1.1半导体基础知识电子(教案)教学设计
半导体整套课件完整版电子教案最全PPT整本书课件全套教学教程
电压较低时，由于外电场较弱，还不足以克服PN结内电场 对多数载流了扩散运动的阻力，所以正向电流很小，几乎为 零。此时二极管呈现出很大的电阻。
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1.2 半导体二极管
2.反向特性 图1-10所示曲线②部分为反向特性。二极管两端加上反向
电压时，由于少数载流子漂移而形成的反向电流很小，且在 一定的电压范围内基本上不随反向电压而变化，处于饱和状 态，所以这一段电流称为反向饱和电流IR。硅管的反向饱和 电流约在1μA至几十微安，锗管的反向饱和电流可达几百微 安，如图1-10的OC(OC’)段所示。 3.反向击穿特性 如图1-10中曲线③部分所示，当反向电压增加到一定数值 时，反向电流急剧增大，这种现象称为一极管的反向击穿。 此时对应的反向击穿电压用UBR表示。
1.4.2 晶体三极管的工作原理
三极管有两个按一定关系配置的PN结。由于两个PN结之间 的互相影响，使三极管表现出和单பைடு நூலகம்PN结不同的特性。三 极管最主要的特性是具有电流放大作用。下面以NPN型二极 管为例来分析。
1.电流放大作用的条件 三极管的电流放大作用，首先取决于其内部结构特点，即发
射区掺杂浓度高、集电结面积大，这样的结构有利于载流子 的发射和接收。而基区薄且掺杂浓度低，以保证来自发射区 的载流子顺利地流向集电区。其次要有合适的偏置。三极管 的发射结类似于二极管，应正向偏置，使发射结导通，以控 制发射区载流子的发射。而集电结则应反向偏置，以使集电 极具有吸收由发射区注入到基区的载流子的能力，从而形成 集电极电流。
1.1 半导体基础知识
1.1.1本征半导体
不含杂质且具有完整品体结构的半导体称为本征半导体。最 常用的本征半导体是锗和硅品体，它们都是四价元素，在其 原子结构模型的最外层轨道上各有四个价电子。在单品结构 中，由于原子排列的有序性，价电子为相邻的原子所共有， 形成了如图1-1所示的共价键结构，图中的+4表示四价元素 原子核和内层电子所具有的净电荷。本征半导体在温度 T=0K(热力学温度)目没有其他外部能量作用时，其共价键 中的价电子被束缚得很紧，不能成为自由电子，这时的半导 体不导电，在导电性能上相当于绝缘体。但是，当半导体的 温度升高或给半导体施加能量(如光照)时，就会使共价键中 的某些价电子获得足够的能量而挣脱共价键的束缚，成为自 由电子，同时在共价键中留下一个空位，这个现象称为本征 激发，如图1-2所示，自由电子是本征半导体中可以参与导 电的一种带电粒子，叫做载流子。
模拟电路电子教案设计
第1章半导体器件基础教学目的：了解半导体基础知识教学重点：PN结教学难点：PN结单向导电性教学容：1.1 半导体基础知识教学方法：理论讲解与举例相结合，讲例题时边讲边练（学生先作，老师后讲）。
教学进度：本容为2学时参考资料：模拟电子技术基础教学容1.1半导体及其特性一、半导体特点半导体特点：1、受光、热激发，导电性能↑↑2、掺杂质导电性能↑↑二、本征半导体1.概念：纯净的、结构完整的半导体，叫本征半导体。
它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。
在热力学温度零度和没有外界激发时,本征半导体不导电。
2.半导体的本征激发与复合现象:当导体处于热力学温度0 K时，导体中没有自由电子。
当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。
这一现象称为本征激发（也称热激发）。
因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。
游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。
在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时，载流子浓度一定，且自由电子数和空穴数相等。
三、杂质半导体掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。
杂质半导体是半导体器件的基本材料。
在本征半导体中掺入五价元素（如磷），就形成N型（电子型）半导体；掺入三价元素（如硼、镓、铟等）就形成P型（空穴型）半导体。
杂质半导体的导电性能与其掺杂浓度和温度有关，掺杂浓度越大、温度越高，其导电能力越强。
1. P型半导体（空穴半导体）多数载流子是空穴形成：在本征半导体中掺三价杂质2.N型半导体（电子型半导体）多数载流子是电子形成：在本征半导体中掺五价杂质1.2 PN结的形成及特性一、 PN结的形成1、半导体中的载流子有两种有序运动：载流子在浓度差作用下的扩散运动和电场作用下的漂移运动。
同一块半导体单晶上形成P型和N型半导体区域，在这两个区域的交界处，当多子扩散与少子漂移达到动态平衡时，空间电荷区（亦称为耗尽层或势垒区）的宽度基本上稳定下来，PN结就形成了。
《电子技术基础》正式教案设计(1)
实用标准电子技术基础教案§1-1 半导体的基础知识目的与要求1. 了解半导体的导电本质，2. 理解N型半导体和P型半导体的概念3. 掌握PN结的单向导电性重点与难点重点1.N型半导体和P型半导体2. PN结的单向导电性难点1.半导体的导电本质2.PN结的形成教学方法讲授法,列举法,启发法教具二极管,三角尺小结半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。
载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。
在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。
多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压时处于截止状态。
