陶瓷电容材质
贴片电容材质分类
贴片电容材质分类文稿归稿存档编号：[KKUY-KKIO69-OTM243-OLUI129-G00I-FDQS58-这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II 类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减的，不同材质的频率特性也是不同的。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。
这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD的主要连接方式。
低中高压瓷片陶瓷电容器资料规格书
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3. Stable capacitance change over the specified temperature.
Product Type
3. ( S - C ) 682PF ~ 224PF measured at 1KHz±10%, 0.1V rms, 25℃
Temp. Range
- 25 ℃ to + 85 ℃
Taping (Radial) -- Lead Spaciபைடு நூலகம்g F = 2.5 / 5.0 / 6.35 / 7.5 ± 0.8
D
s
s
D
H1 Ho
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P P2
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Do Po
b
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W2 d
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t
P H1
P2 P1 Ho
Do
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W2 W1 Wo
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d w
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H1 Ho
I
Straoghe
≦7.0%
≦7.0%
+22% ~ -56% +22% ~ -82%
陶瓷电容器基础知识简介陶瓷电容器使用要点大全
陶瓷电容器基础知识简介陶瓷电容器使用要点大全谈论起陶瓷电容器，我们会想到电子元件器工业。
电子元件器工业在在20世纪出现并得到飞速发展，使得整个世界和人们的工作、生活习惯发生了翻天覆地的变化。
继电器、二极管、电容器、传感器等产品的出现，给我们的生活带来了极大地便利。
而电容器，顾名思义，是‘装电的容器’，是一种容纳电荷的器件。
英文名称：capacitor。
电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。
文章开篇所提到的陶瓷电容器（ceramiccapacitor；ceramiccondenser）就是用陶瓷作为电介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成。
它的外形以片式居多，也有管形、圆形等形状。
一、陶瓷电容器基础知识简介1、陶瓷电容器是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
它又分高频瓷介和低频瓷介两种。
具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。
这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
高频瓷介电容器适用于高频电路。
2、陶瓷电容器又分为高频瓷介电容器和低频瓷介电容器两种。
具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡电路中，作为回路电容器。
低频瓷介电容器用在对稳定性和损耗要求不高的场合或工作频率较低的回路中起旁路或隔直流作用，它易被脉冲电压击穿，故不能使用在脉冲电路中。
高频瓷介电容器适用于高频电路。
3、陶瓷电容器有四种材质分类：这四种是：Y5V，X5R，X7R，NPO(COG)。
那么这些材质代表什么意思呢？第一位表示低温，第二位表示高温，第三位表示偏差。
Y5V表示工作在-30~+85度，整个温度范围内偏差-82%~+22%X5R表示工作在-55~+85度，整个温度范围内偏差正负15%X7R表示工作在-55~+125度，整个温度范围内偏差正负15%NPO（COG）是温度特性最稳定的电容器，电容温漂很小，整个温度范围容量很稳定，温度也是-55~125度，适用于振荡器，超高频滤波去耦，但容量一般做不大。
贴片电容材质NP0、X7R、Y5V、Z5U图解及分析
封 装 DC=25V DC=50V 0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF 1206 0.01μF---0.33μF 0.01---0.47μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF
下表给出了 X7R 电容器可选取的容量范围。
封 装 DC=50V DC=100V 0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF 1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF 1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF
X 7R、Z5U 和 Y5V 电容器
Low Temp.
Symbol
High Temp.
