硅半导体表面杂质清洗的化学知识简介

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半导体晶圆的污染杂质及清洗技术分析

半导体晶圆的污染杂质及清洗技术分析

215中国设备工程C h i n a P l a n t E n g i n e e r i ng中国设备工程 2021.05 (上)近年来,随着半导体技术的发展,半导体晶圆的应用日益广泛,对工艺技术和质量要求也不断提高。

但是,在半导体晶圆表面可能存在各种杂质,导致器件质量及成品率受到影响。

据统计,在当前集成电路生产中,由于半导体晶圆杂质问题而造成的材料损失可能达到50%以上。

半导体生产中每道工序都需要清洗,而清洗技术和清洗质量将直接影响器件性能。

因此,要重视对半导体晶圆污染杂质的分析和清洗技术的掌握,以提高材料质量。

1 半导体晶圆的污染杂质1.1 颗粒杂质半导体晶圆的颗粒杂质,主要包括刻蚀杂质、光刻胶、聚合物等。

这些污染物在圆片表面可能通过范德瓦尔斯吸引力吸附,对器件光刻工序的电学参数、几何图形形成等造成影响。

对于这些污染杂质,一般需要采用化学方法或物理方法,对颗粒进行底切,使杂质和圆片表面接触面积逐渐缩小,进而达到去除杂质的目的。

1.2 金属杂质铁、铝、钨、钠、锂、铜、铬、钛、钾等金属杂质,在半导体工艺中都十分多见,这些杂质可能是以化学试剂、管道、器皿等为主要来源。

另外,在半导体圆片加工中,当金属互连形成的过程中,也会有一定的金属杂质形成。

一般需要利用化学方法去除此类杂质,使用相应的化学药品和试剂等配置专用清洗液,和金属离子发生化学反应,产生金属离子络合物,进而使杂质与圆片表面脱离清除。

1.3 有机物杂质有机物杂质具有相对广泛的来源,包括清洗溶剂、光刻胶、真空脂、机械油、细菌、人皮肤油脂等。

在圆片表面,这些有机物杂质可能形成有机物薄膜,导致圆片表面和清洗液无法直接接触,进而造成无法彻底清洗圆片表面的问题。

在常规清洗后,圆片表面仍然会残留各种类型的污染杂质。

对于这些类型的污染杂质,通常需要在第一步的清洗工序中,使用双氧水、硫酸等试剂清除。

1.4 氧化物杂质半导体晶圆在常规环境下,与空气中的水、氧气等成分接触,在其表面会有自然氧化层形成。

半导体第五讲硅片清洗

半导体第五讲硅片清洗
RCA与超声波振动共同作用,可以有更好的去颗粒作用 20~50kHz 或 1MHz左右。
平行于硅片表面的声压波使粒子浸润, 然后溶液扩散入界面,最后粒子完全浸 润,并成为悬浮的自由粒子。
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机器人自动清洗机
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清洗容器和载体
✓SC1/SPM/SC2 – 石英( Quartz )或 Teflon容器 ✓HF – 优先使用Teflon,其他无色塑料容器也行。 ✓硅片的载体 – 只能用Teflon 或石英片架
1 2 3 4 粒子和硅片表面的电排斥
• 去除方法:SC-1, megasonic(超声清洗)
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金属的玷污
➢ 来源:化学试剂,离子注入、反应离子刻蚀等工艺
❖量级:1010原子/cm2
Fe, Cu, Ni, Cr, W, Ti… Na, K, Li…
➢ 影响:
✓在界面形成缺陷,影响器件性能,成品率下降
➢去除方法:使金属原子氧化变成可溶性离子
氧化
M
Mz+ + z e-
还原
➢去除溶液:SC-1, SC-2(H2O2:强氧化剂)
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有机物的玷污
➢ 来源: • 环境中的有机蒸汽 • 存储容器 • 光刻胶的残留物
➢ 去除方法:强氧化 - 臭氧干法 - Piranha:H2SO4-H2O2 - 臭氧注入纯水
alkali ions.
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SC-2: HCl(73%):H2O2(30%):DIH2O=1:1:6~1:2:8 70~80C, 10min 酸性(pH值<7)
✓可以将碱金属离子及Al3+、Fe3+和Mg2+在SC-1溶 液中形成的不溶的氢氧化物反应成溶于水的络合物 ✓可以进一步去除残留的重金属污染(如Au)

硅片清洗技术

硅片清洗技术

硅片清洗技术半导体硅片SC-2清洗技术1 清洗液中的金属附着现象在碱性清洗液中易发生,在酸性溶液中不易发生,并具有较强的去除晶片表面金属的能力,但经SC-1洗后虽能去除Cu等金属,而晶片表面形成的自然氧化膜的附着(特别是Al)问题还未解决。

2 硅片表面经SC-2液洗后,表面Si大部分以O 键为终端结构,形成一层自然氧化膜,呈亲水性。

3 由于晶片表面的SiO2和Si不能被腐蚀,因此不能达到去除粒子的效果。

a.实验表明:据报道将经过SC-2液,洗后的硅片分别放到添加Cu的DHF清洗或HF+H2O2清洗液中清洗、硅片表面的Cu浓度用DHF液洗为1014 原子/cm2,用HF+H2O2洗后为1010 原子/cm2。

即说明用HF+H2O2液清洗去除金属的能力比较强,为此近几年大量报导清洗技术中,常使用HF+H2O2来代替DHF清洗。

半导体硅片DHF清洗技术a. 在DHF洗时,可将由于用SC-1洗时表面生成的自然氧化膜腐蚀掉,而Si几乎不被腐蚀。

b. 硅片最外层的Si几乎是以H 键为终端结构,表面呈疏水性。

c. 在酸性溶液中,硅表面呈负电位,颗粒表面为正电位,由于两者之间的吸引力,粒子容易附着在晶片表面。

d. 去除金属杂质的原理:①用HF清洗去除表面的自然氧化膜,因此附着在自然氧化膜上的金属再一次溶解到清洗液中,同时DHF清洗可抑制自然氧化膜的形成。

故可容易去除表面的Al、Fe、Zn、Ni等金属。

但随自然氧化膜溶解到清洗液中一部分Cu等贵金属(氧化还原电位比氢高),会附着在硅表面,DHF清洗也能去除附在自然氧化膜上的金属氢氧化物。

②实验结果:据报道Al3+、Zn2+、Fe2+、Ni2+ 的氧化还原电位E0 分别是- 1.663V、-0.763V、-0.440V、0.250V 比H+ 的氧化还原电位(E0=0.000V)低,呈稳定的离子状态,几乎不会附着在硅表面。