布置作业1.什么叫N型半导体和P型半导体第一章常用半导体器件§1-1 半导体的基础知识自然界中的物质，按其导电能力可分为三大类：导体、半导体和绝缘体。
半导体的特点：①热敏性②光敏性③掺杂性导体和绝缘体的导电原理：了解简介。
一、半导体的导电特性半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅(Si)、锗(Ge)。
硅和锗是4价元素，原子的最外层轨道上有4个价电子。
1．热激发产生自由电子和空穴每个原子周围有四个相邻的原子，原子之间通过共价键紧密结合在一起。
两个相邻原子共用一对电子。
室温下，由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位这个空位称为空穴。
失去价电子的原子成为正离子，就好象空穴带正电荷一样。
在电子技术中，将空穴看成带正电荷的载流子。
2．空穴的运动（与自由电子的运动不同）有了空穴，邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个空穴，这样空穴便转移到邻近共价键中。
新的空穴又会被邻近的价电子填补。
带负电荷的价电子依次填补空穴的运动，从效果上看，相当于带正电荷的空穴作相反方向的运动。
3.结论（1）半导体中存在两种载流子，一种是带负电的自由电子，另一种是带正电的空穴，它们都可以运载电荷形成电流。
半导体的基本知识教案
半导体的基本知识教案第一篇：半导体的基本知识教案电工电子技术教案第一章半导体二极管§1-1 教学目的：1、了解半导体导电性及特点。
2、初步掌握PN结的基本特性及非线性的实质。
3、熟悉二极管外形和电路符号，伏安特性和主要参数。
4、了解特殊功能的二极管及应用。
半导体的基本知识教学重点、难点：教学重点：1）半导体导电性及特点。
2）PN结的基本特性及非线性的实质3）二极管外形和电路符号，伏安特性和主要参数。
教学难点：二极管外形和电路符号，伏安特性和主要参数一、半导体的基本概念人们按照物质导电性能，通常将各种材料分为导体、绝缘体和半导体三大类。
导电性能良好的物质称为导体，例如金、银、铜、铝等金属材料。
另一类是几乎不导电的物质称为绝缘体，例如陶瓷、橡胶、塑料等材料。
再一类是导电性能介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体，例如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓等都是半导体。
纯净半导体也叫本征半导体，这种半导体只含有一种原子，且原子按一定规律整齐排列。
如常用半导体材料硅（Si）和锗（Ge）。
在常温下，其导电能力很弱；在环境温度升高或有光照时，其导电能力随之增强。
常常在本征半导体中掺入杂质，其目的不单纯是为了提高半导体的导电能力，而是想通过控制杂质掺入量的多少，来控制半导体的导电能力的强弱。
在硅本征半导体中，掺入微量的五价元素(磷或砷)，就形成N型半导体。
在硅本征半导体中，掺入微量的三价元素(铟或硼)，就形成P 型半导体。
二、PN结及单向导电性1、当把一块P型半导体和一块N型半导体用特殊工艺紧密结合时，在二者的交界面上会形成一个具有特殊现象的薄 1电工电子技术教案层，这个薄层被称为PN结。
2、PN结的单向导电性1）PN结加正向电压――正向导通正极接Ｐ区，负极接Ｎ区，称“正向偏置”或正偏。
２）PN结加反向电压――反向截止电源负极接Ｐ区，正极接Ｎ区，称“反向电压”或反偏。
ＰＮ结加正向电压导通，加反向电压截止，即ＰＮ结的――单向导电性§1-２一、二极管的结构、符号和分类 1.二极管的结构、符号半导体二极管晶体二极管是由一个PN结构成的，从P区引出的电极为二极管正极，N区引出的电极为二极管负极，用管壳封装起来即成二极管。
「半导体的基本知识教学设计」
「半导体的基本知识教学设计」教学目标：1.理解什么是半导体及其特性；2.掌握半导体的基本结构和工作原理；3.了解常见的半导体器件及其应用。
教学内容：一、半导体的定义和特性（200字）1.什么是半导体：介于导体和绝缘体之间的材料，具有导电能力，但电阻较高；2.半导体的特性：电阻随温度变化、存在电子和空穴两种载流子、能带结构。
二、半导体的基本结构和掺杂（300字）1.半导体材料的基本结构：原子结构和晶体结构；2.半导体的掺杂：掺入外来原子改变半导体晶体的导电性，区分P型和N型半导体。
三、PN结的形成和工作原理（300字）1.PN结的形成：将P型半导体和N型半导体结合形成的二极管结构；2.PN结的工作原理：电子从N区流向P区，空穴从P区流向N区，形成正向偏置和反向偏置模式。
四、常见的半导体器件及其应用（400字）1.二极管：用于整流、开关和信号检测等电路；2.晶体管：用于放大、开关和振荡等电路；3.MOSFET：用于功率放大和开关电路，广泛应用于数字电子技术；4.LED：发光二极管，用于指示灯、显示屏和照明等。
教学方法：1.课堂讲授：通过讲解理论知识，使学生了解半导体的基本概念和特性。
2.实验演示：展示半导体器件的基本原理和工作特点，让学生亲身体验半导体器件的使用。
3.讨论小组活动：组织学生分小组讨论，比较不同半导体器件的特点和应用。
教学过程：1.开篇导入（5分钟）：介绍半导体的概念和特性，引发学生对半导体的兴趣。
2.理论讲解（30分钟）：详细讲解半导体的基本知识，包括定义、特性、基本结构和掺杂等。
3.实验演示（30分钟）：展示二极管和晶体管的实验，让学生观察器件的工作现象并进行验证。
4.小组讨论（20分钟）：分小组讨论不同半导体器件的特点和应用，并分享给全班。
5.深化拓展（15分钟）：介绍MOSFET和LED等常见半导体器件及其应用，鼓励学生自主学习和探索。
6.总结回顾（10分钟）：对本节课的重点内容进行总结，并强调学生需要进一步学习和掌握的知识点。
半导体的奇妙特性教学设计
