模拟电子技术习题答案1
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗(1)杂质浓度,温度(2)呈圆形电中性,呈圆形电中性(3)等同于,大于,变宽,大于,变窄(4)逆向打穿(5)减小,减小,增大(6)左移,下移,加高(7)、发射结,erf(8)一种载流子参予导电,两种载流子参予导电,压控,流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解:(a)uo=ua-ud=-5v-0.7v=-5.7v(b)uo=ub=uc=-5v(c)uo=ua=-0.7v(d)uo=ua=-9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图,未知ui?10sin?t(mv),e?1.2v,ui电容c和直流电源e对交流视为短路,二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示,r?100?,谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解:id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管,试通过计算判断它们是否导通?。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解:(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通;5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中,已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
模拟电子技术课后习题及答案1
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改为P 型半导体。
( ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS 大的特点。
( )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零,则其输入电阻会明显变小。
( )解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、选择正确答案填入空内。
(1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽(2)设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B.T U U I e S C. )1e (S -TU U I(3)稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏(5)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS 管解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。
解:U O1≈,U O2=0,U O3≈-,U O4≈2V,U O5≈,U O6≈-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解:U O1=6V,U O2=5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图所示,其集电极最大耗散功率P CM=200mW,试画出它的过损耗区。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =。
(1)当二极管正偏压为时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。
此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。
已知电源电压为6V ,二极管压降为伏。
试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解:(1)mA 53100V7.06I D =Ω-=(2)Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时,硅二极管的正向电压为,正向电流为1mA ,试计算正向电压加至时正向电流为多少? 解:mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。
模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1
习 题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。
若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ,分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。
解:当K 250=T 时,有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ,同理,当K 300=T 时,有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ,当K 350=T 时,有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n , 当掺入施主杂质后,电子浓度:d N n =,空穴浓度:n n p 2i =,当K 250=T 时,317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p , 当K 300=T 时,317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p , 当K 350=T 时,317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。