③如硅表面外层的Si以H 键结构,硅表面在化学上是稳定的,即使清洗液中存在Cu等贵金属离子,也很难发生Si的电子交换,因经Cu等贵金属也不会附着在裸硅表面。

晶体硅杂质吸除工艺介绍

晶体硅杂质吸除工艺介绍
N dev N 0 1 1 W gett S Wdev
其中N0为硅片中初始杂质浓度,Wgett和Wdev分别为吸杂 区和器件区的杂质浓度,S为分凝系数。 从上式可以得到影响分凝吸杂最终效果的因素包括: 硅片中杂质的初始浓度,杂质的分凝系数,吸杂区与器件 区的相对厚度。
2. 分凝机制
分凝吸杂由杂质的溶解度梯度或硅片不同区域对杂质 的溶解能力不同产生。 与释放机制不同,分凝吸杂,吸杂区一般都在器件区 的外边。相比于释放机制,分凝吸杂的优点是不需要形成 杂质的过饱和。因此,理论上,通过提高温度加快金属杂 质的扩散速率,通过分凝吸杂可以快速获得杂质浓度很低 的器件区。
众多学者的研究表明,内吸杂属于释放吸杂机制,而 这也表明内吸杂处理需要金属杂质(仍处在扩散状态下) 产生过饱和,而这种过饱和往往发生在器件制作过程中的 冷却(降温)过程。 虽然内吸杂工艺应用于IC器件已有较长的历史,并且 对内吸杂的机理也有一个比较深入的理解,但是仍有许多 方面不能很好地得到解释,如氧沉积位置的特点,金属杂 质在氧沉积位置、热氧诱导层错、位错内的选择性沉积等。
Eb为金属杂质与临界相间的束缚能; Ec为金属杂质与硅形成化合物时,金属外层电子与 硅外层电子的结合能; Es为金属原子在硅晶胞中的弹性应变能。
3.
吸杂:金属杂质从器件内的吸除
不需高额费用操作而对器件区的金属杂质进行有效吸除, 对IC产业而言,一直是个很大的挑战。尽管对于IC产业, 在加工生产过程中金属杂质的引入不可避免,但针对如 何将不期望的金属杂质从器件区去除,人们已发展了一 些工艺,这些工艺一般统称为吸杂工艺。
b.影响分凝效应的方式
(1)不同的相,如在晶体生长过程中,在晶体硅中 及液相熔体中; (2)不同元素的影响,如相比于硅,铝对金属杂质 具有更高的溶解能力; (3)费米能级对金属杂质溶解度的影响,如P掺杂硅 片中Au的影响; (4)离子对的影响,如Fe-B对; (5)硅中应力的影响,增加或减少金属杂质的溶解 度。

硅片清洗的方法

硅片清洗的方法

硅片清洗的方法一、硅片清洗的重要性硅片清洗是半导体器件制造中最重要最频繁的步骤,而且其效率将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性。

现在人们已研制出了很多种可用于硅片清洗的工艺方法和技术,常见的有:湿法化学清洗、超声清洗法、兆声清洗法、鼓泡清洗法、擦洗法、高压喷射法、离心喷射法、流体力学法、流体动力学法、干法清洗、微集射束流法、激光束清洗、冷凝喷雾技术、气相清洗、非浸润液体喷射法、硅片在线真空清洗技术、RCA标准清洗、等离子体清洗、原位水冲洗法等。

这些方法和技术现已广泛应用于硅片加工和器件制造中的硅片清洗。

表面沾污指硅表面上沉积有粒子、金属、有机物、湿气分子和自然氧化物等的一种或几种。

超纯表面定义为没有沾污的表面, 或者是超出检测量极限的表面。

二、硅片的表面状态与洁净度问题:硅片的真实表面由于暴露在环境气氛中发生氧化及吸附,其表面往往有一层很薄的自然氧化层,厚度为几个埃、几十个埃甚至上百埃。

真实的硅片表面是内表面和外表面的总合,内表面是硅与自然氧化层的界面,。

外表面是自然氧化层与环境气氛的界面,它也存在一些表面能级,并吸附一些污染杂质原子,而且不同程度地受到内表面能级的影响,可以与内表面交换电荷,外表面的吸附现象是复杂的。

完好的硅片清洗总是去除沾污在硅片表面的微粒和有害膜层,代之以氧化物的、氯化物的或其它挥发元素(或分子)的连续无害膜层,即具有原子均质的膜层。

硅片表面达到原子均质的程度越高.洁净度越高。

三、硅片表面沾污杂质的来源和分类:在硅片加工及器件制造过程中,所有与硅片接麓的外部媒介都是硅片沾污杂质的可能来源。

这主要包括以下几方面:硅片加工成型过程中的污染,环境污染,水造成的污染,试剂带来的污染,工业气体造成的污染,工艺本身造成的污染,人体造成的污染等。

表1.硅片表面沾污杂质的分类四、清洗方法(一)RCA清洗:RCA 由Werner Kern 于1965年在N.J.Princeton 的RCA 实验室首创, 并由此得名。

