PN结物理特性测定2015
PN结物理特性及玻尔兹曼常数测量
PN 结物理特性及玻尔兹曼常数测量半导体PN 结的物理特性是物理学和电子学的重要基础内容之一。
使用本实验的仪器用物理实验方法,测量PN 结扩散电流与电压关系,证明此关系遵循指数分布规律,并较精确地测出玻尔兹曼常数(物理学重要常数之一),使学生学会测量弱电流的一种新方法。
本实验的仪器同时提供干井变温恒温器和铂金电阻测温电桥,测量PN 结结电压be U 与热力学温度T 关系,求得该传感器的灵敏度,并近似求得0K 时硅材料的禁带宽度。
【实验目的】1、在室温时,测量PN 结扩散电流与结电压关系,通过数据处理证明此关系遵循指数分布规律。
2、在不同温度条件下,测量玻尔兹曼常数。
3、学习用运算放大器组成电流—电压变换器测量10-6A 至10-8A 的弱电流。
4、测量PN 结结电压be U与温度关系,求出结电压随温度变化的灵敏度。
5、计算在0K 时半导体(硅)材料的禁带宽度(选作)。
6、学会用最小二乘法拟合数据。
【实验仪器】FD-PN-4型PN 结物理特性综合实验仪(如下图),TIP31c 型三极管(带三根引线)一只,长连接导线11根(6黑5红),手枪式连接导线10根,3DG6(基极与集电极已短接,有二根引线)一只,铂电阻一只。
FD-PN-4 型PN 节物理特性测定仪【实验原理】1. 测量三极管发射极与基极电压U 1和集电极与基极电压U 2之间的关系(a)PN 结伏安特性及玻尔兹曼常数测量由半导体物理学可知,PN 结的正向电流-电压关系满足:[]1/0-=KT eU e I I (1)式(1)中I 是通过PN 结的正向电流,I 0是反向饱和电流,在温度恒定是为常数,T 是热力学温度,e 是电子的电荷量,U 为PN 结正向压降。
由于在常温(300K)时,kT /e ≈0.026v ,而PN 结正向压降约为十分之几伏,则KTeU e/>>1,(1)式括号内-1项完全可以忽略,于是有:KT eU e I I /0= (2)也即PN 结正向电流随正向电压按指数规律变化。
PN结的物理特性实验
量中。
LF356 是一个高输入阻抗集成运算放大 器, 用它组 成的 电流- 电压 变换器( 弱电 流放
大器) , 如图4 .1 .2 所示。其中虚线框内电阻 Zr 为电流- 电压 变换 器等 效输入 阻抗( 弱电
流放大器等效内阻) 。由图4 .1 .2 可知, 运算放大器的输出电压为
Uo = - K0 Ui
量作为已知值代入, 即可得到玻耳兹曼常数 k 。
为了 验 证 式( 4 .1 .2) 及 求 出 准 确 的 e/ k 常 数 , 在 实 际 测 量 中, 选 取 性 能 良 好 的
TIP31 型 硅三 极管( NPN 管) , 接 成 共 基 极 线 路。 实 验 中, 发 射 极 与 基 极 处 于 较 低 的 正
图4 .1 .2 电流- 电压变换图
[ ᇔ僂Ԡಞ] FD- PN- 2 型 PN 结物理特性测 定仪, 其 主要 组 成部 分 有电 源、数 字 电压 表 组 合装 置
( 包括±15 V 直流电源、1 .5 V 直流电源、三位半 数字电 压表、四位 半数 字电 压表) 及 实验 板一块( 由电路图、LF356 运算放 大器、印 刷电路 引线、多 圈电 位器、接 线 柱等 组成) , 带 3 根引线的 TIP31 型硅三极管, 温度计。 [ ᇔ僂ᇯ]
( 1) 将测得的 U1 和 U2 各对数据, 以 U1 为自变量, U2 作因变量, 分别代入: ①线性函
数 U2
=
a U1
+
b;
②乘幂函数 U2
=
a
Ub 1
;
③指数函数 U2
=
aexp(
b U1 )
,
求出各函数相应的 a
和b 值, 得出3 种函数的经验公式。
PN结物理特性及玻尔兹曼常数测量
PN 结物理特性及玻尔兹曼常数测量半导体PN 结的物理特性是物理学和电子学的重要基础内容之一。
使用本实验的仪器用物理实验方法,测量PN 结扩散电流与电压关系,证明此关系遵循指数分布规律,并较精确地测出玻尔兹曼常数(物理学重要常数之一),使学生学会测量弱电流的一种新方法。
本实验的仪器同时提供干井变温恒温器和铂金电阻测温电桥,测量PN 结结电压be U 与热力学温度T 关系,求得该传感器的灵敏度,并近似求得0K 时硅材料的禁带宽度。
【实验目的】1、在室温时,测量PN 结扩散电流与结电压关系,通过数据处理证明此关系遵循指数分布规律。
2、在不同温度条件下,测量玻尔兹曼常数。
3、学习用运算放大器组成电流—电压变换器测量10-6A 至10-8A 的弱电流。
4、测量PN 结结电压be U与温度关系,求出结电压随温度变化的灵敏度。
5、计算在0K 时半导体(硅)材料的禁带宽度(选作)。
6、学会用最小二乘法拟合数据。
【实验仪器】FD-PN-4型PN 结物理特性综合实验仪(如下图),TIP31c 型三极管(带三根引线)一只,长连接导线11根(6黑5红),手枪式连接导线10根,3DG6(基极与集电极已短接,有二根引线)一只,铂电阻一只。
FD-PN-4 型PN 节物理特性测定仪【实验原理】1. 测量三极管发射极与基极电压U 1和集电极与基极电压U 2之间的关系(a)PN 结伏安特性及玻尔兹曼常数测量由半导体物理学可知,PN 结的正向电流-电压关系满足:[]1/0-=KT eU e I I (1)式(1)中I 是通过PN 结的正向电流,I 0是反向饱和电流,在温度恒定是为常数,T 是热力学温度,e 是电子的电荷量,U 为PN 结正向压降。