题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ,316d cm 10=N ,求K 300=T 时PN 结的内建电位差。
解:)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ, 当K 300=T 时,mV 26T =U ,310i cm 1043.1⨯=n ,代入得:76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。
题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ,当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少?由计算结果说明伏安特性的特点。
解:根据PN 结方程,流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ,6S 10−=I A ,26T =U mV ,2.01=U V 时,3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ,36.02=U V 时,03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ,4.03=U V 时,8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ,2.04−=U V 时,04=I ,反向截止, 36.05−=U V 时,05=I ,反向截止, 4.06−=U V 时,06=I ,反向截止,由此可见,PN 结外加正向电压时,斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。
模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本
(2) A um
( Rc // Rc )
rbe
30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开, Re 有电流串联负反馈,( Aum 下降), Ri 增加, R0 不变;
(1) 画出直流通路和微变等效电路 (6 分)。 (2)设 U BEQ 0.7V ,求静态工作点
I CQ 、 U CEQ (4 分)
(3)求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
,设 =30,
rbb' =19 4 (6 分)
(4) I CEO 、U CES 忽略不计,估算最大 不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
(3) Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图, C1 ~ C4 足够大,
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
(3) R R 10 K 0 4
U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B;A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A(2)B;A;C(3)B;C;C (4) C,B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C
模拟电子技术——第1章习题及答案
思考与习题11.1填空题1.Si或载流子;另一类是在Si或Ge是多数载流子,___单向导电性___3.二极管的PN型二极管适用于高频、小电流的场合,面触4.稳压二极管主要工作在_反向击穿_______限流。
5.,其反向,正常工作电流为6.7.两种载流子,在本征半导体中掺入三价元素,可形成P型半导体。
8.11.12.13.普通二极管工作时要避免工作于反向击穿状态,而稳压管通常工作于16.W7805的输出电压为 5 V17.1.1 选择题1.在N型半导体中,多数载流子为电子,则N型半导体(C)A.带正电 B.带负电 C.不带电 D.不能确定2.在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为。
(C)A.本征半导体 B.P型半导体 C.N型半导体 D.半导体3.PN结加正向电压时,其正向电流是由的。
(A)A.多数载流子扩散形成 B.多数载流子漂移形成C .少数载流子扩散形成D .少数载流子漂移形成4.当PN 结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。
( C )A .大于 变宽 B. 小于 变窄C. 大于 变窄D. 小于 变宽5.从二极管的伏安特性可以看出,二极管两端压降大于( B )时,处于正向导通状态。
A .0V 电压B .死区电压C .反向击穿电压D .正向压降6.二极管的反向电阻( B )。
A .小B .大C .中等D .为零 7.稳压管的稳压区是其工作在 。
( C )A. 正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区8.在单相桥式整流电路中,变压器次级电压有效值为10V ,则每只整流二极管承受的最大反向电压为( .B ) A.10V B.210 V C. V D.20V9.桥式整流加电容滤波电路,设整流输入电压为20V ,此时,输出的电压约为( A )A.24VB.18VC.9VD.28.2V10.两个硅稳压管,U z1 = 6V ,U z2=9V, 下面那个不是两者串联时可能得到的稳压值(.D )。
模拟电子技术第一章 习题与答案
第一章习题与答案1.什么是PN结的偏置?PN结正向偏置与反向偏置时各有什么特点?答:二极管(PN结)阳极接电源正极,阴极接电源负极,这种情况称二极管正向偏置,简称正偏,此时二极管处于导通状态,流过二极管电流称作正向电流。
