飞思卡尔8位单片机MC9S8Flash存储器的在线编程
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11.2.2 Flash存储器的编程寄存器
（1）Flash控制寄存器（Flash Control Register — FLCR）
FLCR的地址：$FE08，定义为：
数据位 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
定义
HVEN MASS ERASE PGM
复位
0
0
000
0
0
0
D7～D4位：未定义。 D3 — HVEN位：高压允许位（High-Voltage Enable Bit）。 D2 — MASS位：整体擦除控制位（Mass Erase Control Bit）。 D1 — ERASE位：擦除控制位（Erase Control Bit）。 D0 — PGM位：编程（写入）控制位（Program Control Bit）。
7 h
（ 2 ） Flash 块 保 护 寄 存 器 （ Flash Block Protect Register — FLBPR）
FLBPR 的 地 址 ： $FF7E ， 它 的 内 容 为 Flash 保 护 区 域 的 起 始 地 址 的 14～7位,保护区域的起始地址的最高位始终为1，而保护区域的起始地址 的低7位(位6～0)始终为0。对FLBPR写入，可以设定被保护的Flash区域， 它本身也是一个Flash字节。当Flash处于保护状态时，擦除和写入操作都 是受限制的，HVEN将无法被正常置起。Flash块保护寄存器设定的只是 保护区域的起始地址，保护区域的结束地址始终为Flash存储区的结束地 址（$FFFF）。例如，设定FLBPR的值为$02(%0000 0010)，则保护区域 为$8100～$FFFF(%1000 0001 0000 0000 ～ %1111 1111 1111 1111)。
GP32
FLBPR内容 受保护的Flash区域
$00(%0000 0000) $8000 ~ $FFFF
$01(%0000 0001) $8080 ~ $FFFF
$02(%0000 0010) $8100 ~ $FFFF
……
……
$FE(%1111 1110) $FF(%1111 1111)
$FF00 ~ $FFFF Flash区不被保护
擦除及写入操作都是通过设置或清除Flash存储器的控制寄存器 （FLCR）中的某个或某些位来完成的。
5 h
（2）Flash片内单位：页（Page）和行（Row）
页和行的大小（字节数）随整个Flash存储器的大小变化而变化， 但页的大小始终为行的两倍。例如MC68HC908GP32内含32K的Flash 存储器（地址为$8000～$FDFF），每页的大小为128字节，每行的大 小为64字节；而MC68HC908JL3片内Flash存储器仅有4K，每页和每 行的大小也分别变为64字节和32字节。
11.1.1 Flash存储器的基本特点与编程模式
（1）Flash存储器的基本特点
① 固有不挥发性 ② 易更新性 ③ 成本低、密度高、可靠性好
（2）Flash存储器的两种编程模式
①监控模式（Monitor Mode）或写入器模式 ②用户模式（User Mode）或在线编程模式
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11.1.2 M68HC08系列单片机Flash存储器的特点 与编程模式
（3）Flash的整体擦除和页擦除
对于GP32单片机来说，对Flash存储器的擦除操作可以进行整体擦 除也可以仅擦除某一起始地址开始的一页（128字节）。也就是说，不 能仅擦除某一字节或一次擦除小于128字节。注意这一特点，在数据安 排时尤为重要。GP32单片机的写入操作以行（64字节）为基础，一次 连续写入数据个数只能在一行之内。当然，不经过擦除的区域，不能 进行写入，这一点需特别注意。
特别情况是:FLBPR的存储内容为$00，整个Flash存储区都受到保护； 如果FLBPR的存储内容为$FF，则整个Flash存储区都可以被擦除或写入。
注：只有当单片机处于运行用户程序时，对FLBPR本身和Flash保护区域的擦
写操作保护才是有效的。复位不影响FLBPR。
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GP32与JL3芯片Flash块保护寄存器设置比较
JL3
FLBPR内容 受保护的Flash区域
$00 ~ $60
$EC00 ~ $FFFF
ຫໍສະໝຸດ Baidu
$62(%0110 0010) $EC40 ~ $FFFF
$64(%0110 0100) $EC80 ~ $FFFF
$68(%0110 1000) $ECC0 ~ $FFFF
① 复位向量（$FFFE～$FFFF）内容为“空”（$FFFF）。 ② 单片机复位时在IRQ引脚上加上高电压（1.4～2Vdd）,并给某些 I/O脚置适当值（与芯片型号有关，设计时，参考芯片手册）。 M68HC908系列单片机的Flash存储器工作于用户模式不需要特别的 条件，在单片机正常工作的过程中，程序可以随时转入对Flash存储器进 行编程操作。这种情况下对Flash存储器的擦除与写入，不需要用户提供 其它外部硬件条件。
第十一章 Flash存储器的在线编程
主要内容 ❖ Flash存储器概述与编程模式 ❖ MC68HC908GP32单片机Flash存储器编程方法 ❖ GP32单片机Flash在线编程汇编语言实例 ❖ GP32单片机Flash在线编程C语言实例 ❖ HCS08系列单片机Flash编程方法
1 h
11.1 Flash 存储器概述与编程模式
返回 4
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11.2 MC68HC908GP32单片机Flash存储 器编程方法
11.2.1 Flash存储器编程的基本概念
（1）对Flash编程的两种基本操作：擦除（Erase）和写入 （Program）
擦除操作的含义是将存储单元的内容由二进制的0变成1， 写入操作的含义是将存储单元的内容由二进制的1变成0。
（1）M68HC08系列单片机Flash存储器的特点
第一，编程速度快及可靠性高。 第二，单一电源电压供电。 第三，支持在线编程。
3 h
（2）M68HC08系列单片机Flash存储器的编程模式
M68HC908系列单片机中绝大多数型号在其内部带有监控ROM,其地 址和大小取决于芯片型号。 Flash存储器工作于监控模式的条件是：
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11.2.2 Flash存储器的编程寄存器
（1）Flash控制寄存器（Flash Control Register — FLCR）
FLCR的地址：$FE08，定义为：