半导体的奇妙特性教学设计教学内容单相半波整流电路任课教师课程类型理实一体化授课班级教学学时1学时教学单元二极管及其应用教学章节1.1.1半导体的奇妙特性教材内容分析本节内容是中等职业教育规划教材《电子技术基础与技能》中1.1.1半导体的奇妙特性，包含了重要的概念，承载着激发学习兴趣重要使命。
本节课的重点和难点是N型、P型半导体的导电特性。
这节课与之前学过的《电工基础》以及后继内容的联系非常紧密，电阻、万用表的使用、电烙铁的使用都是这节课的基础，而这节课的学习又为后继二极管单向导电性及“三极管及放大电路基础”打下良好的基础。
在疫情防控中广泛使用的“安检测温门”、“测温枪”，走廊、过到中使用的声光控节能灯都是半导体特性的具体应用。
学情分析（含情感分析、思政导入）学生在生活中接触过金属导线、橡胶等物质，对导体和绝缘体有所的认识，能辨识常见的导体和绝缘体材料。
通过之前的学习，学生已初步掌握了基本的电学知识，对导体存在电阻的认识并不陌生，这对学生即将学习的半导体性质（热敏性、光敏性）作了很好铺垫。
在初中学生学习过原子的结构组成，知道了化合价的概念，这些知识，为在本节课中学习的P型、N型半导体，垫定了良好的基础。
学生已经具备了一定的实验能力、观察能力、归纳概括能力、逻辑思维能力，但分析能力还不强，但自学能力较差。
学生正处在16、17岁的年龄阶段，好奇心较强，兴趣不太稳定，逻辑思维和抽象思维正在日益发展中，在知识学上仍需要借助感性材料的支持，学生对实验有着浓厚的兴趣，乐于动手与探究，但从微观角度去分析、认识的能力不足。
本节课是出现的陌生名词会给学生带来一些学习上的障碍；由于现行的初中课本中以经删除了共价键的内容，将影响学生理解N型、P型半导体的导电特性。
教学目标知识目标1、知道半导体的特性——光敏性、热敏性、掺杂性；2、在教师的指导下，学习利用互联网查找有用信息；3、初步学习对实验的观察、分析和判断，并提高相应能力。
半导体的基础知识教案
半导体的基础知识教案第一章：半导体概述1.1 半导体的定义与特性解释半导体的概念介绍半导体的物理特性讨论半导体的重要参数1.2 半导体的分类与制备说明半导体材料的分类探讨半导体材料的制备方法分析半导体器件的制备过程第二章：PN结与二极管2.1 PN结的形成与特性解释PN结的概念与形成过程探讨PN结的特性分析PN结的应用领域2.2 二极管的结构与工作原理介绍二极管的结构解释二极管的工作原理探讨二极管的主要参数与规格第三章：双极型晶体管（BJT）3.1 BJT的结构与分类解释BJT的概念介绍BJT的结构与分类分析BJT的运作原理3.2 BJT的特性与参数探讨BJT的输入输出特性讨论BJT的主要参数与规格分析BJT的应用领域第四章：场效应晶体管（FET）4.1 FET的结构与分类解释FET的概念介绍FET的结构与分类分析FET的运作原理4.2 FET的特性与参数探讨FET的输入输出特性讨论FET的主要参数与规格分析FET的应用领域第五章：半导体器件的应用5.1 半导体二极管的应用介绍半导体二极管的应用领域分析二极管在不同电路中的应用实例5.2 半导体晶体管的应用解释半导体晶体管在不同电路中的应用探讨晶体管在不同电子设备中的应用实例5.3 半导体集成电路的应用介绍半导体集成电路的概念分析集成电路在不同电子设备中的应用实例第六章：半导体存储器6.1 存储器概述解释存储器的作用与分类探讨半导体存储器的发展历程分析存储器的主要参数6.2 RAM与ROM介绍RAM（随机存取存储器）的原理与应用解释ROM（只读存储器）的原理与应用分析RAM与ROM的区别与联系6.3 闪存与固态硬盘探讨闪存（NAND/NOR）的原理与应用介绍固态硬盘（SSD）的结构与工作原理分析固态硬盘的优势与挑战第七章：太阳能电池与光电子器件7.1 太阳能电池解释太阳能电池的原理与分类探讨太阳能电池的优缺点分析太阳能电池的应用领域7.2 光电子器件解释光电子器件的分类与应用探讨光电子器件的发展趋势第八章：半导体传感器8.1 传感器的基本概念解释传感器的作用与分类探讨传感器的基本原理分析传感器的主要参数8.2 常见半导体传感器介绍常见的半导体传感器类型解释半导体传感器的原理与应用分析半导体传感器的优势与挑战8.3 传感器在物联网中的应用探讨物联网与传感器的关系介绍传感器在物联网应用中的实例分析物联网传感器的发展趋势第九章：半导体激光器与光通信9.1 半导体激光器解释半导体激光器的工作原理探讨半导体激光器的特性与参数分析半导体激光器的应用领域9.2 光通信原理解释光纤通信与无线光通信的区别探讨光通信系统的组成与工作原理9.3 光通信器件与技术介绍光通信器件的类型与功能解释光通信技术的分类与发展趋势分析光通信在现代通信系统中的应用第十章：半导体技术与未来趋势10.1 摩尔定律与半导体技术发展解释摩尔定律的概念与意义探讨摩尔定律对半导体技术发展的影响分析半导体技术的未来发展趋势10.2 纳米技术与半导体器件介绍纳米技术在半导体器件中的应用解释纳米半导体器件的特性与优势探讨纳米半导体器件的未来发展趋势10.3 新兴半导体技术与应用分析新兴半导体技术的种类与应用领域探讨量子计算、生物半导体等未来技术的发展前景预测半导体技术与产业的未来发展趋势重点和难点解析重点环节一：半导体的定义与特性重点环节二：半导体的分类与制备重点环节三：PN结与二极管重点环节四：双极型晶体管（BJT）重点环节五：场效应晶体管（FET）重点环节六：半导体存储器重点环节七：太阳能电池与光电子器件重点环节八：半导体传感器重点环节九：半导体激光器与光通信重点环节十：半导体技术与未来趋势全文总结和概括：本文主要对半导体的基础知识进行了深入的解析，包括半导体材料的分类与特性、半导体的制备方法、PN结与二极管、双极型晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）、半导体存储器、太阳能电池与光电子器件、半导体传感器、半导体激光器与光通信以及半导体技术与未来趋势等内容进行了详细的阐述。
半导体基础知识教案
半导体基础知识教案教案：半导体基础知识一、教学目标1.了解半导体的基本概念和特性。