二极管阳极接电源负极,阴极接正极,二极管处于反向偏置,简称反偏,此时二极管处于截止状态,流过二极管电流称为反向饱和电流。
把二极管正向偏置导通、反向偏置截止的这种特性称之为单向导电性。
2.锗二极管与硅二极管的死区电压、正向压降、反向饱和电流各为多少?答:锗管死区电压约为0.1V,硅管死区电压约为0.5V。
硅二极管的正向压降约0.6~0.8 V;锗二极管约0.2~0.3V。
硅管的反向电流比锗管小,硅管约为1uA,锗管可达几百uA。
3.为什么二极管可以当作一个开关来使用?答:二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。
4.普通二极管与稳压管有何异同?普通二极管有稳压性能吗?答:普通二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是加反向电压击穿后,其两端的电压基本保持不变。
而普通二极管反向击穿后就损坏了。
这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。
因此,普通二极管在未击穿的条件下具有稳压性能。
5.选用二极管时主要考虑哪些参数?这些参数的含义是什么?答:正向电流IF:在额定功率下,允许通过二极管的电流值。
正向电压降VF:二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。
最大整流电流(平均值)IOM:在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。
反向击穿电压VB:二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。
正向反向峰值电压VRM:二极管正常工作时所允许的反向电压峰值。
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好? 解:二极管的正向电阻愈小愈好,反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中,u1=10sin ωt(V),R L =1k Ω,试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形,并在波形图上标出幅值,设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解:波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性,它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数,大一些好还是小一些好?解:动态内阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,即稳压性能愈好。
一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻r Z 愈小,稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中,已知电源电压V =10V ,R=200Ω,R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V,试求: ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ,I Z 将变为多少? ③当V 仍为10V ,但R L 改为2 k Ω时,I Z 将变为多少? 解:① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管,稳压仁政值均为6V ,当工作在正向时管压降均为0.7V ,如果将它们用不同的方法串联后接入电路,可能得到几种不同的稳压值?试画出各种不同的串联方法。
模拟电子技术习题1及答案
习题1 解答1.1填空题(1) 电力系统的主要作用是实现 的生产、变换、传输、分配和使用。
(2)电子系统的主要作用是实现 的产生、获取、放大、变换、传输、识别和应用等功能。
(3)信号幅度与频率的关系称为 ,信号相位与频率的关系称为 ,它们统称为信号的频谱。
(4)如果周期信号)(t v 满足 ,则可表达为正弦级数。
(5)周期电压的有效值的平方等于直流分量有效值、 、各次谐波有效值的平方和。
(6)如果非周期信号绝对可积,则存在 。
(7) 是由若干互相联接和相互作用的基本电子电路组成的、实现特定功能的电路整体。
(8) 电子学或电子技术是一门研究 、 及其应用的科学和技术。
(9) 目前,集成电路上所能容纳的晶体管数量每 将翻一番。
答案:(1)电能 (2)电信号 (3)幅度频谱;相位频谱 (4)狄里赫利条件(5)基波有效值(6) 傅里叶变换对。
(7) 电子系统(8)电子器件;电子电路(9)1.5年-2年1.2 电子系统的功能是( )。
A .电能传输 B.电信号处理 C.能量转换答案: B1.3 多项选择题(1) 下面选项中,( )是电力系统的组成部分。
A.发电厂B.输电网C.配电网D.电力用户E.无线电发射机(2)下面选项中,( )可能是电子系统的组成部分。
A.传感器B.滤波器C.放大器D.信号运算电路(3)电子系统处理的信号是( )。
A.电压B.电流C.力D.位移E.速度(4)下面选项中,( )是模拟信号。
A.正弦波电压B.三角波电流C.矩形波电压(5)模拟信号处理操作包括下述哪些选项( )。
A.信号放大 B.信号运算 C.逻辑运算 D.频谱变换 答案:(1) ABCD (2)ABCD (3)AB (4)AB (5) ABD1.4判断题:判断下列陈述是否正确。
(1)传感器将非电信号转换为电信号(电压或电流)。
(2)模拟电路处理数字信号。
答案:(1)正确 (2)错误1.5问答题(1) 何谓信号?信号包含的重要信息是什么?解答:信号是随时间变化的某种物理量,是信息的表现形式与传送载体。
模拟电子技术习题解1
外加电压的正、负极分别接PN结的P、N区——正向偏 置,简称正偏;
反之,则为反偏。
