LED结点温度测试

LED结温测算方法

LED结温测算⽅法⽬录第⼀章电压法测量结温第⼀节电压法测算结温的理论依据第⼆节K系数的测量1. 测量K系数的原理2. 关于K系数的说明3. 测试电流⼤⼩对K系数的影响4. K系数测量⽅法5. 数据处理6. 关于器件⼚商提供K值的建议7. K系数测量误差问题第三节利⽤K系数测算结温第⼆章热阻法测算结温第⼀节热阻法测算结温的基本原理第⼆节热阻法测结温的问题1. 为什么要⽤热阻法测结温2. 热阻参考点的选择3. 器件传热状况的影响4. 温度的影响5. 热阻法测结温参考点的正确选择第三章其它测结温⽅法简介前⾔关于 PN 结温度的测量，以往在半导体器件应⽤端测算结温的⼤多是采⽤热阻法，但这种⽅法对LED 器件是有局限性的，并且以往很多情况下被错误地应⽤。

应⽤热阻法的错误之处，以及其局限性，本⼈已在⽂献【1】中有详细阐述。

本⼈认为应该摒弃热阻法。

现在出现了不少新的测结温的⽅法，但其中⼀些⽅法也许并不能很好地反映结温。

⽐如红外成像法，理论上讲这只是测量器件表⾯或芯⽚表⾯的温度，不可能测量到实际 PN 结处的温度。

光谱法则只是个别专业测试机构能够进⾏，仪器昂贵，不适于器件使⽤者⽇常⼯作。

实际上，⽆论从专业测量，还是业余测量，最简便易⾏、最准确的、最基础的，还是电压法测算结温。

热阻法其实是在电压法基础上衍⽣⽽来的。

由于现在测量显⽰精度达 1mV 的仪表很便宜，器件使⽤者完全没有必要采⽤热阻法来测算结温。

本⽂主要是介绍电压法测算结温。

也介绍了热阻法测算结温，并提出热阻法存在的问题。

最后简单介绍了⼀些其它测结温的⽅法。

本⽂介绍的电压法测算结温的⽅法，是从⼀般⼯程应⽤的⾓度来讲。

主要是为⼀般的器件⼚商和器件使⽤者提供⾃⼰测试的⽅法。

因此所述的⽅法中，使⽤的⼀些仪器不能与专业的仪器设备⽐较，但精度和准确性不⽤担⼼。

这⽅⾯只要你懂得了物理原理就明⽩了。

关键还是看具体的操作者对测试机构的设计和仪表的选择，以及操作中的精⼼程度。

大功率LED结温方法

大功率LED 结温方法GaN 基白光LED 结温测试方法1. 正向电压法(forward voltage method)原理：初始电压与初始结温符合很强的线性关系KV V T T t j 00-+= 其中T0是作为参考的环境温度,V0是在T0下的初始电压;Tj 和Vt 分别是稳定时的结温和正向电压。

系数K 可以通过测量两组不同的参考温度和电压得到K=(V1-V0) /(T1-T0),也可以通过测量多组参考温度和电压作线性拟合得到。

K 值测量测量时将LED 放置在控温烤箱中，施加小电流（10mA ），分别在不同的烤箱温度下（Ta1,Ta2）,每个温度阶段恒温30min （样品为1WLED 加散热片，如果未加散热片可另外考虑），使得结温与环境温度一致，测试过程中保持电流恒定。

测量LED 的正向电压（Vf1,Vf2）,这时可近似认为；K=(V1-V0) /(Ta2-Ta1)Rth 为热阻Rth=（Tj-Tb ）/PTb 为测试得到的基板底部的温度，P 为L E D 的耗散功率,Tb 用热电偶实时测量LED 基板底部的温度。

2. 管脚法(Pin method)原理：管脚温度法是利用LED 器件的热输运性质,通过测量管脚温度和芯片耗散的热功率,以及热阻系数来确定结温p j j p j R P T T -+=*其中Tp 是管脚温度,Tj 是结温;Pj 是LED 芯片耗散的热功率;R Θj-p 是从结到管脚的热阻系数,可以由厂家给出,或者由实验确定,本实验中结合电压法测量来确定热阻系数文献中提到热阻系数由电压法测得，而电压法又会存在误差，所以此方法误差会较大一些。