由于在常温(300K)时,kT /e ≈0.026v ,而PN 结正向压降约为十分之几伏,则KTeU e/>>1,(1)式括号内-1项完全可以忽略,于是有:KT eU e I I /0= (2)也即PN 结正向电流随正向电压按指数规律变化。
半导体pn结的物理特性及弱电流测量实验
半导体pn结的物理特性及弱电流测量实验半导体pn结是常见的半导体器件之一,由p型半导体和n型半导体构成。
与其它半导体器件相比,它有很多特殊的物理特性。
首先,当p型半导体和n型半导体结合时,两种材料的掺杂离子会互相扩散,导致接触面区域形成一个空间电荷区。
这个区域中没有载流子,因此是不导电的。
在pn结正侧和负侧形成了电位差,负侧形成了减小电位相对于正侧,就形成了内建电场。
这个电场会阻止载流子(即电荷)通过pn结。
当向pn结外加电压时,如果外加电压与内建电场方向相反,则内部电场减弱,载流子的移动就更容易了,流动性能增强;反之外部电场增强内部电场,丝毫不利指导电流的流动,参极熑阻挡作用,这就是pn结的整流特性,即所谓的势垒效应。
由于pn结的势垒效应,它可以将电流的方向限制在一个方向上,使其变成单向导电,即只有在正向电压下才能导通,反向电压下是不导通的。
这个特性非常有用,例如在电子电路中可以用它来作为整流器、稳压器、放大器等器件。
此外,由于pn结的导通特性,其本身也可以被用来制造发光二极管、太阳能电池等器件。
在弱电流测量实验中,pn结也被广泛应用。
由于pn结在反向偏置时具有可靠的硬特性,可以被用来作为电流表的电压比较器,在电流表中起到非常重要的作用。
这种电压比较器又称为伏安电路,可以将电流转换成电压,测量微弱电流。
具体而言,电流I进入测量电路,经过一个电阻R后进入远端的伏安电路(即pn结),由于其反向偏置,只有微小的正向漏电流I流经伏安电路,并引起一个微小的电压降U,这个电压降就是I通过伏安电路时所产生的电势差,按照欧姆定律,U/R=I,即可转化为电流的大小。
通过这种方法,研究者可以测量非常微小的电流,比如常常需要测量光电器件、二极管、甚至可以用来研究生物体内的电流等。
总之,半导体pn结的物理特性和其在弱电流测量实验中的应用对于电子学研究和工程实践具有非常重要的意义。
实验46 PN 结的物理特性及玻尔兹曼常数测定
5/5
也是常数;U0 为绝对零度时 PN 结材料的导带底和价带顶间的电势差;I 为二 极管的正向电流。 将 (4)式代入 (3)式,由于 e qU / kT 1 ,两边取对数可得
U U0 (
kT c kT ln ) ln T r q I q
( 5)
其中非线性项
kT ln T r 相对甚小,可以忽略。 q
实验 46
PN 结的物理特性及玻尔兹曼常数测定
温度是一个历史很长的物理量,为了测量它,人们发明了许多方法。温度传 感器通过测温元件将温度转化为电学量进行测量,具有反应时间快、可连续测量 等优点。其中热电偶1、热敏电阻和 PN 结是常用的温度传感器,广泛应用于自动 控制、温度测量等现代技术中。 【实验目的】 了解半导体热敏电阻、 PN 结的电输运的微观机制及其与温度的关系; 了解利用半导体热敏电阻的电压 -温度曲线拟合计算热敏电阻的温度系数 (热敏指数)的原理; 了解利用半导体 PN 结的电压 -温度曲线计算 PN 结绝对零度下的禁带宽 度( Eg0)和玻尔兹曼常数 k 的原理; 测量半导体热敏电阻的电压 -温度曲线; 测量半导体 PN 结的电压 -温度曲线; 【实验仪器】 PN 结的物理特性及玻尔兹曼常数测定仪, 热敏电阻和 PN 结温度传感器, 导线,数据线,电源。 【实验原理】 1.半导体热敏电阻物理特性: 半导体材料的热电特性最为显著,因此,也最常用作温度传感器。一般 而言,在较大的温度范围内,半导体都具有负的电阻温度系数。半导体的导 电机制比较复杂,起电输运作用的载流子为电子或空穴。载流子的浓度受温 度的影响很大,因此半导体的电阻率受温度影响也很大。随着温度的升高, 热激发的载流子数量增加,导致电阻率减小,因此半导体呈现负的电阻温度 系数关系。 但在半导体中存在晶格散射、 电离杂质散射等多种散射机制存在, 使得半导体具有非常复杂的电阻温度关系。在实际应用中,半导体的导电性 质往往通过搀杂工艺来调控,掺杂杂质原子的激发对半导体的电输运性能产 生很大的影响。虽然半导体具有非常复杂的电阻温度关系,不能用一些简单 的函数概括,但在特定温度区间,其电阻温度关系可以用经验公式来概括, 如本实验中用的半导体热敏电阻,它的阻值与温度关系近似满足下式:
PN结的物理特性—实验报告
半导体PN 结的物理特性实验报告姓名:陈晨 学号:12307110123 专业:物理学系 日期:2013年12月16日 一、引言半导体PN 结是电子技术中许多元件的物质基础具有广泛应用,因此半导体PN 结的伏安特性是半导体物理学的重要内容。
本实验利用运算放大器组成电流-电压变换器的方法精确测量弱电流,研究PN 结的正向电流I ,正向电压U ,温度T 之间的关系。
本实验桶过处理实验数据得到经验公式,验证了正向电流与正向电压的指数关系,正向电流与温度的指数关系以及正向电压与温度的线性关系,并由此与计算玻尔兹曼常数k 与0K 时材料的禁带宽度E ,加深了对半导体PN 节的理解。
二、实验原理 1、 PN 结的物理特性(1)PN 结的定义:若将一块半导体晶体一侧掺杂成P 型半导体,即有多余电子的半导体,另一侧掺杂成N 型半导体,即有多余空穴的半导体,则中间二者相连的接触面就称为PN 结。
(2)PN 结的正向伏安特性:根据半导体物理学的理论,一个理想PN 结的正向电流I 与正向电压U 之间存在关系 ①,其中I S 为反向饱和电流,k 为玻尔兹曼常数,T 为热力学温度,e 为电子电量。
