三极管工作状态判定
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NPN型三极管和PNP型三极管的导通条件，晶体管的工作区域可以分为三个区域
（1）截止区：其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路，UBE<=UON且UCE>UBE。此时IB=0,而iC<=ICEO。小功率硅管的ICEO+在1uA以下，锗管的ICEO小于几十微安。因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC=0。
(2) 放大区：其特征是发射结正向偏置（UBE大于发射结开启电压UON）且集电结反向偏置。对于共射电路，UBE>UON且UCE>=UBE（即UC>UB>UE）。此时的，iC几乎仅决定于IB，而与UCE无关，表现出IB 对iC 的控制作用，IC=?IB。在理想情况下，当IB按等差变化时，输出特性是一组横轴的等距离平行线。（简单的说对于NPN型管子,是C点电位>B点电位>E点电位,对PNP型管子,是E点电位>B点电位>C点电位,这是放大的条件.）
（3）饱和区：其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路，UBE>UON且UCE
型)Ue>Ub,Uc>Ub.）