3. 蓝白法（non-contactmethod for determining junction temperatur ）原理：利用白光LED 的发光光谱分布(SPD)来测量结温,最大的优点是不需要破坏器件的整体性,是一种非接触的结温测量方法。

蓝白比R 与结温都有较好的线性关系,可通过测量光谱算得R 值,然后用下面的换算公式得到结温：rj K R R T T 00-+= 其中T0为参考结温,Tj 是要测量的结温;R0和R 分别是结温为T0和Tj 时的蓝白比;Kr 是比例系数,可以通过测量两组不同的参考结温和蓝白比得到Kr=(R0-R1) /(T0-T1),也可以通过测量多组已知结温情况下的蓝白比作线性拟合。

批准
审核
编制
yugy
测试要求：1，灯具或光源的整个测试过程应处于室温为25±5℃下点灯； 2，温度测试过程中，不得出现熔胶、着火等异常现象；
3，温度测试、功率测试数据均应该是灯具或光源点灯达到稳定状态下的值。

结果计算：LED 结点温度计算方法：
环境结点总环境结点→⨯+=R P T T
T 环境：指环境温度.
P 总：指LED 的总功率.
R 结点环境：指从LED 封装衬底材料到LED 灯壳的所有热阻之和。

环境负极负极结点环境结点→→→+=R R R
负极板板结点负极结点→→→+=PCB PCB R R R
总环境负极环境负极）（P /T T R -=→
其中：
负极结点→R 表示从结点到负极的热阻系数，其值可以由LED 供应商提供，LED LED V I P ⨯=总，LED I 、LED V 都可以在功率测试中测得或计算得出，负极T 和环境T 分别表示负极温度和环境温度，其值可以在温度测试中得到，将这些参数代入上述公式中逆推就可以计算出LED 的结点温度结点T 。

LED结温热阻测试方法(201103)

• • 测量LED热阻通常采用下列几种方法: (1)显微拉曼光谱 – 该方法是利用拉曼散射谱中的谱线StokeS和Antistokes在不同温度下的移动量，来测量温升。 – 优点:由于显微镜头的最小光斑半径是1μm，空间移动的最小精度是0.1 μm ，这样通过二者的结合，可测量某一区域的温度分布。 – 缺点：由于该方法属外部客观测量，不能进行瞬态热响应测量。
• 其中，显微拉曼光谱、光致荧光法与电致荧光法因其测ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ精度较低件10℃，因而较不常被使用：红外热像法和液晶显示法测试时要求芯片上方无封装材料，因此，在使用时会受到一定限制。唯独电学法因具有测量方便且测量精度远高于其它测量方法，因此成为最常被广泛使用的测量方法。
电压法测量LED 结温的原理
图一
• Rja 在标准规范的条件下测量，可用于比较不同封装散热的情况。 • Rjb 是指在自然对流以及风洞环境下由芯片接面传到下方测试板部分热传时所产生的热阻，可用于由板温去预测结温。见图二
图二
• 大功率 LED 封装都带基板，绝大部分热从基板通过散热板散发，测量 LED 热阻主要是指 LED 芯片到基板的热阻。与 Rjc 的情况更加接近。
图三
• 为了减小电压测量带来的误差，<EIA/JESD51- 标准规定测量系 1> 数 K 时，两个温度点温差应该大于等于50 度。对于用电压法测量结温的仪器有几个基本的要求： – A、电压法测量结温的基础是特定的测试电流下的 Vf 测量，而 LED 芯片由于温度变化带来的电压变化是毫伏级的，所以要求测试仪器对电压测量的稳定度必须足够高，连续测量的波动幅度应小于 1mV 。 – B、这个测试电流必须足够小，以免在测试过程中引起芯片温度变化；但是太小时会引起电压测量不稳定，有些 LED 存在匝流体效应会影响 Vf 测试的稳定性，所以要求测试电流不小于 IV 曲线的拐点位置的电流值。 – C、由于测试LED 结温是在工作条件下进行的，从工作电流（或加热电流）降到测试电流的过程必须足够快和稳定，Vf 测试的时间也必须足够短，才能保证测试过程不会引起结温下降。

电压法LED结温及热阻测试原理

电压法LED结温及热阻测试原理近年来,由于功率型LED 光效提高和价格下降使LED 应用于照明领域数量迅猛增长,从各种景观照明、户外照明到普通家庭照明,应用日益广泛。

