2.2 半导体激光器

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2微米半导体激光器

2微米半导体激光器

2微米半导体激光器激光技术是一种重要的光学技术,在科学研究、医疗、工业制造等领域都有广泛的应用。

而2微米半导体激光器作为一种新兴的激光器件,具有许多独特的特性和应用潜力。

本文将对2微米半导体激光器的原理、性能、应用以及发展前景进行探讨。

一、2微米半导体激光器的原理2微米半导体激光器是利用半导体材料的能带结构产生激光的器件。

其基本结构包括激光腔、半导体材料和光波导等。

通过注入电流,激发半导体材料中的载流子,使其发生迁移和复合过程,从而产生光子。

利用正反馈和谐振腔效应,实现光子产生和放大,最终形成激光输出。

二、2微米半导体激光器的性能2微米半导体激光器具有很多独特的性能优势。

首先,2微米波段是近红外光谱中的一个重要窗口,具有较好的透明性和低吸收特性,能够穿透水和大部分生物组织。

其次,2微米半导体激光器具有较高的发光效率和较宽的工作温度范围。

此外,它还具有紧凑结构、高光束质量和较低的热失配等优点。

三、2微米半导体激光器的应用由于其独特的性能特点,2微米半导体激光器在许多领域中都有广泛的应用。

首先,医疗领域是2微米激光器的一个重要应用领域。

2微米光具有较强的水吸收能力,能够对水分子进行高效吸收,因此在激光手术、皮肤美容、眼科治疗等方面有着广泛的应用。

其次,2微米激光器还可以应用于光通信领域,实现光信号的传输和处理。

此外,2微米激光器还可以用于材料加工、环境监测以及国防安全等领域。

四、2微米半导体激光器的发展前景随着激光技术的不断发展和应用的不断扩大,2微米半导体激光器作为一种新兴的激光器件,具有巨大的发展潜力。

目前,研究人员正在不断改进半导体材料的性能和制备工艺,提高2微米激光器的效率和可靠性。

同时,针对不同领域的应用需求,开展了一系列的研究和应用探索。

未来,随着相关技术的不断突破和应用场景的不断拓展,2微米半导体激光器有望在更多领域发挥重要作用。

总结2微米半导体激光器作为一种新兴的激光器件,在医疗、光通信、材料加工等领域有着广泛的应用前景。

半导体激光器实验报告

半导体激光器实验报告

半导体激光器实验报告摘要:本文旨在通过对半导体激光器的实验研究,探索其基本原理、结构和性能,并分析实验结果。

通过实验,我们了解了激光器的工作原理、调制和控制技术以及其应用领域。

在实验过程中,我们测量了激光器的输出功率、光谱特性和波长调制特性等参数,并对实验结果进行了分析和讨论。

1.引言半导体激光器是一种利用半导体材料作为活性介质来产生激光的器件。

由于其小尺寸、高效率和低成本等优点,半导体激光器被广泛应用于通信、光存储、医学和科学研究等领域。

本实验旨在研究不同结构和参数的半导体激光器的性能差异,并通过实验数据验证理论模型。

2.实验原理2.1 半导体激光器的基本结构半导体激光器由活性层、波导结构和光学耦合结构组成。

活性层是激光器的关键部分,其中通过注入电流来激发电子和空穴复合形成激光。

波导结构用于限制光的传播方向,并提供反射面以形成光腔。

光学耦合结构用于引导激光光束从激光器中输出。

2.2 半导体激光器的工作原理半导体激光器利用注入电流激发活性层中的电子和空穴,使其发生复合并产生激光。

通过适当选择材料和结构参数,使波导结构中的光在垂直方向形成反射,从而形成光腔。

当光经过活性层时,激发的电子和空穴产生辐射跃迁,并在激光器中形成激光。

随着光的多次反射和放大,激光逐渐增强,最终从光学耦合结构中输出。

3.实验步骤3.1 实验器材本实验使用的主要器材有半导体激光器装置、电源、光功率计、多道光谱仪等。

3.2 实验过程首先,将半导体激光器装置与电源连接,并通过电源控制激光器的注入电流。

然后,使用光功率计测量激光器的输出功率,并记录相关数据。

接下来,使用多道光谱仪测量激光器的光谱特性,并记录各个波长的输出光功率。

最后,调节激光器的注入电流,并测量波长调制特性。

完成实验后,对实验数据进行分析和讨论。

4.实验结果与分析通过实验测量,我们得到了半导体激光器的输出功率、光谱特性和波长调制特性等数据,并对其进行了分析。

实验结果显示,随着注入电流的增加,激光器的输出功率呈现出递增趋势,但当电流达到一定值后,增长速度逐渐减慢。

半导体激光器中粒子数反转的形成机制_概述及解释说明

半导体激光器中粒子数反转的形成机制_概述及解释说明

半导体激光器中粒子数反转的形成机制概述及解释说明1. 引言1.1 概述半导体激光器是一种关键的光电器件,具有广泛的应用领域,如通信、医疗和制造等。

粒子数反转作为半导体激光器实现放大和产生激光所必需的基本过程之一,在该领域中被广泛研究和应用。

本文将重点讨论半导体激光器中粒子数反转的形成机制。

1.2 文章结构本文按照以下结构进行组织:首先,我们将介绍半导体激光器的基本原理,包括光与物质交互作用、PN结和载流子注入以及积极性反转和自发辐射过程。

接下来,我们将详细分析粒子数反转的原理和机制,包括能带结构对粒子数反转影响的分析、载流子浓度控制与限制因素的讨论以及光吸收和增益特性的解释。

然后,我们将介绍形成粒子数反转所采用的实验方法和技术应用,并探讨加载实验与电流阈值之间存在关系的证明、束缚态材料在半导体激光器中的应用研究进展以及温度对粒子数反转效果的影响研究。

