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模拟电子技术基础_知识点总结

模拟电子技术基础_知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

表达的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴,少子是电子〕。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子,少子是空穴〕。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

1〕图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

模电总结复习资料-模拟电子技术基础.doc

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模电总结复习资料-模拟电子技术基础第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

2.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

3.PN结*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

*PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

4.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳u-时,uo=+Uom当u+2.当AF=0时,表明反馈效果为零。

3.当AF<0时,Af升高,这种反馈称为正反馈。

4.当AF=-1时,Af→∞。

放大器处于“自激振荡”状态。

二.反馈的形式和判断1.反馈的范围----本级或级间。

2.反馈的性质----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反馈则为直流反馈,交流通路中存在反馈则为交流反馈,交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。

3.反馈的取样----电压反馈:反馈量取样于输出电压;具有稳定输出电压的作用。

(输出短路时反馈消失)电流反馈:反馈量取样于输出电流。

具有稳定输出电流的作用。

(输出短路时反馈不消失)4.反馈的方式-----并联反馈:反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。

Rs越大反馈效果越好。

反馈信号反馈到输入端)串联反馈:反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。

Rs越小反馈效果越好。

反馈信号反馈到非输入端)5.反馈极性-----瞬时极性法:(1)假定某输入信号在某瞬时的极性为正(用+表示),并设信号的频率在中频段。

(2)根据该极性,逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性(升高用+表示,降低用-表示)。

模电知识点复习总结

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模电知识点复习总结模拟电子技术(模电)是电子工程中的重要基础学科之一,主要研究电路中的电压、电流以及能量的传输和转换。

下面是我对模电知识点的复习总结:一.基础知识1.电路基本定律:欧姆定律、基尔霍夫定律、电压分压定律、电流分流定律、功率定律。

2.信号描述与频域分析:时间域与频域的关系。

傅里叶级数和傅里叶变换的基本概念和应用。

3.理想放大器:增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗的概念和计算方法。

4.放大器基本电路:共射、共集、共基放大器的特点、电路结构和工作原理。

二.放大器设计1.放大器的参数:增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗。

2.放大器的稳定性:稳态稳定性和瞬态稳定性。

3.放大器的频率响应:截止频率、增益带宽积、输入/输出阻抗对频率的影响。

4.放大器的非线性失真:交趾略失真、交调失真、互调失真等。

5.放大电路的优化设计:负反馈、输入/输出阻抗匹配、增益平衡等。

三.运算放大器1.运算放大器的基本性质:增益、输入阻抗、输出阻抗、共模抑制比。

2.电压放大器:非反转放大器、反转放大器、仪表放大器、差分放大器。

3.运算放大器的应用电路:比较器、积分器、微分器、换相器、限幅器等。

4.运算放大器的非线性失真:输入失真、输出失真、交调失真等。

四.双向可调电源1.双向可调电源的基本原理:输入电压、输出电压和控制信号之间的关系。

2.双向可调电源的电路结构:移相电路、比较器、反相放大器、输出级等。

3.双向可调电源的控制方式:串行控制和并行控制。

五.滤波器设计1.常见滤波器类型:低通、高通、带通和带阻滤波器。

2.滤波器的频率响应特性:通频带、截止频率、衰减量。

3.滤波器的传输函数:频率选择特性、阶数选择。

4.滤波器的实现方法:RC、RL、LC和电子管等。

六.可控器件1.二极管:理想二极管模型、二极管的非理想特性、二极管的应用。

2.可控硅:双向可控硅、单向可控硅、可控硅的触发电路和应用。

3.功率晶体管:NPN、PNP型功率晶体管的特性参数、功率放大电路设计。

模电知识点复习总结

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3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法பைடு நூலகம்
1.二极管V-I 特性的建模
将指数模型 iD=IS(e分vD段VT线性1)化,得到二极管特性的 等效模型。 (1)理想模型
(a)V-I特性 (b)代表符号 (c)正向偏置时的电路模型 (d)反向偏置时的电路模型
(2)恒压降模型
(3)折线模型
(a)V-I特性 (b)电路模型
漂移运动: 由电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动.
扩散运动: 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动.
3.2.2 PN结形成
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分 别形成N型半导体和P型半导体.此时将在N型半导 体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:
因浓度差
多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区
特别注意: ▪ 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 ▪ 该模型用于二极管处于正向偏置条件下,且vD>>VT 。
3.5 特殊二极管
(一)稳压二极管
I/mA
1 结构:面接触型硅二极管
2 主要特点: (a) 正向特性同普通二极管 (b) 反向特性
• 较大的 I 较小的 U •工作在反向击穿状态. 在一定范围内,反向击穿 具有可逆性。
则 = ICICEO
IB
当IC
IC

