如何测试场效应管

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判断智能手机电路场效应管的好坏

判断智能手机电路场效应管的好坏

判断智能手机电路场效应管的好坏
判断智能手机电路中场效应管的好坏,可以采用以下步骤:
1. 外观检查:检查场效应管的封装是否有损坏,标识是否清晰。

2. 极性检查:使用万用表检查场效应管的三个电极(栅极、源极和漏极),以确认其极性。

3. 性能检测:将万用表调至合适的电阻档,对场效应管的三个管脚两两进行测量。

如果测量结果显示两个管脚之间存在阻值,则说明场效应管正常工作。

4. 温升检测:通过红外测温仪或热电偶测量仪测量场效应管的表面温升,以判断其工作状态。

如果温升过高,则可能是由于电流过大或散热不良引起的。

5. 电路连接检测:检查场效应管是否与其他元件正常连接,无短路或断路现象。

6. 故障分析:如果场效应管损坏,可能出现开路、击穿或性能变差等问题。

具体表现为丧失其在电路中的作用、工作点电压变化或整机电流增加等。

通过以上步骤,可以初步判断智能手机电路中场效应管的好坏。

如果仍有问题,建议寻求专业技术人员的帮助。

场效应管怎么测量好坏

场效应管怎么测量好坏

场效应管怎么测量好坏
场效应管测量好坏有以下方法:
方法一将指针式万用表拨至“RX1K”档,并电调零。

场效应管带字的一面朝着自己,从左到右依次为:G(栅极),D(漏极),S (源极)。

将黑表笔接在D极,红表笔接在S极上,此时,万用表指针应不动;然后再对换表笔,再测,此时,万用表指针应向右摆动。

用指针万用表测,G极,与其余两个极之间,无论是两个表笔怎样对调测,万用表指针均应不动。

方法二将数字万用表拨至“二极管”档,也就是,蜂鸣器档。

黑表笔接D极,红表笔接S极,此时,应显示一个数值,一般情况下为400多Ω到500Ω多之间。

然后,再对换表笔,应无显示,为“1”。

然后,黑表笔接D极,红表笔先去触碰一下G极,然后红表笔再接到S极上,此时,会发现显示的数值与原来相比,变小了许多,一般为100多Ω到几十Ω之间。

这说明,此场效应管已被触发导通了。

在这个时候,黑表笔接S极,红表笔接D极,会发现,有数值显示了。

这说明,此场效应管是完好的。

如果所测的结果与上述两种方法均不符,则这个场效应管就是坏的。

一般情况下,D极和S极击穿的比较常见。

用数字万用表的“二极管”档测,会听到蜂鸣器的响声。

场效应管万用表检测

场效应管万用表检测

场效应管万用表检测IGBT有三个电极, 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极)一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。

也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。

(2)用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。

然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。

场效应管的主要参数意义及其测试方法

场效应管的主要参数意义及其测试方法

场效应管的主要参数意义及其测试方法场效应管(Field Effect Transistor,FET)是一种三端器件,常用于放大、开关和稳压等电路中。

场效应管的主要参数包括漏极-源极电流(IDSS)、漏极-源极截止电压(VGS(Off))、漏极电阻(RDS(On))和跨导(Transconductance),其测试方法主要包括IDSS测试、VGS截止测试、RDS测试和跨导测试。