最后,我们将总结文章涵盖的主要观点和论述内容,并展望半导体激光器中粒子数反转机制的未来发展方向和可能的应用领域。

1.3 目的本文旨在提供关于半导体激光器中粒子数反转形成机制的综合概述,并解释说明相关原理和机制。

通过深入探讨这一课题,有助于增进读者对半导体激光器工作原理的理解,以及为相关领域的研究者提供参考和启发。

2. 半导体激光器的基本原理2.1 光与物质交互作用在半导体激光器中,光和物质之间的交互作用是实现粒子数反转的关键。

当光通过半导体材料时,它会与电子和空穴相互作用,从而改变它们的能级分布。

2.2 PN结和载流子注入半导体激光器通常由PN结构组成,其中P区域富集正电荷载流子(空穴),N 区域则富集负电荷载流子(电子)。

通过外部电源施加电压,在PN结附近形成耗尽层。

当正向偏置PN结时,正电压使得正电荷向P区移动,而负电荷向N 区移动。

这个过程被称为载流子注入。

2.3 积极性反转和自发辐射过程在激活载流子注入后,会形成一个积极性反转(population inversion)的状态,即在激发态比基态还要多。

半导体激光器的原理及应用论文

半导体激光器的原理及应用论文

本科毕业论文题目:半导体激光器的原理及应用院(部):理学院专业:光信息科学与技术班级:光信071姓名:张士奎学号:2007121115指导教师:张宁玉完成日期:2010年10月21日目录摘要·IIABSTRACT··IV1前言·11.1光纤传感器技术及发展·12光纤传感器的发展历程·32.1光纤传感器的发展简史·32.2光纤传感器的原理及组成·42.2.1基本原理·42.2.2光纤传感器的基本组成·52.2.3光纤传感器的特点··62.3光纤传感器的研究领域·73光纤传感器的分类及研究方向·143.1荧光光纤传感器·143.2分布式光纤监测技术·153.3光纤传感器在未来的新趋势·154光纤传感器的应用··84.1半导体激光器在激光光谱学中的应用·84.2半导体激光器在光固化快速成型中的应用·8 4.3大功率半导体激光器的军事应用·94.4半导体激光器在医疗上的应用·104.5半导体激光器在数字通信中的应用··124.6半导体激光器在激光打印及印刷市场中的应用··13 结论·17致谢·18参考文献·19摘要激光技术自1960年面世以来得到了飞速发展,作为激光技术中最关键的器件激光器的种类层出不穷,这其中发展最为迅速,应用作为广泛的便是半导体激光器。