在常温(T=300K )下和实验所取电压U的范围内, 故①可化为 ②,两边取对数可得 。
(3)当温度T 不变时作lnI-U 图像并对其进行线性拟合,得到线性拟合方程的斜率为e/kT ,带入已知常数e 和T ,便得玻尔兹曼常数k 。
2、反向饱和电流I s(1)禁带宽度E :在固体物理学中泛指半导体或是绝缘体的价带顶端至传导带底端的能量差距。
对一个本征半导体而言,其导电性与禁带宽度的大小有关,只有获得足够能量的电子才能从价带被激发,跨过禁带宽度跃迁至导带。
(2)根据半导体物理学的理论,理想PN 结的反向饱和电流Is 可以表示为③,代入②得 ,其中I 0为与结面积和掺杂浓度等有关的常数,γ取决于少数载流子迁移率对温度的关系,通常取γ=3.4,k 为玻尔兹曼常数,T 为热力学温度.E 为0K时材料的禁带宽度。
实验十PN结物理特性测定
一、概述半导体结的物理特性是物理学和电子学的重要根底内容之一。
本仪器用物理试验方法,测量结集中电流与电压关系,证明此关系遵循指数分布规律,并较准确地测出玻尔兹曼常数(物理学重要常数之一),使学生学会测量弱电流的一种方法。
本仪器同时供给干井变温恒温器和铂金电阻测温电桥,测量结结电压U be与热力学温度T 的关系,求得该传感器的灵敏度,并近似求得 0K 时硅材料的禁带宽度。
二、仪器简介图 1 结物理特性测定仪试验装置4 型结物理特性测定仪主要由直流电源、数字电压表、试验板以及干井测温控温装置组成,如图 1 所示。
三、技术指标1.直流电源:±15V 直流电源一组, 1.5V 直流电源一组2.数字电压表:三位半数字电压表量程 0—2V ,四位半数字电压表量程 0—20V3.试验板: 由运算放大器 356、印刷引线、接线柱、多圈电位器组成。
31 型三极管外接。
4.恒温装置:干井式铜质可调整恒温,恒温掌握器控温范围,室温至80℃;控温区分率0.1℃;5.测温装置:铂电阻及电阻组成直流电桥测温0℃〔R0 =100.00Ω〕。
四、试验工程1.测量结集中电流与结电压关系,通过数据处理证明此关系遵循指数分布规律。
2.较准确地测量玻尔兹曼常数。
(误差一般小于 2%)3.测量结结电压U be与温度关系,求出结电压随温度变化的灵敏度。
4.近似求得 0K 时半导体〔硅〕材料的禁带宽度。
5.学会用铂电阻测量温度的试验方法和直流电桥测电阻的方法。
五、留意事项1.试验时接±12V 或±15V,但不行接大于 15V 电源。
±15V 电源只供运算放大器使用,请勿作其它用途。
2.运算放大器7 脚和 4 脚分别接+15V 和-15V,不能反接,地线必需与电源 0V(地)相接(接触要良好)。
否则有可能损坏运算放大器,并引起电源短路。
一旦觉察电源短路(电压明显下降),请马上切断电源。
3.要换运算放大器必需在切断电源条件下进展,并留意管脚不要插错。
实验一PN结物理特性的测量
+
eU kBT
(6)
分别以 U 和 lnI 为变量,作线性最小二乘法拟合,得到 e / kBT,可以得到 kB.实验中 (见图 3),U 为 U1 ,I = U2 / R f ,(6)式变为
lnU 2
= (lnI 0
+
lnR f
)
+
eU 1 kBT
(7)
用 U1 为横坐标,lnU2 为纵坐标拟合即可. 在实验中,如果利用二极管进行测量,往往得不到好的结果,其原因是:(a)存在耗
【实验仪器】
±15V 直流稳压电源,TIP31 型硅三极管,LF356 集成运算放大器,四位半数字万用 表,电阻,电容,电位器,导线,实验接线板等.
TIP31 型硅三极管,LF356 集成运2 元件管脚图
图 3 实验线路图
【实验内容】
实验线路图如图 3 所示.在常温和零温(冰水混合物)下测量硅三极管发射极与基极
【参考资料】
[1] 陆申龙等.半导体 PN 结 I-V 关系曲线拟合以及 e / kB 的测定.物理实验(1),1992 [2] A. Sconza, G. Torzo, and G. Viola “Experiment on the physics of the PN junction”,Am. J. Phys. 62
lf356运算放大器是一个集成运算放大器r的比值叫做运算放大器的开环增益可以认为反馈电流等于信号源的输入电流i为电流电压变换器的等效输入阻抗因为反馈电流等于信号源的输入电流imw用量程为200mv的数字电压表它的分辨率为001mv则能测到的最小电流为mv01由此可见电流电压变换器具有很高的灵敏度
实验一 PN 结物理特性的测量
Is
半导体PN结的物理特性测量 终定稿
半导体PN 结的物理特性测量实验目的(1) 了解用运算放大器测量弱电流的原理和方法。
(2) 测量PN 结结电压与电流关系,证明此关系符合指数分布规律,用作图法求玻尔兹曼常数。
实验仪器PN 结物理特性实验仪实验原理1.PN 结介于导体与绝缘体之间的物质叫半导体,在半导体中只有一种载流子导电,只有电子(负电荷)导电的半导体叫N 型半导体,只有空穴(正电荷)导电的半导体叫P 型半导体。
以一定的工艺制成的P 型半导体和N 型半导体相邻的交接处,由于自由扩散形成的结叫PN 结。
三极管制造工艺的特点:发射极高掺杂浓度;基极很薄几微米到十几微米,减小复合电流;集电极低掺杂浓度,面积较大,有利于接收电子。
发射结正向偏置,集电结反向偏置。
2.PN 结伏安特性及玻尔兹曼常数的测量半导体在常温下PN 结电压与电流有如下指数关系:0qUkTS I I e= (1)公式(1)中0I 为反向饱和电流,k 为玻尔兹曼常数,T 为热力学温度,q 为电子电量,U 为电压。