1.漏极-源极电流(IDSS):IDSS是指在给定源极-栅极电压下,场效应管的漏极电流。

它反映了场效应管的导通能力,通常单位为毫安(mA)。

IDSS测试方法为:将场效应管的源极和栅极短接,连接好漏极回路,将源极-漏极电压保持为0V,测量漏极电流。

2. 漏极-源极截止电压(VGS(Off)):VGS(Off)是指在给定漏极电流下,场效应管的截止电压。

它反映了场效应管在关闭状态下的电压阈值,通常单位为伏特(V)。

VGS(Off)测试方法为:将场效应管的源极和栅极短接,连接好漏极回路,并将漏极电流维持在预定值,测量栅极-源极电压。

3.漏极电阻(RDS(On)):RDS(On)是指在给定栅极-源极电压下,场效应管的漏极电阻。

它反映了场效应管的导通状态下的电阻情况,通常单位为欧姆(Ω)。

RDS测试方法为:将场效应管的源极和栅极短接,连接好漏极回路,并将栅极-源极电压维持在预定值,测量漏极电阻。

4. 跨导(Transconductance):跨导是指在给定栅极-源极电压下,场效应管的斜率。

它反映了场效应管的输入导通能力,通常单位为毫安/伏特(mA/V)。

跨导测试方法为:将场效应管的源极和漏极短接,连接好栅极回路,并将栅极-源极电压维持在预定值,测量漏极电流对应的变化。

场效应管的测量方法

场效应管的测量方法

场效应管的测量方法
场效应管的测量方法一般包括以下几个步骤:
1. 确定引脚:首先要确认场效应管的引脚布置,一般有栅极(G)、源极(S)和漏极(D)三个引脚。

2. 确定测试电路:选择适当的测试电路来测量场效应管的性能。

常见的测试电路包括单端共源(Common Source)、单端共漏(Common Drain)和单端共栅(Common Gate)等。

3. 测量电流和电压:在选定的测试电路上,通过恰当的电压源和电流源,分别在引脚上施加适当的电压和电流进行测量。

常用的测量参数有栅极-源极电压(Vgs)、漏极-源极电压(Vds)和漏极电流(Ids)等。

4. 测量曲线:根据测量电流和电压的数据,绘制出I-V特性曲线。

常见的曲线有输入特性曲线和输出特性曲线等。

5. 性能分析:根据测得的曲线数据对场效应管进行性能分析,如确定场效应管的增益、截止频率以及最大功率等。

需要注意的是,在测量场效应管时,要特别注意避免超过场效应管的最大电压和电流规格,以防止损坏设备。

同时,在测量之前也需要对测量电路进行合理的连
接和参数设置。

场效应管检测方法

场效应管检测方法

场效应管检测方法一、用指针式万用表对场效应管进行(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。

也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。

(2)用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。

然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。

要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。

(3)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。

场效应管测量方法

场效应管测量方法

场效应管测量方法
场效应管(Field Effect Transistor,FET)的测量方法包括静态参数测试和动态参数测试。

静态参数测试是指测量场效应管的静态电气参数,主要包括栅极漏电流、栅极截止电压、输出导通电流等。

其中,栅极漏电流可以通过将栅源端短路,然后测量栅极到源极之间的电流来测量;栅极截止电压可以通过将栅源端短路,然后在栅极和源极之间施加一系列电压并测量对应的输出电压来测量;输出导通电流可以通过在栅极和源极之间施加一定的栅极电压,同时测量输出电流来测量。

动态参数测试是指测量场效应管的动态电性能,主要包括开关时间、开关损耗、放大增益等。

其中,开关时间可以通过在输入端施加一个快速的信号,然后测量输出端的响应时间来测量;开关损耗可以通过测量在开关过程中的功率消耗来测量;放大增益可以通过在输入端施加一个小信号,然后测量输出端的变化来测量。

总之,场效应管的测量方法涉及到静态参数测试和动态参数测试,通过测量这些参数可以评估场效应管的性能和可靠性。

用万用表测量场效应管

用万用表测量场效应管

用万用表测量场效应管用万用表测量(试)vmos功率场效应管1、判断引脚极性(电极)万用表复置r×1k档,分别测试三个电极间的阻值,如果其中—脚与另两脚间的电阻为无穷大,且互换表笔测试仍—样.表明这—脚为栅极g。

由图1(b)可以窥见,源、漏极之间相等于一个pn结,测量其正、逆向电阻,以阻值较小(约几千欧)的那次为依据,白表笔接的是源极(p型)s,白表笔直奔的就是漏极(n型)d,对n导线vmos管推论恰好相反。

通常vmos管曲面极d与外壳(或散热片)就是连在一起的,这就是更容易区分凿、源两电极了。

图1vmos功率场效应管外形及内部结构示意图①万Weinreb复置r×1k档,先短路一下栅-源极,泄压下栅极上感应器的电荷,然后用黑表笔接s,白表笔接d,例如测到的阻值在几千欧,再短接—之下g、s后互换表笔测得阻值为无穷大,表明管子凿、源极间pn结是不好的。