EO
, IC
IB
是另一个电流放大系数。同样,它也只与管
子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。
一般 >> 1 。
3. 三极管的三种组态
BJT的三种组态
共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE表示; 共基极接法,基极作为公共电极,用CB表示; 共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC表示.

模电重点总结复习必备

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u
+

A
+

i
f
R
i
i
f
i
i
i+
i-
i
+
+
T
-
i
+
u
R
i
i
i
b
i
f
2
虚短
3
虚断
1
串联负反馈,输入端电压求和
6
并联负反馈,输入端电流求和
5
虚断
4
虚短
判断能否自激的方法
(1)画出 的波特图
(2)找出两个特定的频率
(3)判断
(4)若不自激,则判断幅度裕度和相位裕度
方法一:
方法二:
02
01
分析方法:分频段研究法和时间常数法
直流稳压电源
工作原理
整流
计算
稳压
滤波
g
g
d
S
d
i
工作在非线性区时的特点
工作在线性区时的特点
虚断
虚短 虚断
运算放大器
波特图
画复杂电路或系统的波特图,关键在于一些基本因子
基本放大电路
01.
多级放大电路
01.
差分放大电路
01.
反馈放大电路
01.
运算放大器
01.
功率放大器
01.
频率响应
01.
直流稳压电源
01.
三、电路部分
共发射极、共集电极、共基极、 共源、共漏
特点和典型功能:
较大,Ri很大;适于小信号电压放大
共漏放大电路
+
C
g3

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模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

*PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏),二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏),二极管截止(开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

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半导体二极管及其应用电路一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

* PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏),二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏),二极管截止(开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。

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模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏),二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏),二极管截止(开路)。

*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

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半导体二极管及其应用电路一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

* PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。

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模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

*三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

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(完整版)模电总结复习资料第⼀章半导体⼆极管⼀.半导体的基础知识1.半导体---导电能⼒介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流⼦----带有正、负电荷的可移动的空⽳和电⼦统称为载流⼦。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺⼊微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺⼊微量的三价元素(多⼦是空⽳,少⼦是电⼦)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺⼊微量的五价元素(多⼦是电⼦,少⼦是空⽳)。

6. 杂质半导体的特性*载流⼦的浓度---多⼦浓度决定于杂质浓度,少⼦浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体⾃⾝的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,⼀种杂质半导体可以改型为另外⼀种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截⽌。

8. PN结的伏安特性⼆. 半导体⼆极管*单向导电性------正向导通,反向截⽌。

*⼆极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析⽅法------将⼆极管断开,分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),⼆极管导通(短路);若 V阳1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态⼯作点Q。

2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题⼿段----将⼆极管断开,分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),⼆极管导通(短路);若 V阳*三种模型微变等效电路法三. 稳压⼆极管及其稳压电路*稳压⼆极管的特性---正常⼯作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压⼆极管在电路中要反向连接。

第⼆章三极管及其基本放⼤电路⼀. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。

模电复习总结

模电复习总结

模电复习总结5⽉8⽇到14⽇,⽤了7天时间总结了模拟电⼦,其中⾃⼰⼿敲了⼤约8000字,到最后实在敲烦了,直接粘贴了部分内容。

另外还很⽆耻的粘下了好多图⽚。

希望对各位的复习能够起到点作⽤。

模拟电⼦——注电基础考试复习⽤⼀、元件基础1、半导体半导体器件中最常⽤的半导体材料有硅和锗两种,都是四价元素,其纯净物导电性很差,按照⼀定规律掺⼊三价、五价元素后,导电性能⼤幅上升,分别形成N型、P型半导体。