半导体制造工艺之硅的氧化概述

半导体制造工艺之硅的氧化概述

半导体制造工艺之硅的氧化概述硅是半导体材料中最重要的成分之一,广泛应用于半导体器件的制造中。

在半导体制造工艺中,硅的氧化是一个关键步骤,该过程将硅材料与氧气反应,形成一层氧化硅薄膜。

这一步骤对于半导体器件的性能和可靠性起着至关重要的作用。

硅的氧化过程通常通过热氧化或化学气相沉积(CVD)两种方法实现。

热氧化是最常用的氧化方法之一,它是在高温环境下将硅材料暴露在氧气中进行反应。

反应时,氧气分子会与硅材料的表面发生化学反应,形成一层均匀、紧密的氧化硅薄膜。

这种氧化过程通常在高温(约900-1200摄氏度)下进行,需要较长的时间(几十分钟到几个小时)。

化学气相沉积是另一种常用的氧化方法,它使用气相前体将氧化物沉积在硅表面上。

在这个过程中,硅衬底被放置在一个高温反应室中,气相前体物质被输送到反应室中,并在硅表面上沉积。

一个常用的气相前体是二甲基二氧化硅(DMDSO),它在高温环境下分解成二氧化硅并沉积在硅表面上。

与热氧化相比,化学气相沉积可以在较低的温度和较短的时间内实现氧化过程。

无论是热氧化还是化学气相沉积,氧化过程都可以通过控制氧化温度、氧化时间和氧化气体浓度来调节氧化硅薄膜的厚度。

薄膜的厚度通常在几纳米到几百纳米之间,根据不同的应用需求进行选择。

氧化硅薄膜在半导体制造中具有多种重要功能。

首先,它可以作为保护层,防止杂质和水分进入硅材料,从而提高器件的稳定性和可靠性。

其次,氧化硅还可以作为电路的绝缘层,防止电流泄露和干扰。

此外,氧化硅还可以用作电容层、栅介质层等特定应用。

总之,硅的氧化是半导体制造工艺中一个非常重要的步骤。

通过热氧化或化学气相沉积方法,可以形成一层均匀、紧密的氧化硅薄膜,为半导体器件的性能和可靠性提供良好的基础。

硅的氧化在半导体制造中扮演着关键的角色,它不仅可以形成绝缘层,还可以作为介电材料、隔离层和衬底。

在现代集成电路的制造中,氧化硅通常是制造晶体管的基本材料之一。

硅的氧化过程一般分为两个主要阶段:表面清洗和氧气反应。

硅片清洗原理与方法综述

硅片清洗原理与方法综述

硅片清洗原理与方法综述刘传军 赵权 刘春香 杨洪星(电子四十六所,天津 300220)摘要 对硅片清洗的基本理论、常用工艺方法和技术进行了详细的论述,同时对一些常用的清洗方案进行了浅析,并对硅片清洗的重要性和发展前景作了简单论述。

关键词 硅片 清洗 湿法化学清洗中图分类号:TN30512 文献标识码:A 文章编号:100125507(2000)2230207 Theory and M ethod of Sil icon W afer Clean i ngL iu Chuan jun,Zhao Q uan,L iu Chunx iang,Yang Hongx ing(T he46th Institu te(E lectronics),T ianj in300220)Abstract In th is p ap er,the m ethods and m echan is m of silicon w afer clean ing are p re2 sen ted.Som e cases u sing silcon w afer clean ing are discu ssed.T he i m po rtance and ten2 dency of silicon w afer clean ing are also given b riefly.Keywords Silicon w afer C lean ing W et chem ical clean ing1 引 言随着大规模集成电路的发展,集成度的不断提高,线宽的不断减小,对硅片的质量要求也越来越高,特别是对硅抛光片的表面质量要求越来越严。

这主要是因为抛光片表面的颗粒和金属杂质沾污会严重影响器件的质量和成品率,对于线宽为0135Λm的64兆DRAM器件,影响电路的临界颗粒尺寸为0106Λm,抛光片的表面金属杂质沾污应全部小于5×1016at c m2,抛光片表面大于012Λm的颗粒数应小于20个 片[1]。

化学清洗液中硅片表面化学键及形貌的研究

化学清洗液中硅片表面化学键及形貌的研究

化学清洗液中硅片表面化学键及形貌的研究本文研究了化学清洗液中硅片表面化学键及形貌的变化,探讨了不同清洗液对硅片表面的影响,以及硅片表面化学键和形貌对清洗效果的影响。

下面是本店铺为大家精心编写的5篇《化学清洗液中硅片表面化学键及形貌的研究》,供大家借鉴与参考,希望对大家有所帮助。

《化学清洗液中硅片表面化学键及形貌的研究》篇1引言硅片是半导体工业中不可或缺的重要材料,其在制造过程中需要经过多次清洗,以去除表面污垢和杂质,保证其表面干净度和电学性能。

化学清洗是硅片表面处理中最常用的方法之一,而清洗液的组成和浓度对硅片表面的化学键和形貌有着重要的影响。

本文旨在研究不同化学清洗液中硅片表面化学键及形貌的变化,并探讨这些变化对清洗效果的影响。

实验方法本次实验采用三种不同的化学清洗液,分别为 A、B、C。

A 液主要成分为氢氟酸和硝酸,B 液主要成分为氢氧化钠和过氧化氢,C 液主要成分为硫酸和氢氧化钠。

将硅片分别浸泡在三种清洗液中,浸泡时间分别为 10 分钟、20 分钟和 30 分钟。

浸泡结束后,用去离子水将硅片清洗干净,并用吹风机将其吹干。

实验结果使用扫描电子显微镜 (SEM) 和原子力显微镜 (AFM) 对硅片表面形貌进行观察和分析。

结果表明,不同清洗液对硅片表面的形貌和化学键有着不同的影响。

在 A 液中浸泡 10 分钟后,硅片表面出现明显的腐蚀和刻蚀现象,表面形貌变得粗糙。

在 AFM 图像中,可以观察到硅片表面出现了许多纳米级别的凹凸不平的结构。

同时,X 射线光电子能谱 (XPS) 分析结果显示,硅片表面化学键的主要成分为氟化硅和氧化硅。

在 B 液中浸泡 20 分钟后,硅片表面变得光滑,表面形貌得到改善。

在 AFM 图像中,可以观察到硅片表面出现了许多微米级别的平滑结构。

同时,XPS 分析结果显示,硅片表面化学键的主要成分为氢氧化钠和过氧化氢。

在 C 液中浸泡 30 分钟后,硅片表面出现了一些微小的凹凸结构,表面形貌较之前略有改善。

半导体硅的清洗总结(标出重点了)