②用导线将g、s短路起来,万用表置r×1档,黑表笔接s,红表笔接d,如测得的阻值在几欧姆,说明管子是好的,并且阻值越小,还说明管子的放大能力越强。

其判断理由是:将g、s极短路并用黑表笔接源极s时,就相当于给栅极加上了正偏压,这个正电压产生的电场会把源极n+型和p沟道区内的电子吸附到氧化膜的表面,从而分离出大量的空穴参予导电,使电流剧增,电阻减小。

③万用表复置r×10档,分别测量g-s、g-d极间的两极向电阻,如果都为无穷大,表明管于是不好的,否则表明栅极与漏、源极间存有漏电或者打穿损毁。

对于n导线管互换表笔测试即可。

3、放大能力(跨导)的测量vmos管及的压缩能力(跨导)的测量可以参照《绝缘栅场效应管的测量》一文中关于mos管压缩能力的测试方法。

场效应管检测方法

场效应管检测方法

场效应管检测方法
场效应管(也叫MOSFET)的检测方法如下:
1. 使用万用表检测场效应管的极性。

将万用表调至二极管测量档位,将黑表笔连接到TO(源/栅/发射)引脚,然后将红表笔依次接触与TO引脚相连的D(漏极/集电极)和G(栅极/基极)引脚。

如果万用表的示数没有变化或者非常小,说明场效应管是P型的;如果示数明显有变化,说明场效应管是N型的。

2. 使用万用表检测场效应管导通。

将万用表调至二极管测量档位,将黑表笔连接到TO(源/栅/发射)引脚,然后将红表笔依次接触与TO引脚相连的D(漏极/集电极)和G(栅极/基极)引脚。

如果万用表的示数为低阻值,说明场效应管导通;如果示数为高阻值,说明场效应管截止。

3. 使用数字万用表或示波器检测场效应管的漏极/集电极电压和栅极/基极电压。

将黑表笔接触到场效应管的TO(源/栅/发射)引脚,将红表笔依次接触到场效应管的D(漏极/集电极)和G(栅极/基极)引脚。

通过读取数字万用表上的电压示数或示波器上的波形变化,可以确定场效应管所处的工作区域(截止、饱和或放大)。

以上是常用的场效应管检测方法,具体方法可以根据具体的测试设备和需求进行适当的调整。

rdson测试方法

rdson测试方法

rdson测试方法RDSon测试方法指的是对场效应管(Field Effect Transistor, FET)的导通电阻进行测试的方法。

导通电阻是场效应管的重要性能指标之一,直接影响到其在电子电路中的功耗和热耗散等方面。

场效应管的导通电阻一般分为两个部分:静态导通电阻(RDSon)和动态导通电阻。

静态导通电阻指的是在场效应管处于稳态工作状态下,开关极(Gate)施加一定的电压,从漏极(Drain)到源极(Source)的电流与漏极到源极之间的电压之比。

动态导通电阻则考虑了开关过程中的导通电阻变化。

以下是一种常用的RDSon测试方法:1.实验器材准备:-场效应管样品:要测试的场效应管样品;-直流电源:用于给场效应管样品供电;-示波器:用于观测场效应管的电流和电压波形;-电阻箱:用于搭建负载电路。