半导体激光器的发展迅速,以其独特的性能及优点获得了广泛的应用. 本文介绍了半导体激光器的原理、结构、进展。

还介绍了半导体激光器在激光测距、激光引信、激光制导跟踪、激光瞄准和告警、激光通信、光纤陀螺以及国民经济等各个领域中的应用。

大功率半导体激光器在军事领域和工业领域有着广泛的应用。

半导体二极管激光器工作原理

半导体二极管激光器工作原理

半导体二极管激光器,也被称为激光二极管(LD,Laser Diode),是一种将电能直接转换成光能的半导体器件。

其工作原理主要基于半导体的PN结构以及粒子数反转等条件。

首先,PN结是由n型半导体和p型半导体构成的结构,在PN结的交界处,会出现电子和空穴的复合现象,进而形成发光。

当在激光二极管的PN结上加上适当的正向电压时,电子从n型材料向p型材料移动,空穴从p型材料向n型材料移动,它们在PN结区域相遇并发生复合。

这个过程中产生了能量差,能量差被释放成光的形式,从而形成了发光效应。

其次,为了产生激光,必须满足一定的条件,包括粒子数反转、谐振腔的存在以及满足阈值条件。

其中,粒子数反转是指通过一定的激励方式,使得半导体物质的能带之间或者与杂质能级之间实现非平衡载流子的粒子数反转。

谐振腔则是由半导体晶体的解理面形成的两个平行反射镜面,它们能够起到光反馈作用,形成激光振荡。

而满足阈值条件,即增益要大于总的损耗,则需要足够强的电流注入,以便有足够的粒子数反转,从而得到足够大的增益。

总的来说,半导体二极管激光器的工作原理是通过PN结的电子和空穴复合产生发光效应,并通过满足粒子数反转、谐振腔的存在以及阈值条件等条件,从而产生激光并连续地输出。

这种激光器具有结构紧凑、效率高、波长覆盖范围广等优点,因此在激光打印、光通信、医疗设备、实验室和工业检测等领域有广泛的应用。

半导体激光器资料

半导体激光器资料

半导体激光器资料半导体激光器(Semiconductor Laser)是一种利用半导体材料发射激光的装置。

该装置被广泛应用于通信、医学、材料加工等领域,是20世纪最重要的科技创新之一、本文将介绍半导体激光器的原理、结构、性能及应用。

半导体激光器的工作原理主要是电子复合:当电流通过半导体器件时,正电子与负电子之间发生复合的现象,释放出能量。

这种能量释放通过光的形式,即激光。

与其他类型的激光器不同,半导体激光器的工作原理是基于半导体材料的直接能带结构,可以利用半导体材料的电学性质来控制激光的特性。

半导体激光器通常由以下几个基本部分组成:激活材料、泵浦源、光学腔、输出镜和电流注入结构。

半导体激光器的激活材料一般是由III-V族元素化合物半导体材料构成,如氮化镓(GaN)、磷化铟(InP)等。

泵浦源通常是电流或光,其作用是提供能量给激活材料。

光学腔是由两个平行的半反射镜组成,通过反射来放大光强。

输出镜是腔外的一面镜子,用于将激光从腔中引出。

电流注入结构是用来提供电流给激活材料。

半导体激光器具有许多优点,如体积小、能耗低、效率高、寿命长等。

其小巧的体积使得半导体激光器可以集成到复杂的系统中,例如通信设备中的激光二极管。

能耗低意味着半导体激光器可以在电池供电的移动设备中使用,并且不会过度消耗电能。

高效率使得半导体激光器可以更好地利用能量,输出更强的激光功率。

寿命长意味着半导体激光器的使用寿命较长,不需要频繁更换,从而降低了维护成本。

半导体激光器具有广泛的应用,其中最重要的一项是通信。

半导体激光器可以通过光纤传输大量的数据,提供高速、高带宽的通信。

此外,半导体激光器还可以用于激光打印机、医学设备、材料加工等领域。

例如,半导体激光器可以用于激光雷达、激光治疗器和激光切割机等设备中。

总之,半导体激光器是一种重要的光源装置,具有广泛的应用前景。

通过利用半导体材料的电学性质,可以控制激光的特性,使其具有小巧、高效、长寿命的特点。

半导体激光器的概念

半导体激光器的概念

组织行为学案例分析组织行为学:组织行为学是系统地研究人在组织中所表现的行为和态度的学科。

是行为科学的一个分支,是一门以行为学为基础,与心理学、社会学、人类学、工程学、计算机科学等学科相交叉的边缘性学科。

随着社会的发展,尤其是经济的发展促使了企业组织的发展,组织行为学越来越受到人们的重视。

组织行为学案例精选精析:《组织行为学案例精选精析》是2008年中国社会科学出版社出版的图书,作者是周瑜弘。

目录:第一章组织行为学导论案例1-1 霍桑工厂的实验案例1-2 油漆厂工人为什么闹事案例1-3 王安电脑公司的启示案例1-4 王厂长的会议案例1-5 无效的激励不如不激励案例1-6 哪种领导类型最有效第二章知觉与行为案例2-1 碧浪冲击吉尼斯案例2-2 姜村的秘密案例2-3 尤尼帕特公司的约翰.尼尔案例2-4 电车公司的服务小姐案例2-5 “救火式”的反复培训缘何失效案例2-6 国强电器有限公司中山店第三章个性行为案例3-1 美晨集团销售员的选拔案例3-2 金春电子电器工业公司谁当经理案例3-3 东方广告公司案例3-4 飞腾软件股份有限公司案例3-5 研究所里来了个魏清案例3-6 性格与工作发展第四章价值观与态度案例4-1 惠普的价值观案例4-2 中国移动的核心价值观案例4-3 中年人的失落案例4-4 海洋公司案例4-5 三联软件公司第五章激励理论案例5-1 林肯电气公司案例5-2 微软的员工案例5-3 我们愿意加班案例5-4 揭榜的积极性有多高案例5-5 世界航空公司案例5-6 海尔的崛起第六章群体行为案例6-1 志成化学有限公司案例6-2 索娅公司的生产管理部案例6-3 宁顿公司案例6-4 办公室里来的年轻人案例6-5 转变团队领导的管理方式案例6-6 斯德恩斯公司的虚拟团队第七章人际关系案例7-1 通用电气的“情感管理”案例7-2 严伟为何要跳槽案例7-3 胜利公司无奈的株连政策案例7-4 民营企业如何处理好员工关系案例7-5 凯茜·布福德与乔·杰克逊的交流案例7-6 吉星保险公司第八章信息沟通案例8-1 项目经理季亮该怎么做案例8-2 小道消息传播带来的问题案例8-3 杨瑞该怎么办案例8-4 和平航空售票中心女售票员案例8-5 联合制造公司总经理奥斯特曼的会议案例8-6 “川气出川”工程不了了之第九章冲突管理案例9-1 女秘书PK老板“邮件门”事件案例9-2 爱通公司案例9-3 亚通网络公司案例9-4 混凝土预制件公司案例9-5 借沟通解决劳资纠纷第十章压力管理案例10-1 “9·11”事件余震的反应案例10-2 王永庆用人的两大法宝案例10-3 捷通科技有限公司的程序员案例10-4 百事可乐公司案例10-5 春天测控仪表厂青年女工的变化案例10-6 王宏亮主管经常出现暂时性失忆第十一章领导行为案例11-1 升任公司总裁后的思考案例11-2 他为什么打不开工作局面案例11-3 挑战者号航天飞机案例11-4 副总家失火以后案例11-5 欧阳健的领导风格案例11-6 机加工车间主任的领导方式第十二章组织行为案例12-1 巴恩斯医院案例12-2 美国商用计算机和设备公司案例12-3 三九企业的组织设计案例12-4 通用电气公司的组织变革案例12-5 王安实验室与惠普公司案例12-6 乐百氏组织的结构第十三章组织文化案例13-1 米其林有什么“文化”案例13-2 迪斯尼的成功案例13-3 华为公司的企业文化案例13-4 西安杨森案例13-5 锦江集团宾馆文化的标志案例13-6 快乐的美国西南航空公司参考文献。

半导体激光器的线宽

半导体激光器的线宽

半导体激光器的线宽1.引言1.1 概述半导体激光器是一种重要的光电子器件,广泛应用于通信、医学、仪器仪表等领域。

而激光的线宽是衡量激光光谱纯度和频率稳定性的重要指标之一。

在半导体激光器中产生的激光不是单一频率的,而是由多个频率组成的光谱。

这个光谱宽度被称为激光的线宽。

一般来说,较窄的线宽代表着更单色和更稳定的激光光源。

半导体激光器的线宽受到多种因素的影响。

首先,半导体材料的本征特性会对激光器的线宽产生影响。

例如,激光器中的电子与空穴之间的相互作用会导致能级的展宽,从而增大激光器的线宽。

其次,激光器的工作状态也会对线宽造成影响。

激光器的线宽可以通过改变工作温度、注入电流等方式进行调节。

一般来说,激光器在较高的温度下工作,其线宽会较宽。

而当激光器工作在阈值以上的电流范围内时,线宽会更宽。

最后,激光器的结构参数也会对线宽产生影响。

例如,激光腔长度的改变可以影响激光的谐振模式,从而影响线宽的大小。

综上所述,半导体激光器的线宽是一个复杂而重要的问题,涉及到材料特性、工作状态和结构参数等多个方面的因素。

了解和控制激光器的线宽对于提高激光器的性能,以及满足不同应用领域对激光器的要求具有重要意义。

在接下来的部分中,本文将从半导体激光器的原理以及线宽影响因素两个方面展开讨论,以期更全面地了解和探究这一问题。

1.2文章结构文章结构部分的内容可以如下所示:本文将按照以下结构来组织讨论半导体激光器的线宽问题。

首先,在引言部分,将对半导体激光器的概念和应用进行简要介绍,并解释本文的目的和意义。

接下来,在正文部分,将详细探讨半导体激光器的原理,包括其工作原理、组成结构和工作模式。

同时,也会分析半导体激光器的线宽受到的影响因素,如材料特性、光学腔结构等。

在结论部分,将对半导体激光器的线宽问题进行总结,并展望半导体激光器线宽研究的未来发展方向。

通过以上结构安排,本文将系统全面地介绍半导体激光器的线宽问题。

读者可以逐步了解半导体激光器的基本原理,并了解其线宽问题。

半导体激光治疗仪技术参数

半导体激光治疗仪技术参数

半导体激光治疗仪技术参数
产品技术规格及基本要求:
1、激光器基本参数
1.1GaAS半导体激光器
1.2波长:810nm(±10nm)
1.3光纤末端输出功率:0-30W,连续可调
1.4输出模式:连续、重复脉冲
2、瞄准激光
2.1激光二极管,亮度强弱可调节
2.2红色半导体激光指示光
3、传输系统
3.1带HP-SMA-905国际标准光纤连接器
3.2光纤芯径:400μm,600Um,
3.3光纤传导率295%
3.4光纤未连接自动报警
4、操作方式
4.1精密真彩色触摸液晶屏
5、预设方式
5.1具备预存工作模式功能
5.2预设激光参数:脉宽、频率、功率、定时设置等
5.3治疗过程中,脉宽、频率、功率、脉冲数、脉冲方式、定时总时间及剩余时间同步被显示
6、打印功能:可打印使用设备的手术起始时间、频率、功率、脉冲方式、脉冲数及总能量
7、声音报警提示,蜂鸣器声音大小可调
8、配备
8.1自动高低温报警和控制系统
8.2全机性能自检功能
9、激光器冷却系统:半导体制冷,空气冷却。