2.认识半导体器件的分类和特点。
3.理解PN结的形成原理。
4.掌握半导体材料的基本性质和载流子的性质。
5.能够解释N型和P型半导体的形成过程及其特点。
二、教学重点1.半导体的基本概念和特性。
2.PN结的形成原理和性质。
三、教学难点1.半导体材料的基本性质和载流子的性质。
2.N型和P型半导体的形成过程及其特点。
四、教学过程1.导入（10分钟）通过展示一些常见的电子器件，引导学生思考半导体在电子器件中的作用，并提出相关问题。
2.讲解半导体的基本概念和特性（30分钟）（1）什么是半导体？（2）半导体的特性：导电性介于导体和绝缘体之间，自由载流子密度较低，导电性可通过控制去控制。
（3）半导体的晶体结构：满足共价键结构，可分为三维晶体和二维薄膜。
3.讲解PN结的形成原理和性质（40分钟）（1）PN结的形成原理：在P型和N型半导体相接触时，P型区域的空穴会向N型区域扩散，而N型区域的电子会向P型区域扩散，从而形成PN结。
（2）PN结的特性：具有整流作用，在正向偏置时导通，在反向偏置时截止。
4.讲解半导体材料的基本性质和载流子的性质（40分钟）（1）半导体材料的基本性质：硅和锗是常见的半导体材料，它们的常见性质包括禁带宽度和载流子浓度等。
（2）载流子的性质：包括载流子类型、载流子浓度和载流子迁移率等。
5.解释N型和P型半导体的形成过程及其特点（40分钟）（1）N型半导体的形成：掺杂少量的五价元素，如砷、锑等，形成多余电子，增加了电子浓度，形成N型半导体。
（2）N型半导体的特点：导电性主要由电子提供，因此电子迁移到P 型区域发挥导电作用。
（3）P型半导体的形成：掺杂少量的三价元素，如硼、铝等，形成多余空穴，增加了空穴浓度，形成P型半导体。
（4）P型半导体的特点：导电性主要由空穴提供，空穴迁移到N型区域发挥导电作用。
6.总结与讨论（20分钟）总结半导体的基本概念、特性以及PN结的形成原理和性质。
半导体器件物理教案课件
半导体器件物理教案课件PPT第一章：半导体物理基础知识1.1 半导体的基本概念介绍半导体的定义、特点和分类解释n型和p型半导体的概念1.2 能带理论介绍能带的概念和能带结构解释导带和价带的概念讲解半导体的导电机制第二章：半导体材料与制备2.1 半导体材料介绍常见的半导体材料，如硅、锗、砷化镓等解释半导体材料的制备方法，如拉晶、外延等2.2 半导体器件的制备工艺介绍半导体器件的制备工艺，如掺杂、氧化、光刻等解释各种制备工艺的作用和重要性第三章：半导体器件的基本原理3.1 晶体管的基本原理介绍晶体管的结构和工作原理解释n型和p型晶体管的概念讲解晶体管的导电特性3.2 半导体二极管的基本原理介绍半导体二极管的结构和工作原理解释PN结的概念和特性讲解二极管的导电特性第四章：半导体器件的特性与测量4.1 晶体管的特性介绍晶体管的主要参数，如电流放大倍数、截止电流等解释晶体管的转移特性、输出特性和开关特性4.2 半导体二极管的特性介绍半导体二极管的主要参数，如正向压降、反向漏电流等解释二极管的伏安特性、温度特性和频率特性第五章：半导体器件的应用5.1 晶体管的应用介绍晶体管在放大电路、开关电路和模拟电路中的应用解释晶体管在不同应用电路中的作用和性能要求5.2 半导体二极管的应用介绍半导体二极管在整流电路、滤波电路和稳压电路中的应用解释二极管在不同应用电路中的作用和性能要求第六章：场效应晶体管（FET）6.1 FET的基本结构和工作原理介绍FET的结构类型，包括MOSFET、JFET等解释FET的工作原理和导电机制讲解FET的输入阻抗和输出阻抗6.2 FET的特性介绍FET的主要参数，如饱和电流、跨导、漏极电流等解释FET的转移特性、输出特性和开关特性分析FET的静态和动态特性第七章：双极型晶体管（BJT）7.1 BJT的基本结构和工作原理介绍BJT的结构类型，包括NPN型和PNP型解释BJT的工作原理和导电机制讲解BJT的输入阻抗和输出阻抗7.2 BJT的特性介绍BJT的主要参数，如放大倍数、截止电流、饱和电流等解释BJT的转移特性、输出特性和开关特性分析BJT的静态和动态特性第八章：半导体存储器8.1 动态随机存储器（DRAM）介绍DRAM的基本结构和工作原理解释DRAM的存储原理和读写过程分析DRAM的性能特点和应用领域8.2 静态随机存储器（SRAM）介绍SRAM的基本结构和工作原理解释SRAM的存储原理和读写过程分析SRAM的性能特点和应用领域第九章：半导体集成电路9.1 集成电路的基本概念介绍集成电路的定义、分类和特点解释集成电路的制造工艺和封装方式9.2 集成电路的设计与应用介绍集成电路的设计方法和流程分析集成电路在电子设备中的应用和性能要求第十章：半导体器件的测试与故障诊断10.1 半导体器件的测试方法介绍半导体器件测试的基本原理和方法解释半导体器件测试仪器和测试电路10.2 半导体器件的故障诊断介绍半导体器件故障的类型和原因讲解半导体器件故障诊断的方法和步骤第十一章：功率半导体器件11.1 功率二极管和晶闸管介绍功率二极管和晶闸管的结构、原理和特性分析功率二极管和晶闸管在电力电子设备中的应用11.2 功率MOSFET和IGBT介绍功率MOSFET和IGBT的结构、原理和特性分析功率MOSFET和IGBT在电力电子设备中的应用第十二章：光电器件12.1 光电二极管和太阳能电池介绍光电二极管和太阳能电池的结构、原理和特性分析光电二极管和太阳能电池在光电子设备中的应用12.2 光电晶体管和光开关介绍光电晶体管和光开关的结构、原理和特性分析光电晶体管和光开关在光电子设备中的应用第十三章：半导体传感器13.1 温度传感器和压力传感器介绍温度传感器和压力传感器的结构、原理和特性分析温度传感器和压力传感器在电子测量中的应用13.2 光传感器和磁传感器介绍光传感器和磁传感器的结构、原理和特性分析光传感器和磁传感器在电子测量中的应用第十四章：半导体器件的可靠性14.1 半导体器件的可靠性基本概念介绍半导体器件可靠性的定义、指标和分类解释半导体器件可靠性的重要性14.2 半导体器件可靠性的影响因素分析半导体器件可靠性受材料、工艺、封装等因素的影响14.3 提高半导体器件可靠性的方法介绍提高半导体器件可靠性的设计和工艺措施第十五章：半导体器件的发展趋势15.1 纳米晶体管和新型存储器介绍纳米晶体管和新型存储器的研究进展和应用前景15.2 新型半导体材料和器件介绍石墨烯、碳纳米管等新型半导体材料和器件的研究进展和应用前景15.3 半导体器件技术的未来发展趋势分析半导体器件技术的未来发展趋势和挑战重点和难点解析重点：1. 半导体的基本概念、分类和特点。