本实验用常规方法测量时,当PN 结电压较小时,PN 结没导通,通过的电流很弱,普通电流表很难准确测量,无法验证真实的电压电流关系和测量玻尔兹曼常数,而采用集成运放对弱电流放大可解决这些问题。
3. 弱电流测量实验装置如图1所示,所用PN 结由三极管提供,加在三极管B 、E 间的电压1U 则通过的电流为e I ,三极管电流分布满足eb c I I I =+,又因为b I 很小,所以e c I I ≈;LF356是一个高输入阻抗集成运算放大器,用它组成电流-电压变换器,把c I 放大成2U ,且它们之间满足线性关系,因此可以说1U 与2U 之间满足指数函数关系,那么1U 与流过PN 结的电流e I 也满足指数关系。
其工作原理如图2所示,S I 为被测弱电流,r Z 为电路的等效输入阻抗,f R 为负反馈电阻,运放的开环放大倍数为0K ,运算放大器的输出电压为:00i U K U =- (2) 由于运放输入阻抗i r 为无限大,反馈电阻f R 流过的电流近似为S I ,00001()(1)i S f ffU U U I U R R R K -==-+≈-(3)只要测得输出电压0U 和已知f R 值,即可求得S I ,将上式代入0qU kTS I I e=可得:102qU kTU U Ae== (4)图2 电流-电压变换器实验内容(1)按图联接线路,调节电压1U ,取值在0.3V -0.5V 范围内,依次记下电压1U 和2U 的数值。
半导体pn结的物理特性及弱电流测量
半导体pn结的物理特性及弱电流测量半导体 PN 结的物理特性:1. 堆积区与耗尽区:在 PN 结中,PN 结两侧有一个堆积区和一个耗尽区。
堆积区是在 PN 接触处的一侧,其中 N 区的自由电子会向 P 区扩散,而 P 区的空穴会向 N 区扩散。
耗尽区是在堆积区的另一侧,其中电子和空穴被扩散后形成的正负离子互相吸引,形成一个没有可自由移动电荷的区域。
2. 正向偏置:当在 PN 结上施加正向电压时,电子从 N 区向 P 区移动,空穴从 P 区向 N 区移动,导致堆积区的宽度变窄。
此时电流从 P 区流向 N 区,称为正向电流。
3. 反向偏置:当在 PN 结上施加反向电压时,电子被吸引进 N 区,空穴被吸引进 P 区,导致堆积区的宽度增加。
这时几乎没有电流通过 PN 结,称为反向电流。
当反向电压过大时,会发生击穿现象,此时电流急剧增加。
4. PN 结的导电特性:在正向偏置下,PN 结导电特性近似于理想二极管,正向电流随着正向电压的增加呈指数型增长。
在反向偏置下,PN 结导电特性近似于理想断路器,基本没有电流通过。
弱电流测量:弱电流测量是指对非常小的电流进行测量。
由于电流非常微弱,存在一些测量上的困难和限制。
常见的弱电流测量方法有以下几种:1. 电流放大:由于弱电流不能直接测量,通常需要将其放大到可以测量的范围。
放大器可以选择放大电流,提高信号的幅度。
2. 高阻抗电路:在测量弱电流时,需要使用高阻抗电路,以最大程度地减小电流的流失。
高阻抗电路可以降低电流流过测量电路时的电压降,从而减小电流的误差。
3. 屏蔽环境干扰:由于弱电流非常微弱,容易受到环境中的电磁干扰影响。
屏蔽环境干扰可以采取一些措施,例如使用屏蔽罩、信号隔离等,减小干扰对弱电流测量结果的影响。
4. 温度控制:温度的变化也会对弱电流测量产生影响。
通常需要对测量环境进行温度控制,确保测量的稳定性和准确性。
需要注意的是,弱电流测量需要仪器设备的高灵敏度和高精度,同时也需要严密的实验条件和精确的操作技巧。
PN结特性及玻尔兹曼常数测定实验
PN 结物理特性及玻尔兹曼常数测定实验半导体PN 结的物理特性是物理学和电子学的重要基础内容之一。
使用本实验的仪器用物理实验方法,测量PN 结扩散电流与电压关系,证明此关系遵循指数分布规律,并较精确地测出玻尔兹曼常数(物理学重要常数之一),了解测量弱电流的一种新方法。
本实验的仪器同时提供干井变温恒温器和铂金电阻测温电桥,测量PN 结结电压be U 与热力学温度T 关系,求得该传感器的灵敏度,并近似求得0K 时硅材料的禁带宽度。
【实验目的】1、在室温时,测量PN 结扩散电流与结电压关系,通过数据处理证明此关系遵循指数分布规律。
2、在不同温度条件下,测量玻尔兹曼常数。
3、学习用运算放大器组成电流—电压变换器测量10-6A 至10-8A 的弱电流。
4、测量PN 结结电压be U与温度关系,求出结电压随温度变化的灵敏度。
5、计算在0K 时半导体(硅)材料的禁带宽度(选作)。
6、学会用最小二乘法拟合数据。
【实验仪器】ZC1606型PN 结特性研究与玻尔兹曼常数测定仪(如下图),ZC1606型温度加热装置,S9013型三极管一只,温度控制连接线,短路线和电源线。
图1 ZC1606型PN 节特性研究与玻尔兹曼常数测定仪【实验原理】一、PN 结的正向特性理想情况下,PN 结的正向电流随正向压降按指数规律变化。
其正向电流I F 和正向压降V F 存在如下近关系式: exp(kTqV I I Fs F = (1) 其中q 为电子电荷(即e =1.602×10-19C );k 为玻尔兹曼常数;T 为绝对温度;I S 为反向饱和电流,它是一个和PN 结材料的禁带宽度及温度有关的系数,可以证明: exp()0(kTqV CT I g rS -= (2)其中C 是与结面积、掺质浓度等有关的常数,r 也是常数(r 的数值取决于少数载流子迁移率对温度的关系,通常取r=3.4);V g(0)为绝对零度时PN 结材料的带底和价带顶的电势差,对应的qV g(0)即为禁带宽度。
pn结伏安特性实验报告
