三极管8550参数
三极管8550数据手册
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的参数及区别
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的参数及区别9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1108050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压 30V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流 0.03A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压 -30V集电极-基电压 -40V射极-基极电压 -5V集电极电流 0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009013 结构：NPN集电极-发射极电压 25V集电极-基电压 45V射极-基极电压 5V集电极电流 0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压 45V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流 0.1A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压 -45V集电极-基电压 -50V射极-基极电压 -5V集电极电流 0.1A耗散功率 0.45W结温150℃特怔频率平均 300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压 20V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流 0.025A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989018 结构：NPN集电极-发射极电压 15V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流 0.05A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管85508550是一种常用的普通三极管。
8550三极管的符号
8550三极管的符号
摘要：
1.8550 三极管的概述
2.8550 三极管的符号表示
3.8550 三极管的引脚功能
4.8550 三极管的应用领域
正文：
8550 三极管是一款常见的三极管型号，具有放大和开关等功能，被广泛应用于放大电路、稳压电路、脉冲发生电路等电子设备中。
了解8550 三极管的符号表示，有助于我们更好地识别和应用这款三极管。
一、8550 三极管的概述
8550 三极管，又称为NPN 型三极管，由两个N 型半导体和两个P 型半导体组成，具有放大和开关等功能。
它有三个控制电极，分别是基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。
二、8550 三极管的符号表示
8550 三极管的符号表示如图所示，其中，三角形代表N 型半导体，与三角形相连的线条代表P 型半导体。
数字“8550”表示该三极管的型号。
三、8550 三极管的引脚功能
1.发射极（E）：发射极是电子和空穴发射出来的地方，通常连接到电路的地或负电源。
2.基极（B）：基极是用于控制三极管导通或截止的极，通过改变基极的电
流，可以控制三极管的电流放大倍数。
3.集电极（C）：集电极是收集电子或空穴的地方，通常连接到电路的正电源或负载。
四、8550 三极管的应用领域
8550 三极管广泛应用于各种电子设备中，如放大电路、稳压电路、脉冲发生电路、振荡电路等。
PNP NPN区别及S8550 S8050参数
PNP、NPN的区别及三极管S8550和S8050 参数NPN是用B→E 的电流（IB）控制C→E 的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C 极电位最高，即VC > VB > VEPNP是用E→B 的电流（IB）控制E→C 的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C 极电位最低，即VC<VB<VENPN电路中，E最终都是接到地板（直接或间接），C最终都是接到天花板（直接或间接）。
PNP电路则相反，C最终都是接到地板（直接或间接），E最终都是接到天花板（直接或间接）。
这也是为了满足上面的VC 和VE的关系。
NPN基极高电压，集电极与发射极短路。
低电压，集电极与发射极开路。
也就是不工作。
PNP基极高电压，集电极与发射极开路，也就是不工作。
如果基极加低电位，集电极与发射极短路。
NPN和PNP的区别：1.如果输入一个高电平，而输出需要一个低电平时，首选择npn。
2.如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择pnp。
3.如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择npn。
4.如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平时，首选择pnp。
S8050和S8550是现在很常用的小功率三极管。
S8050是NPN管，S8550是PNP管。
它们引脚排列完全一样。
你面对字标，自左向右——e；发射极；b基级；c集电极。
指针万用表核对：档位拨到hfe档位，8050插入到NPN测试孔，8550插入到PNP测试孔，万用表正确指示hfe值的，万用表测试孔标定的ebc管脚记下就是了。
S8550 TO-92S8550 SOT-23S8050 TO-92S8050 SOT-23。
8550三极管 电流
8550三极管电流摘要：1.8550 三极管简介2.8550 三极管的电流特性3.8550 三极管在实际应用中的电流表现4.总结正文：【1.8550 三极管简介】8550 三极管是一种常用的半导体元器件，具有放大和开关功能。
它的结构由三个控制电极组成，分别是基极（Base）、发射极（Emitter）和集电极（Collector）。
在电路设计中，8550 三极管广泛应用于放大器、振荡器、脉冲发生器等电子设备。
【2.8550 三极管的电流特性】8550 三极管的电流特性主要表现在两个方面：静态电流和动态电流。
静态电流是指在无输入信号时，三极管所通过的电流。