《半导体的基本知识》教学设计
《电子技术基础》1-1半导体的基本知识教学设计1教学重点1．半导体的导电特性；2．两种杂质半导体的形成、特点。
教学难点 1. PN结的形成及其特点。
教学资源及手段多媒体课件；智慧树平台；YN智慧校园；钉钉；智慧黑板以及彩色粉笔。
教学方法讲授法；提问法；练习法；演示法；讨论法；自主学习法。
教学环节教学内容及过程课前教学内容教师活动学生活动设计意图1.通过智慧树平台，让学生利用微课视频提前预习教学内容；2.通过钉钉线上布置任务，让学生明确学习任务；3.通过钉钉线上提交课前预习情况及时调整课堂教学内容；4.准备电子课件、电子教案；课前，教师通过钉钉平台家校本功能发布预习任务；根据学生提交的课前学习任务完成情况，适时调整教学内容。
查看钉钉课前预习任务并按时提交，“智慧树”平台观看电子技术概述微课视频。
提升学生学习电子技术这门技术的兴趣，把握学生预习情况。
中复习旧知(2min) 准备上课：用YN智慧校园点名功能，进行签到；上次课内容的回顾本节课是电子技术基础的第一节课，可以直接新课导入，通过多媒体播放图片、实物展示等让学生在直观上感知电子技术的魅力，激发学生学习的好奇心。
把全班学生进行分组，对每个小组课前预习情况及完成率进行总结，并计入课堂考核。
教师提问，电子技术这门课的初步印象。
（提问法）分小组回答老师提出的问题，并互相评价每个小组回答的是否准确。
（讨论法）让学生对本门课程产生兴趣和认知2新课导入(5min)多媒体播放图片、微视频演示、实物观察让学生在直观上感知学习任务，激发学生学习的好奇心和求知欲。
YN智慧校园点名；视频演示、电路板实物演示。
(演示法)学生在YN智慧校园APP完成本节课考勤；观看视频、观察电路板的组成。
提高学生课堂注意力，激发学生学习兴趣。
新课讲解(32min)一、概述(5min)1.半导体（semiconductor）指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。
常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。
物理半导体教案设计
一、教案设计概述1. 教学目标：(1) 让学生了解半导体的基本概念及其在生活中的应用。
(2) 让学生掌握半导体的导电性能及其影响因素。
(3) 培养学生动手实验、观察、分析问题的能力。
2. 教学内容：(1) 半导体的概念及其分类。
(2) 半导体的导电性能及其影响因素。
(3) 半导体在生活中的应用实例。
(4) 简单半导体器件的工作原理。
3. 教学方法：(1) 采用讲授法讲解半导体的基本概念、分类及其导电性能。
(2) 采用实验法让学生观察半导体导电性能的变化。
(3) 采用案例分析法分析半导体在生活中的应用实例。
(4) 采用小组讨论法让学生探讨简单半导体器件的工作原理。
二、教学准备1. 教材：半导体物理教程。
2. 实验器材：半导体器件、导线、电源、灯泡等。
3. 课件：半导体物理性质、应用实例、器件工作原理等。
三、教学过程1. 导入：通过展示半导体器件在生活中应用的图片，引发学生对半导体的好奇心，激发学习兴趣。
2. 讲解：(1) 讲解半导体的基本概念及其分类。
(2) 讲解半导体的导电性能及其影响因素。
(3) 讲解半导体在生活中应用的实例。
3. 实验：让学生动手进行半导体导电性能实验，观察并记录实验现象。
4. 总结：对半导体的基本概念、导电性能及其应用进行总结。
四、作业布置1. 复习半导体物理性质及其导电性能。
2. 分析生活中的半导体应用实例。
五、教学反思本节课通过讲解、实验、总结的形式，使学生了解了半导体的基本概念、导电性能及其应用。
在教学过程中，要注意引导学生观察实验现象，培养学生的动手实验能力。
通过案例分析法让学生了解半导体在生活中的应用，提高学生的学习兴趣。
在下一节课中，将继续讲解半导体器件的工作原理，培养学生分析问题的能力。
六、教学拓展1. 讲解半导体器件的工作原理。
(1) 讲解二极管、三极管等基本半导体器件的工作原理。
(2) 分析半导体器件在电子电路中的应用。
2. 案例分析：分析半导体器件在现代通信、计算机、家用电器等领域的应用实例。
半导体的基本知识
1-1半导体的基本知识课 题：半导体基本知识教学目的、要求：1、了解半导体的导电特性； 2、掌握PN 结及其单向导电性。
教学重点、难点：1、PN 结形成的过程；（难点） 2、PN 结的单向导电性。
（重点） 授 课 方 法：多媒体课件讲授，提纲及重点板书。
授 课 提 纲：教 学 内 容： 组织教学准备教学材料，清点学生人数。
（课前2分钟） 引入新课半导体器件是用半导体材料制成的电子器件。
常用的半导体器件有二极管、三极管、场效应晶体管等。
半导体器件是构成各种电子电路最基本的元件。
从本节课开始，我们先从半导体的基本知识开始，介绍常用的半导体器件。
要求大家本征半导体的特点，掌握PN 结的形成及单向导电性。
（2分钟） 进入新课第一章 常用半导体器件§1-1 半导体的基本知识【板书】一、什么是半导体【板书】1、物质按导电能力的分类【标题板书+内容多媒体】（8分钟）自然界中的物质按其导电能力可以分为三大类：导体、绝缘体和半导体。
物质的导电特性取决于原子结构。
⑴导体：一般为低价元素，如铜、铁、铝等金属，其最外层电子受原子核的束缚力很小，因而极易挣脱原子核的束缚成为自由电子。
因此在外电场作用下，这些电子产生定向移动形成电流，呈现出较好的导电特性。