pn结伏安特性实验报告五、实验内容与步骤1( 测量PN 结正向伏安特性曲线。
由式(4)可以看出,在温度不变的条件下,PN 结的正向电流 IF与电压 VF呈指数曲线关系,本实验要求绘出室温和 t=40两条 PN 结伏安曲线。
用坐标纸绘出相应曲线。
2( 测量恒流条件下PN 结正向电压随温度变化的关系曲线。
本实验要求测出 IF=50μA 条件下 PN 结正向电压随温度变化曲线。
实验中每隔 5测一个数据,直至加热到 85。
要先记下室温时 PN 结的电压VF值。
用坐标纸绘出相应曲线。
3( 确定 PN 结的测温灵敏度和被测 PN 结材料的禁带宽度。
(1)以 t 作横出坐标,VF作纵坐标,作 t-VF曲线。
正确地采用两点式求斜律的方法,计算 PN结温度传感器的灵敏度 S六、实验数据与处理1、PN 结正向伏安特性曲线表一: 注I=50μA时,U=483mV 绘制成曲线如下系列2为40度时的伏安特性曲线,系列一为室温(25.1度)时的伏安特性曲线由计算机进行拟合可知,I-U满足指数关系的可信度很高。
2、恒流条件下PN结正向电压随温度变化的关系曲线。
表二注:I=50μA 室温25.1时U=483mV计算机绘图如下:曲线拟合得U=-2.9t+551.1(mV) ,相关系数R2=0.9902,可信度很高即灵敏度S=2.9mV/ 计算得VF(t0)=478.3mV 由可以算出禁带宽度Eg(t0)=1.34eV与理论值1.21eV的相对误差为(1.34-1.21)/1.21*100%=11%七、误差分析1、测量U-T曲线时,升温过快导致调节电流不及时;2、温度计示数有一定延迟。
篇二:PN结浓度实验报告PN结杂质浓度分布测量与等效模型姓名:XXX班级:XXX指导老师:侯清润,实验日期:2015.11.26【摘要】根据p-n结反向势垒电容与杂质浓度的关系,采用电容-电压法对p-n 结杂质浓度分布进行测量。
并使用锁相放大器实现电容-电压法中微小电信号的测量,得到了势垒电容与外加电压的曲线关系并测出p-n结的杂质浓度分布与内建电压。
半导体PN结的物理特性测量
半导体PN结的物理特性及弱电流的测量[摘要]本文利用PN 结正向压降温度特性测试仪,测量了PN 结电压电流特性。
验证了PN 结电压与电流的指数关系,并利用Excel 进行曲线拟合,再计算出玻尔兹曼常数,用运算放大器组成电流-电压变换器测量弱电流[关键词]PN结玻尔兹曼常数指数拟合弱电流测量1.引言基本物理常数如电子电量e、电子荷质比e/m、普朗克常数物理h、光速c 等的测量,在实验物理发展过程中具有重要地位。
利用PN 结正向压降温度特性测试仪测试出PN 结正向压降与电流,再进行数据拟合并计算出玻尔兹曼常数K,用运算放大器组成电流-电压变换器测量弱电流2.实验仪器FD-PN-4型PN结物理特性测定仪3.实验原理1. 在一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。
PN结有同质结和异质结两种。
用同一种半导体材料制成的PN结叫同质结,由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。
制造异质结通常采用外延生长法。
基本特性在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。
在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不动的。
N型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。
当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P 型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散。
空穴和电子相遇而复合,载流子消失。
因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区(图1)。
P型半导体一边的空间电荷是负离子,N 型半导体一边的空间电荷是正离子。
正负离子在界面附近产生电场,这电场阻止载流子进一步扩散,达到平衡。
PN结在PN结上外加一电压,如果P型一边接正极,N型一边接负极,电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,甚至消失,电流可以顺利通过。
pn结物理特性实验报告
pn结物理特性实验报告PN结物理特性实验报告引言:PN结是半导体器件中最基本的结构之一,它由P型半导体和N型半导体通过扩散形成。
PN结具有很多重要的物理特性,如整流、发光、放大等。
本实验旨在通过实际操作和测量,深入了解PN结的物理特性。
一、实验目的:1. 理解PN结的基本结构和形成原理;2. 掌握PN结的整流特性;3. 研究PN结的发光特性;4. 了解PN结的放大特性。
二、实验仪器和材料:1. PN结二极管;2. 直流电源;3. 示波器;4. 光敏二极管;5. 放大器。
三、实验步骤和结果:1. 整流特性实验:将PN结二极管连接到直流电源上,通过改变电压的正负极性,记录电流和电压之间的关系。
实验结果显示,当正向偏置时,电流呈指数增长;当反向偏置时,电流几乎为零,符合PN结的整流特性。
2. 发光特性实验:将PN结二极管连接到直流电源上,逐渐增加正向偏置电压,观察并记录发光现象。
实验结果表明,当正向偏置电压达到一定值时,PN结二极管会发出明亮的光线,这是由于电子和空穴在结区复合产生能量释放的结果。