四价、五价元素混合后形成N型半导体,容易失去电⼦,形成较稳定的正价离⼦。

四价、三价元素混合后形成P型半导体,容易吸收电⼦,形成较稳定的负价离⼦。

P型半导体和N型半导体制造在同⼀块材料上,在两种半导体的交界⾯上形成PN结。

PN结是构成半导体器件的基础。

2、⼆极管⼀对PN结称为⼆极管,分别在P端和N端引出管脚。

P端易失去电⼦,作为⼆极管的正端。

N端易吸收电⼦,作为⼆极管的负端。

PN结由于两侧材料吸收电⼦能⼒不同的性质,成为⼀个耗尽层。

耗尽层到点能⼒较低,形成⼀个不稳定的内电场h0,此内电场从N端指向P端,即⼆极管的正端指向负端,内电场电压从P端指向N端。

其不稳定包括两个⽅⾯。

⼀个是受外界温度影响⽐较⾼,试验测得300K(25℃)时,温度电压当量U T≈26mV,在室温附近,温度每升⾼1℃,正向压降约减⼩2~2.5mV,温度每升⾼10℃,反向电流约增⼤⼀倍。

另⼀个是外部电压的影响。

当正向加⼀个电压时,由于内外电场⽅向相反,相当于内电场被削弱,耗尽层变薄,电压差很⼩,可以⼤量通过电⼦,容易导电。

当反向加⼀个电压时,由于内外电场⽅向相反,相当于内电场被加强,耗尽层变厚,电压差很⼤,很难通过电⼦,基本不导电。

这就是⼆极管的单向导电性。

⼆极管的伏安特性曲线中包括正向特性和反向特性。

实际使⽤的主要是较为直线部分,正向特性的线性部分为导通部分,线性部分延长线与电压轴的交点为导通电压U on。

导通电压根据不同材料和制作⼯艺,⼀般在0.1V~0.8V范围内(计算时,如不给出的话,硅管取0.7V,锗管取0.3V)。

(完整版)模电知识总结

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第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数;掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。

1、导体导电和本征半导体导电的区别:导体导电只有一种载流子:自由电子导电半导体导电有两种载流子:自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现,数目相等,所带电荷极性不同,故运动方向相反。

2、本征半导体的导电性很差,但与环境温度密切相关。

3、杂质半导体(1)N型半导体——掺入五价元素(2)P型半导体——掺入三价元素4、PN结——P型半导体和N型半导体的交界面在交界面处两种载流子的浓度差很大;空间电荷区又称为耗尽层反向电压超过一定值时,就会反向击穿,称之为反向击穿电压5、PN结的单向导电性——外加电压正向偏置反向偏置6、二极管的结构、特性及主要参数(1)P区引出的电极——阳极;N区引出的电极——阴极温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,反向特性曲线下移。

二极管的特性对温度很敏感。

其中,Is为反向电流,Uon为开启电压,硅的开启电压——0.5V,导通电压为0.6~0.8V,反向饱和电流<0.1μA,锗的开启电压——0.1V,导通电压为0.1~0.3V,反向饱和电流几十μA。

(2)主要参数1)最大整流电流I:最大正向平均电流2)最高反向工作电流U:允许外加的最大反向电流,通常为击穿电压U的一半3)反向电流I:二极管未击穿时的反向电流,其值越小,二极管的单向导电性越好,对温度越敏感4)最高工作频率f:二极管工作的上限频率,超过此值二极管不能很好的体现单向导电性7、稳压二极管在反向击穿时在一定的电流范围内(或在一定的功率耗损范围内),端电压几乎不变,表现出稳压特性,广泛应用于稳压电源和限幅电路中。

(1)稳压管的伏安特性(2)主要参数1)稳定电压U:规定电流下稳压管的反向击穿电压2)稳定电流I:稳压管工作在稳定状态时的参考电流。

电流低于此值时稳压效果变坏,甚至根本不稳压,只要不超过稳压管的额定功率,电流越大稳压效果越好。

模拟电子技术总结复习资料

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半导体二极管及其应用电路一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

* PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏),二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏),二极管截止(开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。

模电总结复习模拟电子技术基础

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模电复习资料第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