LED 应用于照明除了节能外,长寿命也是其十分重要的优势。

目前由于LED 热性能原因,LED 及其灯具不能达到理想的使用寿命;LED 在工作状态时的结温直接关系到其寿命和光效;热阻则直接影响LED 在同等使用条件下LED 的结温;LED 灯具的导热系统设计是否合理也直接影响灯具的寿命。

因此功率型LED 及其灯具的热性能测试,对于LED 的生产和应用研发都有十分直接的意义。

以下将简述LED 及其灯具的主要热性能指标,电压温度系数K、结温和热阻的测试原理、测试设备、测试内容和测试方法,以供LED 研发、生产和应用企业参考。

一、电压法测量LED 结温的原理LED 热性能的测试首先要测试LED 的结温,即工作状态下LED 的芯片的温度。

关于LED 芯片温度的测试,理论上有多种方法,如红外光谱法、波长分析法和电压法等等。

目前实际使用的是电压法。

1995 年12 月电子工业联合会/电子工程设计发展联合会议发布的>标准对于电压法测量半导体结温的原理、方法和要求等都作了详细规范。

电压法测量LED 结温的主要思想是：特定电流下LED 的正向压降Vf与LED 芯片的温度成线性关系,所以只要测试到两个以上温度点的Vf值,就可以确定该LED 电压与温度的关系斜率,即电压温度系数K 值,单位是mV/°C 。

K 值可由公式K=ㄓVf/ㄓTj求得。

K 值有了,就可以通过测量实时的Vf值,计算出芯片的温度(结温)Tj。

为了减小电压测量带来的误差,>标准规定测量系数K 时,两个温度点温差应该大于等于50 度。

对于用电压法测量结温的仪器有几个基本的要求：A、电压法测量结温的基础是特定的测试电流下的Vf测量,而LED 芯片由于温度变化带来的电压变化是毫伏级的,所以要求测试仪器对电压测量的稳定度必须足够高,连续测量的波动幅度应小于1mV 。

城市道路照明灯具中led结温的意义和测量方法

城市道路照明灯具中LED结温的意义和测量方法城市道路照明灯具中LED结温的意义和测量方法摘要：城市道路照明中不可缺少LED灯具，具有运行可靠、高效节电、等诸多优点。

本文介绍了测量半导体LED灯具的结温意义和测量方法，供大家参考。

关键词：LED 结温测量中图分类号：U41 文献标识码：A 文章编号：一、前言由于LED半导体照明灯具具有光效高、寿命长、不含重金属等突出优点，是继白炽灯、高压汞灯、高压钠灯、金卤灯之后新一代大功率照明产品，因此在城市道路照明系统中，LED路灯应用越来广泛。

作为LED路灯的关键光源-LED的质量就成为重要的研究对象，其中LED结温是影响发光效率、使用寿命的重要参数之一。

LED的基本结构是一个半导体的P-N结。

实验指出，当电流流过LED器件时，P-N结的温度将上升，严格意义上说，就把P-N结区的温度视之为结温。

通常由于器件芯片均具有很小的尺寸，因此我们也可把LED芯片的温度视之为结盟。

在LED工作时，可存在以下四种情况促使结温不同程度的上升：器件不良的电极结构，窗口层衬底或结区的材料以及导电银胶等均存在一定的电阻值，当电流流过P-N结时，同时也会流过这些电阻，从而产生焦耳热，引致芯片温度或结温的升高。

由于P-N结不可能极端完美，器件的注入效率不会达到100%，而以发热的形式消耗掉了。

由于LED芯片材料与周围介质相比，具有大得多的折射系数，致使芯片内部产生的极大部分光子（>90%）无法顺利地溢出界面，而在芯片与介质面产生全反射，返回芯片内部并通过多次内部反射最终被芯片材料或衬底吸收，并以晶格振动的形式变成热，促使结温升高。

