最新3点缺陷及位错1

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受的力,实验值大大低于理论值这个现象。随着科学技术的发展,在二十世纪五 十年代末科学家们已能从晶体生长情况判断出位错的存在(上图),并进而用透 射电子显微镜观察到了晶体中的位错(下图)。
完整晶体塑性变形─滑移的模型→金属晶体的理论强度→理论强度比实测强度 高出几个数量级(表)→ 晶体缺陷的设想─ 线缺陷(位错)的模型→ 以位错滑 移模型计算出的晶体强度,与实测值基本相符。
无正应变,不会引起体积变化。在垂直于位错线的平面上投影,看 不到原子的位移,也看不到缺陷。 ⑤ 螺型位错周围的点阵畸变也只有几个或十几个原子的宽度。
第三章 晶体缺陷
3.2 线缺陷-位错 3.2.1 位错的基本类型和性质 (2)螺型位错
第三章 晶体缺陷
3.2 线缺陷-位错 3.2.1 位错的基本类型和性质 (3)混合型位错——位错线即不垂直也不平行于滑移方向,成任意角度 可以看成刃位错和螺位错混合而成。
③ 螺型位错线与滑移矢量平行,因此螺位错线是直线,位错线的移动方 向与晶体的滑移方向互相垂直。
第三章 晶体缺陷
3.2 线缺陷-位错 3.2.1 位错的基本类型和性质
螺型位错的基本特征: ③ 螺型位错的滑移面不是唯一的。凡是包含位错线的晶面都可以作为
它的滑移面。但是在实际的滑移过程中,滑移通常在密排面上进行。 ④ 螺型位错线周围的点阵同样发生了弹性畸变,但是只存在切应变、
滑移区的分界线。可以是直线、折 线或曲线,但是必须与滑移方向垂 直,也垂直于滑移矢量。 ③ 滑移面必须是由位错线和滑移矢量 所确定的平面,在其他晶面上不能 产生滑移。滑移面唯一。
第三章 晶体缺陷
3.2 线缺陷-位错
3.2.1 位错的基本类型和性质 (1)刃型位错
刃型位错的基本特征: ④ 刃位错周围的点阵发生弹性畸变,既有
3.2 线缺陷-位错 3.2.1 位错的基本类型和性质 (2)螺型位错——位错线平行于滑移方向
第三章 晶体缺陷
3.2 线缺陷-位错 3.2.1 位错的基本类型和性质
螺型位错的基本特征:
① 螺型位错无额外的半原子面,原子错排呈轴对称的。

根据位错线附近呈螺旋形排列的原子的旋转方向不同,螺型位
错分为右螺型位错和左螺型位错。
(2)性能变化: 力学性能—影响较小 屈服强度提高 物理性能——影响较大 密度减小——空位的产生使体积增大 电阻率增大——缺陷区域对电子产生散射 比热容——形成点缺陷需要向晶体提供附加的能量
第三章 晶体缺陷
3.2 线缺陷-位错
3.2.0 位错的提出 “位错”这个概念是在1934年提出的。是为了解释晶体在切应力作用下变形所
第三章 晶体缺陷
3.2 线缺陷-位错 3.2.1 位错的基本类型和性质 (3)混合型位错
这些缺陷在晶体中的浓度很低,但是对晶体性质的影响却很大。他们经常共 存,并相互联系,相互制约,在一定的条件下可以相互转化。
第三章 晶体缺陷
3.1 点缺陷 3.1.3 过饱和点缺陷的形成 a. 热平衡点缺陷:由热起伏促使原子脱离点阵位置而形成的点缺陷,体系 自由能最低。 b.过饱和点缺陷:利用某些手段使晶体中形成的点缺陷浓度超过了热平衡 浓度,此时的点缺陷浓度成为过饱和点缺陷。体系自由能高,晶体处于 非热平衡状态。
切应变,也有正应变。对正刃位错而言, 滑移面上方受到压应力、下方受拉应力; 对负刃位错而言,情况相反。 ⑤ 在位错线周围的过渡区每个原子具有较 大的平均能量,该过渡区只有几个或十 几个原子的宽度。
第三章 晶体缺陷
3.2 线缺陷-位错 3.2.1 位错的基本类型和性质 (1)刃型位错
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第三章 晶体缺陷
3点缺陷及位错1
第三章 晶体缺陷
3.0 晶体缺陷的分类
按照缺陷区相对于晶体的大小,将晶体缺陷分为4类:
(1) 点缺陷 典型代表有空位与间隙原子等
点缺陷在三维空间各方向上的尺寸都很小,所以也称为零维缺陷。 如果晶格中某格点上的原子空缺了,则称为空位,这是晶体中最重要的点缺陷。 脱位原子有可能挤入格点的间隙位置,形成间隙原子。
成的,半个原子面的边缘 EF即刃位错线,在EF处滑移面上下的 原子严重错配。 通常将多出的半原子面在滑移面上面的刃型位错称为正刃型位错,记为 将多出的半原子面在滑移面下面的刃型位错称为负刃型位错,记为
第三章 晶体缺陷
3.2 线缺陷-位错
3.2.1 位错的基本类型和性质 (1)刃型位错
刃型位错的基本特征: ② 刃位错线可以理解为已滑移区和未
第三章 晶体缺陷
3.2 线缺陷-位错 3.2.1 位错的基本类型和性质
类型的划分依据——位错线与位错滑移方向之间的相互关系
(1)刃型位错—位错线垂直于位错的滑移方向
第三章 晶体缺陷
3.2 线缺陷-位错 3.2.1 位错的基本类型和性质 (1)刃型位错
刃型位错的基本特征: ① 存在一个对称的半原子面。即在完整的晶体中插入半个原子面而形
第三章 晶体缺陷
3.1 点缺陷 3.1.3 过饱和点缺陷的形成 某些手段: • 高温淬火—高温时产生大量的空位,急剧冷却时被保留下来 • 冷加工—位错交割 • 高能辐照—原子被撞击,产生大量的空位和间隙原子。
第三章 晶体缺陷
3.1 点缺陷
3.1.4 点缺陷对晶体性能的影响
(1)结构变化:晶格畸变(如空位引起晶格收缩,间隙原子引起晶格膨 胀,置换原子可引起收缩或膨胀。)
第三章 晶体缺陷
3.2 线缺陷-位错
3.2.0 位错的提出
晶体的一部分区域发生了一个原子间距的滑移,另一部分不滑移,那么在以 滑移区和未滑移区的交界处的原子就不可能“对齐”,必然产生严重的“错配”, 这个原子错配的过渡区域,即为位错,这个区域的宽度只有几个或几十个原子间 距的宽度,长度可以达到晶体的宏观尺寸,故位错为一个线缺陷。
(2) 线缺陷 即位错 线缺陷在两个方向上的尺寸都很小,在另一个方向上延伸较长,也称为一维
缺陷。Hale Waihona Puke Baidu
(3)面缺陷 如晶界、相界、孪晶界、堆垛层错等 面缺陷在两个方向上的尺寸都很大,在另一个方向上尺度较小,也称为二维
缺陷。
(4)体缺陷 如沉积相、孔洞、气泡等 体缺陷在三维空间各方向上的尺寸都很大,所以也称为三维缺陷。
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