN 结的内电场 。
PN 具有 特性。
2.硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为 伏;其门坎电压V th 约为 伏。
3.为了保证三极管工作在放大区,要求:发射结 偏置,集电结 偏置。
对于NPN型三极管,应使V BC 。
4.放大器级间耦合方式主要有阻容(RC )耦合、直接耦合和 耦合三大类。
5.在三极管组成的三种不同组态的放大电路中,共射和共基组态有电压放大作用,组态有电流放大作用, 组态有倒相作用; 组态带负载能力强。
6.将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路;半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压(即变压器副边电压)有效值的 倍;全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压(即变压器副边电压)有效值的 倍。
7.为了分别达到下列要求,应引人何种类型的反馈:①降低电路对信号源索取的电流:。
②当环境温度变化或换用不同值的三极管时,要求放大电路的静态工作点保持稳定: 。
③稳定输出电流: 。
8.某负反馈放大电路的开环放大倍数A=100000,反馈系数F =0.01,则闭环放大倍数≈⋅f A 。
二、选择题1.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V ,这说明放大电路的输出电阻为( )。
A)10kΩ B)2kΩ C)4kΩ D)3kΩ2.为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入( )。
βA)共射电路B)共基电路C)共集电路D)共集-共基串联电路3.与甲类功率放大方式比较,乙类OCL互补对称功放的主要优点是()。
A)不用输出变压器B)不用输出端大电容C)效率高D)无交越失真4.有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的()。
模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)
《模拟电子技术》复习试题一一、填空(每空1分,共20分)1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种:直接耦合;阻容耦合;变压器耦合;在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真,要消除此失真,应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用阻容耦合方式,T接成共基1组态,T接成共集组态,1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值增大。
7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T ,相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答(共3小题,每小题5分,共15分)1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示(1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1分, 共3分)(2)估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β, 985.01≈+=ββα (各1分,共2分)2.电路如图3所示,试回答下列问题(1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈?R应如何接入?(在图中连接)f答:应接入电压串联负反馈(1分)R接法如图(1分)f(2)根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性(在图中“□”处标出),并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答:见图中标识(3分)(共6空,两个1分)3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答:直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成,其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压,滤波电路的作用是减小电压的脉动,稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响,从而获得足够高的稳定性。
模拟电子技术复习试题二
模拟电子技术复习试题二一、填空题(本大题共10小题,每空1分,共20分)请在每小题的空格中填上正确答案。
错填、不填均无分。
1.半导体中,由浓度差引起非平衡载流子运动,形成_________电流,由外加电场引起载流子运动形成_________电流。
2.温度升高时,晶体二极管的I s将_________,V D(on)将_________。
3.晶体三极管工作在截止模式下的外部条件是发射结和_________结均为_________偏置。
4.N沟道MOSFET中,为保证器件正常工作,_________极应接在电位的最低点,而P沟道的MOSFET,则该电极应接在电位的_________。
5.P沟道EMOS管工作在饱和区的条件是_________和_________。
6.放大器的失真根据其产生的机理不同可分为_________失真和_________失真两大类。
7.电流源电路的主要参数是_________和_________。
8.反馈元件并接到输入信号源两端的为_________反馈,否则为_________反馈。
9.负反馈放大电路自激的幅度条件是_________,相位条件是_________。
10.满足理想化条件的集成运放应具有无限大的差模输入电阻、趋于零的_________电阻、无限大的差模电压增益和_________抑制比、无限大的频带宽度以及趋于零的失调和漂移。
二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.杂质半导体中多数载流子浓度( )A.只与温度有关B.取决于掺杂浓度,几乎与温度无关C.与温度无关D.与掺杂浓度和温度都无关2.一个硅二极管在正向电压V D=0.6V时,正向电流I D为10mA,若V D增大到0.66V(即增加10%),则电流I D( )A.约为11mA(也增加10%)B.约为20mA(增大1倍)C.约为100mA(增大到原先的10倍)D.仍为10mA(基本不变)3.某晶体三极管的I B为10μA,I C为1mA,I CEO为0.1mA则该管的β值为( )A. 100B. 110C. 90D. 804.已知某三极管V BE=0.7V,V CE=3V,则该管工作在_________区。
模拟电子技术期末复习试题及答案
《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题(每空1分,共32分)1、自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。
2、PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。
3、扩展运动形成的电流是()电流,漂移运动形成的电流是()。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成开断。
5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是()控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC(),电流放大系数β()。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻,采用()负反馈。
为了稳定输出电流,采用()负反馈。
8、负反馈使放大电路增益(),但()增益稳定性。
9、()称为负反馈深度,其中F=( ),称为()。
10、差模信号是大小(),极性(),差分电路不抑制()漂移。
11、甲乙类互补功率放大器,可以消除()类互补功率()失真。
12、用低频信号去改变高频信号的()称为调幅,高频信号称为()信号。
13、当频率升高时,晶体管电流放大系数()共基极电路比共射极电路的高频特性(),fδ=()fβ14、振荡电路的平衡条件是(),正反馈才能保证振荡电路的()。
15半波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是()。
二、选择题(每空2分,共30分)1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是()A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是(),该管是()型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。