LED器件的热散失能力是决定结温高低的又一个关键条件。

散热能力强时，结温下降，反之，散热能力差时结温将上升。

二、意义（一）结温对LED光输出的影响实验指出，LED的光输出均明显依赖于器件的结晶。

当LED的结温升高时，器件的输出光强度将逐渐减小，而结温下降时，光输出强度将增大。

led灯珠结温测试方法

led灯珠结温测试方法英文回答：LED Die Temperature Measurement Methods.Determining the junction temperature (Tj) of an LED die is crucial for ensuring optimal performance and reliability. Accurate Tj measurement enables the assessment of thermal management effectiveness and the prediction of LED lifespan. Several methods are commonly used to measure LED die temperature:1. Forward Voltage (Vf) Method.The forward voltage (Vf) of an LED decreases linearly with increasing temperature. By measuring the Vf at a known temperature and then at the operating temperature, the temperature difference can be calculated using thefollowing equation:ΔTj = (ΔVf / αVf) (1 + αTj)。

where:ΔTj is the temperature difference.ΔVf is the difference in forward voltage.αVf is the temperature coefficient of forward voltage.αTj is the temperature coefficient of Vf at the reference temperature.This method is simple and non-invasive but requires accurate knowledge of αVf and αTj.2. Light Output Power (LOP) Method.The light output power (LOP) of an LED decreases exponentially with increasing temperature. By measuring the LOP at a known temperature and then at the operating temperature, the temperature difference can be calculated:ΔTj = (1 / β) ln(LOP1 / LOP2)。

LED灯具结温测试系统的使用方法

LED灯具结温测试系统的使用方法张新光近年来，随着LED照明技术的不断发展，LED在普通照明中的应用也越来越广泛。

采用LED光源的灯具与采用普通光源的灯具有着不同之处，对与普通光源灯具应用已经成熟，在灯具标准中，也有明确的考核要求，但对于LED光源灯具标准中却缺乏结温、热阻等影响性能指标的测量和限制的相关要求。

众所周知，当LED光源应用在普通灯具中时，其工作状态时的结温直接关系到LED寿命和光效，因此，大功率 LED 及其灯具的结温测试,对于LED 的生产和应用都有十分重要的意义。

（LED 的结温，本文是指LED应用在灯具中的结温，即LED灯具在正常工作状态下 LED 的PN结的温度。

）LED结温的高、低将直接影响到其灯具寿命的长短及其性能优越的评价。

因此，我们公司研制出能标定各类LED照明灯具内的LED Vf-Tj的对应曲线的检测装置——LED灯具结温测试系统（见图1），并建立了一套完善的照明灯具内LED实际工作结温和热阻的测试方法，可以用来指导LED灯具生产企业可靠地标出LED热沉上参考点的温度限值。

本文我们将就LED灯具结温测试系统的使用方法进行简单介绍。

图1 LED灯具结温测试系统首先，是测试前的准备工作。

1、先将LED灯具中认为最有代表性的一颗LED切出来，使其与灯具线路断开，然后选择LED结温测试系统的其中一组（共四组）焊接到LED两端，我们采用了四线法测试的方法，有效地避免了回路线形电阻及开关触点等对测试结果的影响，提高了测试结果的精确度。

见图2。

2、在该LED的热沉处（离LED最贴近处的散热片），粘一个热电偶，见图2，热电偶与LED结温测试系统对应相连。

图2四线法接线3、使灯具在25℃±2℃的环境下放置足够长时间，使灯具的温度、LED结温、热电偶温度尽可能的一致。

第二，标定。

即Vf-Tj曲线测试。

1、把已经准备好的LED灯具，放入可编程控制的恒温加热箱内，LED灯具结温测试系统会自动将给定好的温度，经过阶梯式方式对箱体内的LED灯具进行加热。

LED结温(Tj)温度测量概述5页word文档

LED结温（Tj）温度测量概述因LED具有寿命长、耐候性能好等优点，近年来在汽车照明领域中得到了广泛的应用。

虽然LED具有很多优点，但是其作为光电器件，在工作过程中却只有约15%～25的电能可以转换成光能，其余的电能基本都会被转化成热能。

因此，如果采用LED作为光源运用于车灯照明中时，LED的结温（Tj）测量就成为了散热设计的关键点。

1 LED结温（Tj）的含义：LED的结温（Tj）简单来讲，就是LED本身的温升极限，英文含义为：Temperature Junction。

LED的基本结构是一个半导体的PN结，由于LED 的芯片均具有很小的尺寸。

因此一般把LED芯片的温度视之为结温。

LED 的结温高低直接影响到其发光效率，器件寿命，可靠性，发射波长等，保持LED结温在允许的范围内，是LED能否发挥出应有机能的关键一环。

2 影响LED结温（Tj）上升的主要因素：2.1 发光效率是导致LED结温升高的主要原因以目前的LED生产水平，虽然通过采用先进的生产材料和器件加工工艺，已经尽可能的将LED绝大多数的输入电能转化成了光辐射能；但是由于LED的芯片材质往往会比周围的介质相比具有大得多的折射系数，致使芯片内部产生的大部分光子无法顺利的溢出，而在芯片与介质面产生全反射，返回芯片内部并通过多次内部反射最终被芯片材料或衬底吸收，并以晶格振动的形式变成热，导致结温升高。