⑵绝缘体：高价元素（如惰性气体）和高分子物质（如橡胶，塑料）最外层电子受原子核的束缚力很强，极不易摆脱原子核的束缚成为自由电子，所以其导电性极差, 可作为绝缘材料。
⑶半导体：半导体材料最外层电子既不像导体那样极易摆脱原子核的束缚,成为自由电子,也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧,因此，半导体的导电特性介于二者之间。
半导体有硅（Si）、锗（Ge）和砷化镓（GaAs）及金属的氧化物和硫化物。
最常用的是硅和锗。
2、半导体的特点【标题板书+内容多媒体】（5分钟）半导体之所以被用来制造电子元器件，不是在于它的导电能力处于导体与绝缘体之间，而是由于它的导电能力在外界某种因素作用下发生显著的变化，这种特点表现如下：⑴半导体的电导率可以因为加入杂质而发生显著的变化。
中等职业学校半导体专业教学指导方案公开课教案教学设计课件资料
中等职业学校半导体专业教学指导方案公开课教案教学设计课件资料第一章：半导体基础知识1.1 半导体材料的特性介绍半导体材料的种类（硅、锗等）解释半导体的电导特性及其原因讨论半导体的能带结构1.2 半导体器件的基本原理介绍PN结的形成及特性解释二极管、晶体管等半导体器件的工作原理探讨半导体器件的应用领域第二章：半导体器件的制造工艺2.1 晶圆制造工艺介绍晶圆的生长、切割和抛光过程解释光刻、蚀刻等基本工艺步骤探讨晶圆制造中的质量控制和成本效益2.2 半导体器件的结构与制造分析不同类型半导体器件的结构特点讨论半导体器件的制造工艺流程探讨半导体器件制造中的关键技术问题和解决方案第三章：半导体集成电路3.1 集成电路的基本概念介绍集成电路的分类（模拟、数字、混合信号等）解释集成电路的优点及其在电子技术中的应用探讨集成电路的发展趋势3.2 集成电路的制造工艺分析集成电路的制造工艺流程讨论集成电路制造中的关键工艺步骤和技术难题探讨集成电路制造的挑战和发展方向第四章：半导体材料与器件的测试4.1 半导体材料测试介绍半导体材料的电学、光学和结构性质测试方法分析半导体材料测试中的关键参数及其意义探讨半导体材料测试的实验操作技巧4.2 半导体器件测试分析半导体器件的电学性能测试方法讨论半导体器件测试中的关键参数及其评价标准探讨半导体器件测试的实验操作技巧和测试设备的选择第五章：半导体应用技术5.1 半导体器件在电子设备中的应用分析半导体器件在各种电子设备中的应用实例讨论半导体器件在电子设备中的性能优势及其作用探讨半导体器件在新型电子设备中的应用前景5.2 半导体集成电路在电子产品中的应用介绍半导体集成电路在各种电子产品中的应用实例分析半导体集成电路在电子产品中的性能优势及其作用探讨半导体集成电路在新型电子产品中的应用前景第六章：半导体器件的应用与设计6.1 半导体二极管的应用与设计介绍二极管的特性及应用领域学习二极管的基本电路及其应用电路设计探讨二极管在现代电子技术中的重要作用6.2 半导体晶体管的应用与设计解释晶体管的工作原理及其特性学习晶体管的基本电路及其应用电路设计探讨晶体管在现代电子技术中的重要作用第七章：半导体集成电路设计7.1 模拟集成电路设计介绍模拟集成电路的基本概念及其设计流程学习模拟集成电路中的关键模块设计探讨模拟集成电路在现代电子技术中的应用7.2 数字集成电路设计介绍数字集成电路的基本概念及其设计流程学习数字集成电路中的关键模块设计探讨数字集成电路在现代电子技术中的应用第八章：半导体器件的封装与组装8.1 半导体器件的封装介绍半导体器件封装的基本概念及其类型学习封装技术的发展及其在半导体器件中的应用探讨封装技术在半导体器件性能提升中的作用8.2 半导体器件的组装介绍半导体器件组装的基本概念及其流程学习半导体器件组装技术及其应用探讨组装技术在半导体器件性能提升中的作用第九章：半导体技术的未来发展9.1 新型半导体材料的研究与发展介绍新型半导体材料的研究现状及其发展前景学习新型半导体材料在电子技术中的应用探讨新型半导体材料对电子技术发展的影响9.2 半导体器件技术的创新与发展介绍半导体器件技术的创新及其发展前景学习半导体器件技术在电子技术中的应用探讨半导体器件技术对电子技术发展的影响第十章：半导体产业的现状与发展趋势10.1 半导体产业的现状分析全球半导体产业的分布及其竞争格局学习我国半导体产业的发展现状及其挑战探讨半导体产业的发展策略及其政策环境10.2 半导体产业的发展趋势分析半导体产业的发展趋势及其影响因素学习半导体产业的技术发展趋势探讨半导体产业在未来的发展方向及其机遇重点和难点解析一、半导体基础知识重点和难点解析：半导体的电导特性及其原因，能带结构的理解。
物理半导体教案设计
物理半导体教案设计一、教学目标1. 让学生了解半导体的基本概念，理解半导体材料的性质和特点。
2. 让学生掌握半导体器件的基本原理和应用，包括二极管、三极管等。
3. 培养学生运用物理知识解决实际问题的能力，提高学生的科学素养。
二、教学内容1. 半导体材料的性质和特点2. 半导体器件的基本原理和应用3. 二极管的特性曲线和应用4. 三极管的特性曲线和应用5. 半导体器件在现代科技领域的应用三、教学重点与难点1. 教学重点：半导体材料的性质和特点，半导体器件的基本原理和应用。
2. 教学难点：二极管、三极管的特性曲线分析及其应用。
四、教学方法1. 采用问题驱动的教学方法，引导学生主动探究半导体材料的性质和特点。
2. 利用多媒体课件，直观展示半导体器件的工作原理和应用实例。
3. 结合实际案例，培养学生运用物理知识解决实际问题的能力。
4. 开展小组讨论和课堂互动，激发学生的学习兴趣和积极性。
五、教学过程1. 导入：通过展示半导体器件在日常生活中的应用实例，引发学生对半导体材料的兴趣。
2. 半导体材料的性质和特点：介绍半导体的定义、分类及导电性能，分析半导体材料的特殊性质。
3. 半导体器件的基本原理：讲解二极管、三极管的工作原理，阐述其导电性能。
4. 半导体器件的应用：举例说明二极管、三极管在电子设备中的常见应用。