A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了()而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路()能力。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是自由电子;在P型半导体中,多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类,它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入共射(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的(b)组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入( c )后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-104、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( b )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况5、集成运放中间级的作用是( c )。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( a )的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的()组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。
模拟电子技术复习资料
《模拟电子技术》复习资料一.选择题1.1在单级共射极放大电路中,输入电压信号和输出电压信号的相位是 B 。
A.同相B.反相C.相差90º1.2在单相桥式整流(有滤波时)电路中,输出电压的平均值U O与变压器副边电压有效值U2应满足 D 关系。
A.U0=0.45U2B.U0=1.4U2C.U0=0.9U2D.U0=1.2U21.3半导体的特性不包括 D 。
A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.遗传性1.4在分压式偏置放大电路中,除去旁路电容C E,下列说法正确的是 D 。
A.输入电阻减小B.静态工作点改变C. 电压放大倍数增大D.输出电阻不变1.5晶体三极管内部结构可以分为三个区,以下那个区不属于三极管的结构 B 。
A.发射区B.截止区C.基区D.集电区1.6集成运放制造工艺使得同类半导体晶体管的 C 。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一致性好1.7工作在放大状态的NPN三极管,其发射结电压U BE和集电结电压U BC应为 A 。
A. U BE>0,U BC<0B. U BE>0,U BC>0C. U BE<0,U BC<0D. U BE<0,U BC>01.8在如图所示的稳压电路中,稳压管D1与D2相同,其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V,输出电压U0为 A 。
A. 1.4VB. 4.6VC. 5.3VD. 6V1.9在PN结中由于浓度的差异,空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动,这就是 A 。
A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动1.10在如图所示的稳压电路中,稳压管D1与D2相同,其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V,输出电压U0为 C 。
A. 1.4VB. 4.6VC. 0.7VD. 6V1.11半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为 B 。
A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动1.12二极管的用途不包括 D 。
大学_模拟电子技术模拟试题及参考答案
模拟电子技术模拟试题及参考答案模拟电子技术模拟试题一、填空题(每小题1分,共10分)1、PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的,因而它的电阻率很高。
( )2、集电结处于正偏的BJT,它一定工作在饱和区。
( )3、BJT的.值越大,放大能力越强,但在选用BJT时,并不是值越大越好。
( )4、集电极电阻RC的作用是将集电极电流的变化转换成电压的变化,实现电压放大。
因此, RC的值越大,输出电压越高。
( )5、只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的线性放大区,则不论输入什么信号,都不会产生非线性失真。
( )6、分压偏置电路的发射极电阻Re越大,工作点稳定性越好。
但Re过大,会使BJT的VCE减小,影响放大器的正常工作。
( )7、射极输出器的输入电流是IB,输出电流是IE,因此,具有较高的电流放大倍数。
( )8、在OTL 功放电路中,输出耦合电容的主要作用是“隔直”,防止直流经负载短路。
( )9、在运放电路中,闭环增益AF是指电流放大倍数。
( )10、只要满足AF=1,a+f=2n这两个条件,就可以产生正弦波振荡。
模拟电子技术模拟试题二、判断题(每小题1分,共10分)1、PN结在外加正向电压的作用下,扩散电流( )漂移电流。
a.大于b. 小于c. 等于2、当环境温度降低时,二极管的反向电流( )a.不变b. 增大c.减小3、测得BJT各极对地电压为VB=4V,VC=3.6V,VE=3.4V,则该BJT工作在( )状态。
a.截止 b.饱和 c.放大4、NPN管工作在放大区时,三个极的电位特征是( )。
a.VCVBVEb.VCVC d.VEVB5、为了减小输出电阻,集成运放的输出级多采用( )电路。
a.共射或共源b.差分放大c.互补对称6、运放的共模抑制比越大越好,因为它越大,表明运放的( )a.放大倍数越稳定b.交流放大倍数越大c.抑制温漂能力越强7、希望接上负载RL后,VO基本不变,应引入( )负反馈。
模拟电子技术复习考试题(填空选择)
填空题1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。
PN具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为0.7伏;其门坎电压V th 约为0.5伏。
8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。
、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。
30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合,阻容耦合,变压器耦合。
31、在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察V O和V I的波形,则V O和V I的相位差为1800;当为共集电极电路时,则V O和V I的相位差为0。
、三极管工作在放大区时,它的发射结保持正向偏置,集电结保持反向偏置。
39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。
41、场效应管属于电压控制电流型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。
、负反馈对放大电路性能的改善体现在:提高 增益的稳定性 、减小 非线性失真 、抑制反馈环内噪声 、扩展 频带 、改变输入电阻和输出电阻。
模拟电子技术复习题
一. 选择1、从括号中选择正确的答案,用A 、B 、C 、D 填空。
普通小功率硅二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般___;普通小功率锗二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般____。
(A .0.1~0.3V , B .0.6~0.8V , C .小于A μ1, D .大于A μ1)2、从括号中选择正确的答案,用A 、B 、C 、D 填空。
用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示,试判断这些晶体管处于什么状态。
(A .放大, B .饱和 , C .截止 , D .损坏) ⑴ ; ⑵ ; ⑶ ; ⑷ ; ⑸ 。
( 1 )( 3 )( 2 )( 5 )+9V+12V--12V0V+2.3V( 4 )3、选择正确答案,用A 、B 填空。
场效应管属于____(A .电压, B .电流)控制型元件,栅极的____(A .电压, B .电流)几乎等于零,所以共源放大电路的输入电阻通常比共射放大电路的输入电阻____(A .大, B .小)。
二. 判断1、判断下列说法的正、误,在相应的括号内画√表示正确,画×表示错误。
1.P 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
( ) 2.在N 型半导体中,掺入高浓度的三价硼元素可以改型为P 型半导体。