2.2 器件不良的电极结构也是造成结温升高的原因之一结温区域的材料、导电银胶等均存在着一定的电阻值，这些电阻相互叠加，构成了LED器件的串联电阻。

当电流通过PN结时，同时也会流经这些产生电阻的区域，从而产生热，导致芯片的温度或结温上升。

2.3 LED的散热能力是决定结温工地的另一个关键因素由于环氧树脂是一种低导热材料，因此，PN结产生的热量很难通过透明的环氧树脂向上散发到环境中去。

其大部分热量只能通过衬底、银胶、壳体、环氧粘结层、PCB板向下发散。

光谱法测led结温的

光谱法测led结温的
LED（Light-Emitting Diode）的结温是指LED晶片在正常工作情况下的温度。

测量LED结温通常采用光谱法，以下是使用光谱法测量LED结温的基本步骤：
1.准备工作：确保测量环境稳定，无干扰光源，并根据需要
选择适当的测温设备。

2.进行基准测量：在LED未通电之前，使用光谱仪测量LED
的冷态光谱。

这一步旨在建立冷态光谱作为后续温度测量
的基准。

3.通电并测量光谱：将LED通电，让其工作在正常工作条件
下。

同时，使用光谱仪测量LED的热态光谱。

测量时间应
足够长，以确保稳定的LED温度。

4.分析光谱：将冷态光谱和热态光谱进行比较和分析。

LED
发光过程中的波长偏移可以反映出LED的温度变化。

5.温度推导：使用事先建立的冷热态光谱关系，在热态光谱
中的波长偏移量和冷热态之间的关系，反推出LED的结温。

需要注意的是，在实际测量中，还有其他因素可能对LED结温测量结果产生影响，如LED背光散热效果、环境温度等。

因此，为了提高测量准确性，可以考虑将多种测温方法相结合，如红外热像仪、接触式测温设备等。

综上所述，光谱法是一种常用的测量LED结温的方法，通过分析LED的光谱波长偏移，可以推导出LED的结温水平。

【VIP专享】LED结温测试

LED的寿命可以预测吗？一切事物都有发生、发展和消亡的过程，LED也不例外，是有一定寿命的。

早期的LED只是手电筒、台灯这类的礼品，用的时间不长，寿命问题不突出。

但是现在LED已经开始广泛地用于室外和室内的照明之中，尤其是大功率的LED路灯，其功率大、发热高、工作时间长，寿命问题就十分突出。

过去认为LED寿命一定就是10万小时的神话似乎彻底破灭了。

那么到底问题出在哪里呢？假如不考虑电源和驱动的故障，LED的寿命表现为它的光衰，也就是时间长了，亮度就越来越暗，直到最后熄灭。

通常定义衰减30%的时间作为其寿命。

那么LED的寿命能不能预测呢？这个问题无法简单地回答，需要从头讲起。

1、LED的光衰大多数白色LED是由蓝色LED照射黄色荧光粉而得到的。

引起LED光衰的主要原因有两个，一个是蓝光LED本身的光衰，蓝光LED的光衰远比红光、黄光、绿光LED要快。

还有一个是荧光粉的光衰，荧光粉在高温下的衰减十分严重。

各种品牌的LED它的光衰是不同的。

通常LED的厂家能够给出一套标准的光衰曲线来。

例如美国Cree公司的光衰曲线就如图1所示。

图1. Cree公司的LED的光衰曲线从图中可以看出，LED的光衰是和它的结温有关，所谓结温就是半导体PN结的温度，结温越高越早出现光衰，也就是寿命越短。

从图上可以看出，假如结温为105度，亮度降至70%的寿命只有一万多小时，95度就有2万小时，而结温降低到75度，寿命就有5万小时，65度时更可以延长至9万小时。

所以延长寿命的关键就是要降低结温。

不过这些数据只适合于Cree的LED。

并不适合于其他公司的LED。

例如Lumiled公司的LuxeonK2的光衰曲线就如图2所示。

图2. Lumiled 公司的LuxeonK2的光衰曲线当结温从115℃提高到135℃，就会使寿命从50,000小时降低到20,000小时。

其他各家公司的光衰曲线应当可以向原厂索取。

2、如何才能延长LED的寿命由图中可以得出结论，要延长其寿命的关键是要降低其结温。

单颗LED结点温度量测

单颗LED结点温度量测概述半导体结点(从IC中数以百万计的晶体管到实现高亮度LED的大面积复合结点)可能由于不断产生的热而在早期发生故障。