半导体硅的清洗总结(标出重点了)

半导体硅的清洗总结(标出重点了)硅片的化学清洗总结硅片清洗的一般原则是首先去除表面的有机沾污;然后溶解氧化层(因为氧化层是“沾污陷阱”,也会引入外延缺陷);最后再去除颗粒、金属沾污,同时使表面钝化。

清洗硅片的清洗溶液必须具备以下两种功能:(1)去除硅片表面的污染物。

溶液应具有高氧化能力,可将金属氧化后溶解于清洗液中,同时可将有机物氧化为CO2和H2O;(2)防止被除去的污染物再向硅片表面吸附。

这就要求硅片表面和颗粒之间的Z电势具有相同的极性,使二者存在相斥的作用。

在碱性溶液中,硅片表面和多数的微粒子是以负的Z电势存在,有利于去除颗粒;在酸性溶液中,硅片表面以负的Z电势存在,而多数的微粒子是以正的Z电势存在,不利于颗粒的去除。

1 传统的RCA清洗法1.1 主要清洗液1.1.1 SPM(三号液)(H2SO4∶H2O2∶H2O)在120~150℃清洗10min左右,SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO2和H2O。

用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。

经SPM清洗后,硅片表面会残留有硫化物,这些硫化物很难用去粒子水冲洗掉。

由Ohnishi提出的SPFM(H2SO4/H2O2/HF)溶液,可使表面的硫化物转化为氟化物而有效地冲洗掉。

由于臭氧的氧化性比H2O2的氧化性强,可用臭氧来取代H2O2(H2SO4/O3/H2O称为SOM 溶液),以降低H2SO4的用量和反应温度。

H2SO4(98%):H2O2(30%)=4:11.1.2 DHF(HF(H2O2)∶H2O)在20~25℃清洗30s 腐蚀表面氧化层,去除金属沾污,DHF清洗可去除表面氧化层,使其上附着的金属连同氧化层一起落入清洗液中,可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni 等金属,但不能充分地去除Cu。

HF:H2O2=1:50。

1.1.3 APM(SC-1)(一号液)(NH4OH∶H2O2∶H2O)在65~80℃清洗约10min 主要去除粒子、部分有机物及部分金属。

硅片清洗原理与方法介绍

硅片清洗原理与方法介绍

硅片清洗原理与方法介绍1引言硅片经过切片、倒角、研磨、表面处理、抛光、外延等不同工序加工后,表面已经受到严重的沾污,清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染。

2硅片清洗的常用方法与技术在半导体器件生产中,大约有20%的工序和硅片清洗有关,而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的,这就必须采用各种不同的清洗方法和技术手段,以达到清洗的目的。

由于晶盟现有的清洗设备均为Wet-bench类型,因此本文重点对湿法化学清洗的基本原理、常用方法及其它与之密切相关的技术手段等进行论述3.1湿法化学清洗化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用,或伴以超声、加热、抽真空等物理措施,使杂质从被清除物体的表面脱附(解吸),然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗,从而获得洁净表面的过程。

化学清洗又可分为湿法化学清洗和干法化学清洗,其中湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位,因此有必要首先对湿法化学清洗及与之相关的技术进行全面的介绍。

3.1.1常用化学试剂、洗液的性质常用化学试剂及洗液的去污能力,对于湿法化学清洗的清洗效率有决定性的影响,根据硅片清洗目的和要求选择适当的试剂和洗液是湿法化学清洗的首要步骤。

表一、用以清除particle、metal、organic、nature-oxide的适当化学液3.1.2溶液浸泡法溶液浸泡法就是通过将要清除的硅片放入溶液中浸泡来达到清除表面污染目的的一种方法,它是湿法化学清洗中最简单也是最常用的一种方法。

它主要是通过溶液与硅片表面的污染杂质在浸泡过程中发生化学反应及溶解作用来达到清除硅片表面污染杂质的目的。

选用不同的溶液来浸泡硅片可以达到清除不同类型表面污染杂质的目的。

如采用有机溶剂浸泡来达到去除有机污染的目的,采用1号液(即SC1,包含H2O2、NH3OH化学试剂以及H2O)浸泡来达到清除有机、无机和金属离子的目的,采用2号液(即SC2,包含HCL、H2O2化学试剂以及H2O)浸泡来达到清除AL、Fe、Na等金属离子的目的。

(完整word版)硅片清洗及原理.

(完整word版)硅片清洗及原理.

硅片清洗及原理硅片的清洗很重要,它影响电池的转换效率,如器件的性能中反向电流迅速加大及器件失效等。

因此硅片的清洗很重要,下面主要介绍清洗的作用和清洗的原理。

清洗的作用1.在太阳能材料制备过程中,在硅表面涂有一层具有良好性能的减反射薄膜,有害的杂质离子进入二氧化硅层,会降低绝缘性能,清洗后绝缘性能会更好。

2.在等离子边缘腐蚀中,如果有油污、水气、灰尘和其它杂质存在,会影响器件的质量,清洗后质量大大提高。

3.硅片中杂质离子会影响P-N 结的性能,引起P-N 结的击穿电压降低和表面漏电,影响P-N 结的性能。

4.在硅片外延工艺中,杂质的存在会影响硅片的电阻率不稳定。

清洗的原理要了解清洗的原理,首先必须了解杂质的类型,杂质分为三类:一类是分子型杂质,包括加工中的一些有机物;二类是离子型杂质,包括腐蚀过程中的钠离子、氯离子、氟离子等;三是原子型杂质,如金、铁、铜和铬等一些重金属杂质。