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第3章 二极管及其基本电路 3.2.3 PN结二极管处于反向偏置时,耗尽区的的宽度是增加 习 还是减少,为什么?
题 解 答 │ │ 模 拟 电 子 技 术
外加电场使得P、N两区中的多数载流子进一步离开PN结, 耗尽区的的宽度增加。 3.2.4 PN结的单向导电性在什么外部条件下才能显示出来?
解 整流电流大, PN结导通功耗大;超过“最高反向工作电压”, 答 可能发生反向击穿,反向电流剧增, PN结功耗大。——管子 │ 发热,过热烧毁 │ 模 3.3.3 比较硅、锗两种二极管的性能。在工程实践中,为什 拟 电 么硅二极管应用得较普遍? 子 硅管:导通压降大,耐压可以做得很高,电流容量大。自 技 然界中,硅元素多,容易得到。 术
外加电压时。
3.2.5 PN结的电容效应是怎样产生的? PN结外加电压变化,将引起PN结耗尽层内的空间电荷量 和耗尽层外的载流子数量的变化——电容效应。是扩散电 容和势垒电容的综合反映。
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第3章 二极管及其基本电路 3.3.1 为什么说在使用二极管时,应特别注意不要超过最大 习 题 整流电流和最高反向工作电压?
2.4.5 同相输入加法电路如图题2.4.5a、b所示。(1) 求图a中输出电压vo表达式。当所有电阻值都相同时, vo=?(2)求图b中输出电压vo表达式。当所有电阻值 都相同时,vo=?
解: (1)
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第3章 二极管及其基本电路
习 题 解 答 │ │ 模 拟 电 子 技 术
1. 在杂质半导体中多子的数量与 a (a. 掺杂浓度、b.温度)有关。
解: (1)由“虚短”概念,有vn=vp=vi=0.8V,则
模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C )。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大;B.不变;C.减小 1.3电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与ou 的波形图,并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。
试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。
1、两个管子都正接。
(1.4V )2、6V 的管子反接,8V 的正接。
新版模拟电子技术 部分参考答案(一)
习 题 11.1. 当负载开路(R L =∞)时测得放大电路的输出电压o u'=2V ;当输出端接入R L =5.1kΩ的负载时,输出电压下降为u o =1. 2V ,求放大电路的输出电阻R o 。
解:'L o o L o R u u R R =•+,'o o(1) 3.4k o L u R R u =-=Ω 1.2 当在放大电路的输入端接入电压 u s =15mV ,内阻 R s =1k Ω的信号源时,测得电路的输入端的电压为 u i =10mV ,求放大电路的输入电阻 R i 。
解:ii s i s R u u R R =•+, ∴()2k i i s s iu R R u u ==Ω-1.3 当在电压放大电路的输入端接入电压 u s =15mV ,内阻 R s = 1k Ω的信号源时,测得电路的输入端的电压为 u i =10mV ;放大电路输出端接 R L = 3k Ω的负载,测得输出电压为u o =1.5V ,试计算该放大电路的电压增益 A u 和电流增益 A i ,并分别用 d B (分贝)表示。
解:oi150u u A u ==,dB A dB A u u 5.43lg 20)(== 100()o o Li i s i sI u R A I u u R ===-,dB A dB A i i 40lg 20)(== 1.4 某放大电路的幅频响应特性曲线如图1.1所示,试求电路的中频增益A um 、下限截止频率f L 、上限截止频率f H 和通频带f BW 。
解:dB dB A um 40)(= ∴100=umAHz f H 510= Hz f L 20= ∴Hz f f f f H L H BW 510=≈-=图1.1 习题1.4电路图 图1.2 习题1.5电路图1.5 电路如图1.2所示,已知:当输入电压为0.4V 时,要求输出电压为4V 。
试求解R 1和R 2的阻值。
模拟电子技术试题(一)---答案
模拟电子技术试题一、判断题:(20×2ˊ)1、半导体的导电能力在不同条件下有很大差别,若降低环境温度导电能力会减弱。
(对)2、在P型半导体中,少数载流子是空穴,多数载流子是电子。
(F)3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。
(错)4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。
(错)5、二极管和三极管都是非线性器件。
( T )6、N型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。
(对)7、二极管加反向电压时,形成很小的反向电流,在电压不超过某一范围时,二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变。
(对)8、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。
(错)9、使用稳压管时应阳极接正,阴极接负(错)10、二极管的核心是一个PN结,所以二极管具有单向导电性。
(T)11、某发光二极管,两引脚一个长,一个短,则长引脚对应发光管的阴极。