3. 放大特性实验:将PN结二极管连接到放大器电路中,通过输入信号的变化,观察输出信号的变化。
实验结果表明,当输入信号的幅度较小时,输出信号经过放大后与输入信号相似;当输入信号的幅度较大时,输出信号会出现失真现象,这是由于PN 结的非线性特性导致的。
四、实验分析和讨论:1. 整流特性分析:PN结的整流特性使其在电子学中广泛应用于整流电路。
通过实验可以发现,当PN结处于正向偏置时,电流可以流动,符合正向导通的特点;而当PN结处于反向偏置时,电流几乎为零,符合反向截止的特点。
这种特性使得PN结二极管可以用于电源的整流。
2. 发光特性分析:PN结二极管的发光特性使其成为现代光电器件的重要组成部分。
通过实验可以发现,当正向偏置电压达到一定值时,PN结二极管会发出明亮的光线。
这是由于电子和空穴在结区复合产生能量释放的结果。
PN结物理特性及玻尔兹曼常数测量
PN 结物理特性及玻尔兹曼常数测量半导体PN 结的物理特性是物理学和电子学的重要基础内容之一。
使用本实验的仪器用物理实验方法,测量PN 结扩散电流与电压关系,证明此关系遵循指数分布规律,并较精确地测出玻尔兹曼常数(物理学重要常数之一),使学生学会测量弱电流的一种新方法。
本实验的仪器同时提供干井变温恒温器和铂金电阻测温电桥,测量PN 结结电压be U 与热力学温度T 关系,求得该传感器的灵敏度,并近似求得0K 时硅材料的禁带宽度。
【实验目的】1、在室温时,测量PN 结扩散电流与结电压关系,通过数据处理证明此关系遵循指数分布规律。
2、在不同温度条件下,测量玻尔兹曼常数。
3、学习用运算放大器组成电流—电压变换器测量10-6A 至10-8A 的弱电流。
4、测量PN 结结电压be U与温度关系,求出结电压随温度变化的灵敏度。
5、计算在0K 时半导体(硅)材料的禁带宽度(选作)。
6、学会用最小二乘法拟合数据。
【实验仪器】FD-PN-4型PN 结物理特性综合实验仪(如下图),TIP31c 型三极管(带三根引线)一只,长连接导线11根(6黑5红),手枪式连接导线10根,3DG6(基极与集电极已短接,有二根引线)一只,铂电阻一只。
FD-PN-4 型PN 节物理特性测定仪【实验原理】1. 测量三极管发射极与基极电压U 1和集电极与基极电压U 2之间的关系(a)PN 结伏安特性及玻尔兹曼常数测量由半导体物理学可知,PN 结的正向电流-电压关系满足:[]1/0-=KT eU e I I (1)式(1)中I 是通过PN 结的正向电流,I 0是反向饱和电流,在温度恒定是为常数,T 是热力学温度,e 是电子的电荷量,U 为PN 结正向压降。
由于在常温(300K)时,kT /e ≈0.026v ,而PN 结正向压降约为十分之几伏,则KTeU e/>>1,(1)式括号内-1项完全可以忽略,于是有:KT eU e I I /0= (2)也即PN 结正向电流随正向电压按指数规律变化。
【精品】半导体PN结的物理特性及弱电流测量实验报告
【精品】半导体PN结的物理特性及弱电流测量实验报告
一、实验目的
本实验的目的是要了解半导体PN结的物理特征,并通过相关实验来考察和测量PN结
的特性。
二、实验原理
PN结是半导体电子器件的最基本结构,由掺杂的德勒普及层组成,它们具有非常重要的物理和化学特性,被广泛用在微电子器件中。
它由半导体表面凹凸不平、绝缘体或金属
覆盖层、P型和N型掺杂层组成,当它处于正向偏置时,在P掺杂表面之间就会形成可以
用于传输电子的“及P全”,可以传输能量的“及N层”,成功实现一定电压后形成电流
流动,因而功能实现。
因此,熟悉和理解N插头所具有的物理特性,对于设计和制作微电
子器件有着重要的意义。
三、实验结果与分析
实验表明,本次实验通过测量PN结的电压-电流特性和功耗特性,获得了精确的数据。
发现当电压由零改变时,当电压较低时,流过PN结的电流较小,对结的功耗也较低,但
随着电压的增加,电流和功耗也随之增大,这说明具有较强的正序特性,而电压超过一定
限值后,电流和功耗就不再增加,这说明其具有稳定的拐点,可以有效的控制PN结的特性。
四、结论
本次实验通过测量PN结的电压-电流特性和功耗特性,获得了精确的数据,得出了相
应的结论:PN结具有较强的正序特性,具有稳定的拐点,可以有效控制其特性。
通过本次实验,我们不仅能够深入理解半导体PN结的物理特性,还可以更好地应用于微电子器件中。
PN结物理特性
电压U1和相应电压U2。在常温下U1的值约从0.3V至 0.42V范围每隔0.01V测一点数据,约测10多数据点, 至U2值达到饱和时(U2值变化较小或基本不变),
结束测量。在记数据开始和记数据结束都要同时记 录变压器油的温度,取温度平均值。
(3).改变干井恒温器温度,待PN结与油温湿度
一致时,重复测量U1和U2的关系数据,并与室温
Rf
-
Is
Ko
+
Is
Zr
Ui
U0
(3).PN结的结电压U与热力R2
RT R4
V2
3V
3.实验步骤
(1)U1为三位半数字电压表,U2为四位半数字电压
表,TIP31型为带散热板的功率三极管,调节电压的 分压器为多圈电位器,为保持PN结与周围环境一致, 把TIP31型三极管浸没在盛有变压器油干井槽中。变 压器油温度用铂电阻进行测量。 (2)在室温情况下,测量三极管发射极与基极之间
在分析数据的时候,起初我没有把对扩散电流太小 (起始状态)及扩散电流接近或达到饱和时的数据 删去,所以总是得不出较好的结果。后来才发现, 之后删除那些数据拟合出来的图线较为完美了,得 到这些图像后我才真正了解了半导体的物理特性, 真正动手做一个实验和理论上研究实验原理是由本 质区别的。
谢谢观看!