2.实验步骤:(1)搭建实验电路:将示波器的探头分别连接到场效应管的漏极和源极上,接地电极连接到场效应管的源极。

连接好后,连接示波器的电流波形和电压波形分别对应的信号线。

(2)给场效应管供电:通过直流电源给场效应管施加一定的电压,确保场效应管处于工作状态。

(3)调整负载电阻:在负载电路中选择适当的电阻,使得场效应管的电流在合适的工作范围内。

(4)观测波形:使用示波器观测场效应管的电流和电压波形,并记录数据。

(5)计算RDSon:根据实测的电流和电压波形数据,可以通过计算得到RDSon的数值。

3.实验注意事项:(1)实验时,应注意选择适当的工作电压和负载情况,以确保场效应管工作在正常范围内。

(2)示波器的选择应具有足够的带宽和采样率,以准确观测场效应管的电流和电压波形。

(3)实验时,应注意对电路进行保护,防止短路故障等情况导致设备损坏。

通过以上测试方法,可以准确测量出场效应管的导通电阻(RDSon),为其在实际电路中的应用提供参考。

在实际应用中,选型时应注意选择合适的场效应管,以满足电路的功耗和性能要求。

场效应管的测试方法

场效应管的测试方法

场效应管的测试方法
场效应管那可是电子世界的小明星啊!咱先说说咋测试它吧。

嘿,你想知道不?把万用表拨到合适的档位,先测一下各个引脚之间的电阻值。

这就像给场效应管做个体检,看看它有没有啥毛病。

要是电阻值不对头,那可就有问题啦!接着呢,可以给场效应管加个电压,看看它的反应。

这就好比给它点动力,看它能不能跑起来。

在测试的时候可得小心哦,别弄短路了,不然那可就悲剧啦!那安全性和稳定性咋保证呢?你想想,要是不小心把场效应管弄坏了,那多心疼啊!所以一定要仔细操作,按照正确的方法来。

场效应管的应用场景那可多了去了。

就像一个万能小助手,在各种电子设备里都能发挥大作用。

比如在电源电路里,它可以高效地控制电流,让设备稳定运行。

在放大器里呢,它能把小信号放大得超级厉害。

它的优势也很明显啊!功耗低,速度快,这多牛啊!就像一个短跑冠军,跑得又快又省力。

给你举个实际案例吧。

我有个朋友修一台电脑,发现主板上的场效应管坏了。

他按照正确的方法测试了一下,确定是哪个坏了,然后换了一个新的。

嘿,电脑马上就好啦!这效果,杠杠的。

所以啊,场效应管真是个好东西,测试方法也不难,只要小心操作,就能让它发挥大作用。

图解:指针式万用表检测场效应管

图解:指针式万用表检测场效应管

图解:指针式万用表检测场效应管场效应管的栅极与漏、源两极之间绝缘阻值很高,因此在测试过程中G-D、G-S之间均表现出很高的电阻值(阻值接近无穷大)。

MOS场效应管的D-S极间均并联有一只寄生二极管(Internal Diode),有些MOS管的G-S极之间还设计了一只类似于双向稳压管的元件“保护二极管”,以保护场效应管。

由于G-S极的保护二极管的开启电压较高,用万用表一般无法测量出该二极管的单向导电性。

因此,可以通过测量D、S两只引脚间正反向阻值差异来判断场效应管的好坏。

选择指针式万用表的R×1kΩ挡,轮流测试任意两只引脚之间的电阻值。

当指针出现较大幅度偏转时,与黑表笔相接的引脚即为N沟道MOS管的S极,与红表笔相接的引脚为漏极D,剩余第3脚则为栅极G,如图1所示。

图1 N沟道MOS管测量示意图然后将万用表的电阻挡切换到的R×10kΩ挡,并调零。

对于N沟道场效应管,将黑表笔接漏极D、红表笔接源极S(P沟道场效应管是红表笔接漏极D、黑表笔接源极S),如图2所示。

图2 黑表笔接漏极D、红表笔接源极S黑表笔接漏极D、红表笔接源极S后,万用表的指针通常会有一定的偏转,这时就可以用一个金属导体短接G、D、S三个电极,泄放掉G-S极间等效结电容中存储的电荷所建立起的电压UGS,如图3所示。

图3 用一个金属导体短接G、D、S三个电极经过上一步的短接放电后,就会发现一个神奇的现象:用金属导体短接G、D、S三个电极后移开金属导体(G极悬空),就会发现本来偏转的万用表指针突然恢复到无穷大的位置,如图4所示。

图4 万用表指针恢复到无穷大为什么用金属导体短接G、D、S三个电极后再移开,万用表指针会恢复到无穷大的位置呢?这是因为短接电极后,UGS降为0V,MOS管尚未导通,D-S间电阻RDS为∞,故万用表的指针不会发生偏转。