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模电总结复习资料1、半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2、特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3、本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4、两种载流子--带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5、杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6、杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7、 PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0、6~0、8V,锗材料约为0、2~0、3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8、 PN结的伏安特性二、半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0、6~0、7V,锗管0、2~0、3V。

*死区电压------硅管0、5V,锗管0、1V。

3、分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2)等效电路法直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

*三种模型微变等效电路法3、稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章三极管及其基本放大电路一、三极管的结构、类型及特点1、类型---分为NPN和PNP两种。

2、特点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。

二、三极管的工作原理1、三极管的三种基本组态2、三极管内各极电流的分配 * 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。

3、共射电路的特性曲线*输入特性曲线---同二极管。

* 输出特性曲线(饱和管压降,用UCES表示放大区---发射结正偏,集电结反偏。

截止区---发射结反偏,集电结反偏。

4、温度影响温度升高,输入特性曲线向左移动。

温度升高ICBO、 ICEO 、 IC以及β均增加。

三、低频小信号等效模型(简化)hie---输出端交流短路时的输入电阻,常用rbe表示;hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比,常用β表示;四、基本放大电路组成及其原则1、VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2的作用。

2、组成原则----能放大、不失真、能传输。

五、放大电路的图解分析法1、直流通路与静态分析 *概念---直流电流通的回路。

*画法---电容视为开路。

*作用---确定静态工作点 *直流负载线---由VCC=ICRC+UCE 确定的直线。

*电路参数对静态工作点的影响1)改变Rb :Q点将沿直流负载线上下移动。

2)改变Rc :Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。

3)改变VCC:直流负载线平移,Q点发生移动。

2、交流通路与动态分析*概念---交流电流流通的回路*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。

*作用---分析信号被放大的过程。

*交流负载线--- 连接Q点和V CC’点V CC’= UCEQ+ICQR L’的直线。

3、静态工作点与非线性失真(1)截止失真*产生原因---Q 点设置过低 *失真现象---NPN管削顶,PNP管削底。

*消除方法---减小Rb,提高Q。

(2)饱和失真*产生原因---Q点设置过高 *失真现象---NPN管削底,PNP管削顶。

*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC 。

4、放大器的动态范围(1) Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。

(2)范围 *当(UCEQ-UCES)>(VCC’ - UCEQ )时,受截止失真限制,UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*当(UCEQ-UCES)<(VCC’ - UCEQ )时,受饱和失真限制,UOPP=2UOMAX=2 (UCEQ-UCES)。

*当(UCEQ-UCES)=(VCC’ - UCEQ ),放大器将有最大的不失真输出电压。

六、放大电路的等效电路法1、静态分析(1)静态工作点的近似估算(2)Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区,应满足RB>βRc 。

2、放大电路的动态分析 * 放大倍数 * 输入电阻* 输出电阻7、分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1、静态分析2、动态分析*电压放大倍数在Re两端并一电解电容Ce后输入电阻在Re两端并一电解电容Ce后* 输出电阻八、共集电极基本放大电路1、静态分析2、动态分析* 电压放大倍数* 输入电阻* 输出电阻3、电路特点 * 电压放大倍数为正,且略小于1,称为射极跟随器,简称射随器。

* 输入电阻高,输出电阻低。

第三章场效应管及其基本放大电路一、结型场效应管( JFET )1、结构示意图和电路符号2、输出特性曲线(可变电阻区、放大区、截止区、击穿区)转移特性曲线UP--- 截止电压二、绝缘栅型场效应管(MOSFET)分为增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两种。

结构示意图和电路符号2、特性曲线*N-EMOS的输出特性曲线* N-EMOS的转移特性曲线式中,IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。

* N-DMOS的输出特性曲线注意:uGS可正、可零、可负。

转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP,此曲线表示式与结型场效应管一致。

三、场效应管的主要参数1、漏极饱和电流IDSS2、夹断电压Up3、开启电压UT4、直流输入电阻RGS5、低频跨导gm (表明场效应管是电压控制器件)四、场效应管的小信号等效模型E-MOS 的跨导gm- 五、共源极基本放大电路1、自偏压式偏置放大电路* 静态分析动态分析若带有Cs,则2、分压式偏置放大电路* 静态分析* 动态分析若源极带有Cs,则六、共漏极基本放大电路* 静态分析或* 动态分析第四章多级放大电路1、级间耦合方1、阻容耦合----各级静态工作点彼此独立;能有效地传输交流信号;式体积小,成本低。