Symbol
Max. Cap. change over temp. range (%) ±1.0 ±1.5 ±2.2 ±3.3 ±4.7 ±7.5 ±10 ±15 ±22 +22 to -33 +22 to -56 +22 to -82
Symbol
+10 -30 -55
Z Y X
+45 +65 +85 +105 +125 +150 +200
2 4 5 6 7 8 9
A B C D E F P R S T U V
Ex. :
X7R X : -55C 7 : +125 C R : 15%
X5R ,or(B) X : -55C ,(-25 C) 5 : +85 C ,(+85 C ) R : 15% ,(10%)
电容的材质及分类
薄膜电容器涤纶电容器：又叫聚酯电容器，它是以涤纶薄膜作为介质的电容器。
涤纶电容器电容量较大，范围从几皮法到几百微法，工作电压范围宽。
金属化涤纶电容器的电容量范围可以更宽，工作电压有可以达到上万多伏。
还有一种小型涤纶电容器，其容量从0.1UF到10UF，体积只有一般涤纶电容器的1/3。
涤纶电容器的介电常数较大，体积小，容量大；耐热性好，工作温度可达120℃—130℃；缺点是损耗角正切值较大。
涤纶电容器是有机介质薄膜电容器中产量最大的一种，它一般用在直流及脉动电路中，不宜在高频电路中使用。
聚苯乙烯电容器：聚苯乙烯电容器的容量范围从几十皮法到几微法，额定直流电压范围很宽，从几百伏到数千伏，其精度可达到5‰。
聚苯乙烯电容器的最大特点是绝缘电阻高（一般在10000M欧以上），它的高频损耗小，电容量稳定，应用很广泛；由于其精度很高，在滤波器及对电容量要求精确的电路中常采用聚苯乙烯电容器；它的缺点是工作温度范围不宽，上限为+75℃，所以焊接时烙铁的接触时间不宜过长，以免过热损坏薄膜；另外它的成本较其他几种有机介质薄膜电容器稍高。
聚丙烯电容器：聚丙烯电容器具有优良的高频绝缘性能，电容量和损耗角正切值在很大频率范围内与频率变化无关，与温度变化的关系也很小，而介电强度随温度上升而有所增加，这是其他介质材料所难以具备的特点。
它的耐温性好，吸收系数小，其机械性能也比聚苯乙烯好，且价格适中，应用很广泛，适宜用于高频电路。
聚四氟乙烯电容器：其最大特点是工作温度范围宽，低温在-150℃，高温可达250℃。
其缺点是耐电压性差，成本高。
它的绝缘电阻高，高频损耗小，耐化学腐蚀性好，适宜用在高温、高绝缘、高频等场合。
另外还有聚碳酸酯膜电容器，其电性能比聚酯膜电容器好些，耐热性与聚酯电容器相似，可代替聚酯、纸介电容器用于直流、交流及脉动电路中；聚酰亚胺薄膜电容器，耐辐射、耐燃烧，能在有辐射等恶劣条件下工作；漆膜电容器，体积小，容量大，温度特性和容量稳定性都优于涤纶电容器，可取代部分电解电容器使用，性能比电解电容器好得多，其缺点是工作电压不易做的很高，一般为直流40V；复合薄膜电容器，如用聚苯乙烯薄膜与聚丙烯薄膜复合制作的电容器，比聚苯乙烯提高了抗电强度和上限工作温度，减小了体积，但电容量的温度系数和损耗角正切值较差。
电容器规格详细介绍
电容器规格详细介绍电容器种类依照主要材质特性分为电解质电容,电解质芯片电容,塑料薄膜电容, 陶瓷电容, 及陶瓷芯片电容等大类别.1.电解质电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型 (>11mm高度), 迷你型(7mm高度), 超迷你型 (5mm高度), 耐高温型(105℃), 低漏电型, 迷你低漏电型 (7mm高度), 双极性型, 无极性型, 及低内阻型 (Low ESR)等.2.电解质芯片电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型芯片, 耐高温型芯片(105℃), 无极性型芯片, 及钽质芯片等.3. 塑料薄膜电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为聚乙烯薄膜, 金属化聚乙烯薄膜, 聚乙脂薄膜, 聚丙烯薄膜, 直流用金属化聚丙烯薄膜, 及交流用金属化聚丙烯薄膜等. 4.陶瓷电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为Class-1 (T.C. Type)温度补偿型,Class-2 (Hi-K Type)高诱电型, Class-3 (S.C. Type)半导体型等.5.