万用表指针恢复到无穷大后,用手指碰触G-D极,此时指针会向右发生偏转,如图5所示。

VMOS场效应管基础知识及检测方法

VMOS场效应管基础知识及检测方法

VMOS场效应管基础知识及检测方法VMOS(Vertical Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,垂直金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种特殊的场效应晶体管。

与传统的MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)相比,VMOS的结构更加紧凑,具有更高的功率密度和更低的开通电阻。

本文将介绍VMOS场效应管的基础知识和检测方法。

一、VMOS场效应管的基础知识1.结构与工作原理2.优点与应用3.特征参数二、VMOS场效应管的检测方法1.静态参数测量静态参数是指在没有交流信号作用下,对场效应管进行直流参数测量的过程。

-零门源电流(IDSS):将栅极与源极短接,通过漏极施加一定的电压,可以测量到的漏极电流即为零门源电流。

其值越大,场效应管的增益越高。

-零栅源电压漏极电流(IGSS):在零栅源电压下,测量出的漏极电流即为零栅源电压漏极电流。

其值越小,场效应管的绝缘性能越好。

-耗散功率(PD):在一定的漏源电压下,测量出的场效应管的耗散功率。

其值应小于最大耗散功率,以保证场效应管的安全工作。

-开通电阻和关断电阻:通过测量开通电压和电流,关断电压和电流,可以计算出场效应管的开通电阻和关断电阻。

开通电阻应尽可能小,关断电阻应尽可能大。

2.动态参数测量动态参数是指在有交流信号作用下,对场效应管进行参数测量的过程。

动态参数测量通常需要示波器等测试仪器,以下是几个常用的动态参数测量方法:-开通和关断时间:通过示波器观察开通时间和关断时间,可以评估场效应管的开关速度。

-频率响应:通过给场效应管施加一定频率的信号,测量输出的电压和电流,可以评估场效应管的频率响应能力。

-功率增益:通过测量输入和输出的电压和电流,可以计算功率增益,评估场效应管的放大能力和功率损耗。

总结起来,VMOS场效应管的检测方法包括静态参数测量和动态参数测量。

静态参数测量主要包括零门源电流、零栅源电压漏极电流、耗散功率以及开通电阻和关断电阻的测量。

MOS管和IGBT模块的测试方法

MOS管和IGBT模块的测试方法

MOS管和IGBT模块的测试方法MOS管(MOSFET)的测试方法:场效应管,如果已知型号与管脚,用万用电表测G(栅极)和S(源极)之间,G与D(漏极)之间没有PN结电阻,说明该管子已坏.用万用电表的R×1kΩ档,其表棒分别接在场效应管的S极和D极上,然后用手碰触管子和G极,若表针不动,说明管子不好;若表针有较大幅度的摆动,说明管子可用.另外:1、结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别(1)从包装上区分由于绝缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏,所以管脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的;而结型场效应管在包装上无特殊要求. (2)用指针式万用表的电阻档测量用万用表的“R×lk”档或“R×100”档测G、S管脚间的阻值,N结的正、反向阻值,此管为结型管.2、用万用表电阻档判别结型场效应管管脚一般用R×1k或R×100档进行测量,测量时,任选两管脚,测正、反向电阻,阻值都相同(均为几千欧)时,该两极分别为D、S极(在使用时,这两极可互换),余下的一极为由于绝缘栅型场效应管在测量时易损坏,所以不使用此方法进行管脚识别,一般以查手册为宜.简单方法检测IGBT模块的好坏:l 、判断极性首先将万用表拨在R×1K 。

挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极( G )。

其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。

在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极( C ):黑表笔接的为发射极( E )。

2 、判断好坏将万用表拨在R×10KQ 档,用黑表笔接 IGBT 的集电极( C ),红表笔接 IGBT 的发时极( E ),此时万用表的指针在零位。

用手指同时触及一下栅极( G )和集电极( C ),这时工 GBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站们指示在某一位置。

如何测试场效应管

如何测试场效应管

如何测试场效应管1、结型场效应管的管脚识别:场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。

将万用表置于R×1K档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。

当某两个管脚间的正、反向电阻相等,均为数KΩ时,则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换),余下的一个管脚即为栅极G。