半导体激光器_反向电压_理论说明

半导体激光器_反向电压_理论说明

半导体激光器反向电压理论说明1. 引言1.1 概述随着科技的快速发展,半导体激光器作为一种重要的光电子设备,在通信、医疗和工业领域等多个应用方面得到了广泛的应用。

反向电压作为半导体激光器中重要的参数之一,对其性能和特性有着显著影响。

因此,深入理解反向电压对半导体激光器的影响机制以及建立相应的数学模型具有重要意义。

1.2 文章结构本文主要从以下几个方面进行阐述:首先介绍半导体激光器的基本原理,包括半导体材料特性、能带理论与激射条件以及激射机制及工作原理。

然后重点探讨了反向电压对半导体激光器性能的影响,包括对阈值电流的影响、输出功率的影响以及波长和谱线宽度的影响。

接下来将详细展开理论说明与数学模型分析部分,包括PN结和反向电压关系分析、基于物理效应的半导体激光器反向电压模型建立以及稳态与动态响应的分析与模拟。

最后,通过总结和归纳,给出本文的结论。

1.3 目的本文旨在详细说明反向电压对半导体激光器性能和特性的影响,并基于物理效应建立相应的数学模型进行分析。

通过本文的研究,可以更好地理解半导体激光器的工作原理以及反向电压在其中的作用机制,为进一步优化半导体激光器性能提供理论支持和参考依据。

2. 半导体激光器基本原理:2.1 半导体材料特性半导体材料常用来制造激光器,因为其具有一些特殊的电学和光学特性。

半导体材料通常由硅(Si) 或化合物半导体(如锗(Ge)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)等)组成。

这些材料的特点是电子在其能带中的分布与绝缘体和导体之间处于一种中间状态。

半导体材料通过添加其他元素掺杂来改变它们的电学特性,以实现更好的激射条件。

2.2 能带理论与激射条件能带理论是描述半导体行为的重要基础。

在能带理论中,半导体被描述为由价带和导带组成的能级结构。

当外部能量施加到半导体上时,电子可以从价带跃迁到较高能量的导带,产生自由载流子。

激射条件指的是产生可见光或红外光所需达到的阈值。

2.3 激射机制及工作原理在激射器内部,有一个包含负性掺杂的n型区域和一个包含正性掺杂的p型区域。

2.2 半导体激光器

2.2 半导体激光器

获得粒子数反转分布
不同于常规激光 出射波段单一, 半导体激光的发 光特点决定了出 射波段非常丰富。
"for their researches on semiconductors and their discovery of the transistor effect"
William Shockley
一、光纤通信系统的光源 二、光学测量系统的光源 三、其他应用
半导体激光器体积小、重量轻、可靠性高、转换效率高、 功耗低、驱动电源简单、能直接调制、结构简单、价格低廉、 使用安全、其应用领域非常广泛。如光存储、激光打印、激 光照排、激光测距、条码扫描、工业探测、测试测量仪器、 激光显示、医疗仪器、军事、安防、野外探测、建筑类扫平 及标线类仪器、实验室及教学演示、舞台灯光及激光表演、 激光水平尺及各种标线定位等。 半导体激光器的一些独特优点使之非常适合于军事上的 应用,如野外测距、枪炮等的瞄准、射击模拟系统、致盲、 对潜通信制导、引信、安防等。由于可用普通电池驱动,使 一些便携式武器设备配臵成为可能。
InGaAsP有源层
N+-InP衬底 图2.2.2-3 折射率导引型半导体激光器
§2.2.3 半导体激光器的特性
一、光谱特性
图2.2.3-1为GaAIAs双异质结激光器的光谱特性。 驱动电流增大 → →
832 830 828 826 824
832 830 828 826 824
832 830 828 826 824
绝缘介质 P-InGaAsP
P-InP N-InP N+-InP衬底 InGaAsP
图2.2.2-2 增益导引型半导体激光器
二、折射率导引型半导体激光器
通过在侧向采用类似异质结的设计而形成的波导,引 入折射率差,也可以解决在侧向的光限制问题,这种激光 器称为折射率导引型半导体激光器。

半导体激光器

半导体激光器

决定因素
蓝光DVD半导体激光器半导体光电器件的工作波长是和制作器件所用的半导体材料的种类相关的。半导体材 料中存在着导带和价带,导带上面可以让电子自由运动,而价带下面可以让空穴自由运动,导带和价带之间隔着 一条禁带,当电子吸收了光的能量从价带跳跃到导带中去时,就把光的能量变成了电,而带有电能的电子从导带 跳回价带,又可以把电的能量变成光,这时材料禁带的宽度就决定了光电器件的工作波长。材料科学的发展使我 们能采用能带工程对半导体材料的能带进行各种精巧的裁剪,使之能满足我们的各种需要并为我们做更多的事情, 也能使半导体光电器件的工作波长突破材料禁带宽度的限制扩展到更宽的范围。
工作原理
根据固体的能带理论,半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带,低能量的为价带,两带被禁带 分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时,把释放的能量以发光形式辐射出去,这就是载流子的复合发光。
一般所用的半导体材料有两大类,直接带隙材料和间接带隙材料,其中直接带隙半导体材料如GaAs(砷化镓) 比间接带隙半导体材料如Si有高得多的辐射跃迁几率,发光效率也高得多。
进入21世纪后,半导体激光器的高效化、超高亮度化、全色化不断发展创新,红、橙半导体激光器光效已达 到100Im/W,绿半导体激光器为50lm/W,单只半导体激光器的光通量也达到数十Im。半导体激光器芯片和封装不 再沿龚传统的设计理念与制造生产模式,在增加芯片的光输出方面,研发不仅仅限于改变材料内杂质数量,晶格 缺陷和位错来提高内部效率,同时,如何改善管芯及封装内部结构,增强半导体激光器内部产生光子出射的几率, 提高光效,解决散热,取光和热沉优化设计,改进光学性能,加速表面贴装化SMD进程更是产业界研发的主流方 向。
损耗关系
激光器的腔体可以有谐振腔和外腔之分。在谐振腔里,激光器的损耗有很多种类,比如偏折损耗,法布里珀 罗谐振腔就有较大偏折损耗,而共焦腔的偏折损耗较小,适合于小功率连续输出激光,还比如反转粒子的无辐射 跃迁损耗(这类损耗可以归为白噪声)等等之类的,都是腔长长损耗大。激光器阈值电流不过就是能让激光器起 振的电流,谐振腔长短的不同可以使得阈值电流有所不同,半导体激光器中,像边发射激光器腔长较长,阈值电 流相对较大,而垂直腔面发射激光器腔长极短,阈值电流就非常低了。这些都不是一两句话可以说的清楚的,它 们各自的速率方程也都不同,不是一两个式子能解释的。另外谐振腔长度不同也可以达到选模的作用,即输出激 光的频率不同。