陶瓷芯片电容种类: 依照尺寸及额定功率特性可再区分为0402, 0603, 0805, 1206等较具普遍性电容器主要电气规格1. 电容量Capacitance: 一般电解电容器的电容量范围为0.47uF-10000uF, 测试频率为120Hz. 塑料薄膜电容器的电容量范围为0.001uF-0.47uF, 测试频率为1KHz. 陶瓷电容器T/C type的电容量范围为1 pF-680pF, 测试频率为1MHz. Hi-K type的电容量范围为100pF-0.047uF, 测试频率为1KHz. S/C type的电容量范围为0.01uF-0.33uF.2. 电容值误差Tolerance: 一般电解电容器的电容值误差范围为M 即 +/-20%, 塑料薄膜电容器为J即 +/-5%或K即 +/-10%, 或M即 +/-20%三种, 陶瓷电容器T/C type为C即 +/-0.25pF (10pF 以下时), 或D即 +/-0.5pF (10pF以下时), 或J或K四种. Hi-K type 及S/C type为K或M或Z即 +80/-20%三种.3. 损失角即D值: 一般电解电容器因为内阻较大故D值较高, 其规格视电容值高低决定, 为0.1-0.24以下. 塑料薄膜电容器则D值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下. 陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K type 及S/C type为0.025以下. T/C type其规格以Q值表示需高于400-1000.(Q值相当于D值的倒数)4. 温度系数Temperature Coefficient: 即为电容量受温度变化改变之比例值, 一般仅适用于陶瓷电容器. T/C type其常用代号为CH或NPO 即为 +/-60ppm, UJ即为 -750+/-120ppm, SL即为+350+/-1000ppm. Hi-K type (Z)及S/C type (Y), 其常用代号为B (5P)即为 +/-10%, E (5U)即为 +20/-55%, F (5V)即为 +30/-80%.5. 漏电流量Leakage current: 此为电解电容器之特定规格, 一般以电容器本身额定电压加压3 Min后, 串接电流表测试, 其漏电流量需在0.01CV ( uF电容量值与额定电压相乘积) 或3uA以下 (取其较大数值). 特定低漏电流量使用 (Low leakage type) 则其漏电流量需在0.002CV或0.4uA以下.6. 冲击电压Surge Voltage: 一般以电容器本身额定电压之1.3倍电压加压, 需工作正常无异状.7. 使用温度范围: 一般电解电容器的使用温度范围为 -25℃至+85℃, 特定高温用或低漏电流量用者为 -40℃至+105℃. 塑料薄膜电容器为 -40℃至+85℃. 陶瓷电容器T/C type为-40℃至+85℃, Hi-K type 及S/C type为 -25℃至+85℃.如何选用规格适当之电容器1. 所有被动组件中,电容器属于种类及规格特性最复杂的组件. 尤其为了配合不同电路及工作环境的需求差异,即使是相同的电容量值与额定电压值, 亦有其它不同种类及材质特性的选择.2. 以电解电容器为例, 由于其电容量值较大, 虽然能和塑料薄膜电容器或陶瓷电容器互相区隔.实际使用上仍有下述各种特性差异:A. 使用温度范围:需选定一般型 -25℃至+85℃或耐高温型 -40℃至+105℃B. 使用高度限制:传统A/I标准型最低高度为11mm, 迷你型为7mm, 超迷你型为5mm(相当于芯片电解电容器之高度).C. 电容量误差值:较高额定电压或电容量大于100uF时, 有一般型为 +100/-10%或 M型 +/-20%.D. 低漏电流量特性:用于某些特定电路, 与充放电时间常数准确性有关时. (相当于Tantalum钽质电容特性)E. Low ESR低内阻特性:用于某些滤波电路, 需配合高频脉波大电流之滤波效果.例如交换电源之滤波电路.F. Bipolar 双极性特性:用于高频脉波电路, 需配合高频脉波大电流之通路效果.例如推动偏向线圈之水平输出电路.G. Non-polar无极性特性:用于低频高波幅之音频信号通路, 用以避免因电容器两端之正逆向偏压, 造成输出波形失真.H. 