二、关系测定,求PN结温度传感器灵敏度S,计算
硅材料0K时近似禁带宽度值。
1.通过调节电路中电源电压,使上电阻两端电压
保持不变,即电流I=100μA。同时用电桥测量铂
电阻的电阻值,通过查铂电阻值与温度关系表, 可得恒温器的实际湿度。从室温开始每隔5℃-
10℃测一定值(即V1)与温度(℃)关系,求得
关系。(至少测6点以上数据)
PN结物理特性及玻尔兹曼常数测量
PN 结物理特性及玻尔兹曼常数测量半导体PN 结的物理特性是物理学和电子学的重要基础内容之一。
使用本实验的仪器用物理实验方法,测量PN 结扩散电流与电压关系,证明此关系遵循指数分布规律,并较精确地测出玻尔兹曼常数(物理学重要常数之一),使学生学会测量弱电流的一种新方法。
本实验的仪器同时提供干井变温恒温器和铂金电阻测温电桥,测量PN 结结电压be U 与热力学温度T 关系,求得该传感器的灵敏度,并近似求得0K 时硅材料的禁带宽度。
【实验目的】1、在室温时,测量PN 结扩散电流与结电压关系,通过数据处理证明此关系遵循指数分布规律。
2、在不同温度条件下,测量玻尔兹曼常数。
3、学习用运算放大器组成电流—电压变换器测量10-6A 至10-8A 的弱电流。
4、测量PN 结结电压be U与温度关系,求出结电压随温度变化的灵敏度。
5、计算在0K 时半导体(硅)材料的禁带宽度(选作)。
6、学会用最小二乘法拟合数据。
【实验仪器】FD-PN-4型PN 结物理特性综合实验仪(如下图),TIP31c 型三极管(带三根引线)一只,长连接导线11根(6黑5红),手枪式连接导线10根,3DG6(基极与集电极已短接,有二根引线)一只,铂电阻一只。
FD-PN-4 型PN 节物理特性测定仪【实验原理】1. 测量三极管发射极与基极电压U 1和集电极与基极电压U 2之间的关系(a)PN 结伏安特性及玻尔兹曼常数测量由半导体物理学可知,PN 结的正向电流-电压关系满足:[]1/0-=KTeU eI I (1) 式(1)中I 是通过PN 结的正向电流,I 0是反向饱和电流,在温度恒定是为常数,T是热力学温度,e 是电子的电荷量,U 为PN 结正向压降。
由于在常温(300K)时,kT /e ≈0.026v ,而PN 结正向压降约为十分之几伏,则KTeU e />>1,(1)式括号内-1项完全可以忽略,于是有:KTeU e I I /0= (2)也即PN 结正向电流随正向电压按指数规律变化。
实验十三PN结特性的研究和应用
12级电科专业《专业实验》安排表(2015下半年)说明:14周3103每一时间段实验为4学时,下午上课时间:14:30-17:30每次实验上课前需认真预习相关实验内容并写好预习报告每位学生准备8张16开实验报告纸,8张32开原始记录纸。
讲义份数:导热系数?份, 电源特性?份, 声光电路?份。
所开设实验的房间管理由各位老师自己承担。
理学院物理实验室2015.09.06实验十三PN结特性的研究和应用PN结作为最基本的核心半导体器件,得到了广泛的应用,构成了整个半导体产业的基础。
在常见的电路中,可作为整流管、稳压管;在传感器方面,可以作为温度传感器、发光二极管、光敏二极管等等。
所以,研究和掌握PN结的特性具有非常重要的意义。
PN结具有单向导电性,这是PN结最基本的特性。
本实验通过测量正向电流和正向压降的关系,研究PN 结的正向特性:由可调微电流源输出一个稳定的正向电流,测量不同温度下的PN结正向电压值,以此来分析PN结正向压降的温度特性。
通过这个实验可以测量出玻尔兹曼常数,估算半导体材料的禁带宽度,以及估算通常难以直接测量的极微小的PN 结反向饱和电流;学习到很多半导体物理的知识,掌握PN结温度传感器的原理。
【实验目的】1、测量同一温度下,正向电压随正向电流的变化关系,绘制伏安特性曲线;2、在同一恒定正向电流条件下,测绘PN结正向压降随温度的变化曲线,确定其灵敏度,估算被测PN结材料的禁带宽度;3、学习指数函数的曲线回归的方法,并计算出玻尔兹曼常数,估算反向饱和电流;4、探究:用给定的PN 结测量未知温度。
【实验原理】 一、PN 结的正向特性理想情况下,PN 结的正向电流随正向压降按指数规律变化。
其正向电流I F 和正向压降V F 存在如下近关系式: )e x p (kTqV I I Fs F = (1) 其中q 为电子电荷;k 为玻尔兹曼常数;T 为绝对温度;I S 为反向饱和电流,它是一个和PN 结材料的禁带宽度以及温度有关的系数,可以证明: )e x p ()0(kTqV CT I g rS -= (2) 其中C 是与结面积、掺质浓度等有关的常数,r 也是常数(r 的数值取决于少数载流子迁移率对温度的关系,通常取r=3.4);V g(0)为绝对零度时PN 结材料的带底和价带顶的电势差,对应的qV g(0)即为禁带宽度。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
半导体PN 结的物理特性实验
实验目的
1.测量PN 结电流与电压关系,证明此关系符合指数分布规律。
2.测量玻尔兹曼常数。
3.测量PN 结电压与温度的关系,求出该PN 结温度传感器的灵敏度。
4.计算在0K 温度时,半导体硅材料的近似禁带宽度。
实验原理
1. PN 结伏安特性及玻尔兹曼常数测量
由半导体物理学可知,PN 结的正向电流-电压关系满足:
[]1)/exp(0-=kT eU I I (1)
式中I 是通过PN 结的正向电流,0I 是反向饱和电流,在温度恒定是为常数,T 是热力学温度,e 是电子的电荷量,U 为PN 结正向压降。
由于在常温(300K)时,e kT /≈0.026v ,而PN 结正向压降
约为十分之几伏,则)/exp(
kT eU >>1,(1)式括号内-1项完全可以忽略,于是有:
)/exp(0kT eU I I = (2)
也即PN 结正向电流随正向电压按指数规律变化。
若测得PN 结I-U 关系值,则利用(1)式可以求出
kT e /。
在测得温度T 后,就可以得到k e /常数,把电子电量作为已知值代入,即可求得玻尔兹曼
常数k 。