但不便于集成,低频特性差。

2、变压器耦合-各级静态工作点彼此独立,可以实现阻抗变换。

体积大,成本高,无法采用集成工艺;不利于传输低频和高频信号。

3、直接耦合----低频特性好,便于集成。

各级静态工作点不独立,互相有影响。

存在“零点漂移”现象。

*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时,静态工作点也随之变化,致使uo偏离初始值“零点”而作随机变动。

二、单级放大电路的频率响应1、中频段(fL≤f≤fH)波特图---幅频曲线是20lgAusm=常数,相频曲线是φ=-180o。

2、低频段(f ≤fL)‘3、高频段(f ≥fH)4、完整的基本共射放大电路的频率特性三、分压式稳定工作点电路的频率响应1、下限频率的估算2、上限频率的估算四、多级放大电路的频率响应1、频响表达式2、波特图3、五章功率放大电路一、功率放大电路的三种工作状态1、甲类工作状态导通角为360o,ICQ大,管耗大,效率低。

2、乙类工作状态ICQ≈0,导通角为180o,效率高,失真大。

3、甲乙类工作状态导通角为180o~360o,效率较高,失真较大。

二、乙类功放电路的指标估算1、工作状态任意状态:Uom≈Uim 尽限状态:Uom=VCC-UCES 理想状态:Uom≈VCC2、输出功率3、直流电源提供的平均功率4、管耗 Pc1m=0、2Pom5、效率理想时为78、5% 三、甲乙类互补对称功率放大电路1、问题的提出在两管交替时出现波形失真交越失真(本质上是截止失真)。

2、解决办法甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。

动态指标按乙类状态估算。

甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL----电容 C2 上静态电压为VCC/2,并且取代了OCL功放中的负电源-VCC。

动态指标按乙类状态估算,只是用VCC/2代替。

四、复合管的组成及特点1、前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。

2、类型取决于第一只管子的类型。

3、β=β1β2第六章集成运算放大电路一、集成运放电路的基本组成1、输入级----采用差放电路,以减小零漂。

2、中间级----多采用共射(或共源)放大电路,以提高放大倍数。

3、输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。

4、偏置电路----多采用电流源电路,为各级提供合适的静态电流。

二、长尾差放电路的原理与特点1、抑制零点漂移的过程---- 当T↑→ iC1、iC2↑→ iE1、iE2 ↑→ uE↑→ uBE1、uBE2↓→ iB1、iB2↓→ iC1、iC2↓。

R e对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用,被称为“共模反馈电阻”。

2静态分析1)计算差放电路IC设UB≈0,则UE=-0、7V,得2)计算差放电路UCE•双端输出时••单端输出时(设VT1集电极接RL)对于VT1:对于VT2:3、动态分析1)差模电压放大倍数•双端输出••单端输出时从VT1单端输出:从VT2单端输出:2)差模输入电阻3)差模输出电阻•双端输出:•单端输出: 三、集成运放的电压传输特性当uI在+Uim与-Uim之间,运放工作在线性区域:4、理想集成运放的参数及分析方法1、理想集成运放的参数特征* 开环电压放大倍数Aod→∞;* 差模输入电阻Rid→∞;* 输出电阻Ro→0;* 共模抑制比KCMR→∞;2、理想集成运放的分析方法1)运放工作在线性区:* 电路特征引入负反馈* 电路特点“虚短”和“虚断”: “虚短”- “虚断”-2)运放工作在非线性区 * 电路特征开环或引入正反馈 * 电路特点输出电压的两种饱和状态: 当u+>u-时,uo=+Uom 当u+<u-时,uo=-Uom 两输入端的输入电流为零: i+=i-=0第七章放大电路中的反馈1、反馈概念的建立*开环放大倍数---A*闭环放大倍数---Af*反馈深度---1+AF*环路增益---AF:1、当AF>0时,Af下降,这种反馈称为负反馈。

2、当AF=0时,表明反馈效果为零。

3、当AF<0时,Af升高,这种反馈称为正反馈。

4、当AF=-1时,Af→∞ 。

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