目前最常用的清洗方法有:化学清洗法、超声清洗法和真空高温处理法。

1.目前的化学清洗步骤有两种:(1有机溶剂(甲苯、丙酮、酒精等→去离子水→无机酸(盐酸、硫酸、硝酸、王水→氢氟酸→去离子水(2碱性过氧化氢溶液→去离子水→酸性过氧化氢溶液→去离子水下面讨论各种步骤中试剂的作用。

a.有机溶剂在清洗中的作用用于硅片清洗常用的有机溶剂有甲苯、丙酮、酒精等。

在清洗过程中,甲苯、丙酮、酒精等有机溶剂的作用是除去硅片表面的油脂、松香、蜡等有机物杂质。

所利用的原理是“相似相溶”。

b.无机酸在清洗中的作用硅片中的杂质如镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质,只能用无机酸除去。

有关的反应如下:2Al+6HCl=2AlCl3+3H2↑Al2O3+6HCl=2AlCl3+3H2OCu+2H2SO4= CuSO4 +SO2↑+2H2O2Ag+2H2SO4=2Ag2SO4+SO2↑+2H2OCu+4HNO3= Cu(NO32 +2NO2↑+2H2OAg+4HNO3= AgNO3+2NO2↑+2H2OAu+4HCl+HNO3=H[AuCl4]+NO↑+2H2OSiO2+4HF=SiF4↑+2H2O如果HF 过量则反应为:SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2OH2O2 的作用:在酸性环境中作还原剂,在碱性环境中作氧化剂。

硅片清洗原理与方法介绍

硅片清洗原理与方法介绍

硅片清洗原理与方法介绍1引言硅片经过切片、倒角、研磨、表面处理、抛光、外延等不同工序加工后,表面已经受到严重的沾污,清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染。

2硅片清洗的常用方法与技术在半导体器件生产中,大约有20%的工序和硅片清洗有关,而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的,这就必须采用各种不同的清洗方法和技术手段,以达到清洗的目的。

由于晶盟现有的清洗设备均为Wet-bench类型,因此本文重点对湿法化学清洗的基本原理、常用方法及其它与之密切相关的技术手段等进行论述3.1湿法化学清洗化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用,或伴以超声、加热、抽真空等物理措施,使杂质从被清除物体的表面脱附(解吸),然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗,从而获得洁净表面的过程。

化学清洗又可分为湿法化学清洗和干法化学清洗,其中湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位,因此有必要首先对湿法化学清洗及与之相关的技术进行全面的介绍。

3.1.1常用化学试剂、洗液的性质常用化学试剂及洗液的去污能力,对于湿法化学清洗的清洗效率有决定性的影响,根据硅片清洗目的和要求选择适当的试剂和洗液是湿法化学清洗的首要步骤。

CL2+UV(〈400nm〉表一、用以清除particle、metal、organic、nature-oxide的适当化学液3.1.2溶液浸泡法溶液浸泡法就是通过将要清除的硅片放入溶液中浸泡来达到清除表面污染目的的一种方法,它是湿法化学清洗中最简单也是最常用的一种方法。

它主要是通过溶液与硅片表面的污染杂质在浸泡过程中发生化学反应及溶解作用来达到清除硅片表面污染杂质的目的。

选用不同的溶液来浸泡硅片可以达到清除不同类型表面污染杂质的目的。

如采用有机溶剂浸泡来达到去除有机污染的目的,采用1号液(即SC1,包含H2O2、NH3OH化学试剂以及H2O)浸泡来达到清除有机、无机和金属离子的目的,采用2号液(即SC2,包含HCL、H2O2化学试剂以及H2O)浸泡来达到清除AL、Fe、Na等金属离子的目的。

硅片清洗原理与方法介绍

硅片清洗原理与方法介绍

硅片清洗原理与方法介绍1引言硅片经过切片、倒角、研磨、表面处理、抛光、外延等不同工序加工后,表面已经受到严重的沾污,清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染。

2硅片清洗的常用方法与技术在半导体器件生产中,大约有20%的工序和硅片清洗有关,而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的,这就必须采用各种不同的清洗方法和技术手段,以达到清洗的目的。

由于晶盟现有的清洗设备均为Wet-bench类型,因此本文重点对湿法化学清洗的基本原理、常用方法及其它与之密切相关的技术手段等进行论述3.1湿法化学清洗化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用,或伴以超声、加热、抽真空等物理措施,使杂质从被清除物体的表面脱附(解吸),然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗,从而获得洁净表面的过程。

化学清洗又可分为湿法化学清洗和干法化学清洗,其中湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位,因此有必要首先对湿法化学清洗及与之相关的技术进行全面的介绍。

3.1.1常用化学试剂、洗液的性质常用化学试剂及洗液的去污能力,对于湿法化学清洗的清洗效率有决定性的影响,根据硅片清洗目的和要求选择适当的试剂和洗液是湿法化学清洗的首要步骤。

CL2+UV(〈400nm〉表一、用以清除particle、metal、organic、nature-oxide的适当化学液3.1.2溶液浸泡法溶液浸泡法就是通过将要清除的硅片放入溶液中浸泡来达到清除表面污染目的的一种方法,它是湿法化学清洗中最简单也是最常用的一种方法。

它主要是通过溶液与硅片表面的污染杂质在浸泡过程中发生化学反应及溶解作用来达到清除硅片表面污染杂质的目的。

选用不同的溶液来浸泡硅片可以达到清除不同类型表面污染杂质的目的。

如采用有机溶剂浸泡来达到去除有机污染的目的,采用1号液(即SC1,包含H2O2、NH3OH化学试剂以及H2O)浸泡来达到清除有机、无机和金属离子的目的,采用2号液(即SC2,包含HCL、H2O2化学试剂以及H2O)浸泡来达到清除AL、Fe、Na等金属离子的目的。

半导体硅的清洗总结(标出重点了)

半导体硅的清洗总结(标出重点了)

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硅片的化学清洗总结硅片清洗的一般原则是首先去除表面的有机沾污;然后溶解氧化层(因为氧化层是“沾污陷阱”,也会引入外延缺陷);最后再去除颗粒、金属沾污,同时使表面钝化。