5. 课堂小结：回顾本节课所学内容，强调半导体材料和器件的重要性。
6. 课后作业：布置相关练习题，巩固学生对半导体知识的理解。
六、教学评价1. 课后作业：评估学生对半导体材料和器件基本原理的理解程度。
2. 小组讨论：观察学生在小组内的合作情况和问题解决能力。
3. 课堂问答：检查学生对课堂讲解内容的理解和掌握情况。
4. 期中期末考试：全面测试学生对半导体知识的掌握和应用能力。
七、教学资源1. 多媒体课件：提供清晰的半导体器件原理图和应用实例。
2. 实验器材：准备一些简单的半导体器件，如二极管、三极管，供学生观察和实验。
中职电子技术教案
项目一半导体的基础知识一、半导体:1、半导体的导电性介于导体与绝缘体之间。
2、导体:3、绝缘体二、本征半导体1、本征半导体:纯净晶体结构的半导体我们称之为本征半导体。
常用的半导体材料有:硅与锗。
它们都就是四价元素,原子结构的最外层轨道上有四个价电子,当把硅或锗制成晶体时,它们就是靠共价键的作用而紧密联系在一起。
2、空穴:共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量,从而摆脱共价键的约束成为自由电子,同时在共价键上留下空位,我们称这些空位为空穴,它带正电。
3、空穴电流: 在外电场作用下,自由电子产生定向移动,形成电子电流;同时价电子也按一定的方向一次填补空穴,从而使空穴产生定向移动,形成空穴电流。
在晶体中存在两种载流子,即带负电自由电子与带正电空穴,它们就是成对出现的。
三:杂质半导体1、杂质半导体:在本征半导体中两种载流子的浓度很低,因此导电性很差。
我们向晶体中有控制的掺入特定的杂质来改变它的导电性,这种半导体被称为杂质半导体。
1)、N型半导体在本征半导体中,掺入5价元素,使晶体中某些原子被杂质原子所代替,因为杂质原子最外层有5个价电子,它与周围原子形成共价键后,还多余一个自由电子,因此使其中的空穴的浓度远小于自由电子的浓度。
但就是,电子的浓度与空穴的浓度的乘积就是一个常数,与掺杂无关。
在N型半导体中自由电子就是多数载流子,空穴就是少数载流子。
2)、P型半导体在本征半导体中,掺入3价元素,晶体中的某些原子被杂质原子代替,但就是杂质原子的最外层只有3个价电子,它与周围的原子形成共价键后,还多余一个空穴,因此使其中的空穴浓度远大于自由电子的浓度。
在P型半导体中,自由电子就是少数载流子,空穴使多数载流子。
四、PN结一、PN结基础知识1、 PN结:我们通过现代工艺,把一块本征半导体的一边形成P型半导体,另一边形成N型半导体,于就是这两种半导体的交界处就形成了P—N结,它就是构成其它半导体的基础,我们要掌握好它的特性！2:异形半导体接触现象1) 扩散运动:在形成的P—N结中,由于两侧的电子与空穴的浓度相差很大,因此它们会产生扩散运动(高浓度向低浓度扩散):电子从N区向P区扩散;空穴从P去向N区扩散。
半导体器件的基础知识微课教学设计
课 题半导体器件的基础知识课 型新课授课班级班授课时数1教学目标【知识和技能目标】1、掌握常用半导体的类型和导电特性2、理解本征半导体、P型半导体、N型半导体的特点【过程和方法目标】1、通过知识的讲解剖析，提高学生的抽象思维能力【情感态度和价值观目标】1、在本征半导体的讲解中，通过比喻呼吁学生提高学习的自觉性教学重点1、半导体材料的类型和导电特性2、半导体的光敏性、热敏性和掺杂性3、本征半导体和杂质半导体教学难点1、半导体的掺杂相关知识2、杂质半导体的多子与少子学情分析职高的部分学生基础薄弱，对知识的接受能力差，在知识的讲解过程中要注意把抽象的知识具体化，通过联系实际生活和举例子打比方的方式加深学生对知识的理解。
教学方法讲授法、问答法、自主学习法、讨论法教学效果4.本征半导体的结构：（通过将本征半导体比作教室，自由电子比作教室的学生，空穴比作教室的座位来加深学生对本征半导体的理解）5.本征半导体的导电原理由于光照或温度，引起分子热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子，自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，自由电子和空穴的定向移动形成电流。
（通过学生下课，学生的活动和座位的空缺来解释分子热运动，生动形象）6.P型半导体和N型半导体在本征半导体中掺入五价元素（如磷P），自由电子的浓度大于空穴的浓度，称自由电子为多数载流子（简称多子），空穴为少数载流子（简称少子），形成电子型半导体，即N 型半导体。
在本征半导体中掺入三价元素（如硼B），空穴为多子，电子为少子，形成空穴型半导体，即P型半导体。
课堂练习小结1、半导体的定义2、本征半导体的定义以及结构3、本征半导体的导电原理4、P型半导体和N型半导体的形成及特点布置作业。
半导体的基本知识
3、N型和P型半导体
（1）N型半导体：电子型
在本征半导体中掺入五价杂质原子，例如掺入磷原子，可形成N型半导体。
多数载流子自由电子,少数载流子空穴。
（2）P型半导体：空穴型
在本征半导体中掺入三价杂质原子，如硼等形成了P型半导体。
相对导体及绝缘体，半导体元件的导电原理学生是难以理解的，故半导体元件的导电原理是本章难点。
教材处理思路
这两节课是电子技术基础科目里的的重要章节，半导体的导电原理及PN结的单向导电性是电子技术的基本内容，只有理解相关原理，才能掌握电子电路正确的分析设计方法。
技校学生，他们普遍对学习欠缺主动性，所以教师必须用各种方法激发其兴趣，吸引其注意力。而这两节课采用多种教学方法，让学生成为课堂的主角，通过对教学内容的分解，同时培养学生的竞争意识，预计能收到良好的教学效果。
多数载流子自由电子,少数载流子空穴。
由上述分析我们得出：杂质半导体内部有两种载流子(自由电子、空穴)参与导电。当杂质半导体加上电场时，两种载流子产生定向运动共同形成半导体中的电流。主要靠自由电子导电的杂质半导体是N型半导体，主要靠空穴导电的杂质半导体是P型半导体。
二、PN结及其单向导电性、
1、PN结的形成
P9 1.2.