以上为一般A/I电解电容器,而芯片电解电容器亦同样有标准型, 耐高温型, 低漏电流量型(即钽质芯片电容), 无极性特性等分类.3. 以陶瓷电容器为例, 其材料特性区分为3类. Class 1 T/C温度补偿型供高频谐振电路用, Class 2 Hi-K与Class 3 S/C为滤波及信号通路用, 由于其电容量值部分类似, 且与塑料薄膜电容器亦数值接近, 需特别注意特性选用.A. Class 1容量范围为1 pF-680 pF, 可视高频电路需要, 选择CH零温度补偿型 (例如RC谐振电路, 不需补偿温度系数), UJ负温度补偿型 (例如LC谐振电路,需补偿线圈正温度系数), SL 无控制温度补偿型 (例如高频补偿, 非谐振电路, 不需考虑温度影响).B. Class 2 Hi-K容量范围为100 pF-0.047 uF与Class 3 S/C容量范围为0.01 uF-0.33 uF, 两者特性接近. 一般后者外型较小, 成本低, 但耐压规格较低.C.需注意100 pF-680 pF范围内,Class 1与 Class 2电容器之Q值相差极大, 电路上不可误用.4.以塑料薄膜电容器为例, 各类不同材质特性,可配合不同之电路应用. 其共同特性为容量不受温度影响, 适合中低频电路使用.A. 聚丙烯 (代号PPN或PPS) 材质之损失角最低, 可适用于高电压脉波电路工作. PPS材质为 1KV以上使用, PPN材质为 1KV 以下使用.B. 金属化聚丙烯 (代号MPPN) 材质耐电压较高, 适用于DC高电压或AC电源电路工作.使用于AC电源电路者, 必须符合AC电源安规验证,一般称为X2电容.C.聚乙脂 (代号PS) 损失角低且容量较低, 高频特性良好, 可适用于中低频谐振电路工作.D.金属化聚乙烯 (代号MPE) 容量范围广及无电感特性,可适用于一般脉波电路工作.代号MEF者,亦为MPE类材质, 但具有Flame-retardant防火特性.E. 聚乙烯 (代号PE分为有电感特性PEI及无电感特性PEN两种) 其损失角较大, 但因成本较低,可适用于一般直流或低频电路工作.F. 所有金属化之塑料薄膜电容器, 均具有self-healing自行回复特性, 材质被高压击穿后, 只要移去高压, 即可自行回复原有功能.//**************************************************************//认清电容显卡选购完全手册之电容篇作者：火乌鸦转贴自：ZOL希望对那些还不了解电容的会员们有用电容爆裂事件的背后最近2年来电容爆裂、漏液、失效这样的事件在主板、显卡领域时有发生，不过正因为这样的事件，促进消费者对显卡上电容的认识度。
最全面陶瓷贴片电容终极学习篇(干货值得收藏)
最全面陶瓷贴片电容终极学习篇（干货值得收藏）
最全面陶瓷贴片电容(MLCC)知识篇章，值得电子工程师们珍藏。
多层片式陶瓷电容器
——简称贴片电容、片容
日本及台湾地区常称为积层电容或叠层电容
MLCC—Multi-Layer Ceramic Capacitors
1960’s 由美国人发明，1980’s日本人发扬光大并实现用低成本贱金属量产。
制造流程
内部结构
尺寸系列
标准系列化的外形尺寸
最常用英寸单位系统来表示：
0603—"06"表示:长0.06inch=1.6mm，
"03"表示:宽0.03inch=0.8mm
也有用国际单位系统表示：
1608—"16"表示:长1.6mm
"08"表示:宽0.8mm
表一贴片电容全系列尺寸表
最小规格尺寸01005(长0.25mm*宽0.125mm),目前只有少数几家日本公司在批量生产；0201、0402、0603是目前用量最大的尺寸规格，大型的MLCC企业均可批量生产。
国内，深圳宇阳是专做小尺寸MLCC的厂家；
2220及以上尺寸规格产品，市场占有量很小，大型企业一般不生产，主要是中小MLCC。
mlcc电容材料标准号及材质大全
mlcc电容材料标准号及材质大全
对于MLCC（多层陶瓷电容器），有许多标准和材质可以参考。
以下是一些常见的MLCC电容材料标准号及材质的列表：
1. 材料标准号：C0G（超稳定型陶瓷材料）
材料特点：低失真，低介电损耗，稳定性好，温度系数（TC）接近于零。
应用领域：高精度应用，例如精密测量仪器，医疗设备等。
2. 材料标准号：X7R（泛用型陶瓷材料）
材料特点：介电常数高，温度系数（TC）适中，稳定性较好。