对于有个管脚的结型场效应管,另外一极是屏蔽极(使用中接地)。

2、判定栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极,红表笔分别碰触另外两个电极.若两次测出的阻值都很小,说明均是正向电阻,该管属于N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。

制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的,可以互换使用,并不影响电路的正常工作,所以不必加以区分。

源极与漏极间的电阻约为几千欧。

注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。

因为这种管子的输入电阻极高,栅源间的极间电容又很小,测量时只要有少量的电荷,就可在极间电容上形成很高的电压,容易将管子损坏。

3、估测场效应管的放大能力将万用表拨到R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管加上1。

5V的电源电压.这时表针指示出的是D-S极间电阻值.然后用手指捏栅极G,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上.由于管子的放大作用,UDS 和ID都将发生变化,也相当于D-S极间电阻发生变化,可观察到表针有较大幅度的摆动。

如果手捏栅极时表针摆动很小,说明管子的放大能力较弱;若表针不动,说明管子已经损坏。

由于人体感应的0Hz交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同,因此用手捏栅极时表针可能向右摆动,也可能向左摆动。

少数的管子RDS减小,使表针向右摆动,多数管子的RDS增大,表针向左摆动。

无论表针的摆动方向如何,只要能有明显地摆动,就说明管子具有放大能力。

本方法也适用于测MOS管。

为了保护MOS场效应管,必须用手握住螺钉旋具绝缘柄,用金属杆去碰栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极上,将管子损坏.MOS管每次测量完毕,G—S结电容上会充有少量电荷,建立起电压UGS,再接着测时表针可能不动,此时将G-S极间短路一下即可。

测量场效应管好坏和极性

测量场效应管好坏和极性

用万用表定性判断场效应管、三极管的好坏一、定性判断MOS型场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。

给栅、源极之间充电,此时万用表指针有轻微偏转。

再改用万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(D),正笔接源极(S),万用表指示值若为几欧姆,则说明场效应管是好的。

二、定性判断结型场效应管的电极将万用表拨至R×100档,红表笔任意接一个脚管,黑表笔则接另一个脚管,使第三脚悬空。

若发现表针有轻微摆动,就证明第三脚为栅极。

欲获得更明显的观察效果,还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚,只要看到表针作大幅度偏转,即说明悬空脚是栅极,其余二脚分别是源极和漏极。

判断理由:JFET的输入电阻大于100MΩ,并且跨导很高,当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号,使管子趋于截止,或趋于导通。

若将人体感应电压直接加在栅极上,由于输入干扰信号较强,上述现象会更加明显。

如表针向左侧大幅度偏转,就意味着管子趋于截止,漏-源极间电阻RDS增大,漏-源极间电流减小IDS。

反之,表针向右侧大幅度偏转,说明管子趋向导通,RDS ↓,IDS↑。

但表针究竟向哪个方向偏转,应视感应电压的极性(正向电压或反向电压)及管子的工作点而定。

注意事项:(1)试验表明,当两手与D、S极绝缘,只摸栅极时,表针一般向左偏转。

但是,如果两手分别接触D、S极,并且用手指摸住栅极时,有可能观察到表针向右偏转的情形。

其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用,使之进入饱和区。

(2)也可以用舌尖舔住栅极,现象同上。

三、晶体三极管管脚判别三极管是由管芯(两个PN结)、三个电极和管壳组成,三个电极分别叫集电极c、发射极e和基极b,目前常见的三极管是硅平面管,又分PNP和NPN型两类。

现在锗合金管已经少见了。

这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。

场效应管检测方法

场效应管检测方法

场效应管检测方法1、 用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。

也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。

(2)用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。

然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。

要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。

(3)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。

图解:数字式万用表检测场效应管

图解:数字式万用表检测场效应管

图解:数字式万用表检测场效应管场效应管与普通的三极管检测方法有很大区别。

由于常用的MOS场效应管的D-S极之间都有一个阻尼二极管,因此可以采用数字式万用表的二极管挡来检测D-S极之间的二极管压降,从而判断场效应管的性能,检测方法如下。