清洗硅片的清洗溶液必须具备以下两种功能:(1)去除硅片表面的污染物。

溶液应具有高氧化能力,可将金属氧化后溶解于清洗液中,同时可将有机物氧化为co2和h2o;(2)防止被除去的污染物再向硅片表面吸附。

这就要求硅片表面和颗粒之间的Z电势具有相同的极性,使二者存在相斥的作用。

在碱性溶液中,硅片表面和多数的微粒子是以负的Z电势存在,有利于去除颗粒;在酸性溶液中,硅片表面以负的Z电势存在,而多数的微粒子是以正的Z电势存在,不利于颗粒的去除。

1传统的RcA清洗法1.1主要清洗液1.1.1spm(三号液)(h2so4∶h2o2∶h2o)在120~150∶清洗10min左右,spm具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成co2和h2o。

用spm 清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。

经spm清洗后,硅片表面会残留有硫化物,这些硫化物很难用去粒子水冲洗掉。

由ohnishi 提出的spFm(h2so4/h2o2/hF)溶液,可使表面的硫化物转化为氟化物而1/13有效地冲洗掉。

由于臭氧的氧化性比h2o2的氧化性强,可用臭氧来取代h2o2(h2so4/o3/h2o称为som溶液),以降低h2so4的用量和反应温度。

h2so4(98%):h2o2(30%)=4:11.1.2DhF(hF(h2o2)∶h2o)在20~25∶清洗30s腐蚀表面氧化层,去除金属沾污,DhF清洗可去除表面氧化层,使其上附着的金属连同氧化层一起落入清洗液中,可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,ni等金属,但不能充分地去除cu。

半导体化学清洗总结

半导体化学清洗总结

化学清洗总结1。

3各洗液的清洗说明;1.3。

1SC—1洗液;1。

3。

1.1去除颗粒;硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜(约6mm;①自然氧化膜约0。

6nm厚,其与NH4OH、H2;②SiO2的腐蚀速度随NH4OH的浓度升高而加快;③Si的腐蚀速度,随NH4OH的浓度升高而快当,;④NH4OH 促进腐蚀,H2O2阻碍腐蚀;⑤若H2O2的浓度一定,NH4OH浓度越低,颗粒1。

3 各洗液的清洗说明1。

3。

1 SC-1洗液1。

3.1。

1 去除颗粒硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜(约6mm呈亲水性),该氧化膜又被NH4OH腐蚀,腐蚀后立即又发生氧化,氧化和腐蚀反复进行,因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。

①自然氧化膜约0。

6nm厚,其与NH4OH、H2O2浓度及清洗液温度无关.②SiO2的腐蚀速度随NH4OH的浓度升高而加快,其与H2O2的浓度无关。

③Si的腐蚀速度,随NH4OH的浓度升高而快当,到达某一浓度后为一定值,H202浓度越高这一值越小.④NH4OH促进腐蚀,H2O2阻碍腐蚀。

⑤若H2O2的浓度一定,NH4OH浓度越低,颗粒去除率也越低,如果同时降低H2O2浓度可抑制颗粒的去除率的下降.⑥随着清洗液温度升高,颗粒去除率也提高在一定温度下可达最大值。

⑦颗粒去除率与硅片表面腐蚀量有关为确保颗粒的去除要有一定量以上的腐蚀。

⑧超声波清洗时由于空化现象只能去除≥0。

4μm颗粒。

兆声清洗时由于0.8Mhz的加速度作用能去除≥0。

2μm颗粒,即使液温下降到40℃也能得到与80℃超声清洗去除颗粒的效果,而且又可避免超声清洗对晶片产生损伤。

⑨在清洗液中硅表面为负电位有些颗粒也为负电位,由于两者的电的排斥力作用可防止粒子向晶片表面吸附,但也有部分粒子表面是正电位,由于两者电的吸引力作用,粒子易向晶片表面吸附.1.3。