应用领域：广泛应用于电子领域，例如电源管理，无线通信，汽车电子等。
3. 材料标准号：Y5V（宽温型陶瓷材料）
材料特点：介电常数高，温度系数（TC）较大，稳定性较差。
应用领域：适用于一些一般性的应用，如消费电子产品等。
4. 材料标准号：NPO（零温度系数陶瓷材料）
材料特点：温度系数（TC）接近于零，稳定性非常好，因此也被称为零温度系数材料。
应用领域：高频应用，例如射频天线，卫星通信等。
以上是一些常见的MLCC电容材料标准号及材质的介绍，还有其他材料标准号和材质也可以根据具体需求进行选择。
片式多层陶瓷电容器MLCC
片式多层陶瓷电容器MLCC多层陶瓷电容器MLCC是英文字母Multi-Layer Ceramic Capacitor的首写字母。
在英文表达中又有Chip Monolithic Ceramic Capacitor。
两种表达都是以此类电容器外形和内部结构特点进行，也就是内部多层、整体独石(单独细小的石头)的结构，独石电容包括多层陶瓷电容器、圆片陶瓷电容器等，由于元件小型化、贴片化的飞速发展，常规圆片陶瓷电容器逐步被多层陶瓷电容器取代，人们把多层陶瓷电容器简称为独石电容或贴片电容。
片式多层陶瓷电容器(Multi-layer Ceramic Capacitor 简称MLCC)是电子整机中主要的被动贴片元件之一，它诞生于上世纪60年代，最先由美国公司研制成功，后来在日本公司(如村田Murata、TDK、太阳诱电等)迅速发展及产业化，至今依然在全球MLCC领域保持优势，主要表现为生产出MLCC具有高可靠、高精度、高集成、高频率、智能化、低功耗、大容量、小型化和低成本等特点。
(片式多层陶瓷电容器，独石电容，片式电容，贴片电容) MLCC —简称片式电容器，是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。
MLCC除有电容器“隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。
•随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，片式电容器也以惊人的速度向前发展，•每年以10%～15%的速度递增。
目前，世界片式电容的需求量在2000亿支以上，70%出自日本（如MLCC大厂村田muRata），其次是欧美和东南亚（含中国）。
随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，•广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。
如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。
mlcc电容的材料说明
mlcc电容的材料说明
MLCC电容器，即多层陶瓷电容（Multilayer Ceramic Capacitors），是一种基于陶瓷材料的电容器。
它由多个陶瓷层片组成，每个层片上铺设上金属电极，然后将这些层片在低温下通过压制和烧结工艺粘合在一起，形成一个多层结构。
MLCC电容器的主要材料包括以下几种：
1. 陶瓷材料：MLCC电容器通常使用的是陶瓷材料，最常见的是镁钛酸钡陶瓷（BaTiO3）和镁钛酸钡陶瓷的尤洛电极（NPO）变种。
这些陶瓷具有高介电常数和低损耗，能够提供较高的电容值。
2. 电极材料：MLCC电容器的电极材料通常使用的是银、铜或镍。
这些材料具有良好的导电性能和耐腐蚀性，能够确保电容器的良好电性能。
3. 锡瓷和金瓷：为了在电极与陶瓷层片之间形成可靠的连接，常使用锡瓷和金瓷作为接合材料，以确保电容器具有良好的焊接性能和接触可靠性。
总之，MLCC电容器的材料组成主要是陶瓷材料、电极材料以及接合材料。
这些材料共同作用，使得MLCC电容器具有高电容值、低损耗、良好的焊接性能和接触可靠性等特点。
mlcc电容材料标准号及材质大全
MLCC电容材料标准号及材质大全近年来，MLCC（多层陶瓷电容器）作为一种重要的电子元件，在电子产品中得到了广泛的应用。
MLCC的材料标准号和材质对其性能、特点和适用场景有着重要的影响。
本文将对MLCC电容材料标准号及材质进行全面评估，并针对其深度和广度进行探讨。
1. MLCC电容材料标准号MLCC电容材料标准号由国际电工委员会（IEC）制定，用于表示MLCC电容器的材料特性。