( ) 3.P 型半导体是呈中性的( ),N 型半导体是带负电的。
( )2、判断下列说法的正、误,在相应的括号内画√表示正确,画×表示错误。
用双极型晶体管组成的共射放大电路与用场效应管组成的共源放大电路相比,前者的输入电阻比后者大( );前者的噪声系数比后者小( );前者静态工作点的温度漂移比后者大( )。
3、判断下列说法的正误,在相应的括号内画√表示正确,画×表示错误。
1.放大电路的放大倍数是指输出与输入之间的变化量之比,因此它与静态工作点无关。
( ) 2.共基放大电路的电流放大倍数小于1,( )所以不能实现功率放大。
模拟电子技术复习试题+答案
《模拟电子期末练习题》填空题:1、 PN结正偏时(导通),反偏时(截止),因此 PN结拥有(单向)导电性。
2、漂移电流是(反向)电流,它由(少量)载流子形成,其大小与(温度)相关,而与外加电压(没关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无量大),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管拥有放大作用外面电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度高升时,晶体三极管集电极电流Ic (增添),发射结压降(减小)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共射极)、(共基极)、(共集电极)放大电路。
8、为了稳固三极管放大电路的静态工作点,采纳(直流)负反应,为了稳固沟通输出电流采纳(电流)负反应。
9 、负反应放大电路的放大倍数A F=( A/ (1+AF)),关于深度负反应放大电路的放大倍数A F=( 1/F )。
10、 P型半导体中空穴为(多半)载流子,自由电子为(少量)载流子。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性同样的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。
12、为了除去乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采纳(甲乙)类互补功率放大器。
13 、反向电流是由(少量)载流子形成,其大小与(温度)相关,而与外加电压(没关)。
14、共集电极电路电压放大倍数(小于近似等于1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够克制(零点)漂移,也称(温度)漂移,因此它宽泛应用于(集成)电路中。
16 、晶体三极管拥有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。
17、为了稳固三极管放大电路和静态工作点,采纳(直流)负反应,为了减小输出电阻采纳(电压)负反应。
18、共模信号是大小(相等),极性(同样)的两个信号。
19、乙类互补功放存在(交越)失真,能够利用(甲乙)类互补功放来战胜。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,放大器的基本功能是()。
A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案:C2. 共发射极放大电路中,输出电压与输入电压相位()。
A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案:B3. 理想运算放大器的输入阻抗是()。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案:C4. 在多级放大电路中,级间耦合方式通常采用()。
A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案:B5. 负反馈可以()放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案:B6. 场效应管的控制方式是()。
A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案:A7. 模拟乘法器的主要功能是()。
A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案:D8. 集成电路的电源电压通常为()。
A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案:D9. 差分放大电路可以()。
A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案:C10. 模拟电路中的“地”通常是指()。
A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案:C二、填空题(每题2分,共20分)11. 放大器的增益通常用表示,单位是。
答案:增益;分贝(dB)12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。
答案:高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。
答案:电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。
答案:非线性15. 负反馈可以提高放大器的。
答案:稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。
答案:阻容;变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。
答案:对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。
答案:平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。
答案:参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。
模拟电子技术基础复习题(基础知识填空和简答)
习题1一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。
二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。
( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。
( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。
( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。
( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。
( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V VsD -⋅=表示。
式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594T V T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1e T V V>>,于是T V V s e I I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1e T V V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术试卷五套含答案
模拟试卷一一、填空16分1.半导体二极管的主要特性是___________ ;2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置;3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ ;4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈;5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______;这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真;6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域;二、选择正确答案填空24分1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是 ;A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为 ;A.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的 ;A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV;B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV;C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV;D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV;4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的 ;A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应 ; A.