将数字式万用表的挡位开关拨至二极管挡,红表笔接S极、黑表笔接D极,此时万用表的屏幕上会显示出D-S极之间二极管的压降值,大功率场效应管的二极管压降值通常在0.4~0.8V之间,小功率场效应管的二极管压降值通常为0.5 5V左右;黑表笔接S极、红表笔接D极以及G极,与其他各引脚之间均应该无压降(以N沟道场效应管为例,P沟道场效应管应该是红表笔接D极、黑表笔接S极才有压降值)。

反之,则说明场效应管已经损坏。

在维修中,场效应管通常为击穿损坏,这时各引脚之间通常呈短路状态,因此各引脚间的压降值也通常为0V。

常用的贴片封装大功率场效应管5N03检测示意图分别如图1、图2所示。

图1 红表笔接S极、黑表笔接D极测量结果图2 红表笔接D极、黑表笔接S极测量结果常用的小功率场效应管BSP254A检测示意图如图3所示。

图3 常用的小功率场效应管BSP254A检测示意图常用的大功率场效应管FS10SM18A检测示意图如图4所示。

图4 常用的大功率场效应管FS10SM18A检测示意图在代换场效应管时,主要应该考虑如下参数:最大漏极功耗PDM(相当于普通三极管的PCM)、极限漏极电流ID、最大漏源电压VDS、导通电阻RDS(ON)。

除了考虑以上参数外,还要考虑引脚排列是否一致,因为场效应管的型号前缀字母与数字即使完全一致,只要后缀字母不相同,则引脚排列也可能不一致,如显示器中常用的行推动管BSP254与BSP254A,引脚排列就完全不一致。

在维修工作中,还要注意绝对不能用N沟道的场效应管代换P沟道的场效应管,反之也一样。

利用数字式万用表不仅能判定场效应管的电极、还可以测量管子的跨导(放大系数)。

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如何测试场效应管1、结型场效应管的管脚识别:场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。

将万用表置于R×1K档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。

当某两个管脚间的正、反向电阻相等,均为数KΩ时,则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换),余下的一个管脚即为栅极G。

对于有个管脚的结型场效应管,另外一极是屏蔽极(使用中接地)。

2、判定栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极,红表笔分别碰触另外两个电极。

若两次测出的阻值都很小,说明均是正向电阻,该管属于N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。

制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的,可以互换使用,并不影响电路的正常工作,所以不必加以区分。

源极与漏极间的电阻约为几千欧。

注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。

因为这种管子的输入电阻极高,栅源间的极间电容又很小,测量时只要有少量的电荷,就可在极间电容上形成很高的电压,容易将管子损坏。

3、估测场效应管的放大能力将万用表拨到R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。

这时表针指示出的是D-S极间电阻值。

然后用手指捏栅极G,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。

由于管子的放大作用,UDS 和ID都将发生变化,也相当于D-S极间电阻发生变化,可观察到表针有较大幅度的摆动。

如果手捏栅极时表针摆动很小,说明管子的放大能力较弱;若表针不动,说明管子已经损坏。

由于人体感应的0Hz交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同,因此用手捏栅极时表针可能向右摆动,也可能向左摆动。

少数的管子RDS减小,使表针向右摆动,多数管子的RDS增大,表针向左摆动。

无论表针的摆动方向如何,只要能有明显地摆动,就说明管子具有放大能力。

本方法也适用于测MOS管。

为了保护MOS场效应管,必须用手握住螺钉旋具绝缘柄,用金属杆去碰栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极上,将管子损坏。

MOS管每次测量完毕,G-S结电容上会充有少量电荷,建立起电压UGS,再接着测时表针可能不动,此时将G-S极间短路一下即可。

目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应管的管脚顺序如上图所示。

与晶体三极管相比,功率场效应管具有输入阻抗高、开头速度块,驱动电流小、工作电流大、热隐定性好等诸多优点。

由于场效应管的结构、原理和普通三极管不同,其检测方法也大不相同。

在此介绍在业余条件下用万用表作判别的方法,供参考。

1.G极(栅极)的判定:置万用表于R*100档,然后分别测量场效应管每两脚间的阻值(正反各测一次),正常时应有一次阻值为数百欧姆,这时万用表两表笔所接的引脚是D(漏极)和S(源极),悬空的另一脚则为G(栅极)。