在实际测量中,二极管的正向I-U 关系虽然能较好满足指数关系,但求得的常数k 往往偏小。
这是因为通过二极管电流不只是扩散电流,还有其它电流。
一般它包括三个部分:1)扩散电流,
它严格遵循(2)式;2)耗尽层符合电流,它正比于)2/exp(kT eU ;3)表面电流,它是由硅和二氧
化硅界面中杂质引起的,其值正比于)/exp(
mkT eU ,一般m >2。
因此,为了验证(2)式及求出准确的e /k 常数,不宜采用硅二极管,而采用硅三极管接成共基极线路,因为此时集电极与基极短接,集电极电流中仅仅是扩散电流。
复合电流主要在基极出现,测量集电极电流时,将不包括它。
本实验中选取性能良好的硅三极管(TIP31型),实验中又处于较低的正向偏置,这样表面电流影响也完全可以忽略,所以此时集电极电流与结电压将满足(2)式。
实验线路如图1所示。
图1 PN 结扩散电源与结电压关系测量线路图
2.PN 结的结电压be U 与热力学温度T 关系测量。
当PN 结通过恒定小电流(通常电流A I μ1000=),由半导体理论可得be U 与T 近似关系:
go be U ST U += (5)
式中S ≈-2.3C mV o
/为PN 结温度传感器灵敏度。
由go U 可求出温度0K 时半导体材料的近似禁带宽度go E =go qU 。
硅材料的go E 约为1.20eV 。
实验仪器
1. 直流电源、数字电压表、温控仪组合装置(包括±15V 直流电源、0-1.5V 及3.0V 直流电源、三位半数字电压表、四位半数字电压表、温控仪)。
2. TIP31型三极管(带三根引线)1个,3DG 三极管1个。
3. 配件:LF356运算放大器各2块,TIP31型三极管1只,引线9根;用户自配:ZX21型电阻箱1只。
实验过程
1.be c U I -关系测定,并进行曲线拟合求经验公式,计算玻尔兹曼常数。
(1U U be =)
1)实验线路如图1所示。
图中1U 为三位半数字电压表,2U 为四位半数字电压表,TIP31型为带散热板的功率三极管,调节电压的分压器为多圈电位器,为保持PN 结与周围环境一致,把TIP31型三极管浸没在盛有变压器油干井槽中,变压器油温度用铂电阻进行测量。
2)在室温情况下,测量三极管发射极与基极之间电压1U 和相应电压2U 。
在常温下1U 的值约从0.3V 至0.42V 范围每隔0.01V 测一点数据,约测10多数据点,至2U 值达到饱和时(2U 值变化较小或基本不变),结束测量。
在记数据开始和记数据结束都要同时记录变压器油的温度θ,取温度平均值θ。
3)改变干井恒温器温度,待PN 结与油温湿度一致时,重复测量1U 和2U 的关系数据,并与室温测得的结果进行比较。
4)曲线拟合求经验公式:运用最小二乘法,将实验数据分别代入线性回归、指数回归、乘幂回归这三种常用的基本函数(它们是物理学中最常用的基本函数),然后求出衡量各回归程序好坏的标准差
δ。
对已测得的1U 和2U 各对数据,以1U 为自变量,2U 作因变量,分别代入:(1)线性函数
b aU U +=12;(2)乘幂函数b
aU U 12=;(3)指数函数)exp(12bU a U =。
求出各函数相应的a 和b 值,得出三种函数式,究竟哪一种函数符合物理规律必须用标准差来检验。
方法是:把实验测得的各个自变量U 1分别代入三个基本函数,得到相应因变量的预期值*
2U ,并由此求出各函数拟合的标准差:
δ=
∑=-n
i i i n U U 12
*/)( 式中n 为测量数据个数,i U 为实验测得的因变量,*
i U 为将自变量代入基本函数的因变量预期值,
最后比较哪一种基本函数为标准差最小,说明该函数拟合得最好。
5)计算k e /常数,将电子的电量作为标准差代入,求出玻尔兹曼常数并与公认值进行比较。
2.T U be -关系测定,求PN 结温度传感器灵敏度S ,计算硅材料0K 时近似禁带宽度go E 值。
图2 图3
1)实验线路如图2所示,测温电路如图3所示。
其中数字电压表2V 通过双刀双向开关,既作测温电桥指零用,又作监测PN 结电流,保持电流A I μ100=用。
2)通过调节图3电路中电源电压,使上电阻两端电压保持不变,即电流A I μ100=。
同时用电桥测量铂电阻T R 的电阻值,通过查铂电阻值与温度关系表,可得恒温器的实际湿度。
从室温开始每隔5C
-10C
测一点be U 值(即1V )与温度θ(C
)关系,求得T U be -关系。
(至少测6点以上数据)
3)用最小二乘法对T U be -关系进行直线拟合,求出PN 结测温灵敏度S 及近似求得温度为0K 时硅材料禁带宽度go E 。
实验数据处理
1.be c U I -关系测定,曲线拟合求经验公式,计算玻尔兹曼常数。
室温条件下:1θ = C
,2θ = C
,θ= C
表1
以1U 为自变量,2U 为因变量,分别进行线性函数、乘幂函数和指数函数的拟合,结果见表2 1)线性函数b aU U +=12;(2)乘幂函数b
aU U 12=;(3)指数函数)exp(12bU a U =
表2
由表2可知,指数回归拟和的最好,也就说明PN 结扩散电流-电压关系遵循指数分布规律。
以下计算玻尔兹曼常数: 由表2数据得
bT k e =/ =
则
k
/e e
k =
= 此结果与公认值K J k /10381.123
-⨯=相当一致。
2.电流A I μ100=时,T U be -关系测定,求PN 结温度传感器的灵敏度S ,计算0K 时硅材料的近似禁带宽度go E 。
表3 T U be -关系测定
用最小二乘法对T U be -数据进行直线拟合得到: 斜率,即传感器灵敏度K mV S /30.2-=; 截距go U =1.30K (0K 温度); 相关系数r =0.995;
eU E go ==1.30eV
硅在0K 温度时禁带宽度公认值go E =1.205电子伏特,上述结果半定量地反映了此结果。
由于PN 结温度传感器的线性范围为-50℃--150℃,在低温时,非线性项将不可完全忽略,所以本实验测得go U =1.30 V 是合理的
PT100铂电阻的温度和阻值对应关系。