当特征尺寸缩小且电流要求提高时，这将成为一个非常严重的问题，甚至正常操作也可能聚积热量，使结点温度升高。

温度上升可能增加结点内的缺陷数量，从而导致器件的性能下降、生命周期缩短。

采用四线测量方法或者Kelvin测量方法将SMU与器件相连接。

通过感应DUT[device under test]周围而不是SMU[源测量单元]source measure unit.输入端的电压，四线电压测量能降低电压测量中由引线电阻导致的误差。

本文主要从下面四个方面(温度量测方法，结点温度测试方法，应用实例，误差根源)对结点温度量测的进行探讨。

温度量测方法需要一种准确的温度测量方法来测量半导体器件的温度，以避免产生可能导致故障的高温。

有一种方法很简单，即测量结点温度。

它可以使用常用测试和测量仪器，测量结果可被用来监视特定器件的工作状况。

测量结点温度的理想方法是在尽可能离热源近的地方监视器件温度。

流过半导体结点的电流产生热，这些热量经过结点材料流向外部世界。

另一种方法是将温度传感器放在非常靠近半导体结点的位置，并且测量传感器的输出信号。

随着热量流向外部区域，外部区域和传感器的温度升高。

尽管这是一个很直接的过程，但由于传感器尺寸有限，所以该方法具有许多物理上的限制。

在很多情况下，传感器本身比要测量的结点的尺寸大，这就会给系统增加大量的热，同时带来额外的测量误差，从而降低测量准确度。

因此，这种方法几乎对大多数应用都没有用。

测试设备图1：在测试设置中，SMU被用来描述半导体的正向压降与结点温度的关系。

SMU[源测量单元]source measure unit一种更好的解决方法是利用结点本身作为温度传感器。

对大多数材料来说，结点正向压降和结点温度之间都存在密切的相关性。

什么时候结点正向压降与结点温度呈非线性关系取决于结点的材料和设计。

GaN基白光LED的结温测量

第27卷　第3期2006年6月发　光　学　报CH I N ESE JOURNAL OF LU M I N ESCE NCEVol 127No 13Jun .,2006文章编号:100027032(2006)0320407206GaN 基白光L E D 的结温测量陈　挺,陈志忠3,林　亮,童玉珍,秦志新,张国义(北京大学物理学院;人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京　100871)摘要:用正向电压法、管脚法和蓝白比法等三种方法测量Ga N 基白光LE D 的结温,获得了较为准确的结温,误差可以控制在4℃以内。

正向电压法在恒定电流的条件下,得到了正向电压与结温的线性关系;蓝白比法在不同环境温度和不同注入电流两种情况下,都得到了蓝白比与结温较好的线性关系。

提出了蓝白比法可能的物理机制,提高环境温度和增大注入电流都会使结温升高,蓝光峰值波长也会改变,这两个因素都会影响荧光粉的激发和发光效率。

降低结温需要考虑的主要因素有白光LE D 的接触电阻、串联电阻和外量子效率,封装材料的热导率,反射杯和管脚的设计,以及空气散热部分的散热面积等。

关　键　词:Ga N 基白光LE D;结温;正向电压;管脚温度;电致发光谱中图分类号:O482.31;T N312.8 PACC:7860F 文献标识码:A 收稿日期:2004208222;修订日期:2005201224 基金项目:国家“863”计划资助项目(2001AA313110,2001AA313060,2001AA313140) 作者简介:陈挺(1981-),男,江苏扬州人,博士研究生,主要从事光电子物理和纳米半导体方面的研究。

E 2mail:chenting@pku .edu .cn,Tel:(010)62751618 3:通讯联系人;E 2mail:zzchen@pku .edu .cn,Tel:(010)62759726,Fax:(010)627525851　引言大功率Ga N 基白光发光二极管(LE D )的制备技术是发展新一代绿色、节能、环保光源的关键技术,但是结温升高会使白光LED 的光度、色度学性能变差[1～3]以及寿命变短[4～6]。