动态电流则是当输入信号发生变化时，三极管中流过的电流。
静态电流：8550 三极管的静态电流较小，通常在10nA 到100nA 之间。
静态电流的大小主要取决于基极电流，发射极和集电极之间的电压差。
静态电流小意味着8550 三极管具有较低的功耗和较长的使用寿命。
动态电流：动态电流是指在输入信号发生变化时，三极管中流过的电流。
当基极电流发生变化时，发射极和集电极之间的电流也会发生相应的变化。
根据电流放大系数β，可以计算出动态电流的范围。
在实际应用中，8550 三极管的电流放大系数β通常在100 到300 之间。
【3.8550 三极管在实际应用中的电流表现】在实际应用中，8550 三极管的电流特性对电路性能具有重要影响。
例如，在音频放大器中，要求三极管具有较高的电流放大系数，以便放大电信号。
而在开关电路中，要求三极管具有较低的静态电流，以减少功耗和提高电路的稳定性。
【4.总结】8550 三极管作为一种常用的半导体元器件，在电路设计中具有广泛的应用。
了解其电流特性对于优化电路性能至关重要。
SS8550三极管参数 TO-92三极管SS8550规格书
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA
Base-emitter voltage
VBE(on) VCE=-1V, IC=-10mA
-1.2
V
-1
V
20
pF
100
MHz
CLASSIFICATION OF hFE(2)
Rank Range
B
85-160
C
120-200
D
160-300
D3
300-400
B,Sep,2011
Typical Characteristics
SS8550
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
TRANSITION FREQUENCY f (MHz) T
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Symbol
A A1 b c D D1 E e e1 L Φ h
Dimensions In Millimeters
Min.
Max.3.3003.7001.100Seal the box with the tape
QA Label
Outer Box: 350 mm× 340mm× 250mm
Label on the Outer Box
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Inner Box: 240 mm×165mm×９５mm
1.400
0.380
三极管8050
三极管 8550 和 8050 封装定义及参数
8550是电子电路中常用到的小功率pnp型硅晶体三极管。
很多放大电路中都要用到他,下面是引脚资料介绍.
<三极管8550管脚图>
1.发射极
2.基极
3.集电极
8550参数:
集电极-基极电压Vcbo：-40V
工作温度：-55℃ to +150℃
和8050（NPN）相对
贴片smt封装的8550三极管引脚图及功能.
--------------------------------------------------------------
8050三极管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 KHz
8050引脚图
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C060AJ-00
芯片厚度：240±20μm
管芯尺寸：600×600μm 2
焊位尺寸：B 极130×150μm 2；E 极140×130μm 2电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：S8050，H8050
极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）Tstg——贮存温度 -55~150℃
Tj——结温 150℃
PC——集电极耗散功率 1W
VCBO——集电极—基极电压 40V
VCEO——集电极—发射极电压 25V VEBO——发射极—基极电压 6V
IC——集电极电流 1.2A
电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）。
代换S8550 S8050三极管
代换S8550 S8050三极管8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。
在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。
8050为NPN型三极管8550为PNP型三极管图片一TO92封装图片二贴片封装S8050 S8550参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.6V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为EBC或ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-3508050S 8550S参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.5V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350关于C8050 C8550参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300关于8050SS 8550SS参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种关于SS8050 SS8550参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400图一是这几种三极管的管脚排列图。
三极管 8550 和 8050 封装定义及参数
三极管8550 和8050 封装定义及参数
模拟技术&音响制2009-10-18 19:51:03 阅读161 评论0 字号：大中小订阅
8550是电子电路中常用到的小功率pnp型硅晶体三极管。
很多放大电路中都要用到他,下面是引脚资料介绍.
<三极管8550管脚图>
1.发射极
2.基极
3.集电极
8550参数:
集电极-基极电压Vcbo：-40V
工作温度：-55℃to +150℃
和8050（NPN）相对
贴片smt封装的8550三极管引脚图及功能.