( F )12、稳压管在正常稳压工作区域里,它的电流变化很大,而电压变化很小(对)13、普通二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿(∨)14、双向二极管两引脚有阳极和阴极之分( F )15、整流电路由二极管组成,利用二极管的单向导电性把交流电变为脉动直流电。
(∨)16、放大电路的三种组态,都有功率放大作用。
( T )17、晶体三极管的发射结和集电结是同类型的PN结,所以三极管在作放大管使用时,发射极和集电极可相互调换使用。
( F )18、在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可以将其改成P型半导体。
( T )19、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
(F)20、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
(对)二、选择题:(15×3ˊ)1、P型半导体的多数载流子是( B )。
A. 电子B. 空穴C. 电荷D. 电流2、下列说法正确的是( C )。
A.N型半导体带负电B.P型半导体带正电C.PN结型半导体为电中性体D.PN结内存在着内电场,短接两端会有电流产生3、关于P型.N型半导体内参与导电的粒子,下列说法正确的是( A )。
模拟电子技术(第2版)课后习题答案第一章
第一章 半导体器件1.1 电路如图P1.1所示,设二极管为理想的,试判断下列情况下,电路中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端的电压AO U 。
(1)V V DD 61=,V V DD 122=;(2)V V DD 61=、V V DD 122-=;(3)V V DD 61-=、V V DD 122-=。
解:1、当V V DD 61=、V V DD 122=时,假设二极管是截止的,则V V B 6=、V V A 12=二极管承受反偏电压,所以二极管截止假设成立。
V V U DD AO 122==。
2、当V V DD 61=、V V DD 122-=时,假设二极管是截止的则V V B 6=、V V A 12-=二极管承受正偏电压,所以二极管截止假设不成立,二极管导通。
V V U DD AO 61==。
3、当V V DD 61-=、V V DD 122-=时,假设二极管是截止的,则V V B 6-=、V V A 12-= 二极管承受正偏电压,所以二极管截止假设不成立,二极管导通。
V V U U DD BO AO 61-===。
1.2 二极管电路如图P1.2所示,二极管的导通电压VU D 7.0)on (=,试分别求出Ω=k R 1、Ω=k R 4时,电路中的电流O I I I 、、21和输出电压O U 。
解:1、当Ω=k R 1时,假设二极管是截止的,则mA I I O 5.41192=+=-= V R I U V L O O B 5.415.4-=⨯-===V V A 3-= (V V V B A 5.1=-)由上分析可知,二极管承受正偏电压导通(假设不成立)故可得其等效电路如图P1.2b所示:根据KCL 、 KVL :⎪⎩⎪⎨⎧+-=-+=+=RI R I R I I I I LO O 222197.039 解之:mA I mAI mA I 3.56.17.3210==-=V R I U L O O 7.317.3-=⨯-==2、当Ω=k R 4时,假设二极管是截止的,则mA I I O 8.11492=+=-=VR I U V L O O B 8.118.1-=⨯-===V V A 3-= V U U B A 2.1-=-由上分析可知,二极管承受反偏电压截止(假设成立)01=I mA I I 8.102=-=V R I U L O O 8.118.1-=⨯-==3.3 设二极管为理想的,试判断P1.3所示电路中各二极管是导通还是截止,并求出AO两端的电压AO U解:(a )假设21V V 、均截止,则V V A 10=、V V B 6-=、V V O 0=, 21V V 、均承受正偏电压,但2V 管的正向偏值电压更大,故它首先导通。
模拟电子技术试题及答案
《模拟电子技术》试题(1卷)一、填空题(每空1分,共20分)1。
PN结中内电场阻止的扩散,推动的漂移运动.2. BJT工作在放大区时,其发射结处于偏置,集电结处于偏置。
3。
射极输出器的输入信号从极间输入,而输出是从极间取出。
因此,射极输出器是一个共极放大器。
4。
甲类功放BJT的导通角为;乙类功放BJT的导通角为;甲乙类功放BJT的导通角为;5。
若两个输入信号电压的大小,极性,就称为差模输入信号.6。
为了稳定放大器的工作点,应引入负反馈;为了稳定放大器的性能,应引入负反馈。
7.自激振荡电路主要由和两部分组成,前者要求有足够的放大倍数,后者要求反馈信号与输入信号。
8.在电感反馈三点式振荡器中,BJT c-e极间的回路元件是;b-e极间的回路元件是;c—b极间的回路元件是 .二、判断题(每小题1分,共10分)1.P型半导体中的多数载流子是空穴,因此,P型半导体带正电。
( )2.发射结处于反偏的BJT,它一定工作在截止区。
( )3.BJT是由两个PN结组合而成的,所以将两个二极管对接,也可以当BJT使用.( )4.BJT的输入电阻r be是对交流而言的一个动态电阻,在小信号情况下为常数。
5。
射极输出器的输入信号加在BJT的基极,输出取自发射极。
因此,输出电压的大小可用公式V E=V B—V BE进行计算。
( )6。
乙类功放中的两个BJT交替工作,各导通半个周期。
( )7。
与接入反馈前相比较,接入负反馈后,净输入量增大了.( )8。
在运放电路中,闭环增益Àf是指广义的放大倍数.()9。
凡是能产生自激振荡的电路一定具有正反馈。
()10.由LC元件组成的并联谐振回路谐振时的阻抗呈纯电阻性,且为最小值.( )三、选择题(每小题1分,共10分)1。
PN结外加正向电压时,其空间电荷区().a。
不变 b.变宽 c.变窄2。
测得BJT各电极对地电压为:V B=4.7V,V C=4.3V,V E=4V,则该BJT工作在( )状态。
模拟电子技术第一章习题答案