2.D极(漏极)、S极(源极)的判定:判断出G极后,再把万用表置于R*10档,分别测量D极和S极间的正反向电阻值,在测得阻值为较大值时,用黑表笔与G栅极接触一下,然后再恢复原状,在此过程中,红表笔应始终与管脚相触,这时万用表的读数会出现两种情况:若读数由大变小,则万用表黑表笔所接的管脚为D(漏极),红表笔所接的管脚为S(源极);若万用表读数没有明显变化,仍为较大值,这时就应把黑表笔与引脚保持接触,然后移动红表笔与G极相碰下后返回原引脚。

此时若阻值由大变小,则黑表笔所接的管脚为S(源极),红表笔所接的管脚为D(源极)。

3.类型的判定:在判定D漏极和S源极后,如果万用表黑表笔所接为D漏极,红表笔所接为S源极,而且用黑表能触发G栅极,这时表明该场效应管为N沟道;如果黑表笔所接为S源极,红表笔所接为D漏极,且需用红表笔才能触发G栅极,则表明该场效应管为P沟道。

4.跨导大小(非定量)的判别:对于N沟道的场效应管,用红表笔接S极(源极)黑表笔接D极(漏极),万用表读数应较大,这时若用手接触G极(栅极),万用表读数就会发生变化,变化越明显,说明该场效应管的跨导越大。

对于D沟道的场效应管,用黑表笔接S极(源极),红表笔接D极(漏极),万用表的读数应较大,若用手指轻碰G极(栅极),万用表的读数就会发生变化,阻值变化越明显,则说明该场效应管的跨导越大。

场效应管的好坏如何检测一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法:将万用表拨在R×1K档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S,因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。

也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极G,其余两电极分别为漏极D和源极S。

若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极G。

若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。

(2)用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极S与漏极D、栅极G与源极S、栅极G与漏极D、栅极G与栅极G之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。

然后把万用表置于R×10K档,再测栅极G与S源极、G栅极与D漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。

要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。

用感应信号输人法估测场效应管的放大能力,具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时表针指示出的漏极D源极S间的电阻值。

然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极G上。

这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化,也就是漏极D源极S间电阻发生了变化,由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。

如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。

根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管DJF。

先将管的栅极G开路,测得漏源电阻RDS为00Ω,用手捏住栅极G后,表针向左摆动,指示的电阻RDS为KΩ,表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能力。

运用这种方法时要说明几点:第一,在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表针可能向右摆动(电阻值减小),也可能向左摆动(电阻值增加)。

这是由于人体感应的交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同(或者工作在饱和区或者在不饱和区)所致,试验表明,多数管的RDS增大,即表针向左摆动;少数管的RDS减小,使表针向右摆动。

但无论表针摆动方向如何,只要表针摆动幅度较大,就说明管有较大的放大能力。

第二,此方法对MOS场效应管也适用。

但要注意,MOS场效应管的输人电阻高,栅极G允许的感应电压不应过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿。

第三,每次测量完毕,应当G-S极间短路一下。

这是因为G-S结电容上会充有少量电荷,建立起VGS电压,造成再进行测量时表针可能不动,只有将G-S极间电荷短路放掉才行。

(3)用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G和第二栅极G。

把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。

用这种方法判别出来的S、D极,还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是极,两种方法检测结果均应一样。

当确定了漏极D、源极S的位置后,按D、S的对应位置装人电路,一般G、G也会依次对准位置,这就确定了两个栅极G、G的位置,从而就确定了D、S、G、G管脚的顺序。

(4)用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对VMOSN沟道增强型场效应管测量跨导性能时,可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。

此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳定的。

将万用表的欧姆档选在R×0kΩ的高阻档,此时表内电压较高。

当用手接触栅极G时,会发现管的反向电阻值有明显地变化,其变化越大,说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变化不大。

场效应管检测方法与经验一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法:将万用表拨在R×1K档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。

也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。

(2)用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G与栅极G之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。

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