晶体管放大电路分析及计算

晶体管放大电路分析及计算

一、共发射极放大电路

（一）电路的组成：电源VCC通过RB1、RB2、RC、RE使晶体三极管获得合适的偏置，为三极管的放大作用提供必要的条件，RB1、RB2称为基极偏置电阻，RE称为发射极电阻，RC称为集电极负载电阻，利用RC的降压作用，将三极管集电极电流的变化转换成集电极电压的变化，从而实现信号的电压放大。与RE并联的电容CE，称为发射极旁路电容，用以短路交流，使RE对放大电路的电压放大倍数不产生影响，故要求它对信号频率的容抗越小越好，因此，在低频放大电路中CE通常也采用电解电容器。

V cc(直流电源): 使发射结正偏，集电结反偏；向负载和各元件提供功率

C1、C2(耦合电容): 隔直流、通交流；

R B1、R B2(基极偏置电阻)：提供合适的基极电流

R C(集极负载电阻)：将D IC® D UC，使电流放大® 电压放大

R E(发射极电阻)：稳定静态工作点“Q ”

C E(发射极旁路电容)：短路交流，消除R E对电压放大倍数的影响

（二）直流分析：开放大电路中的所有电容，即得到直流通路，如下图所示，此电路又称为分压偏置式工作点稳定直电流通路。电路工作要求：I1 ³(5~10)IBQ，UBQ³ (5 ~ 10)UBEQ 838电子

求静态工作点Q：

方法1.估算

工作点Q不稳定的主要原因：Vcc波动，三极管老化，温度变化稳定Q点的原理：方法2.利用戴维宁定理求IBQ

（三）性能指标分析

将放大电路中的C1、C2、CE短路，电源Vcc短路，得到交流通路，然后将三极管用H参数小信号电路模型代入，便得到放大电路小信号电路模型如下图所示。

1.电压放大倍数

2.输入电阻计算

3.输出电阻R o = R C

没有旁路电容CE时：

1.电压放大倍数

源电压放大倍数

2.输入电阻

3.输出电阻R o = R C

二、共集电极放大电路(射极输出器、射极跟随器)

（一）电路组成与静态工作点

共集电极放大电路如下图(a)所示，图(b)、(c)分别是它的直流通路和交流通路。由交流通路看，三极管的集电极是交流地电位，输入信号ui和输出信号uo以它为公共端，故称它为共集电极放大电路，同时由于输出信号uo取自发射极，又叫做射极输出器。

IBQ =(V cc–U BEQ)/[R B +(1+b) R E] ICQ = bIBQ，UCEQ=Vcc–I CQRE

（二）性能指标分析

1.电压放大倍数

2.输入电阻

R¢L=R E//R L 3.输出电阻

共集电极电路特点共集电极电路用途

1.Uo与Ui同相，具有电压跟随作用 1.高阻抗输入级

2.无电压放大作用Au<1 2.低阻抗输出级

3.输入电阻高；输出电阻低 3.中间隔离级

一、共基极放大电路

共基极放大电路如下图所示。由图可见，交流信号通过晶体三极管基极旁路电容C2接地，因此输入信号ui由发射极引入、输出信号uo由集电极引出，它们都以基极为公共端，故称共基极放大电路。从直流通路看，也构成分压式电流负反馈偏置。

（一）求“Q”略

（二）性能指标分析

RO=RC

（三）特点：共基极放大电路具有输出电压与输入电压同相，电压放大倍数高、输入电阻小、输出电阻大等特点。由于共基极电路有较好的高频特性，故广泛用于高频或宽带放大电路中。