半导体激光器的分类

半导体激光器的分类

半导体激光器的分类半导体激光器是一种利用半导体材料产生激光的装置。

它具有体积小、功率高、效率高、寿命长等优点,广泛应用于通信、医疗、材料加工等领域。

根据其工作原理和结构特点的不同,可以将半导体激光器分为以下几类:1. 二极管激光器(LD)二极管激光器是最常见的半导体激光器类型之一。

它是通过注入电流到二极管中,使其产生激光辐射。

二极管激光器具有体积小、功率密度高、效率高等优点,广泛应用于光纤通信、激光打印、激光雷达等领域。

根据工作原理的不同,二极管激光器又可以分为以下几类:•直接泵浦激光器(Direct Pumped Laser Diode,DPLD):通过电流直接激发半导体材料产生激光。

这种激光器通常具有较高的功率和较宽的工作频率范围。

•共振腔激光器(Resonator Laser Diode,RLD):在二极管激光器的两端加上反射镜,构成一个光学共振腔。

通过选择合适的反射镜,可以实现激光的单模或多模输出。

2. 半导体光放大器(SOA)半导体光放大器是一种利用半导体材料增强光信号强度的装置。

它与二极管激光器结构相似,但工作在低注入电流下,不产生激射器。

半导体光放大器具有宽带宽、低噪声、快速响应等优点,广泛应用于光纤通信、光网络等领域。

3. 垂直腔面发射激光器(VCSEL)垂直腔面发射激光器是一种在半导体材料中形成垂直共振腔结构的激光器。

它是通过在半导体材料上增加光学反射镜而实现的。

VCSEL具有发射光束近乎垂直、低阈值电流、高速调制等特点,广泛应用于光纤通信、光存储、光雷达等领域。

4. 外腔激光二极管(ECL)外腔激光二极管是一种将带有光纤输出的半导体激光器。

它利用光纤与半导体激光器之间的耦合结构,将激光输出到光纤中。

ECL具有高度集成、输出功率稳定、光谱纯净等优点,广泛应用于光纤通信、传感器等领域。

5. 量子阱激光器(QL)量子阱激光器是一种利用半导体量子阱结构产生激射器的激光器。

它采用了由狭窄能隙材料构成的量子阱,可以有效地抑制激发态的非辐射复合,从而提高激光器的效率。

半导体激光器速率方程

半导体激光器速率方程

第二章 光注入半导体激光器的速率方程模型2.1 光反馈半导体激光器光反馈或光注入半导体激光器的速率方程是分析和模拟系统特性的理论基础,本节先推导光反馈半导体激光器的电场速率方程―Lang-Kobayashi 方程[29],并分析了振荡条件。

为方便分析,将半导体激光器的参量及各参量的关系分别列入表2-1和表2-2。

表2-1 激光器参量的意义符号 物理量 单位 电量 C 有源区体积 m 3 载流子寿命 ns 光子寿命 ps 限制因子 --- 阈值载流子密度 m -3 透明载流子密度 m -3 增益饱和系数 m 3 线宽增强因子 --- 微分增益 m 3s -1 自发辐射因子 --- 端面强度反射率 ---波长nm表2-2 参量之间的关系Table 2-2 Relationships of parameters2.1.1 图2-1 光反馈Fabry-Perot 谐振腔示意图图2-1为光反馈的示意图,激光谐振腔两端面的反射率分别为1R 、2R ,腔长为L ,外部反射镜的反射率为e R 、距离为/2e L c τ=,τ为激光在外腔中环行一次的时间。

E +、E-分别表示正向、负向传播的时变电场的复振幅。

激光的动态变化行为取决于增益,因此可以将增益作为算子。

激光在腔内环行一次的增益为int 2())r G i kL Γg L α=-+- (2-1)将其变为指数形式,上式可变为int exp(2())r m G i kL Γg L αα=-+-- (2-2)其中/k n c ω=为波数。

实际上,激光器有源区内载流子密度()N t 随时间的变化将导致介质折射率和振荡频率的变化。

因此将波数在无光反馈阈值点(th n ,th ω)展开()()g th th th th th n n n nN N c c c N cωωωωω∂≈+-+-∂ (2-3) 其中,g th nn n ωω∂=+∂为介质的群折射率。

将(2-3)式代入(2-2)中,并将r G 分解成1r G G G ω=,其中:频率无关项1int exp[()]exp((2/)())m th th nG Γg L i L c N N Nααω∂=----∂ (2-4) 频率相关项22exp[()]g th th th n Ln L G ii c cωωωω=--- (2-5) 由于2th th n L c ω是2π的整数倍,并且角频率为ω的单色波电场满足关系式di dtω=,G ω可改写为算子exp()exp()th L LdG i dtωωττ=- (2-6) 由于激光器振荡频率在阈值附近,即th ωω≈,因此对时变复电场()e t 可引入慢变化复电场振幅()|()|exp(())E t E t i Φt =,即()()exp()th e t E t i t ω= (2-7)其中th d dtΦωω=-。