减小C,减小Ri B.减小C,增大RiC.增大C,减小Ri D.增大C,增大 Ri6.如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为 ;A.1500 B.80 C.50 D.307.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和 ; A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路8.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是 ;A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器三、两级放大电路如图所示,已知三极管的参数:V1的 b1 、rbe1,V2的 b2 、rbe2,电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路;1.分别指出V1、V2的电路组态;2.画出图示电路简化的H参数微变等效电路;3.计算中频电压放大倍数Au,输入电阻Ri和输出电阻Ro;12分四、图示运算放大电路中,已知u1 = 10 mV,u2 = 30 mV,求uO = 10分五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如图所示,试分别求出电路的中频电压放大倍数及下限截止频率8分六、分析图示两个电路的级间反馈;回答:12分1.它们是正反馈还是负反馈2.是直流反馈、交流反馈还是交、支流反馈兼有3.它们属于何种组态4.各自的电压放大倍数大约是多少七、电路如图所示;试回答:1.该电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件2.如不满足,应如何改动使之有可能振荡如果满足,则它属于哪种类型的振荡电路3.在满足振荡条件的情况下,电路的振荡频率为多少 10分八、电路如图所示,已知稳压管DZ的稳压值UZ = 6 V,IZmin = 5 mA,IZmax = 40 mA,变压器二次电压有效值U2 = 20 V,电阻R = 240 W,电容C = 200 μF;求:8分1.整流滤波后的直流电压UIAV 约为多少伏2.当电网电压在±10%的围内波动时,负载电阻允许的变化范围有多大模拟试卷二一、填空:18分1.为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用__耦合方式,为了实现阻抗变换,使信号与负载间有较好的配合,放大电路应采用____耦合方式;2.在三极管多级放大电路中,,总的电压增益 = ;Au1是__放大器;Au2是__放大器;Au3是___ 放大器;3.单相桥式整流电路中,若输入电压U2 = 30V,则输出电压Uo = V;若负载电阻RL = 100 W,整流二极管IDAV =___A;4.文氏桥正弦波振荡器用网络选频,当这种电路产生正弦波振荡时,该选频网络的反馈系数即传输系数、jF = ;5.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz时,可选用滤波器;有用信号频率高于10 kHz时,可选用滤波器;希望抑制50 Hz的交流电源干扰时,可选用滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用滤波器;6.甲类放大电路是指放大管的导通角为;乙类放大电路则其放大管的导通角为;在甲乙类放大电路中,放大管的导通角为 ;二、选择正确答案填空9分1.图示电路中二极管是理想的,电阻R为6 W;当普通指针式万用表置于R ′ 1 W 档时,用黑表笔通常带正电接A点,红表笔通常带负电接B点,则万用表的指示值为 ;a.18 W ; b.9 W ; c.3 W ; d.2 W ; e.0 W ;2.有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大;在负载开路的条件下测得A的输出电压小;这说明A 的 ;a.输入电阻大; b.输入电阻小; c.输出电阻大; d.输出电阻小3.某放大电路在负载开路时的输出电压为4 V,接入3 kW 的负载电阻后输出电压降为3 V;这说明放大电路的输出电阻为 ;a.10 kW ; b.2 kW ; c.1 kW ; d.0.5 kW ;三、判断下列管子的工作状态10分1.测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图所示,试判断它们分别工作在什么状态饱和、截止、倒置;设所有的三极管和二极管均为硅管;2.电路如图所示,分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区饱和区、夹断区、可变电阻区;四、图示差分放大电路中,调零电位器RP的动端处在中点位置,已知 b1 = b2 = 50,UBE1 = UBE2 = 0.7 V,其它参数如图所示;1.求静态工作点IB、IC、UCE;2.画出半边对称放大电路的微变等效电路;3.当uS1 = -uS2 = 10 mV时,求uO = 12分五、已知集成运放的BWG = 1 MHz,试估算图示交流放大电路的下限频率和上限频率;8分六、图示电路中各运算放大器是理想的,试写出各输出电压Uo的值;10分七、电路如图所示,设满足深度负反馈条件;1.试判断级间反馈的极性和组态;2.试求其闭环电压放大倍数Auf; 10分八、题图电路为两个三端集成稳压器,已知电流IQ = 5 mA;1.写出图a中的I0的表达式,并算出具体数值;2.写出图b中的Uo的表达式,并算出当R2 = 5 W 时的具体数值;3.指出这两个电路分别具有什么功能;9分九、画出图中各电路的电压传输特性,要求uI的变化幅度足够大,并在图中表明有关数值;设所有集成运放具有理想的特性,所有电源电压为±12 V;12分模拟试卷三一、填空26分1.杂质半导体有__型和__型两种;双极型晶体管的结构有__型和__型两种;场效应管根据导电沟道不同有__和__两种;2.图中二极管为理想器件,V1工作在__状态;V2工作在__状态;UA为__V;3.三极管放大电路中,测得晶体管三个引脚对地电位分别为:UA = -5 V、UB = -8 V、UC = -5.2 V,则三极管对应的电极是:A为__极、B为__极、C为__极,晶体管为__型三极管;4.在图示电路中2CW5的参数为:稳定电压Uz = 12 V,最大稳定电流IZmax = 20 mA;图中电压表中流过的电流忽略不计;当开关S闭合时,电压表V和电流表A1、A2的读数分别为__、__ 、;当开关S断开时,其读数分别为__ 、 __、 ;5.若三级放大电路中Au1 = Au2 = 30 dB,Au3 = 20 dB,则其总电压增益为__dB,折合为__倍;6.差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻RE,使电路的RiC__、∣Auc∣=__ 、共摸抑制比=__ ;7.三端集成稳压器CW7912的输出电压为__ V,而CW7809的输出电压则为___V;一、填空26分1.P、N、NPN、PNP、P沟道、N沟道;2.截止,导通,-2.7 V;3.E,C,B,PNP;4.12 V,12 mA,6 mA,12 V,12 mA,0 mA;5.80 dB,104倍;6.提高,减小,提高;7.-12 V,+8 V;二、已知图示电路中的三极管 b = 60,rbb = 200 W,UBEQ = 0.7 V,RB1 = RB2 = 150 kW,RC = 5.1 kW,Rs = 300 W,Vcc = 12 V;试求:1.静态工作点;2.画出微变等效电路;3.电压放大倍数及输入电阻Ri、输出电阻Ro;12分三、判断图示电路的级间反馈极性和组态;设满足深度负反馈条件,试估算闭环电压增益 8分四、在图示电路中,设A1、A2、A3均为理想运算放大器,其最大输出电压幅值为±12 V;1.试说明A1、A2、A3各组成什么电路2.A1、A2、A3分别工作在线形区还是非线形区3.若输入为1 V的直流电压,则各输出端uO1、uO2、uO3的电压为多大 12分五、电路如图所示;1.正确连接A、B、P、N四点,使之成为RC桥式振荡电路;2.电路的频率f0是多少3.若R1 = 2 kW,求Rf的最小值;12分六、图为一高通有源滤波电路;设A为理想运算放大器,试推导传递函数Uojw/Uijw 的表达式,并求出截止频率fp;8分七、在图示两个电路中,A为理想运算放大器,输出电压的极限值为Uomax; 1.指出这是两个什么类型的电路;2.画出它们的电压传输特性;10分八、在图示电路中,Rf和Cf均为反馈元件,设三极管饱和管压降为0 V;1.为稳定输出电压uO,正确引入负反馈;2.若使闭环电压增益Auf = 10,确定Rf =3.求最大不失真输出电压功率Pomax = 以及最大不失真输出功率时的输入电压幅值为多少 12分模拟试卷四一、填空20分1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为__V,导通后在较大电流下的正向压降约为__V;锗二极管的门槛电压约为 __V,导通后在较大电流下的正向压降约为__V; 2.