模拟电子技术第一章习题答案一、填空题1.增大、增大、下2.浓度差异、电场3.五、三4.自由电子、空穴、空穴、自由电子5. N、自由电子、空穴6.本征半导体、杂质半导体7.高于8.正偏、反偏、单向导电性9.电击穿、热击穿10.高、低、单向导电11.限流电阻12.点接触、面接触13.减小、增大14.大、小15.反向击穿16.正向电流、反向电流17.电、光、正向18.光、电、反向19.反向击穿区、反向击穿区20.阻碍、促进二、单项选择题1.C2.D3.D4.C5.B6.A7.B8.B9.A10.C三、判定题1.错误2.错误3.错误4.正确5.错误四、运算分析题1.对〔a〕图,u I > 4V时稳压管稳压,u O1 = u I– 4V;u I≤4V时稳压管截止,u O1 = 0。
对〔b〕图,u I > 4V时稳压管稳压,u O2 = 4V;u I≤4V时稳压管截止,u O2 = u I。
波形图如下:2. 〔1〕开关S 闭合时发光二极管才能发光。
〔2〕R 的取值范畴Ω=-=-=26715)15(max min mAV I U V R D D DD Ω=-=-=8005)15(min max mA V I U V R D D DD 运算的最后结果:Ω≤≤Ω800267R3. 稳压管的最大稳固电流为mA VmW U P I Z ZM ZM 256150=== 稳压管正常工作时要求ZM DZ Z I I I ≤≤min ,因此mA RV mA 25)612(5≤-≤ 求得Ω≤≤Ωk R k 2.124.0。
运算的最后结果:Ω≤≤Ωk R k 2.124.04. 〔1〕当开关S 闭合时,Z DZ U V V U <≈+⨯=8.5725230,因此稳压管截止。
电压表读数U V =8.57V ,而 mA k V I I A A 4.29)25(3021=Ω+==〔2〕当开关S 断开时,I A2 = 0,稳压管能工作于稳压区,故得电压表读数U V =12V ,A 1读数为mA k V I A 3.65)1230(1=Ω-= 运算的最后结果:〔1〕U V = 8.57V ,I A1 = I A2 = 4.29mA〔2〕U V = 12V ,I A1 = 3.6mA ,I A2 = 0mA5. 〔a 〕第一假定稳压管断开,求得U PN = -8V ,绝对值大于U Z 值,因此能够工作于反向击穿区。
《模拟电子技术基础》习题答案
第1章习题及答案1.1.在图题1.1所示的各电路图中E =5V ,t u i ωsin 10=V ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解:(a )图:当i u > E 时,o u = E ,当i u < E 时,i o u u =。
(b )图:当i u < E 时,o i u u =;当i u > E 时,E u o =。
(c )图:当i u < E 时,E u o =;当i u > E 时,i o u u =。
(d )图:当i u > E 时,i o u u =;当i u < E 时,E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2.有两个稳压管D Z1和D Z2,其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ,正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ,3V ,6V ,9V 和14V 几种稳定电压,问这两个稳压管(还有限流电阻)应如何连接?画出各个电路。
解:各电路图如图所示。
(a)0.5V ;(b)3V ;(c)6V ;(d)9V ;(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3.在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光,为什么?U图题1.3解:若输入电压U I =1.0V ,发光二极管不发光,因为发光二极管正向工作电压为2~2.5V 。
1.4.光电二极管在电路中使用时,是正向连接还是反向连接?解:光电二极管在电路中使用时,是反向连接,因为光电二极管工作在反偏状态,它的反向电流随光照强度的增加而上升,用于实现光电转换功能。
1.5.某二极管的管壳标有电路符号,如图所示,已知该二极管是好的,万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示,(1)在测二极管的正向电阻时,两根表笔如何连接?(2)在测二极管的反向电阻时,两根表笔又如何连接?(3)两次测量中哪一次指针偏转角度大?偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大?图题1.5解:(1)在测二极管的正向电阻时,黑表笔接正极,红表笔接负极。
模拟电子技术基础-作业答案1
模拟电子技术课程作业第1章 半导体器件1将PN 结加适当的正向电压,则空间电荷区将( b )。
(a)变宽 (b)变窄 (c)不变2半导体二极管的主要特点sdf 是具有( b )。
(a)电流放大作用 (b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。
(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4电路如图1所示,设D 1,D 2均为理想元件,已知输入电压u i =150sin ωt V 如图2所示,试画出电压u O 的波形。
20V100V 0u Iu i V/ωtD 2D 140k Ω40k Ω150u O+- 图1+-图2+-+-答案u i V /ωt150ωt 10060u i V /0100605电路如图1所示,设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示,若忽略二极管的正向压降,试画出输出电压u O 的波形,并说明t 1,t 2时间内二极管D 1,D 2的工作状态。
u I2R Lu Ot 1t 2tt2D 1D 2图1图2u I1+-u I1/ V-22-2u I2/ V答案t 1t 2tu O /V -2t 1:D 1导通,D 2截止t 2:D 2导通,D 1截止第2章 基本放大电路1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。