1。

2 去除金属杂质①由于硅表面氧化和腐蚀,硅片表面的金属杂质,随腐蚀层而进入清洗液中。

半导体第五讲硅片清洗(4课时)汇总

半导体第五讲硅片清洗(4课时)汇总

去除的机理有四种:
1 2 3 4 粒子和硅片表面的电排斥
• 去除方法:SC-1, megasonic(超声清洗)
15
金属的玷污
来源:化学试剂,离子注入、反应离子刻蚀等工艺 量级:1010原子/cm2
Fe, Cu, Ni, Cr, W, Ti… Na, K, Li…
影响: 在界面形成缺陷,影响器件性能,成品率下降 增加p-n结的漏电流,减少少数载流子的寿命
例1. 一集成电路厂 产量=1000片/周×100芯片/片,芯 片价格为$50/芯片,如果产率为50%,则正好保本。若 要年赢利$10,000,000,产率增加需要为
$1 10 3. 8% 1000 100 $50 52
7
年开支=年产能 为1亿3千万 1000×100×52×$50×50% =$130,000,000
41
42
清洗后的晶片应避免暴露在空气中,以免接触孔底层又产生自然氧 化物而影响金属与接触孔的接触电阻,所以应立即放人金属溅射机 内,快速完成金属溅镀。在如需等待金属溅镀,清洗后的晶片需存 放在N2气柜内,若等待时间超过4小时,则晶片需要重新清洗。重 洗不得超过两次,否则,接触孔的小洞受BHF浸蚀将变大或变形而 造成接触孔破裂,从而影响线路,造成接触孔桥接短路,影响器件 的可靠性。
平行于硅片表面的声压波使粒子浸润, 然后溶液扩散入界面,最后粒子完全浸 润,并成为悬浮的自由粒子。
23
机器人自动清洗机
24
清洗容器和载体
SC1/SPM/SC2 – 石英( Quartz )或 Teflon容器 HF – 优先使用Teflon,其他无色塑料容器也行。 硅片的载体 – 只能用Teflon 或石英片架
可以氧化有机膜 和金属形成络合物 缓慢溶解原始氧化层,并再氧化——可以去除颗粒 NH4OH对硅有腐蚀作用 RCA clean is “standard process” OH- - OH - used to remove OH OH- OH- organics, OH- heavy metals and alkali ions.
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一般用强酸型阳离子交换树脂,聚苯乙烯磺酸型离子交换树脂R- SO3H 。 它具有较大的交换容量,对酸碱溶剂和氧化剂都比较稳定,耐磨,耐热 性可达111℃以上。
一般用强碱型阴离子交换树脂,聚苯乙烯季胺型阴离子交换树脂M-N+ (CH3)3OH。 它的交换容量约为聚苯乙烯磺酸型阳离子交换容量的1/2, 物理、化学性能也很稳定,如对酸、碱、氧化剂以及有机溶剂都较稳定。 热稳定性也较好,Cl型树脂在150℃以下稳定,OH型树脂须在50℃以 下使用,否则容易分解。
浓硫酸作为氧化剂,与重金属、铜、汞、银和非金属硫、碳等反应,被 还原为二氧化硫(SO2), 遇到较强的还原剂,可进一步被还原成硫S或硫化氢H2S , 往往三者同时存在,反应式如下:
H2SO4的脱水性、吸水性 浓硫酸具有很强的脱水性,能将有机物中的氢与氧以水的比例夺去。 所以浓硫酸可使有机物脱水而碳化,如果同时进行加热,析出的碳还能进 一步氧化生成二氧化碳。 半导休器件生产中也常用浓硫酸的碳化作用,除去硅片表面上沾污的油脂、 蜡、棉花纤维、松香及光刻胶等。
用到的试剂 去除有机杂质,是SPM (Sulfuric Peroxide Mixture),是H2O2/H2SO4 1号标准清洗液(SC-1),碱性过氧化氢,APM(Ammonia Peroxide Mixture) ,H2O2/NH4OH/H2O, 2号标准液(SC-2),酸性过氧化氢,HPM(Hydrochloric Peroxide mixture), H2O2/HCl/H2O,
稀释的氢氟酸,DHP(Diluted HF),HF/H2O, 超纯水,UPW(Ultra Pure Water), H2O.
4有机杂质的去除
4.1有机溶剂溶除 有机杂质一般用有机溶剂溶解,再用表面活性剂连接有机物和 水,最后用高纯水冲洗。 有机杂质,如油脂、松香、蜡等, 有机溶剂,如甲苯、丙酮、乙醇等,
超纯水, 25℃电阻率大于18MΩ·cm
1.2水电阻率的影响因素 水越纯,杂质离子浓度越小,电阻率越大, 可用电导仪测水的电阻率,
空气:空气中的二氧化碳、其它可溶气体、灰尘等可溶于水中,使电阻 率降低, 温度:温度升高,水中杂质溶解度加大,杂质离子运动速度加快,水的 电离度增大,电阻率降低, 容器: 塑料、有机玻璃、石英玻璃等在纯水中溶解性较小,贮存高纯水一般用 塑料容器。 一般玻璃、金属等在纯水中具有一定可溶性。放置一段时间后,有微量 的玻璃(硅酸盐)或金属、金属化合物溶解,使电阻率降低。
2.2离子交换法的装置 离子交换法多用:复床—混合床装置, 复床是阳、阴离子交换柱串联,混合床是将阳、阴离子交换树脂按1: 2 比例混和在一个交换柱内, (因为所选阳树脂的交换容量约为阴树脂的2倍,混合后成中性 混合床的阳树脂要比阴树脂的比重大些,混合后易分层)
2.3离子交换法的原理 阳离子交换树脂R’- SO3H中的氢离子H+与杂质阳离子进行交换,
第三章 硅半导体表面杂质清洗 的化学知识简介
海棠 2016.3.19 《半导体工艺化学》天津科学技术出版社,1983 《半导体制造工艺》张渊,机械工业出版社
对硅片表面清洗的化学知识做了简要介绍,请读者在学习和 应用时,进一步查阅相关书籍,核对相关数据和知识。
目录
1纯水简介 1.1纯水的概念 1.2水电阻率的影响因素
浓硫酸具有强酸性、强氧化性、强腐蚀性、吸水脱水性、和高沸点难 挥发性等。
H2SO4的强酸性 硫酸的强酸性,能与活泼金属、金属氧化物及氢氧化物等作用。如,
H2SO4的氧化性 由于浓硫酸具有氧化性,还能与铜、汞、银等不活泼金属作用。 但不能和铂、金作用。
冷浓硫酸不与铁、铝等金属作用,这是因为在冷浓硫酸中,铁、铝等金 属表面生成一层致密的氧化物保护膜,阻止反应继续,这种现象称为 “钝化”现象。 所以可用铁、铝制的容器盛放浓硫酸。