场效应管属于__控制型器件,而晶体三极管则是___控制型器件;3.某场效应管的转移特性曲线如图所示,由此可知该管是 N或P沟道增强或耗尽型的结型或绝缘栅场效应管,图中UGS = -2 V称为该管的电压;4.已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为:表明其下限频率为____,上限频率为 ,中频的电压增益为__dB,输出电压与输入电压在中频段的相位差为___ ;5.在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中,若两个输入电压 DUI1 = DUI2,则输出电压 DUo = ;若 DUI1 = +1500 mV,DUI2 = +500 mV,则可知差动放大电路的输入差模电压 DUId = ,差模输入信号分别为 DUId1 = ,DUId2 = ,共模输入信号 DUIc = ;6.设计一个输出功率为20 W的扩音机电路,若用乙类推挽功率放大,则应选至少为 W的功率管两个;二、两级放大电路如图所示,已知三极管 b1 =b2 =50,rbe1 = 1.6 kW,rbe2 = 1.3 kW,各电容的数值都足够大,在中频区可视为短路; 共14分1.试说明V1和V2各组成什么电路组态2.画出中频区的H参数微变等效电路;3.计算放大器的输入电阻Ri 和输出电阻Ro;4.计算中频区源电压放大倍数Aus;三、图示电路中的模拟乘法器和运算放大器均为理想器件;10分1.为对运算放大器形成负反馈,应对uI2的极性有何限制2.推导uo与uI1、uI2之间的关系式,指出该电路具有何种运算功能;3.设K = 0.1 V-1,R1 = 10 kW,R2 = 1 kW,uI1与uI2极性相同且绝对值均为10 V,问输出电压uo =四、电路如图所示,设满足深度负反馈条件,电容C1、C2的容抗很小,可以忽略不计;10分1.试判断级间反馈的极性和组态;2.估算其闭环电压放大倍数;五、图示电路为一阶低通有源滤波器;设A为理想运算放大器,试推导该电路的传递函数,并求出通带截止频率fp;8分六、试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡;如可能振荡,指出该振荡电路属于什么类型如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等,并估算其振荡频率;已知这两个电路中的L = 0.5 mH,C1 = C2 = 40 pF;10分七、由三端集成稳压器构成的直流稳压电路如图所示;已知W7805的输出电压为5 V,IQ = 8 mA,晶体管的 b = 50,|UBE| = 0.7 V,电路的输入电压UI = 16 V,求输出电压Uo是多少伏 6分八、在图示电路中,设运算放大器是理想的,电阻R1 = 33 kW,R2 = 50 kW,R3 = 300 kW,R4 = Rf = 100 kW,电容C = 100 mF;试计算下列各值:1.当uI1 = 1 V时,uo1 =2.要使uI1 = 1 V时uo维持在0 V,uI2应为多大设电容两端的初始电压uc = 0;设t = 0时uI1 = 1 V,uI2 = -2 V,uc = 0 V,求t = 10 s时uo = 12分九、OCL电路如图所示,负载电阻RL = 50 kW,设晶体管的饱和管压降可以忽略;10分1.若输入电压有效值Ui = 12 V,求输出功率Po、电源提供功率PDC以及两管的总管耗PC;2.如果输入信号增加到能提供最大不失真的输出,求最大输出功率Pomax、电源此时提供的功率PDC以及两管的总管耗PC;3.求两管总的最大管耗PCM;模拟试卷五一、填空题20分1.处于放大状态的NPN型晶体管,UB、UC、UE 三个电位之间的关系是___ 处于饱和状态的NPN型晶体管UB、UC、UE 三个电位之间的关系是_______ ;2.理想运算放大器的开环电压放大倍数为__,输入电阻为___,输出电阻为___;工作在线性区时,运放两个输入端电压___,称做___;流入输入端的电流为___,称做___;3.如果变压器二次即副边电压的有效值为10 V,桥式整流后不滤波的输出电压为___V,经过电容滤波后为___ V,二极管所承受的最大反向电压为______ V; 4.差分放大电路,若两个输入信号uI1 = uI2,则输出电压,uO =___;若u I1 = 100 mV,u I 2 = 80 mV则差摸电压uId =___;共摸电压uIc =____;5.某晶体管的极限参数PCM = 200 mW,ICM = 100 mA,UBRCEO = 30 V,若它的工作电压UCE为10 V,则工作电流不得超过___mA;若工作电流IC = 1 mA,则工作电压不得超过________ V;6.某放大电路的电压增益为80 dB,相当电压放大倍数为______ 倍;7.产生正弦波振荡的幅值平衡条件是________,相位平衡条件是___ ;二、选择题7分1.工作在电压比较器中的运放和工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运放通常工作在 ;a.开环或正反馈状态 b.深度负反馈状态 c.放大状态 d.线性工作状态2.某电路有用信号频率为2 kHz, 可选用 ;a.低通滤波器 b.高通滤波器 c.带通滤波器 d.带阻滤波器3.某传感器产生的是电压信号几乎不能提供电流,经过放大后希望输出电压与信号成正比,电路形式应选 ;a.电流串联负反馈 b.电流并联负反馈 c.电压串联负反馈 d.电压并联负反馈4.与甲类功率放大方式相比,OCL互补对称功放的主要优点是 ;a.不用输出变压器 b.不用输出端大电容 c.效率高 d.无交越失真5.集成运放的输入级采用差分电路是因为可以 ;a.增大放大倍数 b.减小温漂 c.提高输入电阻6.稳压二极管稳压时,其工作在 ,发光二极管发光时,其工作在 ;a.正向导通区 b.反向截止区 c.反向击穿区三、放大电路如下图所示,已知:VCC = 12 V,RB1 = 120 kW,RB2 = 39 kW,RC = 3.9 kW,RE = 2.1 kW,RL = 3.9 kW,rbb = 200 W,电流放大系数 b = 50,电路中电容容量足够大,要求:1.求静态值IBQ,ICQ 和UCEQ 设UBEQ = 0.6 V ;2.画出放大电路的微变等效电路;3.求电压放大倍数Au,源电压放大倍数Aus,输入电阻Ri,输出电阻Ro ;4.去掉旁路电容CE,求电压放大倍数Au ,输入电阻Ri ; 14分四、设图中A为理想运放,请求出各电路的输出电压值;12分五、题图四个中间级电路,假设各电路都设置有合适的静态工作点图中未画出;12分1.指出其级间反馈的极性,若为负反馈说明组态;2.写出其中的负反馈电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数表示式;六、同学们在实验中用集成运放组成了四个LC正弦波振荡电路,请说出每个振荡电路的类型,并判断它们是否都能振荡起来 6分七、题图电路,A1,A2为理想运放;1.说明电路由哪些基本单元电路组成;2.画出u0与u01的电压传输特性曲线;3.设t = 0时,uc0 = 0,u0 = 12 V,现接入uI = -10 V,经过多长时间u0 翻转到 -12 V4.若uI 输入如图所示的矩形波,请画出u01和u0的波形; 14分八、题图为由三端集成稳压器W7805构成的直流稳压电路;已知IQ = 9 mA,电路的输入电压为16 V,求电路的输出电压UO = 5分九、图示电路中,输入信号是正弦电压,V1,V2管的饱和压降可以忽略,且静态电流很小,VCC = VEE = 15 V,RL = 8 W;1.请说明该功放电路的类型;2.负载上可能得到的最大输出功率;3.每个管子的最大管耗PCM为多少电路的最大效率是多大 10分模拟试卷一答案一、填空16分1.单向导电性;2.正向、反向;正向、正向;3.0.707、3dB、±45°;4.交流串联负反馈、交流电压负反馈;5.0、0、78.5%、交越;6.电压串联负反馈,放大;二、24分1.A 2.D 3.C 4.C 5.D 6.A 7.D 8.A三、12分1.V1组成共射放大电路,V2组成共集电极放大电路;2.图略;3.四、10分五、8分电压放大倍数:Au0 = Auf = 1 + Rf/R1 = 1 + 16/5.1 = 4.14 下限频率:fL = 1/2pRC = 40.8 Hz六、12分图a:负反馈,交、直流反馈兼有,电压并联组态,;图b:负反馈,交、直流反馈兼有,电压串联组态,;七、10分1.满足相位平衡条件;2.电容三点式正弦波振荡电路;3.八、8分1.U IAV " 24 V;2.故求得100 W £ RL £ 133 W ;模拟试卷二答案一、填空18分1.直接、变压器;2.-200,共基极,共发射极,共集电极;3.27 V,0.135 A;4.RC串并联、1/3、0°;5.低通,高通,带阻,带通;6.2p,p,大于 p 小于2p;二、9分a、b、c ;三、10分1.V1截止,V2倒置,V3饱和;2.V4工作在饱和区放大区,V5工作在可变电阻区;四、13分1., , UCE1 = UC - UE = 8.7 V;2.图略;3.,, uo = -548 mV;五、8分fL = 1/2pR1C1 = 79.5 Hz , fH = BWG/Auf = 20 kHz ;六、10分a Uo = 0.45 V;b Uo = 0.15 V;七、10分1.a为电压并联负反馈,b为电流串联负反馈;2.