++++++++U CCu oU CCU CCU CC()a ()b (c)(d)+-+-+-+-+-+-+-+-u iu iu ou ou iu ou i++++2图示电路,已知晶体管β=60,U BE .V =07,R C k =2 Ω,忽略U BE ,如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ,R B 应取( a )。
(a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k Ω++C 2C 1R BR C u ou i+-+-+12V3固定偏置放大电路中,晶体管的β=50,若将该管调换为β=80的另外一个晶体管,则该电路中晶体管集电极电流IC 将( a )。
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模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2第一章 绪论一、填空题:1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量,即 电信号 。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布,称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布,称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。
10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下,将供电电源能量转换为信号能量 的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示,其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。
13. 放大电路的频率响应指的是,在输入正弦信号情况下,输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。
14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。
二、某放大电路输入信号为10pA 时,输出为500mV ,它的增益是多少?属于哪一类放大电路? 解: Ω105A10V 50pA 10mV 5001011i o r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ,输出电压为1V (有效值),如果直接将它与10Ω扬声器连接,扬声器上的电压为多少?如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路,它的输入电阻R i =1MΩ,输出电阻R o =10Ω,电压增益为1,试求这时扬声器上的电压。
该放大电路使用哪一类电路模型最方便? 解:直接将它与10Ω扬声器连接,扬声器上的电压V 10V 1Ω10Ω10V 1Ω10M Ω1Ω1056o -=⨯≈⨯+=V在拾音头与扬声器之间接入放大电路后,使用电压放大电路模型,则等效电路如下图所示V 50V 11M ΩM Ω1M Ω1s i s i i .V R R R V =⨯+=+=扬声器上的电压V 250V 50110Ω0Ω10Ω1i vo o L L o ..V A R R R V =⨯⨯+=+=四、试说明为什么常选用频率可连续变化的正弦波信号发生器作为放大电路的实验、测试信号源。
用它可以测量放大电路的哪些性能指标?答:因为正弦波信号在幅值、频率、初相位均为已知常数时,信号中就不再含有任何未知信息。
并且任何信号都可以展开为傅里叶级数表达式,即正弦波信号各次谐波分量的组合。
正因为如此,正弦波信号常作为标准信号用来对模拟电子电路进行测试。
用它可以测量放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、频率响应和非线性失真。
五、在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为10μA 和25mV ,输出端接4k Ω电阻负载,测量到正弦电压信号的峰—峰值1V 。
试计算该放大电路的电压增益A v 、电流增益A i 、功率增益A p ,并分别换算成dB 数表示。
解: (32dB)405mV 2V 1i o v ===v v A(28dB)25μA10V /4k Ω1i o i ===i i A(30dB)10002540i v p =⨯==A A A六、某音响系统放大电路的幅频响应如图所示,放大电路的带宽是多少?半功率点是哪两个点?半功率点处的增益较中频区的增益下降了多少分贝?折合百分比为多少?答:带宽 = f H - f L =2×104-20≈2×104Hz半功率点指增益较中频区增益下降3dB 的频率点(即对应f H 、f L ),其输出功率约等于中频区输出功率的一半。
增益较中频区增益下降所折合的百分比为70.7﹪。
第二章运算放大器一、填空题:1.理想运算放大器的性能参数均被理想化,即输入电阻为无穷大,输出电阻为零,开环电压增益为无穷大,输出电压为接近正负电源值。
2.运算放大器有两个工作区。
在线性区工作时,放大器放大小信号;当输入为大信号时,它工作在非线性区,输出电压扩展到饱和值。
3.运算放大器工作在线性区时,具有虚短和虚断两个特点,凡是线性电路都可利用这两个概念来分析电路的输入、输出关系。
4.反相比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地点,而同相比例运算电路中集成运放两个输入端对地的电压基本上相等。
5.同相比例运算电路的输入电流等于零,而反相比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻的电流。