常见的MLCC电容材料标准号包括C0G、X7R、X5R、Y5V等。
这些标准号代表着不同的介电常数、温度特性和稳定性，对于MLCC电容器的选型和应用具有重要的指导意义。
2. MLCC电容材质大全MLCC电容材质种类繁多，主要包括镁钛酸盐类、碱土钛酸盐类、氧化锆类、铈酸锶类等。
每种材质都具有不同的介电特性、温度特性和电气特性，适用于不同的电子产品和应用场景。
在选择MLCC电容器时，需要充分了解各种材质的特点，以确保选用合适的MLCC电容器。
3. 个人观点和理解根据我对MLCC电容材料标准号及材质的了解，我认为在实际应用中，选用合适的MLCC电容器对于电子产品的性能和可靠性至关重要。
在产品设计和工程实践中，需要对不同的MLCC电容材料标准号和材质进行综合评估，以满足产品对于稳定性、温度特性和电气特性的要求。
总结回顾通过本文的全面评估和探讨，我对MLCC电容材料标准号及材质有了更深入的理解。
每种材质都具有其独特的特点和适用范围，而在实际应用中需要根据产品的需求进行选择。
我相信通过不断地学习和实践，我能够更全面、深刻和灵活地应用MLCC电容器，为电子产品的性能和可靠性提供保障。
在文章中，我多次提及了MLCC电容材料标准号及材质，以确保文章内容与指定主题密切相关。
文章包含了总结和回顾性的内容，使我能够全面理解主题。
我还共享了个人观点和理解，以展示我对这个主题的深入思考和体会。
以上便是我对MLCC电容材料标准号及材质的深度和广度探讨，希望能够满足您对文章的要求。
多层陶瓷电容(MLCC)应用注意事项
多层陶瓷电容（MLCC）应用注意事项一、 储存为了保持MLCC的性能，防止对MLCC的不良影响，储存时请注意以下事项：1、室内温度5～40℃，湿度：20％～70％RH；2、无损害气体：含硫酸、氨、氢硫化合物或氢氯化合物的气体；3、如果MLCC不使用，请不要拆开包装。
如果包装已经打开，请尽可能地重新封上。
编带装产品请避免太阳光直射，因为太阳光直射会使MLCC老化并造成其性能的下降。
请尽量在6个月内使用，使用之前请注意检查其可焊性。
二、 手工操作MLCC是高密度、硬质、易碎和研磨的材质，使用过程中，它易被机械损伤，比如开裂和碎裂（内部开裂需要超声设备检测）。
MLCC在手持过程中，请注意避免污染和损伤。
手工操作时，建议使用真空挑拣或使用塑料镊子挑拣。
三、 预热焊接过程中，为了减小对器件的热冲击，精确控制的预热是很有必要的。
温度的上升率请不要超过4℃/秒，设预热好的温度与焊接最高温度的温度差为ΔT，则对于0603、0805、1206等尺寸的MLCC, 最好ΔT≤100℃，对于1210、1808、1812、2220、2225等大尺寸的MLCC，最好ΔT≤50℃。
四、 焊接手焊时，请使用功率不超过30W且温度可调控的烙铁，烙铁头尖的直径不要超过1.2毫米。
焊接过程中，请不要用烙铁头直接接触陶瓷体，烙铁的温度不要超过260℃。
对于大尺寸的MLCC，比如1210、1808、1812、2220、2225等，不推荐使用波峰焊和手焊。
五、 冷却焊接后，慢慢冷却MLCC和基板至室温，推荐使用空气自然冷却，以减小焊接处的应力。
当进行强制冷却时，温度下降率请不要超过4℃/秒。
六、 清洁所有焊接残留物都必须使用合适的电子级别的蒸发清洁解决方案清除，因为污物会造成电解表面的腐蚀。
使用超声波清除的解决方法最好，适当的清洁系统的选择要考虑很多因素，包括器件、焊剂以及焊头粘贴和组装方法等，清洁系统清除器件底部焊剂和污物的能力很重要。
MLCC电容特性及注意事项
在采购和使用MLCC过程中应该注意哪些问题？MLCC（片状多层陶瓷电容）现在已经成为了电子电路最常用的元件之一。
MLCC表面看来，非常简单，可是，很多情况下，设计工程师或生产、工艺人员对MLCC的认识却有不足的地方。
以下谈谈MLCC选择及应用上的一些问题和注意事项。
MLCC虽然是比较简单的，但是，也是失效率相对较高的一种器件。
失效率高，一方面是MLCC结构固有的可靠性问题，另外还有选型问题以及应用问题。
由于电容算是“简单”的器件，所以有的设计工程师由于不够重视，从而对MLCC的独有特性不了解。
在理想化的情况下，电容选型时，主要考虑容量及耐压两个参数就够了。
但是对于MLCC，仅仅考虑这两个参数是远远不够的。
使用MLCC，不能不了解MLCC的不同材质和这些材质对应的性能。