半导体激光器发光原理及工作原理

半导体激光器发光原理及工作原理

半导体激光器发光原理及工作原理引言概述:半导体激光器是一种利用半导体材料产生激光的器件,其在通信、医疗、材料加工等领域有着广泛的应用。

了解半导体激光器的发光原理和工作原理对于理解其性能和优化器件设计具有重要意义。

一、发光原理1.1 电子-空穴对复合半导体激光器的发光原理基于电子-空穴对复合过程。

当外加电压使得半导体器件导通时,电子和空穴会在PN结附近结合,产生能量释放的现象。

1.2 激子复合在半导体材料中,电子和空穴也可以形成激子,即电子和空穴以束缚态结合。

当激子复合时,会释放出光子,产生激光。

1.3 带隙能量半导体材料的带隙能量决定了其能否发生光电效应。

惟独当材料的带隙能量大于光子能量时,才干产生激光。

二、工作原理2.1 激发过程半导体激光器的工作原理是通过外加电压激发载流子,使得电子和空穴在PN 结附近复合,产生光子。

激发过程是实现激光发射的关键。

2.2 光放大过程在半导体激光器中,产生的光子会在增益介质中发生受激辐射,引起光子的增幅,形成激射。

光放大过程是激光器输出高质量激光的基础。

2.3 光反射过程半导体激光器中通常会设置反射镜,使得激光在增益介质中来回反射,增加光子数目和能量,最终形成激射输出。

三、器件结构3.1 激发层半导体激光器的激发层是产生激光的关键部份,通常由P型和N型半导体材料组成。

在激发层中,电子和空穴会发生复合,产生光子。

3.2 增益介质增益介质是半导体激光器中的光放大部份,通常由半导体材料或者光导纤维构成。

光子在增益介质中通过受激辐射过程增幅。

3.3 反射镜反射镜用于反射激光,增加光子数目和能量。

半导体激光器中的反射镜通常由高反射率的金属或者光学薄膜构成。

四、性能参数4.1 波长半导体激光器的波长取决于半导体材料的带隙能量,通常在红外、可见光或者紫外波段。

4.2 输出功率输出功率是衡量半导体激光器性能的重要参数,通常取决于激发电流和器件结构。

4.3 效率半导体激光器的效率指的是输出光功率与输入电功率的比值,影响激光器的能耗和发热情况。

2微米半导体激光器

2微米半导体激光器

2微米半导体激光器
2微米半导体激光器是一种以半导体材料为基础的激光器,其工作原理是通过向半导体材料注入电流,从而激发材料产生激光。

在2微米波段,常用的半导体材料包括铟镓锑(InGaSb)和铟锗锑(InGaAs)。

这些材料具有较高的能带间隙,能够产生红外光。

当电流通过半导体材料时,电子和空穴被激发到导带和价带中,形成电子空穴对。

这些电子空穴对在较短的时间内发生复合,释放出能量并形成激光。

2微米半导体激光器具有许多显著的优点,如高功率密度、高效率、高稳定性、易于调制等。

此外,2微米波长在许多应用中具有独特的优势,例如在医疗、科研、工业等领域。

在医疗领域,2微米半导体激光器可用于激光手术、激光治疗等。

这类激光器具有良好的组织穿透性,可以精确定位病灶,提高手术的准确性和成功率。

同时,2微米激光在医疗领域还有助于减轻患者痛苦和缩短康复时间。

在科研领域,2微米半导体激光器可用于光谱分析、物质检测等。

这类激光器具有较高的单色性,能够提高光谱测量的精度。

此外,2微米激光在科研领域还有助于提高物质检测的灵敏度和特异性。

在工业领域,2微米半导体激光器可用于激光切割、激光打
标等。

这类激光器具有较高的能量密度,可以迅速汽化材料,提高切割速度和质量。

同时,2微米激光在工业领域还有助于降低生产成本和提高生产效率。

总之,2微米半导体激光器是一种非常重要的激光器,其应用前景广泛。

这种激光器具有优异的性能和广泛的应用场景,将在未来科技发展中发挥重要作用。

半导体激光器

半导体激光器

半导体激光器半导体激光器:光电技术的重要突破引言随着科技的飞速发展,半导体激光器作为一项重要的光电技术正逐渐成为人们关注的焦点。

半导体激光器具有窄谱线宽、高光输出功率、高能量转换效率等优点,广泛应用于通讯、医学、照明等领域。

本文将为您详细介绍半导体激光器的原理、特点以及应用前景。

一、半导体激光器的原理半导体激光器是一种通过激发半导体材料产生激光的器件。

它由半导体材料构成,其中镜子是主要的光学部件。

通过在半导体材料中注入电流,将电能转化为光能,通过反射镜的反射和透过作用,使光在腔内来回反射,从而放大并产生激光。

这一过程主要依赖于激子的生成、传输和激发。

二、半导体激光器的特点1. 窄谱线宽:半导体激光器的谱线宽度通常较窄,能够在光的频域内集中较大的功率。

这一特点使得半导体激光器在光通信领域具有重要的应用前景。

2. 高光输出功率:半导体激光器的光输出功率较高,在一定应用范围内能够满足大功率光源的需求。

这也使得半导体激光器在照明和激光加工等领域得到广泛应用。

3. 高能量转换效率:相对于其他类型的激光器,半导体激光器的能量转换效率较高。

这一特点使得半导体激光器在能源利用效率方面具有优势。

4. 尺寸小、重量轻:由于半导体激光器的结构简单,尺寸小、重量轻,因此便于集成和便携。

这也为其在手持设备和便携式仪器等领域的应用提供了更多可能性。

三、半导体激光器的应用1. 光通信:半导体激光器具有较高的调制速度和窄的发射谱线宽度,使其在光通信系统中得到广泛应用。

目前,大部分的光通信系统都采用半导体激光器作为光源。

2. 医学:半导体激光器在医学领域有着广泛的应用,如激光治疗、激光手术和皮肤美容等。

半导体激光器的小尺寸和高功率输出使其成为医学器械领域的理想选择。

3. 照明:半导体激光器在照明领域的应用越来越受到关注。

相较于传统照明设备,半导体激光器具有较高的能量转换效率和较长的寿命,能够提供更加稳定和均匀的照明效果。

4. 激光显示:半导体激光器也被应用于激光显示技术中。

半导体激光器资料

半导体激光器资料

半导体激光器资料
可以参考下面的内容
一、半导体激光器的定义
半导体激光器(semiconductor laser)是一种激光器,它的腔面由
金属外壳封装的半导体材料制成,具有可靠性、体积小、成本低等特点,
是目前微纳尺度激光技术中最重要的、应用最广泛的激光尺度。

半导体激
光器基本工作原理是电子以固定的速度在内部半导体中运动,在它的路径上,它会发射有定向性的射线,从而可以产生出一束激光光束。

半导体激
光器可以分为极化激光器,平面波导激光器和相位整形激光器等。

其中极
化激光器是最常用的半导体激光器,其结构类似于管状对称腔,其正反折
射率之比等于晶体的折射率之比,因此它能够实现高发射能量,且在有限
的腔体尺寸内,其发射光谱线宽度非常小(可以达到百纳米级),它的频
率可以多比较准确的控制。

二、半导体激光器的特点
1、结构小巧:半导体激光器发射的光束广泛应用,其体积可以极小,甚至可以把一个激光器安装在一个硬币大小的硬件上,具有安装方便灵活、可移动通道的特点,是汽车辅助安全检测、激光打印机等设备的最佳光源。

2、发射能量强:半导体激光器发射的能量强度非常大,可以节省电流,减少发射时间,从而消除材料表面上的气泡,减少材料的热量影响。

半导体激光器-发散角(1)