浓硫酸具有极强的吸水性,是一种常用的干燥剂。 生产中常用浓硫酸吸除浓盐酸中的水分制取无水氯化氢,用来高温抛光外 延硅片。
安全操作 在配制洗液或稀释浓硫酸时,只许把浓硫酸缓慢倒入水中,边倒边搅拌, 因为浓硫酸比重大,能沉在水中并使热量较均匀地扩散 严禁将水倒入浓硫酸中,否则容易形成局部热量使水暴沸,造成烧伤。 不可用厚壁的玻璃缸作为配洗液或稀释浓硫酸的容器,以免容器炸裂。
从阳离子交换柱流出的酸性水进入阴离子交换柱, 阴离子交换树脂中的氢氧根离子OH-与杂质阴离子进行交换, 氢氧根离子OH-与氢离子H +结合成水。
2.4离子交换法的其它知识 如果是自来水进入阴离子交换柱,柱中碱性溶液与自来水中钙、镁 离子反应产生沉淀附在树脂表面,使交换容量降低:
使用过的树脂,可进行再生处理。 失效的阳树脂,如Na型阳树脂,可用一定量5~8%盐酸进行再生处理。
根据反应条件(酸的浓度、还原剂的性质、温度)的不同,硝酸被还 原成不同的产物: 氮的氧化数,
还原剂愈弱,硝酸愈浓,则被还原的程度愈弱,反之亦然。
有些金属如铁、铝、铬、镍、钙等易溶于稀硝酸,却不溶于冷的浓硝 酸。这由于在室温时,发生钝化作用。
利用钝化作用,如在光刻铝电极后去胶时,可将片子浸泡在浓硝酸中, 去除光刻胶膜而不破坏铝层, 避免钝化作用,须用低浓度硝酸或加热。
3硅表面杂质类型和清洗步骤
3.1硅表面沾污的杂质类型 硅片表面沾污的杂质大致可分为4类: (1)颗粒,如光刻胶, (2)有机物,如油脂、松香、石蜡等, (3)金属, (4)要去除的氧化层。
3.2RCA清洗法 清洗分为湿法清洗和干法清洗,湿法清洗有RCA清洗,稀释RCA清洗, IMEC清洗,单晶圆清洗等。
(3)硝酸HNO3 纯硝酸是一种无色透明、有刺激性气味的液休, 硝酸易挥发、见光受热易分解。市售浓硝酸比重是1.41,浓度为69.2%, 沸点为121.8℃。
硝酸具有强酸性。
硝酸具有强氧化性,浓、稀硝酸能与“金属活动顺序表”中氢以后的铜、 汞、银等金属作用,但硝酸不能氧化金、铂等金属, 大多数非金属也都能被硝酸氧化为相对应的酸, 例如,硫、磷与硝酸共沸,硫和磷分别被氧化成硫酸和磷酸。
RCA清洗工艺是工业中标准的湿法清洗工艺。
典型的硅片湿法清洗流程,RCA清洗
RCA清洗流程 先去除有机杂质,再用1号碱性H2O2和2号酸性H2O2进一步去除有机和无 机杂质等, 每一步都用氢氟酸去SiO2氧化层,并用高纯水冲洗。 最后进行干燥
先去除有机杂质,因为它们有疏水性,把硅表面与水隔离开,对清除无 机杂质有阻碍作用。
肥皂用通式R-COONa表示, 在水中电离出R-COO- 和Na+离子。 R-COO-离子一端是烃基是疏水基,亲油 另一端羟基—OH,是亲水基,亲水 这种有亲水基和疏水基的物质叫表面活性剂,把不溶的油分子和 水分子连结在一起,这样油就可以被水冲走了。
4.3合成洗涤剂去油污 合成洗涤剂是有机合成的表面活性剂。如洗衣粉 分为负离子型和非离子型。
2离子交换法制备纯水
工业中制备超纯水的主要方法有三种:离子交换法,电渗析法,反渗透 法。 下面主要介绍离子交换法。
2.1离子交换树脂 离子交换树脂是一种含有活性基团而能进行离子交换的树脂。 不溶于水、化学稳定性高、具有一定机械强度、呈球状颗粒的固体。
交换阳离子的,称为阳离子交换树脂,简称阳树脂。交换阴离子的称为 阴树脂。
在反应中,重铬酸根离子得到电子而还原成+3价的铬离子,为绿色, 所以当重铬酸钾洗液由橙红色变为绿色,表明已失去氧化能力,
重铬酸钾洗液的配制: 将50~60克重铬酸钾先溶于100毫升热水中,制成饱和溶液,然后将 1000毫升浓硫酸慢慢注入,并不断搅拌。混合时会放出大量的热,切不 可将水注入浓硫酸。
(2)过氧化氢H2O2 过氧化氢俗名叫双氧水,分子结构式为H-O-O-H。 纯的过氧化氢是淡蓝色粘稠液体,液体密度在25℃时为1.4425克/厘米, 沸点为151.4℃,凝固点为-0.89 ℃ ,固体的密度(-4℃)为1.643克/厘 米。纯的固体过氧化氢被用作火箭燃料的氧化剂。
无机杂质指金属等,要用无机酸、氧化剂、络合剂通过化学反应而 溶除。
5.1无机酸 (1)盐酸HCl 盐酸是氯化氢气体溶于水制得的液体, 无色透明的,有刺激性气味,一般因含有杂质(主要是Fe3+)而呈 淡黄色。
(比重也称相对密度,固体和液体的比重是该物质的密度,与在标 准大气压,3.98℃时纯H2O下的密度(999.972 kg/ m3 )的比值。 质量百分比浓度即质量分数,用来表述单位质量的溶液中含有某物 质的百分比。) 浓盐酸比重为1.19,其重量百分比浓度为36~38%。含氯化氢20.24 %的盐酸的沸点为110℃。
一条经验规律:结构相似者相溶。 油脂和甲苯等溶剂,都含有烃基(如甲基CH3乙醇既有烃基(如CH3)又有羟基(-OH),因此乙醇既能与甲苯、丙 酮相溶,又能于水相溶。所以按这种次序,不仅能把油脂,还能把甲
笨、丙酮、乙醇等有机溶剂都除去。
4.2碱和肥皂去油污 碱液(如氢氧化钠)和油脂反应,生成脂肪酸的钠盐(肥皂)
5无机杂质的去除 5.1无机酸 5.2氧化剂 5.3络合剂
6清洗中的安全问题 7铜布线层CMP后的清洗简介(微所在研项目) 8清洗新研究的查阅
1纯水简介
1.1纯水的概念 为什么使用超纯水? 自来水、蒸馏水中含有很多杂质。使用这种水去清洗硅片、材料和器皿, 会在清洗时把表面沾污。
什么是超纯水? 纯水,又叫去离子水。 25℃电阻率大于5 MΩ·cm(5兆欧·厘米=5x108 Ω·cm ),
5.2氧化剂 常用的氧化剂有硫酸、硝酸、重铬酸钾( K2Cr2O7 )、铬酐( CrO2 )、 双氧水(H2O2)等。 、
(1)重铬酸钾 重铬酸钾洗液是饱和的重铬酸钾溶液与过量的浓硫酸混合。有橙红色的 三氧化铬( CrO3 )晶体析出。
三氧化铬又称铬酐,是最强的氧化剂之一, 剧毒。与某些有机物,如酒精接触能立即着火。
负离子型表面活性剂,电离出的负离子发挥作用, 如十二烷基苯磺酸钠,
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