--------------------------------------------------------------
8050三极管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 KHz
8050引脚图
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C060AJ-00
芯片厚度：240±20μm
管芯尺寸：600×600μm 2
焊位尺寸：B 极130×150μm 2；E 极140×130μm 2电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：S8050，H8050
极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）
Tstg——贮存温度-55~150℃
Tj——结温150℃
PC——集电极耗散功率1W
VCBO——集电极—基极电压40V
VCEO——集电极—发射极电压25V
VEBO——发射极—基极电压6V
IC——集电极电流1.2A。
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的参数及区别
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的参数及区别9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1108050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压 30V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流 0.03A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压 -30V集电极-基电压 -40V射极-基极电压 -5V集电极电流 0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009013 结构：NPN集电极-发射极电压 25V集电极-基电压 45V射极-基极电压 5V集电极电流 0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压 45V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流 0.1A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压 -45V集电极-基电压 -50V射极-基极电压 -5V集电极电流 0.1A耗散功率 0.45W结温150℃特怔频率平均 300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压 20V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流 0.025A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989018 结构：NPN集电极-发射极电压 15V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流 0.05A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管85508550是一种常用的普通三极管。
FOSAN富信电子 三极管 SS8550-产品规格书
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.SS8550 SOT-23Bipolar Transistor双极型三极管▉Features特点PNP Power Amplifier功率放大▉Absolute Maximum Ratings最大额定值Characteristic特性参数Symbol符号Rat额定值Unit单位Collector-Base Voltage集电极基极电压V CBO-40VCollector-Emitter Voltage集电极发射极电V CEO-25V压Emitter-Base Voltage发射极基极电压V EBO-5V Collector Current集电极电流I C-1500mA Power dissipation耗散功率P C(T a=25℃)300mW Thermal Resistance Junction-Ambient热阻RΘJA417℃/WJunction and Storage TemperatureT J,T stg-55to+150℃结温和储藏温度■Device Marking产品打标SS8550=Y2ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.SS8550■ElectricalCharacteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号Min 最小值Type 典型值Max 最大值Unit 单位Collector-Base Breakdown V oltage集电极基极击穿电压(I C =-100uA ，I E =0)BV CBO -40——V Collector-Emitter Breakdown Voltage 集电极发射极击穿电压(I C =-1mA ，I B =0)BV CEO -25——V Emitter-Base Breakdown V oltage发射极基极击穿电压(I E =-100uA ，I C =0)BV EBO -5——V Collector-Base Leakage Current集电极基极漏电流(V CB =-40V ，I E =0)I CBO ——-100nA Collector-Emitter Punch Throng Current 集电极发射极穿透电流(V CE =-20V ，V BE =0)I CES ——-100nA Emitter-Base Leakage Current发射极基极漏电流(V EB =-5V ，I C =0)I EBO ——-100nADC Current Gain直流电流增益(V CE =-1V ，I C =-100mA)H FE （1）120—400DC Current Gain直流电流增益(V CE =-1V ，I C =-1500mA)H FE （2）40——Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极发射极饱和压降(I C =-1500mA ，I B =-150mA)V CE(sat)——-0.6V Base-Emitter Saturation V oltage 基极发射极饱和压降(I C =-1500mA ，I B =-150mA)V BE(sat)——-1.2V Transition Frequency特征频率(V CE =-10V ，I C =-50mA)f T 100——MH Z Output Capacitance输出电容(V CB =-10V ，I E =0,f=1MH Z )C ob—18—pFANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.SS8550■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.SS8550■Dimension外形封装尺寸Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A 0.900 1.1500.0350.045A10.0000.1000.0000.004A20.900 1.0500.0350.041b 0.3000.5000.0120.020c 0.0800.1500.0030.006D 2.800 3.0000.1100.118E 1.200 1.4000.0500.055E1 2.2502.5500.0890.100e 0.950TYP0.037TYPe1 1.8002.0000.0710.079L 0.550REF0.022REFL10.3000.5000.0120.020θ0o8o 0o8o。
8550三极管参数
8550三极管参数
8550三极管是一种NPN型晶体管，常用于低频功率放大
电路和开关电路中。
它具有以下参数：1. 最大集电极电流（ICmax）：8550三极管的最大集电极电流为1.5A。
这意
味着在正常工作条件下，集电极电流不应超过1.5A，否则
可能会导致器件损坏。
2. 最大集电极-基极电压（VCEOmax）：8550三极管的最大集电极-基极电压为60V。
这意味着在正常工作条件下，集电极-基极之间的电压不应
超过60V，否则可能会导致器件损坏。
3. 最大功耗（Pmax）：8550三极管的最大功耗为800mW。
这意味着在
正常工作条件下，器件的功耗不应超过800mW，否则可能会
导致器件过热。
4. 最大直流增益（hFE）：8550三极管的
最大直流增益为200。
直流增益是指输入信号和输出信号之
间的放大倍数。
较高的直流增益意味着更好的放大效果。
5. 射级饱和压降（VCEsat）：8550三极管的射级饱和压降为0.5V。
射级饱和压降是指在开关状态下，集电极-发射极之
间的电压降。
6. 最大工作频率（fT）：8550三极管的最大
工作频率为150MHz。
这意味着它可以在高频率下工作，适
用于一些需要高速开关的应用。
总之，8550三极管是一种
具有较高集电极电流和较低集电极-基极电压的NPN型晶体管。
它适用于低频功率放大和开关应用，并具有较高的直
流增益和较低的射级饱和压降。
8550三极管 电流
8550三极管电流一、介绍8550三极管是一种常用的NPN型晶体管，具有高电流放大倍数和低噪声特性。
本文将详细介绍8550三极管的电流特性及其相关知识。
二、三极管的基本原理三极管是一种半导体器件，由三个不同掺杂的半导体材料层组成：发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
其工作原理基于PN结的导电特性。
2.1 发射极电流发射极电流（IE）是指从发射极流入三极管的电流。
8550三极管是NPN型晶体管，其发射极电流主要由基极电流和集电极电流组成。
2.2 基极电流基极电流（IB）是指流入基极的电流。
8550三极管的基极电流主要决定了其放大倍数和工作状态。
2.3 集电极电流集电极电流（IC）是指流入集电极的电流。
8550三极管的集电极电流主要由发射极电流和基极电流决定。
三、8550三极管的电流特性8550三极管具有以下几个重要的电流特性：3.1 最大集电极电流最大集电极电流（ICmax）是指在规定的条件下，8550三极管可以承受的最大集电极电流。
超过这个电流值，三极管可能会被损坏。
3.2 最大基极电流最大基极电流（IBmax）是指在规定的条件下，8550三极管可以承受的最大基极电流。
超过这个电流值，三极管可能会发生故障。
3.3 最大功耗最大功耗（Pmax）是指在规定的条件下，8550三极管可以承受的最大功耗。
超过这个功耗值，三极管可能会过热导致损坏。
3.4 饱和电流饱和电流（ICsat）是指在基极电流足够大的情况下，8550三极管的集电极电流达到最大值，此时三极管处于饱和工作状态。
四、8550三极管的应用8550三极管由于其高电流放大倍数和低噪声特性，被广泛应用于各种电子电路中。
4.1 放大电路8550三极管可以作为信号放大器的关键元件，将微弱的输入信号放大到足够的幅度。
4.2 开关电路8550三极管可以用作开关元件，通过控制基极电流来控制集电极电流的开关状态，实现电路的开关控制功能。
9012,9013,9014,9015,8050,8550三极管的区别
9018 结构：NPN
集电极-发射极电压 15V
集电极-基电压 30V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.05A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 平均 620MHZ
放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
三极管8550
结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