引导法。指导学生分组讨论，点名回答，教师针对性的补充说明，设下悬念，提高学生对本堂课的兴趣。
讲授法。
难点化解方法：
由物理现象开始，引导学生明确区分电子载流子和空穴载流子的差别，从而深入理解半导体导电的方式。
提问：半导体的分类？
总结对比法。
讲授法。
讲授法。
半导体基本知识教案
其中，大家听说过的晶体二极管、三极管，它们的制作材料就是这种半导体。目前，制造半导体器件用的最多的是硅和锗两种材料。
今天，我们主要学习半导体的相关知识。
拓展
由于从化学的角度上看，硅和锗是原子规则排列的单晶体，因此用半导体材料制成的半导体管通常也称为晶体管。
一起参与讨论
2 min
过渡
既然半导体的导电性介于导体和绝缘体之间，那么我们来看一下，半导体的特性。
而对于不同物质，其导电性是不相同的。
提问：你认为哪一类物质的导电性最好？哪一类物质的导电性最差？
学生思考
5 min
教师听取学生的回答，并做出解答。
绝缘体：最外层电子不易摆脱原子核的束缚，很难挣脱成为自由电子，因此导电性极差；
导体：一般为金属，最外层电子受到的束缚很小，极易挣脱成为自由电子，因此导电性较好；
讲解
纯净的半导体称为本征半导体，在本征半导体中，有选择地掺入少量其它元素，会使其导电性能发生显著的变化。这也就是刚才讲过的半导体的“掺杂特性”。
其中，这些加入的少量元素统称为杂质。掺பைடு நூலகம்杂质的半导体称为杂质半导体。根据掺入的杂质不同，有N型半导体和P型半导体两种。
听讲
过渡
如果将P型半导体和N型半导体结合在一起，会有什么特殊的性质呢？接下来我们就来学习第二部分内容——PN结及其性质。
本章将介绍与半导体器件有关的基础知识及半导体二极管的结构、工作原理和特性等知识。
学生可以回答自己所认识的关于半导体材料的相关内容。
2 min
板书
第一章半导体二极管
做课堂笔记
3 min
过渡
首先来学习一下半导体的基本知识。
板书
§1—1半导体的基本知识
半导体的基础知识教案
教案课程名称模拟电子技术授课教师张秀芹职称中学一级教师系部机电系教研室自动化教研室授课对象13机电13汽电学年学期2013—2011学年第1学期20XX年11月山东大王职业学院教务处三、《模拟电子技术基础》的学习任务1. 掌握常用电子元器件和组件的外特性、 基本应用。
2. 掌握基本的模拟电子单元电路及其工作原理、分析方法、应用方法。
3. 掌握模拟电子电路的基本理论、基本分析方法、基本实践技能。
4.了解简单电子系统的结构与应用，具备一定的EDA 能力。
本课程教学将结合教材,有增有减.基本内容参考前页说明.所以,建议同学做一定的课堂笔记.四、半导体的基础知识 1、导体、半导体和绝缘体（1）自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体（2）有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。
（3）另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。
一、半导体的特点半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。
比如：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。
如光敏电阻,热敏电阻 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。
可增加几十万至几百万倍。
例如在纯硅中参入百万分之一的硼后，硅的电阻率就从大约 2x103Ω•m 减小到 4x10-3Ω•m 左右. 利用这种特性就做成了各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管、场效应管及晶闸管等。
2、本征半导体现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。
（1）. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少；（2）. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电；（3）. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。
导体通过日常生活中的实例，激发学生兴趣，然后提出学习目的、要求引导学生复习化学上的微观结构和共价键的有关知识。
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教学设计(第01章01节）
PN结的形成及空间电荷区内多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说消耗尽了,因此空间电荷区又称为耗尽层。
PN结特点：
正偏导通，反偏截止，说明PN 结具有单相导电特性可分为空穴（P）型
和电子(N)型半导体
两类。
N型半导体：掺入5
价磷元素（或砷元
素）
P型半导体：掺入3
价铝元素（或硼元
素）
三、PN结的形成及
特性
PN 结的形成
在一块完整的
晶片上,通过一定的
掺杂工艺,一边形成
P型半导体,另一边
形成N型半导体。
在
交界面两侧形成一
个带异性电荷的离
子层,称为空间电荷
区,并产生内电场,
其方向是从N区指
向P区,内电场的建
立阻碍了多数载流
子的扩散运动,随着
内电场的加强,多子
的扩散运动逐步减
弱,直至停止,使交
界面形成一个稳定
的特殊的薄层,即PN
结。
因为在2. PN结
的单向导电特性
1)PN结正向偏给PN结加正向
偏置电压,即P区接电源正极,N区接
电源负极,此时称PN结为正向偏置
(简称正偏),如图1.6所示。
由于外
加电源产生的外电场的方向与PN结
产生的内电场方向相反,削弱了内电
场,使PN结变薄,有利于两区多数载
图1.6 PN结加正向电压
流子向对方扩散,形成正向电流,此
时PN结处于正向导通状态。
图1.7 PN结加反向电压
2) PN结反向偏置
给PN结加反向偏置电压,即
N区接电源正极,P区接电源负极,称
PN结反向偏置(简称反偏),如图1.7
所示。
由于外加电场与内电场的方
向一致,因而加强了内电场,使PN结
加宽,阻碍了多子的扩散运动。
在外
电场的作用下,只有少数载流子形成
的很微弱的电流,称为反向电流。
此
时PN结内几乎无电流流过，PN结处
于反向截止状态
＋
＋
＋
＋
－
－
－
－
空穴
(少数)
电子
(少数)
变厚
P N
内电场
外电场
A
I
R
R
U
＋
＋
＋
＋
＋
＋
＋
＋
－
－
－
－
－
－
－
－
＋
－
＋
＋
＋
＋
－
－
－
－
空穴
(多数)
电子
(多数)
变薄
P N
内电场
外电场
mA
＋－
I
R
U。