八、10分1.IO = U23 / R + IQ " 1 A ;2.UO = U231 + R2 / R1 + IQR2 " 10 V ;3.a 为恒流源电路,b 为可调的稳压电源;九、12分模拟试卷三答案一、填空26分1.P、N、NPN、PNP、P沟道、N沟道;2.截止,导通,-2.7 V;3.E,C,B,PNP;4.12 V,12 mA,6 mA,12 V,12 mA,0 mA;5.80 dB,104倍;6.提高,减小,提高;7.-12 V,+8 V;二、12分1.IB = 18.5 mA,IC = 1.11 mA,UCE = 6.25 V;2.图略;3.,Ri = 1.58 kW, Ro = 4.9 kW;三、8分电压串联负反馈; ;四、12分1.A1组成反相比例电路,A2组成单值比较器,A3组成电压跟随器;2.A1和A3工作在线性区,A2工作在非线性区;3.uO1 = -10 V,uO2 = 12 V,uO3 = 6 V;五、12分1.A与P、B与N分别相连;2.;3.Rf > 4 kW;六、8分七、10分1.图a为反相迟滞比较器,图b为同相比例运算电路;2.见图:八、12分1.电压串联负反馈;2., Rf = 90 kW;3.,最大输出时Uom = VCC = AufUim,Uim = 1.5V;模拟试卷四答案一、填空20分1.0.5 V,0.7 V;0.1 V,0.2 V;2.电压,电流;3.P,增强,绝缘栅,开启电压;4.10 Hz,106 Hz,60 dB,-180°;5.0,1 000 mV,500 mV,-500 mV,1 000 mV;6.4 W;二、14分1.V1组成共射电路;V2组成共集电极电路2.图略;3.4. ,Au2 " 1,Au = Au1Au2 " -27.5,;三、10分1.要求uI2 > 0,即为正极性;2.u o = KuI2 uo,且,故得到该电路具有除法运算功能;3.uo = -1 V;四、10分1.电压并联负反馈;2. ;五、8分六、10分图a不能振荡;图b可能振荡,为电容三点式正弦波振荡电路;振荡频率为七、6分答Uo =9 V也算正确;八、12分1.u o1 = 3 V;2.令,得uI2 = -1 V;3.;九、10分1.PC = PDC - PO " 32 W ;2.PC = PDC - POmax " 22 W ;3.PCM = 0.4POmax " 31.2 W ;模拟试卷五答案一、填空题20分1.UC > UB > UE ;UB> UC > UE 或UB > UC、UB > UE ;2.∞,∞,0;相等,虚短;零,虚断;3.9 V,12 V,14.1 V;4.0,20 mV,90 mV;5.20 mA;30 V;6.104 ;7.AF = 1,j A + jF = 2np ;二、选择题7分1.a; 2.c; 3.c; 4.c; 5.b; 6.c,a三、14分四、12分U01 = 6 V, U02 = 6 V, U03 = 4 V, U04 = 10 V, U05 = 2 V, U06 = 2 V;五、10分1.a 电压串联负反馈; b 正反馈; c 电流并联负反馈; d 正反馈;2.六、6分a能振荡,为电感三点式;b不能振荡;七、14分1.由积分电路和具有滞回特性的电压比较器组成; 2.传输特性曲线;3.∴ t = 20 mV; 4.波形八、5分九、10分1.OCL;2.;3.PCM = 0.2Pmax = 2.8 W, hmax = 78.5%;。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共10分)1. 模拟电路中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案:D2. 在理想运算放大器中,输入阻抗是:A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案:B3. 晶体管的放大作用主要取决于其:A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案:C4. 以下哪种波形不是周期性波形?A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案:D5. 在运算放大器电路中,虚短是指:A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案:A二、多项选择题(每题3分,共15分)1. 以下哪些是模拟信号的特点?A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案:ACD2. 运算放大器的典型应用包括:A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案:ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括:A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案:ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力?A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案:ABD5. 在模拟电路中,负反馈的作用包括:A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案:ABD三、填空题(每题2分,共10分)1. 在模拟电路中,信号的放大是通过________来实现的。
答案:晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。
答案:零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。
答案:电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流(DC)到________赫兹。
答案:几十兆5. 在模拟电路设计中,________是用来减少信号失真的。
答案:负反馈四、简答题(每题5分,共20分)1. 简述模拟电路与数字电路的区别。
模拟电子技术复习试题及答案解析
一、填空题:(要求)1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体,例如和等。
半导体中中存在两种载流子:和。
纯净的半导体称为,它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种:型半导体——多数载流子是;型半导体——多数载流子是。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个结,这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区:区、区和区。
为了对输入信号进行线形放大,避免产生严重的非线形性失真,应使三极管工作在区。
当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真,当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳,引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有性,在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在区时,即使流过管子的电流变化很大,管子两端的电压变化也很小,利用这种特性可以做成。
4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流,是一种控制器件。
场效应管分为型和型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种:耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体,加入价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数;负反馈使放大倍数;但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是,交流负反馈能够。
9、电压负反馈使输出保持稳定,因而了放大电路的输出电阻;而电流负反馈使输出保持稳定,因而了输出电阻。
串联负反馈了放大电路的输入电阻;并联负反馈则了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的反馈组态:式、式、式和式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带通滤波器;将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带阻滤波器。
模电复习试题及答案(选择、填空、判断)
《模拟电子技术》复习题综合(半导体基础知识、单管共射放大电路)一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后, C 。
A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流11、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。