9014 结构：NPN
集电极-发射极电压 45V
集电极-基电压 50V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.1A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000
9015 结构：PNP
集电极-发射极电压 -45V
集电极-基电压 -50V
射极-基极电压 -5V
集电极电流 0结温 150℃
特怔频率 平均 300MHZ
8550是一种常用的普通三极管。
它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管
集电极-发射极电压 -25V
集电极-基电压 -45V
射极-基极电压 -5V
集电极电流 -1.5A
耗散功率 1W
结温 150℃
特怔频率 最小 100MHZ
工作温度： -55℃ to +150℃
三极管8550发射极基极电压
三极管8550发射极基极电压
通用的PNP型三极管（如8550）的极性定义如下：
1.发射极（Emitter，E）：通常是带有箭头的那一侧。
2.基极（Base，B）：通常是正中间的那一侧。
3.集电极（Collector，C）：剩余的一侧。
对于PNP型三极管，发射极是N 区，基极是P 区，集电极是N 区。
在正常工作状态下，发射极是负载电流的来源，而集电极是电流的汇集点。
一般来说，PNP型三极管的工作需要将发射极连接到负极，而基极连接到输入信号的源，集电极连接到负载。
在这种配置下，发射极相对于基极是正向偏置的，这意味着发射极电位较低。
然而，确切的电压值将取决于具体的电路设计和工作条件。
在使用8550 PNP型三极管时，具体的发射极基极电压（VBE）取决于其工作状态和外部电路的特定设置。
正常工作情况下，VBE 通常在0.6 到0.8 伏之间，但这个范围可能会有一些变化。
最好的方式是查阅8550三极管的数据手册，以获取详细的电性能参数。
8550三极管 电流
8550三极管电流【实用版】目录1.8550 三极管概述2.8550 三极管的电流特性3.8550 三极管的应用领域正文【8550 三极管概述】8550 三极管是一种常见的半导体元器件，具有放大和开关等功能。
它是由两个 n 型半导体（发射极和集电极）和一个 p 型半导体（基极）组成，因此也称为双极型晶体管。
8550 三极管在我国的电子产业中有着广泛的应用，如放大器、振荡器、信号处理器等电子设备。
【8550 三极管的电流特性】8550 三极管的电流特性主要体现在其基极电流、发射极电流和集电极电流之间。
在正常工作状态下，发射极电流约为基极电流的 10-20 倍，集电极电流约为基极电流的 100-200 倍。
这种比例关系使得三极管具有很高的电流放大能力。
当 8550 三极管处于截止区时，基极电流几乎为零，发射极电流也很小，集电极电流几乎为零。
而当三极管处于饱和区时，基极电流足够大，使得发射极电流达到最大值，集电极电流也接近最大值。
在这两种极端情况下，三极管的电流放大能力会受到限制。
【8550 三极管的应用领域】8550 三极管广泛应用于各种电子设备和电路中，主要包括以下几个方面：1.放大器：三极管作为信号放大元件，可以实现信号的放大和传输。
在放大器电路中，8550 三极管通常与其他元器件如电容、电感、二极管等组成不同类型的放大电路，以满足不同场合的需求。
2.振荡器：8550 三极管可以用于构成各种类型的振荡器，如 LC 振荡器、RC 振荡器等。
振荡器是电子设备中产生稳定信号的重要部分，广泛应用于通信、广播、导航等领域。
3.信号处理器：在信号处理器中，8550 三极管可以用于实现信号的调制、解调、滤波等功能。
这些功能在现代通信系统、音频处理设备等方面有着广泛的应用。
4.电源开关：8550 三极管还可以作为开关元件，用于控制电流的通断。
在电源开关电路中，三极管可以实现快速、高效的开关动作，提高电源的效率和稳定性。
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三极管8550参数
（原创版）
目录
1.三极管 8550 概述
2.三极管 8550 的主要参数
3.三极管 8550 的用途
4.三极管 8550 与 8050 的区别
5.三极管 8550 的封装和资料
正文
一、三极管 8550 概述
三极管 8550 是一种常用的普通三极管，属于低电压、大电流、小信号的 PNP 型硅三极管。
它的最大集电极电流为 1.5A，广泛应用于开关电路、射频放大电路、功率放大电路、推挽功放电路等领域。
二、三极管 8550 的主要参数
1.集电极 - 基极电压（Vcbo）：-40V
2.工作温度：-55℃ to 150℃
3.最大集电极电流（Ic）：1.5A
4.直流电增益（hFE）：10 to 60
5.功耗（Pc）：不确定，需要根据实际应用场景和使用条件来确定
三、三极管 8550 的用途
1.开关应用：由于三极管 8550 具有较快的开关速度和较低的电压，因此常用于开关电路，如振荡器、脉冲发生器等。
2.放大：三极管 8550 可以作为电压放大器和电流放大器使用，具有
较好的放大性能。
3.射频放大：三极管 8550 可以用于射频放大电路，提高无线电信号的传输距离和质量。
4.功率放大：三极管 8550 可用于功率放大电路，如音频功率放大器、射频功率放大器等。
5.推挽功放：三极管 8550 可以与其他三极管配合使用，构成推挽功放电路，具有较高的输出功率和较好的稳定性。
四、三极管 8550 与 8050 的区别
三极管 8550 和 8050 在参数上具有一定的相似性，但它们之间存在一些区别：
1.类型：8550 为 PNP 型三极管，而 8050 为 NPN 型三极管。
2.偏置：由于 8550 和 8050 的类型不同，它们在电路中的偏置电压也不同，需要根据实际应用场景进行调整。
五、三极管 8550 的封装和资料
1.封装：三极管 8550 有多种封装形式，如 SOT-23、TO-92 等。
不同的封装形式具有不同的外形尺寸和引脚排列，需要根据实际应用需求选择合适的封装。
2.资料：三极管 8550 的详细资料和电路图可参考电子元器件手册或相关网站，如 SparkFun、Renesas 等。