MLCC的材质有很多种，每种材质都有自身的独特性能特点。
不了解这些，所选用的电容就很有可能满足不了电路要求。
举例来说，MLCC常见的有C0G(也称NP0)材质，X7R材质，Y5V 材质。
C0G的工作温度范围和温度系数最好，在 -55°C至+125°C的工作温度范围内时温度系数为0 ±30ppm/°C。
X7R次之，在-55°C至+125°C的工作温度范围内时容量变化为±15%。
Y5V 的工作温度仅为-30°C至+85°C，在这个工作温度范围内时其容量变化可达-22%至+82%。
当然，C0G、X7R、Y5V的成本也是依次减低的。
在选型时，如果对工作温度和温度系数要求很低，可以考虑用Y5V的，但是一般情况下要用X7R的，要求更高时必须选择COG的。
一般情况下，MLCC厂家都设计成使X7R、Y5V材质的电容在常温附近的容量最大，但是随着温度上升或下降，其容量都会下降。
仅仅了解上面知识的还不够。
由于C0G、X7R、Y5V的介质的介电常数是依次减少的，所以，同样的尺寸和耐压下，能够做出来的最大容量也是依次减少的。
电容材质与性能
一、贴片电容-单片陶瓷电容（1）命名规则：0805CG102J500NT 0805:是指该贴片电容的尺寸套小，是用英寸来表示的08 表示长度是0.08 英寸、05 表示宽度为0.05 英寸CG :是表示做这种电容要求用的材质，这个材质一般适合于做小于10000PF以下的电容，102 :是指电容容量，前面两位是有效数字、后面的2 表示有多少个零102=10×100 也就是= 1000PF J:是要求电容的容量值达到的误差精度为5%，介质材料和误差精度是配对的500:是要求电容承受的耐压为50V 同样500 前面两位是有效数字，后面是指有多少个零。
N:是指端头材料，现在一般的端头都是指三层电极(银/铜层)、镍、锡T:是指包装方式，T 表示编带包装，贴片电容的颜色，常规见得多的就是比纸板箱浅一点的黄，和青灰色，这在具体的生产过程中会有产生不同差异贴片电容上面没有印字，这是和他的制作工艺有关(贴片电容是经过高温烧结面成，所以没办法在它的表面印字)，而贴片电阻是丝印而成(可以印刷标记)。
（2）材质性能就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO 电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
陶瓷电容材质和温度
陶瓷电容材质和温度陶瓷电容是一种最常见的电容器，它具有良好的性能稳定性和温度稳定性，适用于各种电子电路中。
本文将重点介绍陶瓷电容的材质和温度相关知识。
陶瓷电容的主要材质是氧化铝陶瓷（Al2O3），主要优点是其介电常数稳定，温度系数较小，阻抗高，容量小，尺寸较小。
此外，还有钛酸锶陶瓷（SrTiO3）、氧化钛陶瓷（TiO2）等材料。
其中，钛酸锶陶瓷的优点是容量较大，阻抗也相对较小，可以制作较大容量的电容器。
而氧化钛陶瓷的优点是在高频应用中具有良好的性能和稳定性。
针对不同的应用需求，还有其它材质的陶瓷电容，例如三元酸钡陶瓷（BaTiO3）、硅酸钾镁陶瓷（PMN）等。
它们具有不同的介电常数、温度系数、阻抗等特性，适用于不同的电路应用。
二、陶瓷电容的温度特性温度是影响陶瓷电容性能的重要因素之一，其导致的容量变化主要与各种材料特性有关。
陶瓷电容的温度特性主要包括以下几个方面：1.电容的容量随温度升高而降低，即容量温度系数负值。
不同的材质和型号容量温度系数各异，一般在温度变化范围内不应超过5%。
2.电容的绝缘电阻随温度升高而降低，即绝缘电阻温度系数负值。
降低的速率与温度有关，通常在70℃时降低到原来的一半。
3.电容的耐电压随温度升高而降低，为耐压温度系数负值。
大多数陶瓷电容的耐压温度系数均小于0.1%/℃。
4.陶瓷电容的共振频率与温度也有关系。
一般来说，共振频率随温度升高而下降。
基于上述特性，选择合适的陶瓷电容应该考虑到所需的容量、阻抗、工作温度范围等因素，并尽量避免超出陶瓷电容工作条件的极限值，以确保电路的稳定性和可靠性。
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陶瓷电容分级：
NPO（COG）X7R X5R Y5V Z5U