图1为 D ;图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中,基极电阻R b 的作用是 A 。
A.限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中,集电极电阻R c 的作用是 B 。
大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(六)
大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1.对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路,若希望电路的电压放大倍数大,可选用组态;若希望带负载能力强,应选用组态;若希望从信号源索取的电流小,应选用组态;若希望高频性能好,应选用组态。
2.一个放大电路,空载输出电压为6V,负载电阻为4Ω时输出电压为4V,则其输出电阻为。
3.集成运算放大器是多级放大电路,其第一级通常采用,因为这种电路能有效抑制现象。
4.一个放大电路,为稳定输出电流和减小输入电阻,应引入负反馈。
5.乙类互补推挽功率放大电路会产生失真。
二、选择题1.()藕合放大电路具有良好的低频特性。
A、阻容B、直接C、变压器2.某场效应管的电路符号如图1所示,该管为()。
A、P 沟道增强型MOS 管B、P 沟道耗尽型MOS 管C、N 沟道增强型MOS 管D、N 沟道耗尽型MOS 管图1 图23.在如图2所示电路中,电阻R E的主要作用是()。
A、提高放大倍数B、稳定直流静态工作点C、稳定交流输出D、提高输入电阻4.在串联负反馈电路中,信号源的内阻(),负反馈的效果越好。
A、越大,B、越小,C、越恒定,D、越适当5.用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是()。
A、(B、C 、E)B、(C 、B、E) C 、(E、C 、B)6.PN结加正向电压时,空间电荷区将()。
A、变窄B、基本不变C、变宽D、不定7.稳压管的稳压区是其工作在()。
A、正向导通B、反向截止C、反向击穿D、热击穿8.功率放大电路的效率是指()。
A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、以上说法均不正确9.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值U o=()U z。
A、0.45B、0.9C、1.210. 一个晶体管的极限参数为P CM=100mW,I CM=20mA,U(BR)CEO=15V,则下列( )是正常工作状态。
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填空题1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。
PN具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为0.7伏;其门坎电压V th 约为0.5伏。
8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。
、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。
30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合,阻容耦合,变压器耦合。
31、在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察V O和V I的波形,则V O和V I的相位差为1800;当为共集电极电路时,则V O和V I的相位差为0。
、三极管工作在放大区时,它的发射结保持正向偏置,集电结保持反向偏置。
39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。
41、场效应管属于电压控制电流型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。
52、差动放大电路中的长尾电阻Re 或恒流管的作用是引人一个 共模负 反馈。
53、已知某差动放大电路A d =100、K CMR =60dB ,则其A C = 0.1 。
集成电路运算放大器一般由 差分输入级 、中间级、输出级、 偏置电路 四部分组成。
54、差分式放大电路能放大直流和交流信号,它对 差模信号 具有放大能力,它对 共模信号具有抑制能力。
55、差动放大电路能够抑制 零漂 和 共模输入信号 。
56、电路如图1所示,T 1、T 2和T 3的特性完全相同,则I 2≈ 0.4 mA ,I 3≈0.2mA ,则R 3≈ 10 k Ω。
57、集成运放通常由 输入级 、中间级;输出级、 偏置级 四个部分组成。
58、正反馈是指 反馈信号增强净输入信号 ;负反馈是指 反馈信号减弱净输入信号 。
59、电流并联负反馈能稳定电路的 输出电流 ,同时使输入电阻 减小 。
60、负反馈对放大电路性能的改善体现在:提高 增益的稳定性 、减小 非线性失真 、抑制反馈环内噪声 、扩展 频带 、改变输入电阻和输出电阻。
61、为了分别达到下列要求,应引人何种类型的反馈:①降低电路对信号源索取的电流: 串联负反馈 。
②当环境温度变化或换用不同β值的三极管时,要求放大电路的静态工作点保持稳定: 直流负反馈 。
③稳定输出电流: 电流负反馈 。
62、电压串联负反馈能稳定电路的 输出电压 ,同时使输入电阻 大 。
63、某负反馈放大电路的开环放大倍数A=100000,反馈系数F=0.01,则闭环放大倍数f A ≈ 100 。
64、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是 01=+F A。
65、负反馈放大电路的四种基本类型是 电压串联 、 电压并联 、 电流串联 、 电流并联 。
66、为稳定电路的输出信号,电路应采用 负 反馈。
为了产生一个正弦波信号,电路应采用 正反馈。
67、理想集成运算放大器的理想化条件是A ud = ∞ 、R id = ∞ 、K CMR = ∞ 、R O = 068、理想运算放大器的理想化条件中有A vd = 无穷 ,K CMR = 无穷 。
69、电流源电路的特点是,直流等效电阻 小 ,交流等效电阻 大 。
70、电流源的特点是输出电流 恒定 ,直流等效电阻 小 ,交流等效电阻 大 。
71、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是 虚断 和 虚短 。
72、理想运算放大器,A d = 无穷大 、R i = 无穷大 、R o = 0 。
73、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或 正反馈 状态。
74、如果有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器;如果希望500 Hz 以下的有用信号,可选用 低通 滤波器。
75、选取频率高于1000Hz 的信号时, 可选用 高通 滤波器;抑制50 Hz 的交流干扰时,可选用 带阻 滤波器;如果希望抑制500 Hz 以下的信号,可选用 高通 滤波器。
76、有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰,可选用 带阻滤波器;如果希望只通过500Hz 到1kHz 的有用信号,可选用 带通 滤波器。
77、根据工作信号频率范围滤波器可以分为:低通滤波器、 高通滤波器 、带通滤波器及 带阻滤波器 。
78、集成运算放大器在 线性 状态和 理想工作 条件下,得出两个重要结论,它们是: 虚断 和 虚短 。
79、通用型集成运算放输入级大多采用 差分放大 电路, 输出级大多采用 共集 电路。
80、正弦波振荡电路是由 放大电路 、 反馈网络 、选频网络、 稳幅环节 四个部分组成。
81、正弦波振荡电路产生振荡时,幅度平衡条件为 1=F A ,相位平衡条件为图1πn F A 2±=Φ+Φ n=0、1、2… 。
82、信号发生器原理是在电路负反馈时••F A = -1 ,例如 自激 电路。
在正反馈时••F A = 1 ,例如 文氏 振荡电路。
83、石英晶体振荡器是 LC 振荡电路 的特殊形式,因而振荡频率具有很高的稳定性。
841=F A 、其中相位平衡条件是=φ+φf aπn 2,n 为整数 、为使电路起振,幅值条件是 1> 。
85、正弦波振荡电路必须由 放大电路 、 反馈网络 、 选频网络 、 稳幅环节 四部分组成。
86、RC 正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时有:V A = 3 、V F = 31 、0ωω== RC 1 。
87、正弦波自激振荡电路振荡的平衡条件是 1=F A 、 πϕϕn f a 2=+ n 为整数 。
88、正弦波振荡电路起振的条件是1>F A和 πn F A 2±=Φ+Φ n 为整数。
89、有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器。
文氏电桥振荡器中的放大电路电压放大倍数 A f ≥3 ,才能满足起振条件。
90、为了稳定电路的输出信号,电路应采用 交流负 反馈。
为了产生一个正弦波信号,电路应采用 正 反馈。