半导体激光器-发散角(1)

r22
T
r11
A C
B D
r11
r是光线离开光轴的垂直 距离;
是光线传播方向与光轴 的夹角。
r22
T
r11
A C
B D
r11
1)光束在均匀介质的传播,传播距离l , 其透射矩阵为:
T 10 1l
假定一条光线在输出面的位置(r0 ,0 );
离输出面g的地方放一薄透镜F,薄透镜的焦距f ,
传输到透镜的后焦平面时为(rf , f ),则
或者是空间几何位置上的光强(或者光功率)的分布,也称为远场分布
纵模表示是一种频谱,它反映所发射的激光其功率
在不同频率分量上的分布。
两者都可能是单模或者出现多个模式(多模)。 边发射半导体激光器具有非圆对称的波导结构,而且在垂直于结平面方向(称横向) 和平行于结平面方向(称侧向)有不同的波导结构和光场限制。
2)焦距为f的薄透镜的透射矩阵为:
T
1 1/
f
10
rff
1 0
f 1
1 1/
f
10
1 0
பைடு நூலகம்
g 1
r00
r0 f
f0
(1
g f
)0
由于半导体激光器快轴方向发散角非常大,不能用上述方法测量,用单点 扫描法。
快轴是单横模输出,其光强基本上按正弦(余弦)函数形式分布。
实验内容与步骤
1.半导体激光器的发散角测定
实验目的:
1、掌握半导体激光器远场发散角的测量方法。 2、掌握半导体激光器偏振特性的测量方法。
实验原理
1、空间模和纵模
X方向(快轴),它与结平面方 向垂直,又称为横向,发散角较大;

激光器脉冲宽度

激光器脉冲宽度

激光器脉冲宽度激光器脉冲宽度激光器脉冲宽度是指激光器发出的脉冲持续时间,通常用时间单位表示,如纳秒(ns)、皮秒(ps)等。

激光器脉冲宽度是影响激光器性能的重要参数之一,对于不同的应用场合需要选择不同的脉冲宽度。

一、概述1.1 定义激光器脉冲宽度是指激光器发出的脉冲持续时间。

在实际应用中,通常使用全宽度半最大值(FWHM)来描述脉冲宽度。

1.2 影响因素影响激光器脉冲宽度的因素有很多,例如:泵浦源、谐振腔、增益介质、输出耦合等。

其中,泵浦源对于固体激光器和纤维激光器来说是最重要的影响因素之一。

二、不同类型激光器的脉冲宽度2.1 固体激光器固体激光器通常使用Nd:YAG晶体或Nd:YVO4晶体作为增益介质,泵浦源为二极管激光器或闪光灯。

固体激光器的脉冲宽度通常在纳秒级别,最短的脉冲宽度可以达到皮秒级别。

2.2 纤维激光器纤维激光器通常使用掺铒光纤作为增益介质,泵浦源为二极管激光器。

由于掺铒光纤具有较长的寿命和较小的非线性效应,因此可以获得比固体激光器更短的脉冲宽度。

目前,商用的超短脉冲纤维激光器可以输出皮秒级别的超短脉冲。

2.3 半导体激光器半导体激光器通常使用双异质结或量子阱结构作为增益介质,泵浦源为电流注入。

由于半导体材料具有较小的自发辐射和非线性效应,因此可以实现亚皮秒级别的超快速调制和调制深度。

三、不同应用场合下选择不同脉冲宽度3.1 医疗美容医疗美容领域通常需要选择较长的脉冲宽度,以保证激光能够有效地穿透皮肤表层,达到治疗效果。

例如,激光去斑需要使用脉冲宽度在毫秒级别的激光器。

3.2 材料加工材料加工领域通常需要选择较短的脉冲宽度,以保证激光能够在极短的时间内将材料加工成所需形状。

例如,超短脉冲激光可以用于微细加工、切割和打孔等应用。

3.3 其他应用领域其他应用领域根据具体需求选择不同的脉冲宽度。

例如,超快速调制可以用于高速通信和量子计算等领域。

四、总结激光器脉冲宽度是影响激光器性能的重要参数之一。

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5 发 射 4 光 功 3 率 2 1 0 22℃ 50℃ 70℃
图2.2.3-4 LD的P-I曲线随温度的变化
P/mW
0
50
100
I /mA
§2.2.4 LD的应用
目前已开发出并投放市场的半导体激光器的波段有 370nm、390nm、405nm、430nm、480nm、635nm、 650nm、670nm、780nm、808nm、850nm、980nm、 1310nm、1550nm等,其中1310nm、1550nm主要用于光 纤通讯领域。405nm - 670nm为可见光波段,780nm 1550nm为红外光波段,390nm - 370nm为紫外光波段。
半导体激光器其激射阈值电流由几百mA降到几十 mA,直到亚mA,其寿命由几百到几万小时,乃至百万 小时。从最初的低温(77K)下运转发展到在常温下连 续工作,输出功率由几毫瓦提高到千瓦级(阵列器件)。 它具有效率高、体积小、重量轻、结构简单、能将电能 直接转换为激光能、功率转换效率高(已达10%以上、 最大可达50%)、便于直接调制、省电等优点,因此应 用领域日益扩大。目前,固定波长半导体激光器的使用 数量居所有激光器之首,某些重要的应用领域过去常用 的其他激光器,已逐渐为半导体激光器所取代。
半导体激光器最大的缺点是:激光性能受温度 影响大,光束的发散角较大(一般在几度到20度之 间),所以在方向性、单色性和相干性等方面较差。 但随着科学技术的迅速发展,半导体激光器的研究 正向纵深方向推进,半导体激光器的性能在不断地 提高。目前半导体激光器的功率可以达到很高的水 平,而且光束质量也有了很大的提高。以半导体激 光器为核心的半导体光电子技术在21世纪的信息社 会中将取得更大的进展,发挥更大的作用。
§2.2