这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减的，不同材质的频率特性也是不同的。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一NPO电容器
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，
NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容
COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。
这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD的主要连接方式。
相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于
±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
二X7R电容器
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。
三Z5U电容器
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。
这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。
对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。
但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。
尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。
尤其是在退耦电路的应用中。
下表给出了Z5U电容器的取值范围。
Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围+10℃--- +85℃温度特性+22% ---- -56% 介质损耗最大4%
四Y5V电容器
Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。
Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围-30℃--- +85℃温度特性+22% ---82% 介质损耗最大5%
五，NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容。
COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。
这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD的主要连接方式。
X7R与X5R材质的温度系数不同。
X5R材质所能做出来的电容容值会更高一些，与X7R同样容值电压的电容相比，X5R的价格也要便宜一些。
NPO（C0G）具有温度补偿特性，精度能做到5%，但是不能做到太高的容值。
X是最低温度-55度7是最高承受温度125度R是使用温度内容值变化的范围+-15%
同理X5R只是最高温度为85度
Ｘ７Ｒ和Ｘ５Ｒ是ＥＩＡ的代码，表示不同的温度特性，温度变化率相同，都是１５％，只是Ｘ７Ｒ上限工作温度是１２５度，Ｘ５Ｒ上限是８５度，从材料上来说，比较接近，都是ＢＴ作为
主烧块的陶瓷材料，Ｘ５Ｒ的Ｋ值大点，可以做更大的容量，一般大容量的ＭＬＣＣ都是Ｘ５Ｒ，不能用Ｘ７Ｒ做．
电容参数X5R，X7R，Y5V，COG等代表什么意思呢？
这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。
具体来说，就是：
X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%；
Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。
对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。
例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。
表4-1 电容的温度与容量误差编码。