6.同相运算电路的电压增益A u≥1;反相运算电路的电压增益A u<0。
7.反相求和运算电路中集成运放的反相输入端为虚地点,流过反馈电阻的电流等于各输入端电流的和。
8.同相比例运算电路的输入电阻大,而反相比例运算电路的输入电阻小。
9.反相求和运算电路可实现函数Y=aX1+bX2+cX3,a、b和c均小于零。
10.微分运算电路可将三角波电压转换成方波电压;积分运算电路可将方波电压转换成三角波电压。
二、选择题:1. 现有电路:A. 反相比例运算电路B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路D. 微分运算电路E. 加法运算电路选择一个合适的答案填入空内。
(1)欲将正弦波电压移相+90O,应选用D。
(2)欲将正弦波电压叠加上一个直流量,应选用E。
(3)欲实现A u=-100的放大电路,应选用A。
(4)欲将方波电压转换成三角波电压,应选用C。
(5)A中集成运放反相输入端为虚地,而B中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。
2. 集成运放在作放大电路使用时,其电压增益主要决定于( A )。
A. 反馈网络电阻B. 开环输入电阻C. 开环电压放大倍数三、计算题:1.电路如图所示,其中R1=10kΩ,R2= R3= R4=51kΩ。
试求:(1)输入电阻R i;(2)v o与v i之间的比例系数。
(3)平衡电阻R 。
解:(1) R i =R 1=10k Ω(2) ⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧-=--=-+-24n 1n i3o44424n 0 R v v R v v R v v R v R v v i4o i i 124315315v .v v v .v R R v -==-=-=(3) ()k Ω84823214321.R //R R //R R //R R ==+=' 2.电路如图所示,图中集成运放输出电压的最大幅值为±14V ,试将计算结果填如表2.1中。
解:v O 1=(-R f /R ) v I =-10 v I ,v O 2=(1+R f /R ) v I =11 v I 。
当集成运放工作到非线性区时,输出电压不是+14V ,就是-14V 。
表2.1v I /V 0.1 0.5 1.0 1.5 v O 1/V -1 -5 -10 -14 v O 2/V1.15.511143.求解图示电路中v O与v I之间的运算关系。
解:图示电路的A 1组成同相比例运算电路,A 2组成差动运算电路。
先求解v O1,再求解v O 。
()I 45I2I145I245I11345I245O145O I113O111 11 11v R R v v R R v R R v R R R R v R R v R R v v R R v ⎪⎪⎭⎫⎝⎛+-=-⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+-=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+-=⎪⎪⎭⎫⎝⎛++-=⎪⎪⎭⎫⎝⎛+=4.一高输入电阻的桥式放大电路如图所示,试写出v o= f (δ)的表达式(δ=ΔR /R )。
解: i12o221212o112o i i B o2i A o1241 22 2v R R v R R R R R v R R v v R R Rv v v v v v ⎪⎭⎫⎝⎛+-=+⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++-=+=+====δδδδ5.图示电路中,A1,A2,A3均为理想运放。
(1)A1,A2,A3分别组成何种基本运算电路;(2)列出vO1,vO2,vO 的表达式。
解:(1)同相比例运算电路、反相求和运算电路、差动运算电路。
(2))23(2)(215010050100122 3i3i2i1o2o1o2o1o i3i2o2i1o1v v v v v v v v v v v v v ++-=--=⎪⎭⎫ ⎝⎛++-=--== 6.试写出图示加法器对v I1、v I2、vI3 的运算结果:v O = f (v I1、v I2、v I3)。
解:A 2的输出v O2=-(10/5)v I2-(10/100)v I3=-2v I2-0.1v I3 v O =-(100/20)v I1-(100/100)v O2=-5v I1+2v I2+0.1v I37.在图示电路中,已知输入电压v i 的波形如图(b )所示,当t =0时,电容C 上的电压v C =0。
试画出输出电压v o 的波形。
解:V52)52(1010(-5)-100 15ms -2.5V, 5ms, V521055100 ms 5 ,0 ,0 ) ()- ( -100) () (1) (1 3o 2C 13o 2C 11C 12i 1C 12i o i 1C i o 21..v t v t .v t v t t v t t v t v t t v RCv v t v dt v RC v t t =-+⨯⨯⨯====-=⨯⨯⨯-====+=+--=+-=--⎰时若时若为常数时当8.设计一反相放大器,电路如图所示,要求电压增益A v =v o /v i =-10,当输入电压v i =-1V时,流过R 1和R 2的电流小于2mA ,求R 1和R 2的最小值。
解:5.1k Ω 510Ω 5k Ω k Ω50 mA 2V 1 01 1021211ii 1212i o v ==>><-==-=-==R R R .R R v v R R R Rv v A ,取,,时,有当第三章 二极管及其基本电路一、填空题:1.制作电子器件的常用材料主要采用 硅和锗 。
2.二极管最主要的特性是 单向导电性 。
3.本征半导体是指 完全纯净的、结构完整的半导体晶体 。
P 型半导体中的少子是 电子 ,多子是 空穴 , N 型半导体中的少子是 空穴 ,多子是 电子 。
4.半导体中参与导电的有 两 种载流子,分别是 电子 和 空穴 ,导体中参与导电的有 一 种载流子,是 电子 。