91、直流电源是将电网电压的 交流电 转换成 直流电 的能量转换电路。
92、三端集成稳压器7805输出电压 +5 V ,7915输出电压 -15 V 。
93、直流电源一般由下列四部分组成,他们分别为:电源变压器、滤波电路、 稳压 电路和 整流 电路。
稳压集成电路W7810输出电压 +10 V 。
94、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路;半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压(即变压器副边电压)有效值的 0.45 倍;全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压(即变压器副边电压)有效值的 0.9 倍。
95、三端集成稳压器7915的输出电压为 -15 伏。
96、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是 输出取样电压 。
97、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是 调整管的的状态不同 。
98、小功率稳压电源一般由 电源变压器 、 整流电路 、 滤波器 、 稳压电路 等四部分构成。
99、 幅度失真 和 相位失真 总称为频率失真。
100、串联反馈式稳压电路由 调整管 、 比较放大 、 基准电压 、 取样环节 四部分组成。
单项选择题 1、半导体二极管加正向电压时,有( A )A 、电流大电阻小B 、电流大电阻大C 、电流小电阻小D 、电流小电阻大2、PN 结正向偏置时,其内电场被( A )A 、削弱B 、增强C 、不变D 、不确定3、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于( A )A 、反向偏置击穿状态B 、反向偏置未击穿状态C 、正向偏置导通状态D 、正向偏置未导通状态4、在本征半导体中掺入( A )构成P 型半导体。
A 、3价元素B 、4价元素C 、5价元素D 、6价元素5、 PN 结V —I 特性的表达示为( A )A 、)1(/-=T D V v S D e I iB 、D v S D e I i )1(-=C、1/-=TDVvSDeIiD、TDVvDei/=6、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带( B )A、变宽B、变窄C、不变D、与各单级放大电路无关7、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为( C )A、 10kΩB、2kΩC、4kΩD、3kΩ8、三极管工作于放大状态的条件是( A )A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏9、三极管电流源电路的特点是( B )A、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小B、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大C、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小D、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大10、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源V CC应当( A )A、短路B、开路C、保留不变D、电流源11、带射极电阻R e的共射放大电路,在并联交流旁路电容C e后,其电压放大倍数将( B )A、减小B、增大C、不变D、变为零12、有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的( B )A、输入电阻大B、输入电阻小C、输出电阻大D、输出电阻小13、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入( C )A、共射电路B、共基电路C、共集电路D、共集-共基串联电路14、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示,当V CE=6V,其电流放大系数β为( B )A、β=100 B、β=50C、β=150 D、β=2515、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V,(见图2所示)则此三极管为( D )图1图2A、PNP型锗三极管B、NPN型锗三极管C、PNP型硅三极管D、NPN型硅三极管16、多级放大电路的级数越多,则其( A )A、放大倍数越大,而通频带越窄B、放大倍数越大,而通频带越宽C、放大倍数越小,而通频带越宽D、放大倍数越小,而通频带越窄17、当放大电路的电压增益为-20dB时,说明它的电压放大倍数为( D )A 、20倍 B、-20倍 C、-10倍 D、0.1倍18、当用外加电压法测试放大器的输出电阻时,要求( A )A、独立信号源短路,负载开路B、独立信号源短路,负载短路C、独立信号源开路,负载开路D、独立信号源开路,负载短路19、场效应管放大电路的输入电阻,主要由( C )决定A、管子类型B、g mC、偏置电路D、V GS20、场效应管的工作原理是( D )A、输入电流控制输出电流B、输入电流控制输出电压C、输入电压控制输出电压D、输入电压控制输出电流21、场效应管属于( A )A、单极性电压控制型器件B、双极性电压控制型器件C、单极性电流控制型器件D、双极性电压控制型器件26、通用型集成运放适用于放大( B )A、高频信号B、低频信号C、任何频率信号D、中频信号27、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是( A )A、反相输入端为虚地B、输入电阻大C、电流并联负反馈D、电压串联负反馈28、下列对集成电路运算放大器描述正确的是( D )A、是一种低电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路B、是一种高电压增益、低输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路C、是一种高电压增益、高输入电阻和高输出电阻的多级直接耦合放大电路D、是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路29、共模抑制比K CMR越大,表明电路( C )A、放大倍数越稳定B、交流放大倍数越大C、抑制温漂能力越强D、输入信号中的差模成分越大30、差动放大器由双端输入变为单端输入,差模电压增益是( C )A、增加一倍B、为双端输入时的一半C、不变D、不确定31、电流源的特点是直流等效电阻( B ) A 、大 B 、小 C 、恒定 D 、不定 32、串联负反馈放大电路环内的输入电阻是无反馈时输入电阻的( A )A 、1+AF 倍B 、1/(1+AF)倍C 、1/F 倍D 、1/AF 倍33、为了使放大电路的输入电阻增大,输出电阻减小,应当采用( A )A 、电压串联负反馈B 、电压并联负反馈C 、电流串联负反馈D 、电流并联负反馈34、为了稳定放大电路的输出电流,并增大输入电阻,应当引入( A )A 、电流串联负反馈B 、电流并联负反馈C 、电压串联负反馈D 、电压并联负反馈35、如图4为两级电路,接入R F 后引入了级间( A )A 、电流并联负反馈B 、电流串联负反馈C 、电压并联负反馈D 、电压串联负反馈 36、某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选( A )A 、电流串联负反馈B 、电压并联负反馈C 、电流并联负反馈D 、电压串联负反馈37、某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流),经过放大后希望输出电压与信号成正比,此放大电路应选( D )A 、电流串联负反馈B 、电压并联负反馈C 、电流并联负反馈D 、电压串联负反馈38、某电路有用信号频率为2kHz ,可选用( C )A 、低通滤波器B 、高通滤波器C 、带通滤波器D 、带阻滤波器39、文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数( C )才能满足起振条件A 、为1/3时B 、为3时C 、>3D 、>1/340、LC 正弦波振荡器电路的振荡频率为( C )A 、LC f 10=B 、LC f 10=C 、LC f π210= D 、LC f π210=41、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的相位平衡条件是( A )图4 图4A 、2n π,n 为整数B 、(2n+1)π,n 为整数C 、n π/2,n 为整数D 、不确定42、RC 串并联正弦波振荡电路的振荡频率为( B )A 、RC f 621π=B 、RC f π21= C 、RC f π21= D 、RC f π41=43、桥式整流电路若变压器二次电压为t u ωsin 2102=V ,则每个整流管所承受的最大反向电压为(A )A 、210VB 、220VC 、20VD 、2V44、图5为单相桥式整流滤波电路,u i 为正弦电压,其有效值为U i =20V ,f=50Hz 。