半导体激光器
2.2.1 光学谐振腔与激光器的阈值条件

2.2.2 半导体激光器的结构

2.2.3 半导体激光器特性

2.2.4 LD的应用
半导体激光器是以直接带隙半导体材料构成的PN结 或PIN结为工作物质的一种小型化激光器。其工作原理
是受激辐射,利用半导体物质在能带间跃迁发光,用半 导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜, 组成谐振腔,使光振荡、反馈、产生光的辐射放大,输 出激光。 半导体激光工作物质有几十种,目前已制成激光器 的半导体材料有砷化稼(GaAs)、砷化铟(InAs)、氮 化镓(GaN)、锑化铟(InSb)、硫化镉(Cds)、蹄 化镉(CdTe)、硒化铅(PbSe)、啼化铅(PhTe)、 铝镓砷(A1xGaAs)、铟磷砷(In-PxAs)等。
5 发 射 光 4 功 率 3 P/mW 2 1 0 0 50 100 I /mA
图2.2.3-3 典型LD的光功率特性曲线
四、温度特性
温度变化将改变激光器的输出光功率,有两个原因: 一是激光器的阈值电流随温度升高而增大,二是外微分量 子效率随温度升高而减小。图2.2.3-4 给出了LD的P-I曲线 随温度变化的实例。
横模特性,在平行于结平面的方向,光强呈现周
期性的空间分布,称为多横模;在垂直于结平面 的方向,由于谐振腔很薄,这个方向的场图总是 单横模。
三、转换效率与输出光功率特性
激光器的电——光转换效率用外微分量子效率ηd 表 示,其定义为在阈值电流以上,每对复合载流子产生的光 子数。
( P Pth ) / hf P e d ( I I th ) / e I hf
一、增益导引型半导体激光器
解决光限制问题的一种简单方案是将注入电流限制在一 个窄条里,这样的激光器称为条形半导体激光器,其结构如 图2.2.2-2所示。将一绝缘层介质(SiO2)淀积在P层上,中间 敞开以注入电流。由于光限制是借助中间条形区的增益来实 现的,这样的激光器称为增益导引型半导体激光器。
获得粒子数反转分布
不同于常规激光 出射波段单一, 半导体激光的发 光特点决定了出 射波段非常丰富。
"for their researches on semiconductors and their discovery of the transistor effect"
William Shockley
导带
这种激光器发光效率更高,电 流阈值更小,出射光单色性更好。
E3C E2C E1C
ΔEC
垂直于有源层方向上运动的载 hv Eg(GaAlAs) 流子动能可量子化成分立的能级, Eg(GaAs) 这类似于一维势阱的量子力学问题, E1V E1V E2V 因而这类激光器叫做量子阱激光器。 ΔEV
E3V
1964诺贝尔物理学奖
• A.M.普洛霍罗夫 • 在量子电子学中 的研究工作导致 微波激射器和激 光器的制作
1964诺贝尔物理学奖
• 1964 C.H.汤斯 • 在量子电子学的 基础研究导致根 据微波激射器和 激光器原理构成 振荡器和放大器
1964诺贝尔物理学奖 • N.G.巴索夫
• 用于产生激光 光束的振荡器 和放大器的研 究工作
图2.2.3-1 GaAIAs双异质结激光器的光谱特性示意图 波长取决于激光器的光学腔长,称为激光器的纵模。 当驱动电流足够大时,多纵模变为单纵模,称为静态 单纵模激光器。
二、*激光束的空间分布
近场是指激光器反射镜面上的光强分布,远 场是指离反射镜面一定距离处的光强分布。由于 激光腔为矩形光波导结构,因此近场分布表征其
一、光纤通信系统的光源 二、光学测量系统的光源 三、其他应用
半导体激光器体积小、重量轻、可靠性高、转换效率高、 功耗低、驱动电源简单、能直接调制、结构简单、价格低廉、 使用安全、其应用领域非常广泛。如光存储、激光打印、激 光照排、激光测距、条码扫描、工业探测、测试测量仪器、 激光显示、医疗仪器、军事、安防、野外探测、建筑类扫平 及标线类仪器、实验室及教学演示、舞台灯光及激光表演、 激光水平尺及各种标线定位等。 半导体激光器的一些独特优点使之非常适合于军事上的 应用,如野外测距、枪炮等的瞄准、射击模拟系统、致盲、 对潜通信制导、引信、安防等。由于可用普通电池驱动,使 一些便携式武器设备配臵成为可能。
由此得到
(2.2.3-1)
P Pth
d hf
e
( I I th )
(2.2.3-2)
式中, P和 I分别为激光器的输出光功率与驱动电流, Pth 和Ith分别为对应的阈值,hf与e分别为光子能量与电子电荷。
激光器的输出光功率通常用P-I曲线表示,图2.2.3-3为 典型LD的光功率特性曲线。当 I I th 时,激光器发出的 是自发辐射光,当 I I th 时,发出的是受激辐射光,光 功率随驱动电流的增加而增加。
§2.2.1 光学谐振腔与激光器的阈值条件
• 激光器稳定工作的必要条件 :
(1) 粒子数反转产生增益
粒子数反转(population inversion)是产生激光的前 提。一个原子可以在不同的能级之间跃迁。在通常情况下, 因为热力学的平衡态服从波尔兹曼分布律,使得处于基态 (最低能级)的原子数远远多于处于激发态(较高能级) 的原子数,这种情况得不到激光。为了形成足够的激发辐 射,得到激光,就必须用一定的方法去激发原子群体,使 亚稳态上的原子数目超过基态上的。该过程称为粒子数的 反转。
半导体激光器件,可分为同质结、单异质结、双异质结 等几种。同质结激光器和单异质结激光器室温时多为脉冲器 件,而双异质结激光器室温时可实现连续工作。 半导体激光器的激励方式主要有电注人式、光泵浦式和 高能电子束激励式三种。绝大多数半导体激光器的激励方式 是电注人,即给PN结加正向电压,以使在结平面区域产生受 激发射,也就是说是个正向偏臵的二极管,因此半导体激光 器又称为半导体激光二极管。对半导体来说,由于电子是在 各能带之间进行跃迁,而不是在分立的能级之间跃迁,所以 跃迁能量不是个确定值,这使得半导体激光器的输出波长分 布在一个很宽的范围上。它们所发出的波长在0.3-34μm之间。 其波长范围决定于所用材料的能带间隙,最常见的是AlGaAs 双异质结激光器,其输出波长为750-890nm。
半导体激光器研究前沿
夹于宽带隙半导体(如GaAlAs)中间的窄带隙半导体 (如GaAs)起着载流子(电子和空穴)陷阱的作用,一般的 半导体激光器其厚度约为100~200nm,但随着有源层厚度的 减小,如5~10nm,载流子在垂直于有源层方向上出现量子 效应,即出现量子化分立能级,称之为量子阱激光器。
异质结( DH : Double-Heterostructure ):就是由带隙 宽度及折射率都不同的两种半导体材料构成的PN结。
( a)
+
E
P
Ga1-x Al x As
P
GaAs
Ga1-y Al y As
N
-
电子
( b) 能 量
空穴 n 折 (c) 射 率 P ( d)
复合 异质势垒
~5%
图 2.2.1-2 DH激光器工作原理 (a) 双异质结构; (c) 折射率分布; (b) 能带; (d) 光功率分布
价带 Lx
E2V
§2.2.1 光学谐振腔与激光器的阈值条件
只有当增益等于或大于总损耗时,才能建立起稳定的振 荡,这一增益称为阈值增益。为达到阈值增益所要求的注入 电流称为阈值电流。 I
增益曲线
损耗
一个纵模只有在其增益大于或等于损耗时,才能成为工 作模式,即在该频率上形成激光输出。
有2个以上纵模激振的激光器,称为多纵模激光器。通 过在光腔中加入色散元件等方法,可以使激光器只有一个模 式激振,这样的激光器称为单纵模激光器。
(2) 提供光的反馈 ——解理面 (晶体中易于劈裂的平面称为“解理面”。凡显露在晶体 外表的晶面往往是一些解理面。)
其中最简单的是法布 里——珀罗腔
注入电流
解理面
有源区
解理面
LБайду номын сангаас
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