数据位 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
定义
HVEN MASS ERASE PGM
复位
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000
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D7～D4位：未定义。 D3 — HVEN位：高压允许位（High-Voltage Enable Bit）。 D2 — MASS位：整体擦除控制位（Mass Erase Control Bit）。 D1 — ERASE位：擦除控制位（Erase Control Bit）。 D0 — PGM位：编程（写入）控制位（Program Control Bit）。
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（ 2 ） Flash 块 保 护 寄 存 器 （ Flash Block Protect Register — FLBPR）
FLBPR 的 地 址 ： $FF7E ， 它 的 内 容 为 Flash 保 护 区 域 的 起 始 地 址 的 14～7位,保护区域的起始地址的最高位始终为1，而保护区域的起始地址 的低7位(位6～0)始终为0。对FLBPR写入，可以设定被保护的Flash区域， 它本身也是一个Flash字节。当Flash处于保护状态时，擦除和写入操作都 是受限制的，HVEN将无法被正常置起。Flash块保护寄存器设定的只是 保护区域的起始地址，保护区域的结束地址始终为Flash存储区的结束地 址（$FFFF）。例如，设定FLBPR的值为$02(%0000 0010)，则保护区域 为$8100～$FFFF(%1000 0001 0000 0000 ～ %1111 1111 1111 1111)。
GP32
FLBPR内容 受保护的Flash区域
$00(%0000 0000) $8000 ~ $FFFF
$01(%0000 0001) $8080 ~ $FFFF
$02(%0000 0010) $8100 ~ $FFFF
……
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$FE(%1111 1110) $FF(%1111 1111)
$FF00 ~ $FFFF Flash区不被保护
擦除及写入操作都是通过设置或清除Flash存储器的控制寄存器 （FLCR）中的某个或某些位来完成的。
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（2）Flash片内单位：页（Page）和行（Row）
页和行的大小（字节数）随整个Flash存储器的大小变化而变化， 但页的大小始终为行的两倍。例如MC68HC908GP32内含32K的Flash 存储器（地址为$8000～$FDFF），每页的大小为128字节，每行的大 小为64字节；而MC68HC908JL3片内Flash存储器仅有4K，每页和每 行的大小也分别变为64字节和32字节。
11.1.1 Flash存储器的基本特点与编程模式
（1）Flash存储器的基本特点
① 固有不挥发性 ② 易更新性 ③ 成本低、密度高、可靠性好
（2）Flash存储器的两种编程模式
①监控模式（Monitor Mode）或写入器模式 ②用户模式（User Mode）或在线编程模式
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11.1.2 M68HC08系列单片机Flash存储器的特点 与编程模式
（3）Flash的整体擦除和页擦除
对于GP32单片机来说，对Flash存储器的擦除操作可以进行整体擦 除也可以仅擦除某一起始地址开始的一页（128字节）。也就是说，不 能仅擦除某一字节或一次擦除小于128字节。注意这一特点，在数据安 排时尤为重要。GP32单片机的写入操作以行（64字节）为基础，一次 连续写入数据个数只能在一行之内。当然，不经过擦除的区域，不能 进行写入，这一点需特别注意。
特别情况是:FLBPR的存储内容为$00，整个Flash存储区都受到保护； 如果FLBPR的存储内容为$FF，则整个Flash存储区都可以被擦除或写入。
注：只有当单片机处于运行用户程序时，对FLBPR本身和Flash保护区域的擦
写操作保护才是有效的。复位不影响FLBPR。
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GP32与JL3芯片Flash块保护寄存器设置比较
JL3
FLBPR内容 受保护的Flash区域
$00 ~ $60
$EC00 ~ $FFFF
ຫໍສະໝຸດ Baidu
$62(%0110 0010) $EC40 ~ $FFFF
$64(%0110 0100) $EC80 ~ $FFFF
$68(%0110 1000) $ECC0 ~ $FFFF
① 复位向量（$FFFE～$FFFF）内容为“空”（$FFFF）。 ② 单片机复位时在IRQ引脚上加上高电压（1.4～2Vdd）,并给某些 I/O脚置适当值（与芯片型号有关，设计时，参考芯片手册）。 M68HC908系列单片机的Flash存储器工作于用户模式不需要特别的 条件，在单片机正常工作的过程中，程序可以随时转入对Flash存储器进 行编程操作。这种情况下对Flash存储器的擦除与写入，不需要用户提供 其它外部硬件条件。
第十一章 Flash存储器的在线编程
主要内容 ❖ Flash存储器概述与编程模式 ❖ MC68HC908GP32单片机Flash存储器编程方法 ❖ GP32单片机Flash在线编程汇编语言实例 ❖ GP32单片机Flash在线编程C语言实例 ❖ HCS08系列单片机Flash编程方法
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11.1 Flash 存储器概述与编程模式
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11.2 MC68HC908GP32单片机Flash存储 器编程方法
11.2.1 Flash存储器编程的基本概念
（1）对Flash编程的两种基本操作：擦除（Erase）和写入 （Program）
擦除操作的含义是将存储单元的内容由二进制的0变成1， 写入操作的含义是将存储单元的内容由二进制的1变成0。
（1）M68HC08系列单片机Flash存储器的特点
第一，编程速度快及可靠性高。 第二，单一电源电压供电。 第三，支持在线编程。
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（2）M68HC08系列单片机Flash存储器的编程模式
M68HC908系列单片机中绝大多数型号在其内部带有监控ROM,其地 址和大小取决于芯片型号。 Flash存储器工作于监控模式的条件是：